JP4804930B2 - 窒化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4804930B2 JP4804930B2 JP2006014216A JP2006014216A JP4804930B2 JP 4804930 B2 JP4804930 B2 JP 4804930B2 JP 2006014216 A JP2006014216 A JP 2006014216A JP 2006014216 A JP2006014216 A JP 2006014216A JP 4804930 B2 JP4804930 B2 JP 4804930B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- semiconductor device
- ingan
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
図1を参照して、本発明の第1実施形態に係る窒化物半導体素子について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る窒化物半導体素子の断面構造を示す。
以下、図2乃至図8を参照して、本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法において行われる工程について説明する。
本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法によれば、InGaN層103上にInGaNを含む層を少なくとも1層以上積層し、少なくともInGaNを含む層が露出する側面に、絶縁膜113を形成し、InGaN層103に、InGaNのバンドギャップエネルギーよりもエネルギーの大きい光を照射することにより、窒化物半導体層のInGaNを含む層を保護しつつ、InGaN層103を溶解することができるため、窒化物半導体層に応力を加えることなく窒化物半導体層をサファイア基板101から分離することができる。
以下、本発明の第2実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
以下、本発明の第3実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
以下、本発明の第4実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
以下、本発明の第5実施形態に係る窒化物半導体素子の製造方法の各ステップについて図2を参照しながら更に説明する。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
103、203…InGaN層、104、204…n型バッファB層、
105、205、305…n型コンタクト層、106、206…n型超格子層、
108、208、308…MQW活性層、110、210、310…p型クラッド層、
111、211、311…p型コンタクト層、112、212…p型オーミック電極、
113、213…絶縁膜、114…コンタクトホール、115、215…反射ミラー膜、
116、216…支持基板、117、217…接着層、118…n型オーミック電極、
119、219…エッチング領域、301…基板、302…n型バッファ層、
306…n型クラッド層、307…n型光ガイド層、309…p型光ガイド層、
312…p電極、318…n電極
Claims (3)
- 基板上に、InGaNを含む光溶解層と該光溶解層上に窒化物半導体層とを有し、前記窒化物半導体層中に前記InGaNよりもバンドギャップエネルギーの大きい第1窒化物半導体層を含んでおり、前記窒化物半導体層をエッチングバリア用の絶縁膜で覆う一方で、前記光溶解層の少なくとも一部を露出させた積層基板に対して、
前記積層基板を電解液中に浸漬する工程と、
前記InGaNのバンドギャップエネルギーよりも大きく、かつ前記第1窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーの光を前記光溶解層に照射することにより前記光溶解層をエッチングする光電気化学エッチング工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記第1窒化物半導体層は、前記光溶解層上に形成したことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記電解液は、KOH溶液又はNaOH溶液であり、
前記光の光源は、Xeランプ又は水銀ランプであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014216A JP4804930B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006014216A JP4804930B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007200932A JP2007200932A (ja) | 2007-08-09 |
JP2007200932A5 JP2007200932A5 (ja) | 2009-03-05 |
JP4804930B2 true JP4804930B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=38455260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006014216A Expired - Fee Related JP4804930B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4804930B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5333218B2 (ja) | 2007-08-01 | 2013-11-06 | 日本電気株式会社 | 動画像データ配信システム、その方法及びそのプログラム |
JP5182189B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2013-04-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8441108B2 (en) | 2009-04-02 | 2013-05-14 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor element having electrode on m-plane and method for producing the same |
JP5397042B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2014-01-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2011125289A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
US9368939B2 (en) | 2013-10-18 | 2016-06-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material |
US9379525B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-28 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable laser diode |
US9362715B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-06-07 | Soraa Laser Diode, Inc | Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material |
US9871350B2 (en) | 2014-02-10 | 2018-01-16 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable RGB laser diode source |
US9520697B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-12-13 | Soraa Laser Diode, Inc. | Manufacturable multi-emitter laser diode |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3498577B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2004-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
US6455340B1 (en) * | 2001-12-21 | 2002-09-24 | Xerox Corporation | Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff |
-
2006
- 2006-01-23 JP JP2006014216A patent/JP4804930B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007200932A (ja) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4804930B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP5016808B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法 | |
JP4218597B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2007200932A5 (ja) | ||
US8154036B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
WO2010100844A1 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
KR100992497B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
US20140339566A1 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
KR100609118B1 (ko) | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
WO2007072871A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
WO2007117035A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
EP1881537A1 (en) | Nitride semiconductor element and production method therefor | |
JP2007305851A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP6829497B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2007207981A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2010219310A (ja) | 光デバイスおよび光デバイス構造 | |
JP2005354049A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2007207869A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2006245165A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP3767863B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
US20050079642A1 (en) | Manufacturing method of nitride semiconductor device | |
JP4493041B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2010267694A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体素子およびその製造方法 | |
JP2007273590A (ja) | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP2007042944A (ja) | 窒化物半導体素子の製法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090119 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110726 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |