JP2010180449A - Target material of composite tungsten oxide, and method for manufacturing the same - Google Patents
Target material of composite tungsten oxide, and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010180449A JP2010180449A JP2009024049A JP2009024049A JP2010180449A JP 2010180449 A JP2010180449 A JP 2010180449A JP 2009024049 A JP2009024049 A JP 2009024049A JP 2009024049 A JP2009024049 A JP 2009024049A JP 2010180449 A JP2010180449 A JP 2010180449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten oxide
- composite tungsten
- target material
- oxide target
- density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
本発明は、遮光部材として好適な複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法に関する。 The present invention relates to a composite tungsten oxide target material used for forming a composite tungsten oxide thin film suitable as a light shielding member, and a method for producing the same.
窓材などの遮光部材として、アルミニウムなどの金属を蒸着した乾式膜のハーフミラータイプの遮光部材がある（特許文献１参照）。しかしながら、このタイプの遮光部材を用いた場合、外観がハーフミラー状となることから、屋外で使用するには反射がまぶしく、景観上の問題がある。 As a light shielding member such as a window material, there is a dry film half mirror type light shielding member in which a metal such as aluminum is deposited (see Patent Document 1). However, when this type of light-shielding member is used, the appearance is a half-mirror, so reflection is dazzling for outdoor use, and there is a problem in landscape.
これに対して、本出願人は、複合タングステン酸化物薄膜を遮光部材として用いることを提案している（特許文献２参照）。複合タングステン酸化物薄膜は、太陽光線、特に近赤外線領域の光を効率よく遮蔽すると共に、可視光領域の高透過率を保持するなど、優れた光学特性を発現する材料として知られている。特許文献２では、このような複合タングステン酸化物薄膜を形成する方法として、複合タングステン酸化物微粒子を、適宜な溶媒中に分散させて分散液とし、得られた分散液に媒体樹脂を添加した後、基材表面にコ−ティングすることを提案している。 On the other hand, the present applicant has proposed to use a composite tungsten oxide thin film as a light shielding member (see Patent Document 2). The composite tungsten oxide thin film is known as a material that exhibits excellent optical properties such as efficiently shielding sunlight rays, particularly light in the near infrared region, and maintaining high transmittance in the visible light region. In Patent Document 2, as a method of forming such a composite tungsten oxide thin film, composite tungsten oxide fine particles are dispersed in an appropriate solvent to form a dispersion, and after adding a medium resin to the obtained dispersion It proposes coating on the surface of the substrate.
このような複合タングステン酸化物薄膜を得る別の手段として、蒸着法やスパッタリング法などの乾式法がある。大型の窓材の処理が可能な大型のスパッタリング装置などの製造設備が使用可能であれば、膜厚が均一で高品質な膜を得られ、かつ、生産性も高いという観点から、乾式法を用いることは好ましいといえる。なお、このような大型のスパッタリング装置などは、商業的に入手可能である。 As another means for obtaining such a composite tungsten oxide thin film, there are dry methods such as vapor deposition and sputtering. If manufacturing equipment such as a large sputtering equipment capable of processing large window materials can be used, a dry method is used from the viewpoint of obtaining a high-quality film with a uniform film thickness and high productivity. It is preferable to use it. Note that such a large-sized sputtering apparatus is commercially available.
蒸着法やスパッタリング法による薄膜形成においては、スパッタリングターゲットなどのターゲット材が使用される。ターゲット材には、ターゲット時における割れやアーキング（異常放電）を防止するためにも、均一化、微細化および高密度化が要求される。特に、薄膜の品質、成膜速度、生産性という観点から、複合タングステン酸化物薄膜形成用のターゲット材には、高密度であることが要求される。 In forming a thin film by vapor deposition or sputtering, a target material such as a sputtering target is used. The target material is required to be uniform, miniaturized, and densified in order to prevent cracking and arcing (abnormal discharge) at the time of the target. In particular, the target material for forming the composite tungsten oxide thin film is required to have a high density from the viewpoint of the quality of the thin film, the film forming speed, and the productivity.
エレクトロクロミック表示素子としてのＷＯx（ｘ＝２．０〜３．０）薄膜用の酸化タングステンターゲット材とその製造方法が、特許文献３および特許文献４に記載されている。 Patent Document 3 and Patent Document 4 describe a tungsten oxide target material for a WO x (x = 2.0 to 3.0) thin film as an electrochromic display element and a manufacturing method thereof.
特許文献３には、ターゲット材の均一化の観点から、ＷＯ3粉末をセラミックスからなるモールドに充填し、酸素供給雰囲気中で９００〜１０００℃の温度範囲で、９．８ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ2）以上の保持圧力で、ホットプレスすることにより、６，０ｇ／ｃｍ3以上の密度を有する酸化タングステンターゲット材を得ることが開示されている。しかしながら、得られるターゲット材の密度は、最大で６．７ｇ／ｃｍ3程度に過ぎない。 In Patent Document 3, from the viewpoint of homogenization of the target material, WO 3 powder is filled in a mold made of ceramics, and 9.8 MPa (100 kg / cm 2 ) in a temperature range of 900 to 1000 ° C. in an oxygen supply atmosphere. It is disclosed that a tungsten oxide target material having a density of 60 g / cm 3 or more is obtained by hot pressing with the above holding pressure. However, the maximum density of the target material obtained is only about 6.7 g / cm 3 .
特許文献４には、鉄、鉄化合物、マンガンまたはマンガン化合物を焼結助剤として用いて、かかる焼結助剤と混合した所定粒径の酸化タングステン粉末を、カーボンモールドに充填し、９５０〜１０５０℃で、９３ＭＰａ（９５０ｋｇ／ｃｍ2）以上の保持圧力で、ホットプレスもしくは熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により、９４〜９９％程度の相対焼結密度を有する酸化タングステンターゲット材を得ることが開示されている。しかしながら、鉄またはマンガンなどのように、酸化タングステン以外の焼結助剤の添加は、得られたターゲット材を用いた成膜後の薄膜において、不純物を生じるという問題がある。 In Patent Document 4, iron oxide, iron compound, manganese or manganese compound is used as a sintering aid, and a tungsten oxide powder having a predetermined particle size mixed with the sintering aid is filled into a carbon mold, and 950 to 1050 is obtained. It is disclosed that a tungsten oxide target material having a relative sintered density of about 94 to 99% is obtained by hot pressing or hot isostatic pressing (HIP) at a holding pressure of 93 MPa (950 kg / cm 2 ) or higher at ° C. Has been. However, the addition of a sintering aid other than tungsten oxide, such as iron or manganese, has a problem that impurities are generated in a thin film after film formation using the obtained target material.
従って、上記の酸化タングステンからなるターゲット材の製造方法について、複合タングステン酸化物からなるターゲット材にそのまま適用できるわけではない。 Therefore, the method for producing a target material made of tungsten oxide is not directly applicable to a target material made of composite tungsten oxide.
このように、焼結助剤などの不純物を含まない複合タングステン酸化物ターゲット材と、かかる複合タングステン酸化物ターゲット材を、高密度で、均一に製造するための方法について、現在までのところ、何らの開示がなされていない。 As described above, there is no composite tungsten oxide target material that does not contain impurities such as a sintering aid and a method for uniformly manufacturing the composite tungsten oxide target material at a high density so far. Is not disclosed.
本発明は、乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the composite tungsten oxide target material used in order to form a composite tungsten oxide thin film by a dry method, and its manufacturing method.
本発明の複合タングステン酸化物ターゲット材は、一般式：ＭxＷyＯz（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の焼結体からなり、該複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、７ｇ／ｃｍ3以上の焼結密度を有することを特徴とする。 The composite tungsten oxide target material of the present invention has a general formula: M x W y O z (where M is H, He, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth element, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S , Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, and I, one or more elements, W is tungsten, O is oxygen, 0 .001 ≦ x / y ≦ 1, 2.0 <z / y ≦ 3.0), which is a sintered body of a composite tungsten oxide, and does not include a phase other than the composite tungsten oxide, and And having a sintered density of 7 g / cm 3 or more.
前記複合タングステン酸化物の相が、立方晶、正方晶、六方晶、および単斜晶のいずれか１種以上の結晶構造からなることが好ましい。 It is preferable that the phase of the composite tungsten oxide has one or more crystal structures of cubic, tetragonal, hexagonal, and monoclinic.
また、前記Ｍが、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｆｅ、およびＳｎの内の１種以上からなることが好ましい。 The M is preferably composed of one or more of Cs, Rb, K, Tl, In, Ba, Li, Ca, Sr, Fe, and Sn.
本発明の複合タングステン酸化物ターゲット材は、前記組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、および１９．６ＭＰａ（２００ｋｇｆ/ｃｍ2）以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、得られる。 The composite tungsten oxide target material of the present invention is obtained by applying a composite tungsten oxide powder having the above composition to a temperature of 900 ° C. or higher and lower than 1100 ° C. and 19.6 MPa (200 kgf / cm 2 ) in a vacuum or an inert gas atmosphere. It can be obtained by hot pressing or hot isostatic pressing under the above pressure conditions.
本発明により、乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成することができる。本発明のターゲット材は、複合タングステン酸化物以外の相を含まない均一な結晶構造を有するため、成膜後の薄膜において不純物が存在することがない。また、７ｇ／ｃｍ3以上という高い焼結密度を有することから、成膜中におけるターゲット材に割れやアーキングが生ずることがない。このように、本発明は、遮光部材として好適な複合タングステン酸化物薄膜を形成する分野において、きわめて有用なものである。 According to the present invention, a composite tungsten oxide thin film can be formed by a dry method. Since the target material of the present invention has a uniform crystal structure that does not include a phase other than the composite tungsten oxide, no impurities are present in the thin film after film formation. Moreover, since it has a high sintered density of 7 g / cm 3 or more, the target material during film formation does not crack or arc. Thus, the present invention is extremely useful in the field of forming a composite tungsten oxide thin film suitable as a light shielding member.
以下、本発明の実施の形態について、１．複合タングステン酸化物ターゲット材、２．原材料となる複合タングステン酸化物粉末、３．該複合タングステン酸化物粉末の製造、および、４．複合タングステン酸化物ターゲット材の製造について、順に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. 1. Composite tungsten oxide target material, 2. Composite tungsten oxide powder as raw material 3. production of the composite tungsten oxide powder; The production of the composite tungsten oxide target material will be described in order.
１．複合タングステン酸化物ターゲット材：
本発明の複合タングステン酸化物ターゲット材は、一般式：ＭxＷyＯz（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の焼結体からなる。
1. Composite tungsten oxide target material:
The composite tungsten oxide target material of the present invention has a general formula: M x W y O z (where M is H, He, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth element, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S , Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf, Os, Bi, and I, one or more elements, W is tungsten, O is oxygen, 0 .001 ≦ x / y ≦ 1, 2.0 <z / y ≦ 3.0).
かかる複合タングステン酸化物ターゲット材を用いて、適切な成膜条件に設定された、スパッタリング法もしくは蒸着法などの乾式法により、成膜した場合に、成膜後の薄膜は、複合タングステン酸化物ターゲット材と実質的に同一の組成となる。 When the composite tungsten oxide target material is used to form a film by a dry method such as a sputtering method or a vapor deposition method set to appropriate film formation conditions, the thin film after the film formation is a composite tungsten oxide target. The composition is substantially the same as the material.
元素Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上である。これらの元素の添加により、得られる薄膜において、複合タングステン酸化物中に自由電子が生成され、近赤外線領域に自由電子由来の吸収特性が発現し、波長１０００ｎｍ付近の近赤外線吸収効果を奏することになる。 Element M is H, He, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth element, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, Re, Be, Hf , Os, Bi, and I. By adding these elements, free electrons are generated in the composite tungsten oxide in the obtained thin film, the absorption characteristics derived from free electrons are expressed in the near infrared region, and the near infrared absorption effect near the wavelength of 1000 nm is achieved. Become.
複合タングステン酸化物としての安定性、すなわち、元素Ｍが添加された当該ＭxＷyＯzにおける安定性の観点から、元素Ｍは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、およびＲｅの内から選択される１種類以上の元素であることが好ましい。 From the viewpoint of stability as a composite tungsten oxide, that is, stability in the M x W y O z to which the element M is added, the element M is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth element, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, One or more elements selected from F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, and Re are preferable.
さらに、赤外線遮蔽材料としての光学特性の観点からは、前記元素Ｍが、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属元素、４Ｂ族元素、または５Ｂ族元素に属するものであることがさらに好ましく、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｆｅ、およびＳｎの内の１種以上であることが、特に好ましい。 Furthermore, from the viewpoint of optical properties as an infrared shielding material, it is more preferable that the element M belongs to an alkali metal, alkaline earth metal, transition metal element, 4B group element, or 5B group element, and Cs. Rb, K, Tl, In, Ba, Li, Ca, Sr, Fe, and Sn are particularly preferable.
次に、元素Ｍの添加量を示すｘ／ｙの値について説明する。ｘ／ｙの値が、０．００１以上であれば、成膜後の薄膜において、十分な量の自由電子が生成され、目的とする近赤外線吸収効果を得ることができる。元素Ｍの添加量が多いほど、自由電子の供給量が増加して、近赤外線吸収効率も向上するが、ｘ／ｙの値が１程度でその効果は飽和する。 Next, the value of x / y indicating the amount of element M added will be described. If the value of x / y is 0.001 or more, a sufficient amount of free electrons is generated in the thin film after film formation, and the intended near infrared absorption effect can be obtained. As the amount of the element M added is increased, the supply amount of free electrons is increased and the near-infrared absorption efficiency is improved, but the effect is saturated when the value of x / y is about 1.
また、ｘ／ｙの値が１以下であれば、成膜後の薄膜（近赤外線吸収材料）中において不純物相が生成されるのを回避できる。 If the value of x / y is 1 or less, it is possible to avoid the generation of an impurity phase in the thin film after film formation (near infrared absorbing material).
よって、ｘ／ｙの値は１以下であることが好ましく、０．０１〜０．５であることがさらに好ましい。 Therefore, the value of x / y is preferably 1 or less, and more preferably 0.01 to 0.5.
酸素量の制御を示すｚ／ｙの値について説明する。元素Ｍを含まないタングステン酸化物において、ＷＯ3およびＷＯ2（すなわち、ｚ／ｙ＝２または３）の組成では、自由電子が生成されず、赤外線遮蔽効果を得ることはできない。 The value of z / y indicating the control of the oxygen amount will be described. In the tungsten oxide not containing the element M, the composition of WO 3 and WO 2 (that is, z / y = 2 or 3) does not generate free electrons and cannot obtain an infrared shielding effect.
しかしながら、一般式：ＭxＷyＯzで表される複合タングステン酸化物材料においては、前述した元素Ｍの添加による自由電子の供給があるため、ｚ／ｙ＝３．０においても、自由電子が生成され、赤外線遮蔽効果を得ることができる。よって、ｚ／ｙの値は３以下とすることができる。一方、複合タングステン酸化物中に赤外線遮蔽効果が得られないＷＯ2の結晶相が存在することは好ましくないため、ｚ／ｙの値は２を超える必要がある。かかる目的としないＷＯ2の結晶相の出現を回避するためには、ｚ／ｙの値を２．２以上とすることが好ましい。 However, in the composite tungsten oxide material represented by the general formula: M x W y O z , since free electrons are supplied by the addition of the element M described above, free electrons are obtained even at z / y = 3.0. Is generated, and an infrared shielding effect can be obtained. Therefore, the value of z / y can be 3 or less. On the other hand, since it is not preferable that the composite tungsten oxide has a WO 2 crystal phase in which an infrared shielding effect cannot be obtained, the value of z / y needs to exceed 2. In order to avoid the appearance of the WO 2 crystal phase which is not the object, the value of z / y is preferably set to 2.2 or more.
このように、酸素量は、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０の範囲、より好ましくは２．２≦ｚ／ｙ≦２．９９の範囲に制御することが好ましい。さらに、２．４５≦ｚ／ｙ≦２．９９の組成比を有する、いわゆる「マグネリ相」は化学的に安定であり、近赤外線領域の吸収特性にも優れるため、この範囲とすることが特に好ましい。 Thus, the oxygen amount is preferably controlled in the range of 2.0 <z / y ≦ 3.0, more preferably in the range of 2.2 ≦ z / y ≦ 2.99. Furthermore, the so-called “Magneli phase” having a composition ratio of 2.45 ≦ z / y ≦ 2.99 is chemically stable and has excellent absorption characteristics in the near-infrared region. preferable.
さらに、ターゲット材における複合タングステン酸化物の相が、立方晶、正方晶、六方晶、および単斜晶のいずれかの結晶構造をとることが好ましい。かかる結晶構造は、成膜後の薄膜に引き継がれる。このような結晶構造により、可視光領域における透過性が高く、かつ、近赤外領域における吸収性が向上するという効果を得ることができる。ただし、薄膜における複合タングステン酸化物相は、結晶質であっても、非晶質であっても構わない。 Furthermore, it is preferable that the phase of the composite tungsten oxide in the target material has a crystal structure of any one of cubic, tetragonal, hexagonal, and monoclinic. This crystal structure is inherited by the thin film after film formation. With such a crystal structure, it is possible to obtain an effect of high transparency in the visible light region and improved absorption in the near infrared region. However, the composite tungsten oxide phase in the thin film may be crystalline or amorphous.
本発明の複合タングステン酸化物ターゲット材には、製造過程において、焼結助剤などが添加されないため、複合タングステン酸化物の相のみからなる焼結体により構成され、複合タングステン酸化物以外の不純物相を含まない。よって、適切な成膜条件によって成膜された薄膜中においても、このような不純物相が発現することがなく、当該不純物相に起因する近赤外線吸収材料としての特性が阻害されることがなくなる。 Since the composite tungsten oxide target material of the present invention is not added with a sintering aid or the like in the manufacturing process, it is composed of a sintered body composed only of the composite tungsten oxide phase, and an impurity phase other than the composite tungsten oxide. Not included. Therefore, even in a thin film formed under appropriate film forming conditions, such an impurity phase does not appear, and the properties as a near infrared absorbing material due to the impurity phase are not hindered.
また、本発明の複合タングステン酸化物ターゲット材は、７ｇ／ｃｍ3以上という高い焼結密度を有する。かかる焼結密度が７ｇ／ｃｍ3未満では、成膜中にターゲット材に割れやアーキングが発生したり、ターゲットの消費が不均一となったりするため、好ましくない。なお、本明細書における焼結密度は、ターゲットの単位体積あたりの質量を意味する。 The composite tungsten oxide target material of the present invention has a high sintered density of 7 g / cm 3 or more. When the sintered density is less than 7 g / cm 3 , cracking and arcing occur in the target material during film formation, and target consumption becomes non-uniform. In addition, the sintered density in this specification means the mass per unit volume of the target.
このように、本発明の複合酸化物ターゲットは、複合タングステン酸化物相のみからなり、複合タングステン酸化物以外の焼結助剤、近赤外線吸収機能を有しないＷＯ2やタングステンメタル（Ｗメタル）を含まない。よって、成膜後の薄膜においても、近赤外線吸収材料としての特性を阻害する不純物相が出現しないこととなる。 Thus, the composite oxide target of the present invention is composed of only a composite tungsten oxide phase, and includes sintering aids other than the composite tungsten oxide, WO 2 and tungsten metal (W metal) having no near infrared absorption function. Not included. Therefore, even in the thin film after film formation, an impurity phase that impedes the properties as a near-infrared absorbing material does not appear.
本発明の複合酸化物ターゲットは、スパッタリングやエレクトロンビーム蒸着のターゲットとして用いることができる。また、複合酸化物ターゲットの寸法はスパッタリングカソードなどの成膜装置の大きさにより適宜定めることができる。 The complex oxide target of the present invention can be used as a target for sputtering or electron beam evaporation. In addition, the size of the composite oxide target can be appropriately determined depending on the size of a film forming apparatus such as a sputtering cathode.
２．複合タングステン酸化物粉末
本発明の複合タングステン酸化物ターゲット材の原材料には、該ターゲット材と実質的に同一組成の複合タングステン酸化物粉末（微粒子）を用いる。かかる複合タングステン酸化物の微粒子の段階において、ターゲット材と同様の結晶構造を有することが好ましい。
2. Composite tungsten oxide powder As a raw material of the composite tungsten oxide target material of the present invention, composite tungsten oxide powder (fine particles) having substantially the same composition as the target material is used. It is preferable that the composite tungsten oxide has a crystal structure similar to that of the target material at the fine particle stage.
なお、複合タングステン酸化物ターゲット材の原料として、複合タングステン酸化物微粒子の粒度は、特に限定されないが、平均粒子径が０．１〜５μｍが望ましい。なお、平均粒子径は、ＢＥＴ比表面積から、式：ｄ＝６／ρ・Ｓ（ｄ；粒子径、ρ；真密度７．５６、Ｓ；比表面積）で求めた値である。 In addition, as a raw material of the composite tungsten oxide target material, the particle size of the composite tungsten oxide fine particles is not particularly limited, but an average particle diameter of 0.1 to 5 μm is desirable. The average particle diameter is a value obtained from the BET specific surface area by the formula: d = 6 / ρ · S (d: particle diameter, ρ; true density 7.56, S: specific surface area).
３．複合タングステン酸化物微粒子の製造方法
かかる原材料としての複合タングステン酸化物微粒子は、以下のようにして製造する。
3. Production Method of Composite Tungsten Oxide Fine Particles Composite tungsten oxide fine particles as such raw materials are produced as follows.
すなわち、タングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）、タングステン酸アンモニウム、六塩化タングステン、アルコールに溶解した六塩化タングステンに水を添加して加水分解させた後に溶媒を蒸発させて得たタングステンの水和物、三酸化タングステン、および、一般式ＷyＯz（ただし、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、２．０＜ｚ／ｙ＜３．０）で表されるタングステン酸化物微粒子から選ばれるタングステン化合物（出発原料）と、前記Ｍ（Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素）の金属化合物（例えば、硝酸塩、硫酸塩、塩化物、炭酸塩、水酸化物、酸化物等、もしくはこれらの塩を含む水溶液）とを、市販の擂潰機、ニーダー、ボールミル、サンドミル、または、ペイントシェーカーなどで、乾式混合し、得られた混合粉体を、不活性ガス雰囲気および／または還元性ガス雰囲気下で、熱処理（焼成）する。 That is, tungsten hydrate obtained by evaporating the solvent after adding water to tungstic acid (H 2 WO 4 ), ammonium tungstate, tungsten hexachloride, tungsten hexachloride dissolved in alcohol and hydrolyzing it, Tungsten trioxide and a tungsten compound selected from the general formula W y O z (where W is tungsten, O is oxygen, and 2.0 <z / y <3.0) Raw material) and M (H, He, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth element, Mg, Zr, Cr, Mn, Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, B, F, P, S, Se, Br, Te, Ti, Nb, V, Mo, Ta, R , One or more elements selected from Be, Hf, Os, Bi, and I) (for example, nitrate, sulfate, chloride, carbonate, hydroxide, oxide, or the like) And an aqueous solution containing a salt of the product) are dry-mixed with a commercially available crusher, kneader, ball mill, sand mill, or paint shaker, and the resulting mixed powder is treated with an inert gas atmosphere and / or a reducing gas. Heat treatment (firing) is performed in an atmosphere.
かかる熱処理（焼成）温度は、所望とする光学特性の観点から４００℃以上１０００℃以下とすることが好ましく、焼成温度が５００℃以上であると、所望の光学特性を有するタングステン酸化物微粒子を製造することができる。 The heat treatment (firing) temperature is preferably 400 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower from the viewpoint of desired optical characteristics. When the baking temperature is 500 ° C. or higher, tungsten oxide fine particles having desired optical characteristics are produced. can do.
また、熱処理（焼成）時間は、処理量や焼成温度に応じて適宜選択すればよく、５分以上１０時間以下で十分である。 Further, the heat treatment (firing) time may be appropriately selected according to the treatment amount and the calcining temperature, and 5 minutes or more and 10 hours or less is sufficient.
ここで、不活性ガスとしては、Ｎ2、Ａｒ、またはＨｅなどのガスを用いることができ、還元性ガスとしては、水素やアルコールなどのガスを用いることができる。不活性ガス中における還元性ガスの濃度は、焼成温度に応じて適宜選択すればよく、好ましくは２０ｖｏｌ％以下、より好ましくは１０ｖｏｌ％以下、さらに好ましくは０．０１〜７ｖｏｌ％である。不活性ガス中における還元性ガスの濃度が２０ｖｏｌ％未満であると、タングステン酸化物微粒子の急速な還元を回避することができ、近赤外線吸収機能を有しないＷＯ2の生成を回避できる。 Here, a gas such as N 2 , Ar, or He can be used as the inert gas, and a gas such as hydrogen or alcohol can be used as the reducing gas. What is necessary is just to select the density | concentration of the reducing gas in an inert gas suitably according to a calcination temperature, Preferably it is 20 vol% or less, More preferably, it is 10 vol% or less, More preferably, it is 0.01-7 vol%. When the concentration of the reducing gas in the inert gas is less than 20 vol%, rapid reduction of the tungsten oxide fine particles can be avoided, and generation of WO 2 having no near infrared absorption function can be avoided.
なお、熱処理（焼成）が、不活性ガス単独の雰囲気と、不活性ガスおよび還元性ガスの混合ガス雰囲気とで行われる２ステップ反応の場合は、例えば、１ステップ目に不活性ガスおよび還元性ガスの混合ガス雰囲気下で、１００℃以上６５０℃以下で焼成し、２ステップ目に不活性ガス雰囲気下で、６５０℃を超え１０００℃以下で焼成することも、近赤外線吸収特性の観点から好ましい。このときの熱処理（焼成）時間も、処理量や温度に応じて、適宜選択すればよく、５分間以上１０時間以下で十分である。 In the case of a two-step reaction in which the heat treatment (firing) is performed in an atmosphere of an inert gas alone and a mixed gas atmosphere of an inert gas and a reducing gas, for example, the inert gas and reducing property are used in the first step. It is also preferable from the viewpoint of near-infrared absorption characteristics to fire at 100 ° C. or higher and 650 ° C. or lower in a mixed gas atmosphere of gas, and to fire at 650 ° C. and lower than 1000 ° C. in an inert gas atmosphere in the second step . The heat treatment (firing) time at this time may be appropriately selected according to the amount of treatment and temperature, and 5 minutes or more and 10 hours or less is sufficient.
４．複合酸化物ターゲットの製造方法
上述の複合タングステン酸化物粉末を、所定量秤量し、カーボン製のモ−ルドに充填後、真空中あるいは不活性ガス（例えば、Ｎ2、Ａｒ、またはＨｅ）雰囲気下、プレス圧１９．６ＭＰａ（２００ｋｇｆ／ｃｍ2）以上、９００℃以上１１００℃未満の温度の条件で、ホットプレスや熱間静水圧プレスを行う。
4). Method for producing composite oxide target A predetermined amount of the above-mentioned composite tungsten oxide powder is weighed and filled in a carbon mold, and then in vacuum or under an inert gas (for example, N 2 , Ar, or He) atmosphere A hot press or a hot isostatic press is performed under conditions of a press pressure of 19.6 MPa (200 kgf / cm 2 ) or higher and a temperature of 900 ° C. or higher and lower than 1100 ° C.
ホットプレスでのモールドの材質は、特に限定されず、他の例としてはアルミナや窒化物系セラミックスなどのモールドが挙げられる。 The material of the mold in the hot press is not particularly limited, and other examples include molds such as alumina and nitride ceramics.
ホットプレスの温度は、９００℃よりも低いと、密度が７ｇ／ｃｍ3以上の焼結体が得られず、１１００℃を超えると、例えば元素ＭとしてＣｓなどの沸点の低い元素が揮散することより、ターゲット材における組成ずれを起したり、ターゲット材中にＷメタル相が析出したりするので好ましくない。 If the temperature of the hot press is lower than 900 ° C., a sintered body having a density of 7 g / cm 3 or more cannot be obtained, and if it exceeds 1100 ° C., an element M having a low boiling point such as Cs is volatilized. Therefore, it is not preferable because a composition shift occurs in the target material or a W metal phase is precipitated in the target material.
また、プレス圧も、焼結体の密度の観点から１９．６ＭＰａ（２００ｋｇｆ／ｃｍ3）以上とする。プレス圧が１９．６ＭＰａ（２００ｋｇｆ／ｃｍ2）未満では、Ｗメタル相が析出して好ましくない。 The press pressure is also set to 19.6 MPa (200 kgf / cm 3 ) or more from the viewpoint of the density of the sintered body. When the pressing pressure is less than 19.6 MPa (200 kgf / cm 2 ), the W metal phase is not preferable.
さらに、保持時間についても、特に限定されないが、製造効率の観点から０．５〜３時間が好ましい。 Further, the holding time is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 3 hours from the viewpoint of production efficiency.
以下に、本発明の実施例を比較例と共に具体的に説明する。ただし、本発明は、当然のことながら、以下の実施例の内容に限定されるものではない。 Examples of the present invention will be specifically described below together with comparative examples. However, as a matter of course, the present invention is not limited to the contents of the following examples.
[実施例１]
水４６ｇに、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）２９．２ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１３５．９ｇに添加して、十分攪拌した後、乾燥した。得られた乾燥物を、Ｎ2ガスをキャリア−とした１．６％Ｈ2ガスが供給される雰囲気で加熱し、８００℃の温度で２０分焼成して、Ｃｓ0.33ＷＯ3微粒子からなる本実施例の複合タングステン酸化物粉末を得た。
[Example 1]
29.2 g of cesium carbonate (Cs 2 CO 3 ) was dissolved in 46 g of water, and this was added to 135.9 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ). The obtained dried product is heated in an atmosphere in which 1.6% H 2 gas is supplied using N 2 gas as a carrier, and is baked at a temperature of 800 ° C. for 20 minutes to form a book composed of Cs 0.33 WO 3 fine particles. The composite tungsten oxide powder of the Example was obtained.
次に、得られた複合タングステン酸化物粉末１０７ｇを、カーボン製モ−ルドに充填し、プレス圧２４．５ＭＰａ（２５０ｋｇｆ／ｃｍ2）で、アルゴンガスを供給しながら、９５０℃で１時間保持して、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。 Next, 107 g of the obtained composite tungsten oxide powder was filled in a carbon mold and maintained at 950 ° C. for 1 hour while supplying argon gas at a press pressure of 24.5 MPa (250 kgf / cm 2 ). Thus, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．５３ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｃｓ0.33ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.53 g / cm 3. As a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Cs 0.33 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例２]
水４６ｇに、塩化バリウム２水和物（ＢａＣｌ2２Ｈ2Ｏ）４６．４ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１４３．７ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 2]
Except that 46.4 g of barium chloride dihydrate (BaCl 2 2H 2 O) was dissolved in 46 g of water, and this was added to 143.7 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ), the same as in Example 1. Thus, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｂａ0.21ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Ba 0.21 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例３]
水４６ｇに、塩化カリウム（ＫＣｌ）１５．１ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１５３．２ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 3]
The composite tungsten of this example was the same as Example 1 except that 15.1 g of potassium chloride (KCl) was dissolved in 46 g of water and added to 153.2 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ). An oxide target was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｋ0.33ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a K 0.33 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例４]
水４６ｇに、炭酸ルビジウム（Ｒｂ2ＣＯ3）２０．４ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１４５．７ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 4]
This example was the same as Example 1 except that 20.4 g of rubidium carbonate (Rb 2 CO 3 ) was dissolved in 46 g of water and added to 145.7 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ). A composite tungsten oxide target was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．５３ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｒｂ0.33ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.53 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was an Rb 0.33 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例５]
水４６ｇに、酢酸タリウム１．５水和物（Ｃ6Ｈ9Ｏ6Ｔｌ1.5Ｈ2Ｏ）５７．７ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１３０．７ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 5]
Except that 57.7 g of thallium acetate 1.5 hydrate (C 6 H 9 O 6 Tl 1.5 H 2 O) was dissolved in 46 g of water and added to 130.7 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ). Obtained a composite tungsten oxide target of this example in the same manner as in Example 1.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｔｌ0.27ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Tl 0.27 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例６]
水４６ｇに、硫酸インジウム９水和物（Ｉｎ2（ＳＯ4）3９Ｈ2Ｏ）５７．４ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１４０．７ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 6]
Except that 57.4 g of indium sulfate nonahydrate (In 2 (SO 4 ) 3 9H 2 O) was dissolved in 46 g of water and added to 140.7 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ). In the same manner as in Example 1, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｉｎ0.3ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3. As a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was an In 0.3 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例７]
水４６ｇに、硫酸リチウム水和物（Ｌｉ2ＳＯ4Ｈ2Ｏ）１２．３ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１６０．２ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 7]
Example 1 except that 12.3 g of lithium sulfate hydrate (Li 2 SO 4 H 2 O) was dissolved in 46 g of water and added to 160.2 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ). Thus, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｌｉ0.0.3ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Li 0.0.3 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例８]
水４６ｇに、塩化ストロンチウム６水和物（ＳｒＣｌ2６Ｈ2Ｏ）１６．６ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１５５．７ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 8]
Except that 16.6 g of strontium chloride hexahydrate (SrCl 2 6H 2 O) was dissolved in 46 g of water, and this was added to 155.7 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ), the same as in Example 1. Thus, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｓｒ0.1ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Sr 0.1 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例９]
水４６ｇに、硫酸鉄５水和物（ＦｅＳＯ4５Ｈ2Ｏ）１５．３ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１５７．９ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 9]
Except that 15.3 g of iron sulfate pentahydrate (FeSO 4 5H 2 O) was dissolved in 46 g of water and added to 157.9 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ), the same procedure as in Example 1 was performed. Thus, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｆｅ0.1ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was an Fe 0.1 WO 3 (hexagonal crystal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例１０]
水４６ｇに、塩化錫２水和物（ＳｎＣｌ2２Ｈ2Ｏ）２７．７ｇを溶解し、これをタングステン酸（Ｈ2ＷＯ4）１４５．９ｇに添加したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 10]
Except that 27.7 g of tin chloride dihydrate (SnCl 2 2H 2 O) was dissolved in 46 g of water and this was added to 145.9 g of tungstic acid (H 2 WO 4 ), the same as in Example 1. Thus, a composite tungsten oxide target of this example was obtained.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．４０ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｓｎ0.21ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.40 g / cm 3. As a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Sn 0.21 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[実施例１１]
１０３０℃の温度で焼成したこと以外は、実施例１と同様にして、本実施例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Example 11]
A composite tungsten oxide target of this example was obtained in the same manner as in Example 1 except that firing was performed at a temperature of 1030 ° C.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．５４ｇ/ｃｍ3であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｃｓ0.33ＷＯ3（六方晶）単一相であった。その結果を表１に示す。 The density of the obtained composite tungsten oxide target was 7.54 g / cm 3 , and as a result of identification of the X-ray diffraction pattern, it was a Cs 0.33 WO 3 (hexagonal) single phase. The results are shown in Table 1.
[比較例１]
１１００℃の温度で焼成したこと以外は、実施例１と同様にして、本比較例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Comparative Example 1]
A composite tungsten oxide target of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 1 except that firing was performed at a temperature of 1100 ° C.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットは、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｃｓ0.33ＷＯ3（六方晶）単一相であったが、その密度は、６．２１ｇ/ｃｍ3と、本発明の範囲から外れるものであった。その結果を表１に示す。 As a result of identification of the X-ray diffraction pattern, the obtained composite tungsten oxide target was a Cs 0.33 WO 3 (hexagonal) single phase, but its density was 6.21 g / cm 3 . It was outside the scope of the invention. The results are shown in Table 1.
[比較例２]
８５０℃の温度で焼成したこと以外は、実施例１と同様にして、本比較例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Comparative Example 2]
A composite tungsten oxide target of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 1 except that firing was performed at a temperature of 850 ° C.
得られた複合タングステン酸化物ターゲットは、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｃｓ0.33ＷＯ3（六方晶）単一相であったが、その密度は、６．２１ｇ/ｃｍ3と、本発明の範囲から外れるものであった。その結果を表１に示す。 As a result of identification of the X-ray diffraction pattern, the obtained composite tungsten oxide target was a Cs 0.33 WO 3 (hexagonal) single phase, but its density was 6.21 g / cm 3 . It was outside the scope of the invention. The results are shown in Table 1.
[比較例３]
プレス圧１３．７２ＭＰａ（１４０ｋｇｆ／ｃｍ2）としたこと以外は、実施例１と同様にして、本比較例の複合タングステン酸化物ターゲットを得た。
[Comparative Example 3]
A composite tungsten oxide target of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 1 except that the pressing pressure was 13.72 MPa (140 kgf / cm 2 ).
得られた複合タングステン酸化物ターゲットの密度は、７．５６ｇ/ｃｍ3であったが、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果、Ｃｓ0.33ＷＯ3（六方晶）の相のほか、Ｗメタルの析出があった。その結果を表１に示す。
[評価]
表１に示したように、実施例１〜１１では、いずれも成型体密度が７．４０ｇ／ｃｍ3以上であり、Ｘ線回折パタ−ンの同定の結果は単一相であった。
[Evaluation]
As shown in Table 1, in Examples 1 to 11, the molded body density was 7.40 g / cm 3 or more, and the result of identification of the X-ray diffraction pattern was a single phase.
一方、比較例１および２では、単一相であったが、成型体密度が７ｇ／ｃｍ3未満であり、比較例３では、成型体密度が７ｇ／ｃｍ3以上であったが、Ｃｓ0.33ＷＯ3（六方晶）の他に、Ｗの異相が認められた。 On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, it was a single phase, but the molding density was less than 7 g / cm 3. In Comparative Example 3, the molding density was 7 g / cm 3 or more, but Cs 0.33 In addition to WO 3 (hexagonal crystal), a heterogeneous phase of W was observed.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009024049A JP5169888B2 (en) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | Composite tungsten oxide target material and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009024049A JP5169888B2 (en) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | Composite tungsten oxide target material and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010180449A true JP2010180449A (en) | 2010-08-19 |
| JP5169888B2 JP5169888B2 (en) | 2013-03-27 |
Family
ID=42762184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009024049A Active JP5169888B2 (en) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | Composite tungsten oxide target material and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5169888B2 (en) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019038720A (en) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 住友金属鉱山株式会社 | Method of producing sintered body of cesium tungsten oxide, sintered body of cesium tungsten oxide, and oxide target |
| WO2019058737A1 (en) | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 住友金属鉱山株式会社 | Cesium tungsten oxide film and method for manufacturing same |
| CN109695021A (en) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 迪睿合株式会社 | Mn-Zn-W-O base sputtering target material and preparation method thereof |
| WO2019244650A1 (en) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 住友金属鉱山株式会社 | Composite tungsten oxide film and production method therefor, and film formation base material and article having said film |
| JP2020002459A (en) * | 2018-06-20 | 2020-01-09 | 住友金属鉱山株式会社 | Composite tungsten oxide film and method of manufacturing the same, and film formation base material and article having the film |
| JP2020066558A (en) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | 住友金属鉱山株式会社 | Method of producing cesium tungsten oxide sintered body and cesium tungsten oxide target |
| CN112105756A (en) * | 2018-05-09 | 2020-12-18 | 住友金属矿山株式会社 | Composite tungsten oxide film, method for producing same, film-forming substrate and article having same |
| CN112358294A (en) * | 2020-11-13 | 2021-02-12 | 北京航大微纳科技有限公司 | Hot-pressing sintering preparation method of tungsten oxide-based ceramic target material |
| CN112374887A (en) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 北京航大微纳科技有限公司 | Gel injection molding preparation method of tungsten oxide-based ceramic target material |
| WO2021033425A1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | 住友金属鉱山株式会社 | Optical film, sputtering target, and film formation method for optical film |
| CN112479707A (en) * | 2020-11-13 | 2021-03-12 | 北京航大微纳科技有限公司 | Cold isostatic pressing preparation method of tungsten oxide-based ceramic target material |
| CN112501566A (en) * | 2020-11-13 | 2021-03-16 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | Tungsten oxide-based ceramic target material, thin film and thin film preparation process |
| CN112601834A (en) * | 2018-09-19 | 2021-04-02 | 迪睿合株式会社 | Mn-Nb-W-Cu-O sputtering target and method for producing same |
| WO2021106254A1 (en) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 住友金属鉱山株式会社 | Optical film, sputtering target and method for forming optical film |
| CN113149613A (en) * | 2021-05-24 | 2021-07-23 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | ITWO target material and preparation method thereof |
| JP2022048423A (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | Ｊｘ金属株式会社 | Cu-W-O SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM |
| FR3130792A1 (en) | 2021-12-22 | 2023-06-23 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| FR3132096A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-07-28 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023144223A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023209052A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023209051A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Saint-Gobain Glass France | Laminated glazing panel for head-up display |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10259054A (en) * | 1997-03-14 | 1998-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | Tungsten oxide sintered product, its production and powdery composition for sintering |
| JP2003293127A (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | Sputtering target material, and vapor deposition material and manufacturing method therefor |
| JP4096205B2 (en) * | 2003-10-20 | 2008-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | Infrared shielding material fine particle dispersion, infrared shielding body, method for producing infrared shielding material fine particles, and infrared shielding material fine particles |
-
2009
- 2009-02-04 JP JP2009024049A patent/JP5169888B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10259054A (en) * | 1997-03-14 | 1998-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | Tungsten oxide sintered product, its production and powdery composition for sintering |
| JP2003293127A (en) * | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | Sputtering target material, and vapor deposition material and manufacturing method therefor |
| JP4096205B2 (en) * | 2003-10-20 | 2008-06-04 | 住友金属鉱山株式会社 | Infrared shielding material fine particle dispersion, infrared shielding body, method for producing infrared shielding material fine particles, and infrared shielding material fine particles |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019038720A (en) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 住友金属鉱山株式会社 | Method of producing sintered body of cesium tungsten oxide, sintered body of cesium tungsten oxide, and oxide target |
| WO2019058737A1 (en) | 2017-09-22 | 2019-03-28 | 住友金属鉱山株式会社 | Cesium tungsten oxide film and method for manufacturing same |
| CN109695021A (en) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 迪睿合株式会社 | Mn-Zn-W-O base sputtering target material and preparation method thereof |
| CN112105756A (en) * | 2018-05-09 | 2020-12-18 | 住友金属矿山株式会社 | Composite tungsten oxide film, method for producing same, film-forming substrate and article having same |
| IL278407B1 (en) * | 2018-05-09 | 2024-04-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Composite tungsten oxide film and method for producing same, and film-deposited base material and article each provided with said film |
| TWI807020B (en) * | 2018-05-09 | 2023-07-01 | 日商住友金屬鑛山股份有限公司 | Composite tungsten oxide film, manufacturing method thereof, and film-forming substrate and article having the same |
| JP2020002459A (en) * | 2018-06-20 | 2020-01-09 | 住友金属鉱山株式会社 | Composite tungsten oxide film and method of manufacturing the same, and film formation base material and article having the film |
| CN112313359A (en) * | 2018-06-20 | 2021-02-02 | 住友金属矿山株式会社 | Composite tungsten oxide film, method for producing same, and film-forming substrate and article having same |
| WO2019244650A1 (en) * | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 住友金属鉱山株式会社 | Composite tungsten oxide film and production method therefor, and film formation base material and article having said film |
| CN112313359B (en) * | 2018-06-20 | 2024-03-01 | 住友金属矿山株式会社 | Composite tungsten oxide film, method for producing same, and film-forming substrate and article each having the film |
| JP7395826B2 (en) | 2018-06-20 | 2023-12-12 | 住友金属鉱山株式会社 | Composite tungsten oxide film, method for producing the same, and film-forming substrate and article having the film |
| CN112601834A (en) * | 2018-09-19 | 2021-04-02 | 迪睿合株式会社 | Mn-Nb-W-Cu-O sputtering target and method for producing same |
| JP2020066558A (en) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | 住友金属鉱山株式会社 | Method of producing cesium tungsten oxide sintered body and cesium tungsten oxide target |
| JP7225678B2 (en) | 2018-10-25 | 2023-02-21 | 住友金属鉱山株式会社 | Cesium tungsten oxide sintered body and manufacturing method thereof, cesium tungsten oxide target |
| WO2021033425A1 (en) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | 住友金属鉱山株式会社 | Optical film, sputtering target, and film formation method for optical film |
| JP2021031327A (en) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 住友金属鉱山株式会社 | Optical film, sputtering target and film deposition method for optical film |
| WO2021106254A1 (en) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 住友金属鉱山株式会社 | Optical film, sputtering target and method for forming optical film |
| JP2021085043A (en) * | 2019-11-25 | 2021-06-03 | 住友金属鉱山株式会社 | Optical film, sputtering target and film deposition method of optical film |
| JP2022048423A (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-28 | Ｊｘ金属株式会社 | Cu-W-O SPUTTERING TARGET AND OXIDE THIN FILM |
| JP7162647B2 (en) | 2020-09-15 | 2022-10-28 | Ｊｘ金属株式会社 | Cu-W-O sputtering target and oxide thin film |
| CN112374887A (en) * | 2020-11-13 | 2021-02-19 | 北京航大微纳科技有限公司 | Gel injection molding preparation method of tungsten oxide-based ceramic target material |
| CN112501566B (en) * | 2020-11-13 | 2023-03-14 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | Tungsten oxide-based ceramic target material, thin film and thin film preparation process |
| CN112358294A (en) * | 2020-11-13 | 2021-02-12 | 北京航大微纳科技有限公司 | Hot-pressing sintering preparation method of tungsten oxide-based ceramic target material |
| CN112479707A (en) * | 2020-11-13 | 2021-03-12 | 北京航大微纳科技有限公司 | Cold isostatic pressing preparation method of tungsten oxide-based ceramic target material |
| CN112501566A (en) * | 2020-11-13 | 2021-03-16 | 北京航空航天大学宁波创新研究院 | Tungsten oxide-based ceramic target material, thin film and thin film preparation process |
| CN113149613B (en) * | 2021-05-24 | 2022-11-18 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | ITWO target material and preparation method thereof |
| CN113149613A (en) * | 2021-05-24 | 2021-07-23 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | ITWO target material and preparation method thereof |
| FR3130792A1 (en) | 2021-12-22 | 2023-06-23 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023117725A1 (en) | 2021-12-22 | 2023-06-29 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023143884A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023144222A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023144221A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023144223A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-08-03 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| FR3132095A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-07-28 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| FR3132096A1 (en) | 2022-01-27 | 2023-07-28 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023209052A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
| WO2023209051A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-02 | Saint-Gobain Glass France | Laminated glazing panel for head-up display |
| FR3135082A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-03 | Saint-Gobain Glass France | Laminated glazing for head-up display |
| FR3135080A1 (en) | 2022-04-28 | 2023-11-03 | Saint-Gobain Glass France | Transparent substrate provided with a functional stack of thin layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5169888B2 (en) | 2013-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5169888B2 (en) | Composite tungsten oxide target material and manufacturing method thereof | |
| JP5016993B2 (en) | Magnesium oxide particle aggregate and method for producing the same | |
| JP5343697B2 (en) | Method for producing composite tungsten oxide ultrafine particles | |
| JP4018974B2 (en) | Tin oxide powder, method for producing the same, and method for producing high-density indium tin oxide target using the same | |
| JP4060187B2 (en) | Method for producing ITO powder in which tin is dissolved in indium oxide and method for producing ITO target | |
| JP5879078B2 (en) | Method for producing barium titanyl oxalate and method for producing barium titanate | |
| JP5377328B2 (en) | Tin oxide-magnesium oxide sputtering target and transparent semiconductor film | |
| WO2012127771A1 (en) | Process for producing sintered magnesium oxide material | |
| JP2011074479A (en) | Target for ion plating for producing zinc oxide-based transparent conductive thin film, and zinc oxide-based transparent conductive thin film | |
| JP2008222467A (en) | Ito powder, method for producing the same, coating material for transparent conductive material, and transparent conductive film | |
| JP7471829B2 (en) | Method for producing vanadium dioxide | |
| KR102061677B1 (en) | Method for Preparing Powdered Composite Carbide of Tungsten and Titanium | |
| WO2020090867A1 (en) | Sintered body | |
| US11827569B2 (en) | Yttrium aluminum garnet powder and processes for synthesizing same | |
| JP2017088465A (en) | Sintered body and method for producing the same, sputtering target and method for producing the same, and oxide thin film and method for producing the same | |
| JP2014070234A (en) | Vapor deposition material based on titanium oxide | |
| JP4638767B2 (en) | Method for producing barium titanyl oxalate and method for producing barium titanate | |
| JP4638766B2 (en) | Method for producing barium titanyl oxalate and method for producing barium titanate | |
| JP2012184158A (en) | Low valence titanium oxide powder and zinc oxide-based sintered body | |
| JP2004084016A (en) | Magnesium oxide vapor deposition material | |
| WO2014156215A1 (en) | Zirconium tungstate | |
| JP2012096951A (en) | Method of manufacturing magnesium oxide thin film | |
| JP2004084017A (en) | Magnesium oxide powder for raw material of magnesium oxide vapor deposition material | |
| JP2012077068A (en) | Barium titanyl oxalate particle, method for producing the same and method for producing barium titanate | |
| JP4937637B2 (en) | Method for producing barium titanyl oxalate and method for producing barium titanate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110530 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120913 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121217 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5169888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |