JP2010192715A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】1ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制する。
【解決手段】1ターンの長さを有する2種類のコイル導体18b,18d,18f,18h,18jと、コイル導体18c,18e,18g,18iとがz軸方向に交互に積層されている。コイル導体18c,18e,18g,18iには、三方がコイル導体18c,18e,18g,18iに囲まれた高磁束密度領域が形成されている。高磁束密度領域は、磁性体材料が設けられていない空洞である低透磁率部24f,24h,24j,24lである。
【選択図】図2

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、積層体内にコイルが内蔵された電子部品及びその製造方法に関する。
従来の電子部品としては、例えば、特許文献1に記載の積層インダクタが知られている。図7は、該積層インダクタの積層体111の分解斜視図である。
積層体111は、磁性体層112a〜112l、内部導体114a〜114f及びビアホール導体B1〜B5により構成されている。磁性体層112a〜112lは、積層方向の上側から下側へとこの順に並ぶように配置されている絶縁層である。
内部導体114aは、磁性体層112d上に設けられ、一端が積層体111の右側の側面に引き出されている。内部導体114b〜114eはそれぞれ、磁性体層112e〜112h上において1ターンの長さで周回している。内部導体114b,114dは、同じ形状を有している。また、内部導体114c,114eは、同じ形状を有している。すなわち、2種類の形状の内部導体114b,114dと内部導体114c,114eとが交互に並んでいる。また、内部導体114fは、磁性体層112i上に設けられ、一端が積層体111の左側の側面に引き出されている。
また、ビアホール導体B1〜B5は、積層方向に隣り合う内部導体114a〜114fを接続している。これにより、積層体111内において螺旋状に旋廻するコイルLが構成されている。図7に示す積層インダクタでは、例えば、磁性体層112hと磁性体層112iとの間に、内部導体114が設けられた磁性体層112を挿入することにより、1ターン単位でコイルLのターン数を調整することができる。
しかしながら、特許文献1に記載の積層インダクタは、以下に説明するように、比較的小さな直流電流がコイルLに流れただけで、磁気飽和が発生し、インダクタンス値が急激に低下してしまうという問題を有する。図7の内部導体114cにおいて、磁性体層112fの長辺に沿って延在する配線部分を、配線部114c−1,114c−2と定義する。
より詳細には、図7に示すように、積層インダクタでは、内部導体114b〜114eは、その一端において接続部116b〜116eを有している。該接続部116b〜116eは、内部導体114b〜114eにより囲まれた長方形状の領域内に引き出されており、ビアホール導体B2,B4と接続されている。これにより、1ターンの長さを有する内部導体114b〜114eが、ビアホール導体B2〜B4により接続可能となっている。一例を示すが、このような内部導体114c(内部導体114eも内部導体114cと同じ構成であるが、ここでは説明を省略する)では、配線部114c−1には、電流i1が左側に向かって流れ、配線部114c−2には、電流i2が右側に向かって流れる。また、接続部116cには、電流i3が左側に向かって流れる。よって、配線部114c−1と配線部114c−2とに挟まれた領域では、電流i1,i2により積層方向の上側に向かって磁束が発生する。また、配線部114c−2と接続部116cとに挟まれた領域(図7の斜線部分)では、電流i2,i3により積層方向の上側に向かって磁束が発生する。
ここで、接続部116cと配線部114c−2との距離は、図7に示すように、配線部114c−1と配線部114c−2との距離よりも小さい。更に、電流i1〜i3の大きさは等しい。直線電流による磁束密度の大きさは、電流からの距離に反比例し、電流の大きさに比例する。そのため、配線部114c−2と接続部116cとに挟まれた領域における磁束密度は、配線部114c−1と配線部114c−2とに挟まれた領域における磁束密度よりも大きくなる。その結果、積層インダクタにおいて、配線部114c−2と接続部116cとに挟まれた領域では、配線部114c−1と配線部114c−2とに挟まれた領域よりも、磁気飽和が発生しやすくなってしまう。
特開2001−44036号公報
そこで、本発明の目的は、1ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、環状の軌道が規定された長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体内に内蔵されているコイルと、を備え、前記コイルは、前記軌道上を第1の点から所定方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の長辺に沿って欠損した部分を有している第1のコイル部、及び、該所定方向の下流側における該第1のコイル部の端部と該軌道の内側の第2の点とを接続する第1の接続部を有する第1のコイル導体と、前記第1のコイル導体と積層方向に交互に設けられている第2のコイル導体であって、前記軌道上を前記第1の点から前記所定方向の反対方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の短辺に沿って欠損した部分を有している第2のコイル部、及び、該所定方向の上流側における該第2のコイル部の端部と前記第2の点とを接続する第2の接続部を有する第2のコイル導体と、交互に積層方向に並んでいる第1のビアホール導体及び第2のビアホール導体であって、隣り合っている前記第1のコイル導体と前記第2のコイル導体の前記第1の点を接続する第1のビアホール導体、及び、隣り合っている前記第1のコイル導体と前記第2のコイル導体の前記第2の点を接続する第2のビアホール導体と、を備え、前記積層体において、積層方向から平面視したときに、前記短辺に平行であってかつ前記第2の点を通過する直線、前記第2の接続部、前記第2のコイル部に囲まれている高磁束密度領域であって、積層方向において、前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体が設けられている高磁束密度領域の少なくとも一部は、該高磁束密度領域以外の前記絶縁体層よりも透磁率が低い低透磁率部であること、を特徴とする。
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、前記絶縁体層を準備する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、焼成時に消失する消失材料を塗布する工程と、前記絶縁体層に前記第1のビアホール導体及び前記第2のビアホール導体を形成する工程と、前記絶縁体層に前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体を形成する工程と、前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、前記積層体を焼成し、前記消失材料を消失させる工程と、を備えていること、を特徴とする。
また、本発明のその他の形態に係る電子部品の製造方法は、前記絶縁体層を準備する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、該絶縁体層よりも低い透磁率を有する低透磁率材料を塗布する工程と、前記絶縁体層に前記第1のビアホール導体及び前記第2のビアホール導体を形成する工程と、前記絶縁層に前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体を形成する工程と、前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、を備えていること、を特徴とする。
本発明によれば、1ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制できる。
本発明の一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 図1の電子部品の積層体の分解斜視図である。 磁性体層をz軸方向の正方向側から平面視した図である。 積層体をz軸方向の正方向側から透視した図である。 図4のG−G'における電子部品の断面構造図である。 図4のH−H'における積層体の断面構造図である。 特許文献1に記載の積層インダクタの積層体の分解斜視図である。
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
(電子部品の構成)
図1は、電子部品10の外観斜視図である。図2は、電子部品10の積層体12の分解斜視図である。以下、電子部品10の積層方向をz軸方向と定義し、電子部品10の長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、電子部品10の短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。
電子部品10は、図1に示すように、直方体状の積層体12と、x軸方向の両端に位置する積層体12の側面(表面)に形成された2つの外部電極14a,14bとを備えている。
積層体12は、図2に示すように、磁性体層16a〜16qがz軸方向の正方向側からこの順に積層されて構成されており、螺旋状のコイルLを内蔵している。磁性体層16a〜16qは、磁性を有するフェライト(例えば、Ni−Zn−Cuフェライト又はNi−Znフェライト等)からなる長方形状の絶縁層である。以下では、個別の磁性体層16a〜16qを指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。
コイルLは、コイル導体18a〜18k及びビアホール導体b1〜b10を含んでいる。コイル導体18a〜18kは、例えばAgを主成分とする導電性材料からなる。以下では、個別のコイル導体18a〜18kを指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。
コイル導体18a〜18kはそれぞれ、磁性体層16d〜16nのz軸方向の正方向側の主面上に設けられている。コイル導体18b,18d,18f,18h,18jは、同じ形状を有し、コイル導体18c,18e,18g,18iは、同じ形状を有している。そして、コイル導体18b,18d,18f,18h,18jと、コイル導体18c,18e,18g,18iとは、z軸方向に交互に並ぶように設けられている。以下に、図3を参照しながら、コイル導体18b〜18jについてより詳細に説明する。図3(a)は、磁性体層16e,16g,16i,16k,16mをz軸方向の正方向側から平面視した図であり、図3(b)は、磁性体層16f,16h,16j,16lをz軸方向の正方向側から平面視した図である。図3において、x軸、y軸及びz軸の座標の正負を決めるために、z軸が磁性体層16の中心を通過しているものと仮定して、x軸及びy軸の正方向側及び負方向側を定義する。
ここで、図3(a)及び図3(b)に示すように、磁性体層16には、長方形状をなす環状の軌道Rが規定されている。そして、磁性体層16上の軌道Rの一角(x軸方向の負方向側であってかつy軸方向の正方向側の角)には、点Aが規定されている。また、点Aの近傍であって軌道Rの内側には、点Bが規定されている。
コイル導体18b,18d,18f,18h,18jはそれぞれ、図3(a)に示すように、1ターンの長さを有しており、コイル部20b,20d,20f,20h,20j及び接続部22b,22d,22f,22h,22jを有している。コイル部20b,20d,20f,20h,20jは、図3(a)に示すように、軌道R上を点Aから矢印Dの方向(反時計回り方向)に旋廻し、かつ、磁性体層16e,16g,16i,16k,16mの長辺に沿って欠損した部分(以下、欠損部と称す)F1を有している。欠損部F1は、軌道Rのx軸方向の負方向側及びy軸方向の正方向側の角からx軸方向に延在している。また、接続部22b,22d,22f,22h,22jは、矢印Dの方向の下流側におけるコイル部20b,20d,20f,20h,20jの端部と点Bとを接続している。
コイル導体18c,18e,18g,18iは、図3(b)に示すように、コイル部20c,20e,20g,20i及び接続部22c,22e,22g,22iを有している。コイル部20c,20e,20g,20iは、図3(b)に示すように、軌道R上を点Aから矢印Eの方向(時計回り方向)に旋廻し、かつ、磁性体層16f,16h,16j,16lの短辺に沿って欠損した欠損部F2を有している。欠損部F2は、軌道Rのx軸方向の負方向側及びy軸方向の正方向側の角からy軸方向に延在している。また、接続部22c,22e,22g,22iは、矢印Eの方向の下流側におけるコイル部20c,20e,20g,20iの端部と点Bとを接続している。
コイル導体18aは、図2に示すように、一端が積層体12のx軸方向の正方向側の側面に引き出されていると共に、他端が点Bに位置している形状を有している。これにより、コイル導体18aの一端は、外部電極14aと接続されている。
コイル導体18kは、図2に示すように、一端が積層体12のx軸方向の負方向側の側面に引き出されていると共に、他端が点Aに位置している形状を有している。これにより、コイル導体18kの一端は、外部電極14bと接続されている。
ビアホール導体b1は、磁性体層16dをz軸方向に貫通しており、コイル導体18aとコイル導体18bとの点Bを繋いでいる。ビアホール導体b2は、磁性体層16eをz軸方向に貫通しており、コイル導体18bとコイル導体18cとの点Aを繋いでいる。ビアホール導体b3は、磁性体層16fをz軸方向に貫通しており、コイル導体18cとコイル導体18dとの点Bを繋いでいる。ビアホール導体b4は、磁性体層16gをz軸方向に貫通しており、コイル導体18dとコイル導体18eとの点Aを繋いでいる。ビアホール導体b5は、磁性体層16hをz軸方向に貫通しており、コイル導体18eとコイル導体18fとの点Bを繋いでいる。ビアホール導体b6は、磁性体層16iをz軸方向に貫通しており、コイル導体18fとコイル導体18gとの点Aを繋いでいる。ビアホール導体b7は、磁性体層16jをz軸方向に貫通しており、コイル導体18gとコイル導体18hとの点Bを繋いでいる。ビアホール導体b8は、磁性体層16kをz軸方向に貫通しており、コイル導体18hとコイル導体18iとの点Aを繋いでいる。ビアホール導体b9は、磁性体層16lをz軸方向に貫通しており、コイル導体18iとコイル導体18jとの点Bを繋いでいる。ビアホール導体b10は、磁性体層16mをz軸方向に貫通しており、コイル導体18jとコイル導体18kとの点Aを繋いでいる。
以上のように、ビアホール導体b1〜b10は、点Aに位置しているもの(ビアホール導体b2,b4,b6,b8,b10)と、点Bに位置しているもの(ビアホール導体b1,b3,b5,b7,b9)とがz軸方向に交互に並んでいる。以上のようなコイル導体18a〜18k及びビアホール導体b1〜b10により、螺旋状のコイルLが構成されている。
ところで、電子部品10は、コイルLにおいて、磁気飽和が発生することを抑制するための構造を有している。以下にかかる構造について図面を参照しながら説明する。図4は、積層体12をz軸方向の正方向側から透視した図である。図5は、図4のG−G'における電子部品10の断面構造図である。図6は、図4のH−H'における積層体12の断面構造図である。
電子部品10では、1ターンのコイル導体18がビアホール導体により接続されている。そのため、コイル導体18の両端が軌道R上に位置していると、コイル導体18同士をビアホール導体により接続することができない。そこで、図3(b)に示すように、コイル導体18c,18e,18g,18iには、x軸方向に延在する接続部22c,22e,22g,22iが設けられている。これにより、コイル導体18の一端が、軌道Rの内部に位置するようになっている。
接続部22c,22e,22g,22iが設けられると、図4に示すように、接続部22及びコイル部20により囲まれた四角形の領域Jが形成される。そして、接続部22を挟んでy軸方向の負方向側には、コイル部20c,20e,20g,20iの一部及び接続部22c,22e,22g,22iにより三方が囲まれた領域(高磁束密度領域)Iが形成されてしまう。このような領域Iでは、コイル導体18c,18e,18g,18iのy軸方向の負方向側に位置し、かつ、x軸方向に延在している配線部と、接続部22c,22e,22g,22iとが近接してしまう。その結果、領域Iにおいて、磁束密度が高くなり、磁気飽和が発生しやすくなってしまう。
そこで、電子部品10では、図3(b)に示す領域Iにおける透磁率を、該領域I以外の領域における透磁率よりも低くしている。より詳細には、積層体12において、z軸方向の正方向側から平面視したときに、短辺に平行であってかつ点Bを通過する直線C、接続部22c,22e,22g,22i及びコイル部20c,20e,20g,20iに囲まれている領域I(図3(b)及び図4参照)であって、z軸方向において、コイル導体18b〜18jが設けられている領域I(図5及び図6参照)の少なくとも一部は、領域I以外の磁性体層16よりも透磁率が低い低透磁率部24f,24h,24j,24lである。ここで、電子部品10において、領域Iは、図3ないし図6に示すように、直方体状の領域である。本実施形態に係る電子部品10では、磁性体層16f,16h,16j,16lの領域Iのそれぞれに、磁性体材料が設けられていない空洞である低透磁率部24f,24h,24j,24lが設けられている。なお、図3(a)及び図4に示す領域Jにおいて、コイル部20の一部と接続部22とが近接しているが、xy平面上でのこれらの電流方向は同じである。そのため、領域Jにて発生する磁束は相殺され、磁気飽和の影響は小さい。
(効果)
電子部品10によれば、以下に説明するように、1ターンの長さを有するコイル導体18b〜18jからなるコイルLにおいて磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。より詳細には、コイル導体18c,18e,18g,18iは、図3(b)に示すように、コイル部20c,20e,20g,20i及び接続部22c,22e,22g,22iを有している。コイル部20c,20e,20g,20iは、図3(b)に示すように、軌道R上を点Aから矢印Eの方向(時計回り方向)に旋廻し、かつ、磁性体層16f,16h,16j,16lの短辺に沿って欠損した欠損部F2を有している。また、接続部22c,22e,22g,22iは、矢印Eの方向の下流側におけるコイル部20c,20e,20g,20iの端部と点Bとを接続している。
前記のようなコイル導体18c,18e,18g,18iでは、図3(b)に示すように、z軸方向から平面視したときに、コイル部20c,20e,20g,20iの一部及び接続部22c,22e,22g,22iによって三方が囲まれた領域Iが形成されるようになる。このような領域Iでは、コイル部20c,20e,20g,20iの一部及び接続部22c,22e,22g,22iが近接しているので、これらを流れる電流iの対面方向の距離が小さくなり、かつ、xy平面での電流方向が逆向きである。その結果、領域Iでは、磁束密度が高くなりやすく、磁気飽和が発生しやすい。
そこで、電子部品10では、図3ないし図6に示すように、領域Iの少なくとも一部の透磁率が、その他の領域の磁性体層16の透磁率よりも低くなるように構成されている。具体的には、領域I内の一部に空洞である低透磁率部24が設けられている。そのため、領域I内において、磁束密度が高くなりすぎて、磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。その結果、コイルLのインダクタンス値が急激に低下することが抑制されるようになる。
また、低透磁率部24は、領域Iの一部に設けられている。具体的には、低透磁率部24は、磁性体層16e〜16mの全てに設けられているのではなく、磁性体層16f,16h,16j,16lにのみ設けられている。そのため、電子部品10では、低透磁率部24が全ての磁性体層16に設けられている場合に比べて、低透磁率部24によるコイルLの初期インダクタンス値が大きく低下することが抑制される。なお、初期インダクタンス値とは、コイルLに微小な電流を流したときにおけるインダクタンス値である。更に、初期インダクタンス値の低下をより抑制するために、低透磁率部24は、z軸方向から平面視したときに、領域Iの全面に設けられているのではなく、領域Iの一部に設けられていてもよい。なお、初期インダクタンス値の低下を問題としない場合には、全ての磁性体層16に低透磁率部24が設けられていてもよい。
また、図2に示すように、低透磁率部24は、磁性体層16f,16h,16j,16lに設けられている。ここで、磁性体層16f,16h,16j,16lに設けられているコイル導体18c,18e,18g,18i及びビアホール導体b3,b5,b7,b9は、同じ構造を有している。そのため、磁性体層16f,16h,16j,16l、コイル導体18c,18e,18g,18i及びビアホール導体b3,b5,b7,b9は、全く同じ構造を有するようになり、同じ工程で作製することが可能となる。その結果、電子部品10の製造コストが低減される。なお、磁性体層16f,16h,16j,16lの代わりに、磁性体層16e,16g,16i,16k,16mに低透磁率部24が設けられてもよい。
なお、低透磁率部24は、空洞であるとしたが、例えば、磁性体層16の透磁率よりも低い透磁率を有する低透磁率材料により構成されていてもよい。このような低透磁率材料としては、例えば、非磁性体材料や、磁性体層16の材料よりもNiの含有率が低いNi−Cu−Znフェライトが挙げられる。低透磁率部24が空洞ではなく非磁性体材料又は磁性体材料で構成されることにより、磁性体層16間の密着度が向上する。その結果、電子部品10においてデラミネーション(層間剥離)が発生することが抑制されるようになる。
なお、コイル導体18は、長方形状の軌道R上に設けられている。しかしながら、軌道Rの形状はこれに限らない。例えば、楕円形状等であってもよい。また、接続部22は、直線ではなく曲線であってもよい。
なお、低透磁率部24は、z軸方向から平面視したときに、領域Iからはみ出していてもよい。例えば、低透磁率部24は、コイル部16と接続部22とがx軸方向に平行に延在した状態で対向している領域内に設けられていてもよい。すなわち、低透磁率部24は、直線Cからx軸方向の正方向側に僅かにはみ出していてもよい。
(電子部品の製造方法)
以下に、電子部品10の製造方法について図1及び図2を参照しながら説明する。
まず、磁性体層16となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄(Fe23)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)及び酸化銅(CuO)を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を800℃で1時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤(酢酸ビニル、水溶性アクリル等)と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、磁性体層16となるべきセラミックグリーンシートを作製する。
次に、磁性体層16d〜16mとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体b1〜b10を形成する。具体的には、磁性体層16d〜16mとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ag,Pd,Cu,Auやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
次に、磁性体層16f,16h,16j,16lとなるべきセラミックグリーンシートの領域Iを、レーザビームを照射して除去する。これにより、低透磁率部24f,24h,24j,24lが設けられる部分には、孔が形成されるようになる。なお、磁性体層16f,16h,16j,16lとなるべきセラミックグリーンシートの領域Iを除去する工程と、ビアホールを形成する工程とは同時に行われてもよい。
次に、積層体12の焼成時において消失する消失材料を、磁性体層16f,16h,16j,16lとなるべきセラミックグリーンシートの領域Iに対して塗布する。すなわち、磁性体層16f,16h,16j,16lとなるべきセラミックグリーンシートに形成された孔に対して、消失部材を埋め込む。該消失材料としては、例えば、カーボンペーストや樹脂ペーストが挙げられる。
次に、磁性体層16d〜16nとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ag,Pd,Cu,Auやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体18a〜18kを形成する。なお、コイル導体18a〜18kを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、磁性体層16qとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。磁性体層16pとなるべきセラミックグリーンシートのキャリアフィルムを剥がして、磁性体層16qとなるべきセラミックグリーンシート上に磁性体層16pとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、磁性体層16pとなるべきセラミックグリーンシートを磁性体層16qに対して圧着する。圧着条件は、100トン〜120トンの圧力及び3秒間から30秒間程度の時間である。また、キャリアフィルムの排出方法は、吸引による排出及びチャックによるつかみ排出である。この後、磁性体層16o,16n,16m,16l,16k,16j,16i,16h,16g,16f,16e,16d,16c,16b,16aとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。これにより、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
次に、マザー積層体をギロチンカットにより所定寸法の積層体12にカットする。これにより未焼成の積層体12が得られる。この未焼成の積層体12には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において500℃で2時間の条件で行う。焼成は、例えば、800℃〜900℃で2.5時間の条件で行う。この際、磁性体層16f,16h,16j,16lに設けられた消失部材が、加熱により消失し、空洞である低透磁率部24f、24h,24j,24lが形成される。
以上の工程により、焼成された積層体12が得られる。積層体12には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体12の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極14a,14bとなるべき銀電極が形成される。銀電極の焼き付けは、800℃で60分間行われる。
最後に、銀電極の表面に、Niめっき/Snめっきを施すことにより、外部電極14a,14bを形成する。以上の工程を経て、図1に示すような電子部品10が完成する。
前記電子部品10の製造方法によれば、孔を有した状態で磁性体層16が積層されるのではなく、孔に消失部材が充填された状態で磁性体層16が積層される。そのため、磁性体層16の積層時において、磁性体層16間に空気が入り込むことが抑制される。その結果、焼成後に積層体12おいてデラミネーション(層間剥離)が発生することが抑制される。
なお、電子部品10は、逐次圧着法により作製されるものとしたが、逐次圧着法以外の方法(例えば、印刷工法)によって作製されてもよい。
また、電子部品10の製造方法において、低透磁率部24が低透磁率材料からなる場合には、消失部材のペーストを塗布する代わりに、磁性体層16となるべきセラミックグリーンシートの材料よりも低い透磁率を有する低透磁率材料のペーストが塗布される。
本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、1ターンの長さを有するコイル導体が接続されてなるコイルを内蔵している電子部品及びその製造方法において、磁気飽和が発生することを抑制できる点において優れている。
F1,F2 欠損部
I 領域
L コイル
R 軌道
b1〜b10 ビアホール導体
10 電子部品
12 積層体
14a,14b 外部電極
16a〜16q 磁性体層
18a〜18k コイル導体
20b〜20j コイル部
22b〜22j 接続部
24f,24h,24j,24l 低透磁率部

Claims (6)

  1. 環状の軌道が規定された長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
    前記積層体内に内蔵されているコイルと、
    を備え、
    前記コイルは、
    前記軌道上を第1の点から所定方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の長辺に沿って欠損した部分を有している第1のコイル部、及び、該所定方向の下流側における該第1のコイル部の端部と該軌道の内側の第2の点とを接続する第1の接続部を有する第1のコイル導体と、
    前記第1のコイル導体と積層方向に交互に設けられている第2のコイル導体であって、前記軌道上を前記第1の点から前記所定方向の反対方向に旋廻し、かつ、前記絶縁体層の短辺に沿って欠損した部分を有している第2のコイル部、及び、該所定方向の上流側における該第2のコイル部の端部と前記第2の点とを接続する第2の接続部を有する第2のコイル導体と、
    交互に積層方向に並んでいる第1のビアホール導体及び第2のビアホール導体であって、隣り合っている前記第1のコイル導体と前記第2のコイル導体の前記第1の点を接続する第1のビアホール導体、及び、隣り合っている前記第1のコイル導体と前記第2のコイル導体の前記第2の点を接続する第2のビアホール導体と、
    を備え、
    前記積層体において、積層方向から平面視したときに、前記短辺に平行であってかつ前記第2の点を通過する直線、前記第2の接続部、前記第2のコイル部に囲まれている高磁束密度領域であって、積層方向において、前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体が設けられている高磁束密度領域の少なくとも一部は、該高磁束密度領域以外の前記絶縁体層よりも透磁率が低い低透磁率部であること、
    を特徴とする電子部品。
  2. 前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体は、前記絶縁体層上に設けられ、
    前記低透磁率部は、前記第1のコイル導体が設けられている前記各絶縁体層又は前記第2のコイル導体が設けられている前記各絶縁体層に設けられていること、
    を特徴とする請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記低透磁率部は、空洞であること、
    を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の電子部品。
  4. 前記低透磁率部は、前記高磁束密度領域以外の前記絶縁体層よりも低い透磁率を有する低透磁率材料により構成されていること、
    を特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の電子部品。
  5. 請求項1に記載の電子部品の製造方法において、
    前記絶縁体層を準備する工程と、
    前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、
    前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、焼成時に消失する消失材料を塗布する工程と、
    前記絶縁体層に前記第1のビアホール導体及び前記第2のビアホール導体を形成する工程と、
    前記絶縁体層に前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体を形成する工程と、
    前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、
    前記積層体を焼成し、前記消失材料を消失させる工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする電子部品の製造方法。
  6. 請求項1に記載の電子部品の製造方法において、
    前記絶縁体層を準備する工程と、
    前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部を除去する工程と、
    前記絶縁体層の前記高磁束密度領域の少なくとも一部に対して、該絶縁体層よりも低い透磁率を有する低透磁率材料を塗布する工程と、
    前記絶縁体層に前記第1のビアホール導体及び前記第2のビアホール導体を形成する工程と、
    前記絶縁層に前記第1のコイル導体及び前記第2のコイル導体を形成する工程と、
    前記絶縁層を積層して前記積層体を得る工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする電子部品の製造方法。
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