JP2011091221A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】層間剥離が積層体に発生することを抑制できる電子部品を提供することである。
【解決手段】積層体１２は、磁性体材料からなる絶縁体層１６と非磁性体材料からなる絶縁体層１７とが積層されて構成されている。コイルＬは、コイル導体層１８が接続されることにより構成されている螺旋状のコイルである。コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状の環状の軌道Ｒを形成している。コイル導体層１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、絶縁体層１７にｚ軸方向の負方向側から接触し、軌道Ｒの内側を周回している。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品の製造方法に関し、より特定的には、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体を有する電子部品に関する。

従来の電子部品としては、特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品（以下、単に積層コイル部品と称す）が知られている。以下に、該積層コイル部品について説明する。

積層コイル部品は、複数のコイル用導体パターンを電気的に接続して構成した螺旋状コイルを内蔵したコイル部と、コイル部の外側に積層された外層部とを有している。そして、積層コイル部品の積層方向において、コイル部の略中央の位置に非磁性セラミック層が配置されている。以上の構成を有する積層コイル部品では、非磁性セラミック層が設けられているので、磁気飽和が発生しにくい。そのため、積層コイル部品では、優れた直流重畳特性を有している。

しかしながら、特許文献１に記載の積層コイル部品では、非磁性セラミック層において層間剥離が発生するおそれがある。以下に、図面を参照しながら説明する。図４は、特許文献１に記載の積層コイル部品の非磁性セラミック層近傍の断面構造図である。

積層コイル部品は、磁性セラミック層５０２（５０２ａ〜５０２ｄ）及び非磁性セラミック層５００が積層されることにより構成されている。そして、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００上には、コイル用導体パターン５０４（５０４ａ〜５０４ｅ）が設けられている。

以上の構成を有する積層コイル部品では、コイル用導体パターン５０４が設けられている領域における積層方向の厚みは、コイル用導体パターン５０４が設けられていない領域における積層方向の厚みよりも大きくなる。そのため、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００は、コイル用導体パターン５０４が設けられている領域において、積層方向の上側に突出した形状をなすようになる。よって、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００が積層方向の上側に突出している部分の両端では、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００の接合面の法線が積層方向に対して傾いてしまう。その結果、圧着時において、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００に対して、十分な圧力が加わらなくなる。更には、磁性セラミック層５０２の材料と非磁性セラミック層５００の材料とは異なっている。以上より、磁性セラミック層５０２ｂ，５０２ｃと非磁性セラミック層５００との間において層間剥離が特に発生しやすい。

特開２００５−２５９７７４号公報

そこで、本発明の目的は、層間剥離が積層体に発生することを抑制できる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、第１の透磁率を有する複数の第１の絶縁体層と該第１の透磁率よりも小さな第２の透磁率を有する第２の絶縁体層とが積層されて構成されている積層体と、前記積層体に内蔵され、かつ、複数の導体層が接続されることにより構成されている螺旋状のコイルと、を備え、前記第２の絶縁体層に対して積層方向の上側から接触している前記導体層、及び、該導体層よりも積層方向の下側に設けられている前記導体層は、積層方向から平面視したときに、１つの環状の軌道上を周回していないこと、を特徴とする。

本発明によれば、層間剥離が積層体に発生することを抑制できる。

本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。 図１の電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。 特許文献１に記載の積層コイル部品の非磁性セラミック層近傍の断面構造図である。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。

（電子部品の構成）
本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０に短辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。なお、図３では、外部電極１４を省略してある。

電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）、引き出し導体層１９（１９ａ，１９ｂ）及びコイル（電子素子）Ｌ（図１には図示せず）を備えている。積層体１２は、直方体状をなしており、コイルＬを内蔵している。

外部電極１４ａは、ｙ軸方向の負方向側に位置する積層体１２の側面に設けられている。外部電極１４ｂは、ｙ軸方向の正方向側に位置する積層体１２の側面に設けられている。すなわち、外部電極１４ａ，１４ｂは、積層体１２の互いに対向する側面に設けられている。

積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７，１６ｃ〜１６ｆ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。絶縁体層１６（１６ａ〜１６ｆ）は、磁性材料（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）からなる長方形状の層である。絶縁体層１７は、非磁性材料（例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）からなる長方形状の層であり、コイルＬを横切っている。絶縁体層１７の厚みは、図３に示すように、絶縁体層１６の厚みよりも薄い。なお、磁性体材料又は非磁性体材料とはそれぞれ、−５５℃以上＋１２５℃以下の温度範囲において、磁性体材料又は非磁性体材料として機能する材料を意味する。以下では、絶縁体層１６，１７のｚ軸方向の正方向側の面を表面と称し、絶縁体層１６，１７のｚ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。

コイルＬは、図２に示すように、コイル導体層１８（１８ａ〜１８ｆ）及びビアホール導体ｂ１〜ｂ５が接続されることにより構成されている。コイルＬは、ｚ軸方向と平行なコイル軸を有する螺旋状のコイルである。

コイル導体層１８は、図２に示すように、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７，１６ｃ〜１６ｅの裏面上に設けられている。コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合うことにより長方形状の環状の軌道Ｒを形成している線状導体である。コイル導体層１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、環状の軌道Ｒの内側を周回している。すなわち、絶縁体層１７に対してｚ軸方向の上側から接触しているコイル導体層１８ｂ、及び、該コイル導体層１８ｂよりもｚ軸方向の負方向側に設けられているコイル導体層１８ｃ〜１８ｆの内の一部のコイル導体層１８（本実施形態では、絶縁体層１７にｚ軸方向の負方向側から接しているコイル導体層１８ｃ）は、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒの内側を周回している。更に、コイル導体層１８ｃ以外のコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒ上を周回している。

更に、コイル導体層１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆと部分的に重なっている。電子部品１０では、コイル導体層１８ｃは、外周側の部分において、線幅の１／２の大きさだけコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆと重なっている。

また、コイル導体層１８は、２００μｍの線幅及び５０μｍの厚みを有している。更に、コイル導体層１８ａは、５／８ターンのターン数を有している。コイル導体層１８ｂ〜１８ｅは、７／８ターンのターン数を有している。コイル導体層１８ｆは、１／８ターンのターン数を有している。以下では、コイル導体層１８において、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、反時計回りの上流側の端部を上流端とし、反時計回りの下流側の端部を下流端とする。なお、コイル導体層１８のターン数は、７／８ターンに限らない。よって、コイル導体層１８のターン数は、例えば、１／２ターンであってもよいし、３／４ターンであってもよい。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ５はそれぞれ、図２に示すように、絶縁体層１６ｂ，１７，１６ｃ〜１６ｅをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体層１８同士を接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、絶縁体層１６ｂをｚ軸方向に貫通し、コイル導体層１８ａの下流端及びコイル導体層１８ｂの上流端に接続されている。ビアホール導体ｂ２は、絶縁体層１７をｚ軸方向に貫通し、コイル導体層１８ｂの下流端及びコイル導体層１８ｃの上流端に接続されている。ビアホール導体ｂ３は、絶縁体層１６ｃをｚ軸方向に貫通し、コイル導体層１８ｃの下流端及びコイル導体層１８ｄの上流端に接続されている。ビアホール導体ｂ４は、絶縁体層１６ｄをｚ軸方向に貫通し、コイル導体層１８ｄの下流端及びコイル導体層１８ｅの上流端に接続されている。ビアホール導体ｂ５は、絶縁体層１６ｅをｚ軸方向に貫通し、コイル導体層１８ｅの下流端及びコイル導体層１８ｆの上流端に接続されている。

引き出し導体層１９ａは、図２に示すように、絶縁体層１６ａの裏面においてコイル導体層１８ａの上流端に接続されていると共に、絶縁体層１６ａのｙ軸方向の負方向側の短辺に引き出されることにより、外部電極１４ａに接続されている。引き出し導体層１９ｂは、絶縁体層１６ｅの裏面においてコイル導体層１８ｆの下流端に接続されていると共に、絶縁体層１６ｅのｙ軸方向の正方向側の短辺に引き出されることにより、外部電極１４ｂに接続されている。

（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図１ないし図３を参照しながら説明する。以下では、１つの電子部品１０の製造方法について説明する。ただし、実際には、大判のセラミックグリーンシートが積層されてマザー積層体が作製され、該マザー積層体がカットされることにより、複数の電子部品１０が同時に作製される。

まず、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、絶縁体層１７となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１７となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、絶縁体層１６ｂ，１７，１６ｃ〜１６ｅとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ，１７，１６ｃ〜１６ｅとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。更に、ビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性材料からなるペーストを印刷塗布などの方法により充填して、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５を形成する。

次に、絶縁体層１６ａ〜１６ｅ，１７となるべきセラミックグリーンシートの裏面上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体層１８（１８ａ〜１８ｆ）及び引き出し導体層１９（１９ａ，１９ｂ）を形成する。導電性材料からなるペーストは、例えば、Ａｇに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。

なお、コイル導体層１８（１８ａ〜１８ｆ）及び引き出し導体層１９（１９ａ，１９ｂ）を形成する工程とビアホールに対して導電性材料からなるペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７，１６ｃ〜１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層及び圧着して未焼成の積層体１２を得る。具体的には、絶縁体層１６ｆとなるべきセラミックグリーンシートを配置し、該絶縁体層１６ｆとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１６ｅとなるべきセラミックグリーンシートを積層し、仮圧着する。この後、絶縁体層１６ｄとなるべきセラミックグリーンシート、絶縁体層１６ｃとなるべきセラミックグリーンシート、絶縁体層１７となるべきセラミックグリーンシート、絶縁体層１６ｂとなるべきセラミックグリーンシート及び絶縁体層１６ａとなるべきセラミックグリーンシートもこの順に積層し、仮圧着していく。この後、未焼成の積層体１２に対して、静水圧プレスにて本圧着を施す。以上の工程により、図３に示すような未焼成の積層体１２の作製が完了する。

次に、未焼成の積層体１２に、脱バインダー処理及び焼成を施す。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において８５０℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８７０℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。

以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工を施して、面取りを行う。その後、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを、積層体１２の表面に塗布する。そして、塗布した電極ペーストを約８００℃の温度で１時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極を形成する。

最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。

（効果）
以上のような電子部品１０によれば、以下に説明するように、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との間で層間剥離が発生することを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載の積層コイル部品では、コイル用導体パターン５０４が設けられている領域における積層方向の厚みは、コイル用導体パターン５０４が設けられていない領域における積層方向の厚みよりも大きくなる。そのため、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００は、コイル用導体パターン５０４が設けられている領域において、積層方向の上側に突出した形状をなすようになる。よって、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００が積層方向の上側に突出している部分の両端では、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００の接合面の法線が積層方向に対して傾いてしまう。その結果、圧着時において、磁性セラミック層５０２及び非磁性セラミック層５００に対して、十分な圧力が加わらなくなる。更には、磁性セラミック層５０２の材料と非磁性セラミック層５００の材料とは異なっている。以上より、磁性セラミック層５０２ｂ，５０２ｃと非磁性セラミック層５００との間において層間剥離が特に発生しやすい。

そこで、電子部品１０では、絶縁体層１７に対してｚ軸方向の上側から接触しているコイル導体層１８ｂ、及び、該コイル導体層１８ｂよりもｚ軸方向の負方向側に設けられているコイル導体層１８ｃ〜１８ｆの内の一部のコイル導体層１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒの内側を周回している。そのため、図３に示すように、コイル導体層１８ａ〜１８ｆ（コイル導体層１８ｆは図３では図示せず）はｚ軸方向に一列に並ばなくなる。よって、電子部品１０では特許文献１に記載の積層コイル部品に比べて、コイル導体層１８ａ〜１８ｆが設けられている領域のｚ軸方向の厚みと、コイル導体層１８ａ〜１８ｆが設けられていない領域のｚ軸方向の厚みとの差が、小さくなる。そのため、コイル導体層１８ｃよりもｚ軸方向の正方向側に位置している絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７がｚ軸方向の正方向側に突出する量が小さくなる。よって、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との境界がｚ軸方向に突出する量も小さくなる。したがって、圧着時において、絶縁体層１６ｂ，１６ｃ，１７に対して、十分な圧力が加わるようになる。その結果、電子部品１０では、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との間で層間剥離が発生することを抑制できる。

また、コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆは、軌道Ｒ上を周回しており、コイル導体層１８ｃは、軌道Ｒの内側を周回している。これにより、コイルＬのコイル径をできるだけ大きくすることができる。その結果、電子部品１０において、コイルＬのインダクタンス値を大きくすることが可能となる。

また、コイル導体層１８ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆと部分的に重なっている。これにより、以下に説明するように、電子部品１０において、コイルＬのインダクタンス値を大きくすることができる。より詳細には、コイル導体層１８ｃとコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆとが部分的に重なっていない場合には、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層１８ｃとコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆとの間に隙間が発生する。よって、コイル導体層１８ｃが発生した磁束及びコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆが発生した磁束は、該隙間を通過しようとする。しかしながら、コイル導体層１８ｃが発生した磁束の向きとコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆが発生した磁束の向きとは逆向きである。よって、これらの磁束は打ち消しあってしまう。そのため、前記のような隙間の存在は、コイルＬのインダクタンス値を大きくすることを妨げてしまう。

一方、コイル導体層１８ｃとコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆとが部分的に重なっていると、前記のような隙間が発生しない。そのため、コイル導体層１８ｃが発生した磁束とコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆが発生した磁束とが打ち消しあうことがない。その結果、電子部品１０では、コイルＬのインダクタンス値を大きくすることが可能となる。

なお、コイル導体層１８ｃとコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆとが重なっている部分の大きさが大きければ、コイルＬの内径が大きくなるのでインダクタンス値が大きくなる。一方、コイル導体層１８ｃとコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆとが重なっている部分の大きさが小さければ、絶縁体層１６ｂ，１７がｚ軸方向の正方向側に突出する量が小さくなるので層間剥離を効果的に抑制できる。よって、大きなインダクタンス値を得ることと層間剥離の抑制を両立させる観点から、コイル導体層１８ｃは、外周側の部分において、線幅の１／２の大きさだけコイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆと重なっていることが望ましい。

（その他の実施形態）
本願発明に係る電子部品は、前記実施形態に係る電子部品１０に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。以下に、その他の実施形態に係る電子部品について説明する。

電子部品１０では、コイル導体層１８ｃが、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒの内側を周回していた。しかしながら、軌道Ｒの内側を周回するコイル導体層１８は、コイル導体層１８ｃに限らない。電子部品１０では、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との間において層間剥離が発生することが抑制されればよい。したがって、コイル導体層１８ｃ〜１８ｆのいずれかが、軌道Ｒの内側を周回していればよい。コイル導体層１８ｃ〜１８ｆは、絶縁体層１７に対してｚ軸方向の正方向側から接しているコイル導体層１８ｂよりもｚ軸方向の負方向側に位置している導体層である。これにより、コイル導体層１８ｃ〜１８ｆよりもｚ軸方向の正方向側に位置している絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７がｚ軸方向の正方向側に突出する量が小さくなる。よって、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との境界がｚ軸方向に突出する量も小さくなる。したがって、圧着時において、絶縁体層１６ｂ，１６ｃ，１７に対して、十分な圧力が加わるようになる。その結果、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との間で層間剥離が発生することを抑制できる。

なお、コイル導体層１８ｂが、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒの内側を周回していてもよい。コイル導体層１８ｂは、図３に示すように、絶縁体層１７にｚ軸方向の正方向側から接している。そのため、コイル導体層１８ｂが軌道Ｒの内側を周回することにより、コイル導体層１８ｂよりもｚ軸方向の正方向側に位置する絶縁体層１６ａ，１６ｂがｚ軸方向の正方向側に突出する量が小さくなる。その結果、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１７との境界がｚ軸方向に突出する量も小さくなる。したがって、圧着時において、絶縁体層１６ｂ，１７に対して、十分な圧力が加わるようになる。その結果、絶縁体層１６ｂと絶縁体層１７との間で層間剥離が発生することを抑制できる。

なお、電子部品１０では、コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆは、１つの軌道Ｒ上を周回している。しかしながら、コイル導体層１８ａ，１８ｂ，１８ｄ〜１８ｆは、１つの軌道Ｒ上を周回している必要はない。電子部品１０において、絶縁体層１６ｂ，１６ｃと絶縁体層１７との間で層間剥離が発生する原因は、前記の通り、絶縁体層１７に対してｚ軸方向の正方向側から接触しているコイル導体層１８ｂよりもｚ軸方向の負方向側に位置しているコイル導体層１８ｃ〜１８ｆがｚ軸方向に並ぶことである。そこで、電子部品１０では、コイル導体層１８ｃ〜１８ｆが、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、１つの軌道Ｒ上を周回していなければよい。よって、コイルＬは、例えば、柱体ではなく錐体をなしていてもよい。

また、電子部品１０では、コイル導体層１８は、絶縁体層１６，１７の裏面上に設けられるものとしたが、絶縁体層１６，１７の表面上に設けられていてもよい。

また、絶縁体層１６は、磁性材料により構成され、絶縁体層１７は、非磁性材料により構成されている。しかしながら、絶縁体層１６の材料と絶縁体層１７の材料とはこれに限らない。絶縁体層１６は、第１の透磁率を有し、絶縁体層１７は、第１の透磁率よりも小さな第２の透磁率を有していればよい。

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、層間剥離が積層体に発生することを抑制できる点において優れている。

Ｌ コイル
Ｒ 軌道
ｂ１〜ｂ５ ビアホール導体
１０ 電子部品
１２ 積層体
１４ａ，１４ｂ 外部電極
１６ａ〜１６ｆ，１７ 絶縁体層
１８ａ〜１８ｆ コイル導体層
１９ａ，１９ｂ 引き出し導体層

Claims (6)

1. 第１の透磁率を有する複数の第１の絶縁体層と該第１の透磁率よりも小さな第２の透磁率を有する第２の絶縁体層とが積層されて構成されている積層体と、
   前記積層体に内蔵され、かつ、複数の導体層が接続されることにより構成されている螺旋状のコイルと、
   を備え、
   前記第２の絶縁体層に対して積層方向の上側から接触している前記導体層、及び、該導体層よりも積層方向の下側に設けられている前記導体層は、積層方向から平面視したときに、１つの環状の軌道上を周回していないこと、
   を特徴とする電子部品。
2. 前記第２の絶縁体層に対して積層方向の上側から接触している前記導体層、及び、該導体層よりも積層方向の下側に設けられている前記導体層の内の一部の前記導体層は、積層方向から平面視したときに、前記軌道の内側を周回しており、
   前記一部の導体層以外の前記導体層は、積層方向から平面視したときに、前記軌道上を周回していること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記一部の導体層は、前記第２の絶縁体層に積層方向の上側から接している前記導体層よりも積層方向の下側に設けられている前記導体層のいずれかであること、
   を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
4. 前記一部の導体層は、前記第２の絶縁体層に積層方向の下側から接している前記導体層であること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記第２の絶縁体層に対して積層方向の上側から接触している前記導体層、及び、該導体層よりも積層方向の下側に設けられている前記導体層の内の一部の前記導体層は、積層方向から平面視したときに、該一部の導体層以外の前記導体層と部分的に重なっていること、
   を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記第２の絶縁体層の厚みは、前記第１の絶縁体層の厚みよりも薄いこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
   

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