JP5191001B2 - 光半導体封止用シート - Google Patents
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Description
〔1〕剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び/又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び/又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートの150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜1000MPaであり、150℃におけるシート伸び率が5.00%以下である、光半導体封止用シート、ならびに
〔2〕前記〔1〕記載の光半導体封止用シートを光半導体素子搭載基板に封止樹脂層が基板に対向するよう積層して加圧成型後、剥離シートを剥離して、凸形状及び/又は凹形状が表面に形成されてなる、光半導体装置
に関する。
幅10mm、長さ15mm、厚さ0.1mmの試料について、粘弾性測定装置(DMS210U、セイコーインスツルメンツ社製)を用いて、周波数10Hz、測定温度範囲34〜170℃の条件で測定を行い、80℃と150℃での貯蔵弾性率を測定する。
幅5mm、長さ20mm、厚さ0.1mmの試料について、熱機械分析装置(TMA/SS-350、セイコーインスツルメンツ社製)を用いて、150℃の条件下で、荷重2gを負荷する前後の長さを測定し、伸び率(%)〔(負荷後の長さ/負荷前の長さ)×100−100〕を算出する。
<剥離シートA>
表1に示す構成シートに、径200nm、高さ210nmの凸部がピッチ250nmで配列された凸金型(金型1)を配置し、真空プレス装置(ニチゴーモートン社製、V-130)を用いて、1MPaの加圧下で、160℃、3分間プレス成形して、表面に凹形状を有する剥離シートAが得られた(厚さ40μm)。
表1に示す構成シートに、径10μm、高さ5μmの凸部がピッチ12μmで配列された凸金型(金型2)を配置し、剥離シートAと同様にして、真空プレス装置(V-130)を用いて成形し、表面に凹形状を有する剥離シートBが得られた(厚さ40μm)。
ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(Gerest社製、商品名「VDT-731」)3.4g、2,4,6,8-テトラメチルテトラビニルシクロテトラシロキサン(信越化学社製、商品名「LS-8670」)5μL、及び白金触媒(Gerest社製、商品名「6831.2」)18μLの混合物に、ヒドロメチルシロキサン−ジメチルシロキサン共重合体(Gerest社製、商品名「HMS-301」)1.0gを加え、25℃で5時間攪拌混合して、ポリシロキサンを構成樹脂とする封止樹脂層の樹脂溶液を調製した。
得られた封止樹脂層の樹脂溶液を、上記で得られた剥離シートA又は剥離シートBの凹形状を有する面に、300μmの厚さにアプリケータを用いて塗工し、60℃で10分乾燥して、剥離シートAを有する光半導体封止用シートA、及び剥離シートBを有する光半導体封止用シートBを得た(厚さ340μm)。
得られた各光半導体封止用シートを、光半導体素子(波長域460nm)を実装した平板の基板に、封止樹脂層を光半導体素子と対向するよう積層し、その上から、凹部(8mm×8mm、深さ250μm)を有するSUS製金型を、真空プレス装置(V-130)を用いて、0.1MPaの圧力下で、160℃で5分加熱した。その後、真空プレス装置から取り出し、室温(25℃)に戻して成形後の光半導体封止用シートが変形しない状態となってから金型をはずし、150℃の乾燥機にて1時間ポストキュアを行った後、室温付近(25℃)まで温度が下がった段階で、剥離シートを剥離して、光半導体封止用シートAで封止したアレイパッケージA、及び光半導体封止用シートBで封止したアレイパッケージBを得た。
各剥離シートの凹構造について、各金型からの凸構造の転写が良好であるかどうかを電子顕微鏡(日立社製、S-1500)を用いて観察し、剥離シートに凹構造の形成が確認される場合を「○」、確認されない場合を「×」として評価した。
各アレイパッケージについて、剥離シートの剥離後に露出される、封止樹脂層の凸構造を電子顕微鏡(日立社製、S-1500)を用いて観察し、凸構造が確認される場合をシート成形性が「○」、確認されない場合をシート成形性が「×」として評価した。
1−2 剥離シートの凹部形成層
1−3 剥離シートの支持体層
1 剥離シート
2 封止樹脂層
3 光半導体素子
4 基板
5 圧縮成型用金型
Claims (4)
- 剥離シートの上に封止樹脂層が積層されてなる光半導体封止用シートにおいて、前記剥離シートが封止樹脂層との界面に、凹形状及び/又は凸形状を有する凹凸部形成層を含み、かつ、前記封止樹脂層が剥離シートとの界面に、剥離シートの凹形状に嵌合する凸形状及び/又は剥離シートの凸形状に嵌合する凹形状を有してなる光半導体封止用シートであって、前記剥離シートの150℃における貯蔵弾性率が10MPa〜1000MPaであり、150℃におけるシート伸び率が5.00%以下である、光半導体封止用シート。
- 封止樹脂層における、凸形状の凸部の高さ及び/又は凹形状の凹部の深さが100nm〜10μmである、請求項1記載の光半導体封止用シート。
- 剥離シートが、さらに、支持体層を含んでなる、請求項1又は2記載の光半導体封止用シート。
- 請求項1〜3いずれか記載の光半導体封止用シートを光半導体素子搭載基板に封止樹脂層が基板に対向するよう積層して加圧成型後、剥離シートを剥離して、凸形状及び/又は凹形状が表面に形成されてなる、光半導体装置。
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