JP2010177318A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010177318A JP2010177318A JP2009016231A JP2009016231A JP2010177318A JP 2010177318 A JP2010177318 A JP 2010177318A JP 2009016231 A JP2009016231 A JP 2009016231A JP 2009016231 A JP2009016231 A JP 2009016231A JP 2010177318 A JP2010177318 A JP 2010177318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- trench
- layer
- insulating spacer
- type diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置では、トレンチ9内にはゲート酸化膜10、絶縁スペーサー11及びゲート電極12が形成され、絶縁スペーサー11はトレンチ9の側面に沿って一環状に形成される。この構造により、絶縁スペーサー11の膜厚によりゲート容量が低減し、高集積化によるオン抵抗値も低減することで、スイッチング素子としての高速動作が実現される。
【選択図】図1
Description
9 トレンチ
11 絶縁スペーサー
12 ゲート電極
13 P型の拡散層
Claims (6)
- 半導体層と、
前記半導体層に形成されたバックゲート拡散層と、
前記半導体層に形成されたソース拡散層及びドレイン拡散層と、
前記半導体層に形成されたトレンチと、
前記トレンチに形成されたゲート酸化膜と、
前記トレンチに形成された絶縁スペーサーと、
前記トレンチに形成されたゲート電極とを有し、
前記ゲート電極と前記ソース拡散層及び前記ドレイン拡散層との間には、少なくとも前記絶縁スペーサーが配置され、前記絶縁スペーサーの開口領域下方には前記バックゲート拡散層が配置されることを特徴とする半導体装置。 - 前記絶縁スペーサーの開口領域下方には、前記バックゲート拡散層に重畳してチャネル拡散層が配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記絶縁スペーサーは、前記トレンチの側面に沿って一環状に配置されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記トレンチ底面では、前記ソース拡散層及びドレイン拡散層と前記チャネル拡散層とが接合していることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体層にドレイン拡散層、バックゲート拡散層及びソース拡散層を形成し、前記半導体層にトレンチを形成し、前記トレンチにゲート酸化膜及びゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、
前記トレンチの深さを前記バックゲート拡散層、前記ドレイン拡散層及び前記ソース拡散層の拡散深さよりも浅く形成し、前記トレンチの側面に沿って絶縁スペーサーを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁スペーサーを一環状に形成した後、前記絶縁スペーサーをマスクとして用い、前記絶縁スペーサーの開口領域下方にチャネル拡散層を形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009016231A JP2010177318A (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009016231A JP2010177318A (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177318A true JP2010177318A (ja) | 2010-08-12 |
Family
ID=42707988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009016231A Pending JP2010177318A (ja) | 2009-01-28 | 2009-01-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010177318A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11798983B2 (en) | 2021-07-19 | 2023-10-24 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Semiconductor device with deeply depleted channel and manufacturing method thereof |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58216455A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01194362A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 埋め込みゲート型mosfetの製造方法 |
JPH0594998A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-04-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05206389A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2000200908A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-07-18 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002343963A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Sony Corp | 溝ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2003197792A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005019548A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2009
- 2009-01-28 JP JP2009016231A patent/JP2010177318A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58216455A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH01194362A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 埋め込みゲート型mosfetの製造方法 |
JPH0594998A (ja) * | 1991-08-27 | 1993-04-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05206389A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-13 | Sony Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2000200908A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-07-18 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002343963A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Sony Corp | 溝ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2003197792A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005019548A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11798983B2 (en) | 2021-07-19 | 2023-10-24 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Semiconductor device with deeply depleted channel and manufacturing method thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9153666B1 (en) | LDMOS with corrugated drift region | |
US20100295125A1 (en) | Split gate oxides for a laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) | |
CN101740568A (zh) | 集成电路 | |
JPH09120995A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5525736B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TW201801318A (zh) | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP6120586B2 (ja) | nチャネル二重拡散MOS型トランジスタおよび半導体複合素子 | |
WO2015093052A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010087133A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TWI725356B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
KR20130017911A (ko) | 반도체 소자 | |
JP5331497B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR101469343B1 (ko) | 수직 파워 mosfet 및 그 제조 방법 | |
TW201405819A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2006278932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004311891A (ja) | 半導体装置 | |
JP2012216577A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
JP5939846B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI760453B (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
KR20100079381A (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
JP2009004441A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010177318A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5799620B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6707917B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2007324507A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110613 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20120110 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20130226 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130228 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20130408 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130910 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |