JP2010153626A - 研磨液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物、(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子、(c)ベンゾトリアゾール誘導体、(d)アニオン界面活性剤、(e)酸化剤、を含み、pHが5.0〜8.0の範囲である半導体デバイスの化学的機械的研磨に用いられる研磨液。
【選択図】なし
Description
LSIなどの半導体デバイスを製造する際には、微細な配線を多層に形成することが行われており、その各層においてCuなどの金属配線を形成する際には層間絶縁膜への配線材料の拡散を防止することや、配線材料の密着性を向上させることを目的として、TaやTaN、Ti、TiNなどのバリアメタルを前もって形成することが行われている。
このディッシングを軽減するため、金属膜CMPの次に行うバリアメタルCMPでは、金属配線部の研磨速度とバリアメタル部の研磨速度とを調整して、最終的にディッシングやエロージョンなどの段差が少ない配線層を形成することが求められている。即ち、バリアメタルCMPでは、金属配線材に比較してバリアメタルや層間絶縁膜の研磨速度が相対的に小さい場合は、配線部が早く研磨されるなどディッシングや、その結果としてのエロージョンが発生してしまうため、バリアメタルや絶縁膜層の研磨速度は適度に大きい方が望ましい。これはバリアメタルCMPのスループットを上げるメリットがあることに加え、実際的には金属膜CMPによってディッシングが発生していることが多く、前述の理由からバリアメタルや絶縁膜層の研磨速度を相対的に高くすることが求められている点においても望ましいからである。
しかしながら、このような固体砥粒を含む研磨液を用いてCMPを行うと、研磨傷(スクラッチ)、研磨面全体が必要以上に研磨される現象(シニング)、研磨金属面が皿上にたわむ現象(ディッシング)、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨された上、複数の配線金属面が皿上にたわむ現象(エロージョン)などが発生することがある。
また、固体砥粒を含有する研磨液を用いることによって、研磨後に、半導体面に残留する研磨液を除去するために通常行なわれる洗浄工程が複雑となり、更に、その洗浄後の液(廃液)を処理するには、固体砥粒を沈降分離する必要があるなどコスト面での問題点が存在する。
例えば、研磨傷をほとんど発生させずに高速研磨することを目的としたCMP研磨剤及び研磨方法(例えば、特許文献1参照。)、CMPにおける洗浄性を向上させた研磨組成物及び研磨方法(例えば、特許文献2参照。)、及び、研磨砥粒の凝集防止を図った研磨用組成物(例えば、特許文献3参照。)がそれぞれ提案されている。
しかしながら、上記のような研磨液においても、バリア層を研磨する際に高研磨速度を実現し、且つ、固体砥粒の凝集に起因して発生するスクラッチを抑制しうる技術は、未だ得られていないのが現状である。
<1> (a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物、
(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子、
(c)ベンゾトリアゾール誘導体、
(d)アニオン界面活性剤、
(e)酸化剤、
を含み、pHが5.0〜8.0の範囲である半導体デバイスの化学的機械的研磨に用いられる研磨液。
<3> 前記(a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物が、酢酸、グリコール酸、乳酸、サリチル酸、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、アジピン酸、およびフタル酸からなる群から選ばれる少なくとも1種である<1>または<2>に記載の研磨液。
<5> 前記(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子の平均1次粒子径が、10nm〜100nmの範囲である<1>〜<4>のいずれか1項に記載の研磨液。
<8> 更に、多糖類を含む<1>〜<7>のいずれか1項に記載の研磨液。
<9> 前記多糖類が、プルラン、セルロース、アガロース、ペクチン、でんぷん及びこれらの誘導体からなる群から選ばれる1種である<8>に記載の研磨液。
即ち、本発明の研磨液は、固体砥粒を含むことで、バリア層に対する良好な研磨速度が得られ、且つ、固体砥粒を含んでいてもスクラッチの発生が抑制されるという効果を奏する。
(a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物、
(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子、
(c)ベンゾトリアゾール誘導体、
(d)アニオン界面活性剤、
(e)酸化剤、
を含み、pHが5.0〜8.0の範囲であることを特徴とし、更に必要に応じて、任意の成分を含んでいてもよい。
本発明によれば、中性領域で、特に研磨粒子の濃度が小さくても十分な研磨速度を達成され、且つ、研磨粒子に起因する基板の損傷が効果的に抑制されることを見出したものである。これによって、Low−kなどに対しても物理的化学的研磨でのダメージや傷が低減でき、実用上問題のないレベルの性能を達成できる研磨液を提供するものである。
本発明において「研磨液」とは、研磨に使用する際の研磨液(即ち、必要により希釈された研磨液)のみならず、研磨液の濃縮液をも包含する意である。濃縮液又は濃縮された研磨液とは、研磨に使用する際の研磨液よりも、溶質の濃度が高く調製された研磨液を意味し、研磨に使用する際に、水又は水溶液などで希釈して、研磨に使用されるものである。希釈倍率は、一般的には1〜20体積倍である。本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。
以下、本発明の研磨液を構成する各成分について詳細に説明する。
本発明の研磨液は少なくとも1種の(a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物を含有する。ここでいうカルボン酸化合物は、金属の酸化剤ではなく、酸化の促進、pH調整、緩衝剤としての作用を有する。本発明に使用する(a)カルボン酸化合物としては、分子内に1個以上6個以下のカルボキシル基を有し、分子量としては90〜500の範囲のものであり、水溶性のものが望ましく、酢酸、グリコール酸、乳酸、サリチル酸のごときモノカルボン酸化合物、または、下記一般式(I)で表される化合物が好ましく挙げられる。
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ(以下、「特定コロイダルシリカ」とも称する。)含有する。
この特定コロイダルシリカとしては、粒子内部にアルカリ金属などの不純物を含有しない、アルコキシシランの加水分解により得たコロイダルシリカであることが好ましい。一方、ケイ酸アルカリ水溶液からアルカリを除去する方法で製造したコロイダルシリカも用いることができるものの、この場合、粒子の内部に残留するアルカリ金属が徐々に溶出し、研磨性能に影響を及ぼす懸念がある。このような観点からは、アルコキシシランの加水分解により得られたものが原料としてはより好ましい。
本発明で研磨液としたときのコロイダルシリカ粒子のゼータ電位とは、下記の方法によって測定した値のことである。
得られた研磨液に含まれる特定コロイダルシリカ粒子のゼータ電位は、日本ルフト社製DT−1200によって、非濃縮の形で測定した。
本発明で用いた平均1次粒子径の測定方法は、SEM(走査電子顕微鏡)にて研磨粒子を100個観測し、1粒子を構成する最小構成粒子径を測定し平均化した値である。
1質量%〜5質量%であり、特に好ましくは1.2質量%〜4.5質量%である。即ち、特定コロイダルシリカの含有量は、充分な研磨速度でバリア層を研磨する点で0.5質量%以上が好ましく、保存安定性の点で5質量%以下が好ましい。
本発明の研磨液に対し、コロイダルシリカと併用しうる砥粒としては、ヒュームドシリカ、セリア、アルミナ、チタニア等が挙げられる。
研磨液としたときのこれら併用砥粒のζ電位は、研磨粒子間の凝集を防止する観点で負電荷であることが好ましい。また併用砥粒の粒子サイズは、特定コロイダルシリカと同等か、それ以上、また、2倍以下であることが好ましい。
本発明の研磨液は、(c)ベンゾトリアゾール誘導体を含む。(c)ベンゾトリアゾール誘導体は、被研磨表面に吸着して皮膜を形成し、金属表面の腐食を抑制する。
本発明の研磨液は、(d)アニオン界面活性剤を含有する。(d)アニオン界面活性剤としては、分子内に-COO-、-SO2-O-を有する化合物が好ましい。
(商品名、I.G.FARBENINDUSTRIE社製)、イゲポンA(商品名、I.G.FARBENINDUSTRIE社製)、ネカール(商品名、BASF社製)、タモール(商品名、BASF社製)、N−アシルスルホン酸塩、ナフタレン及びその他芳香族スルホン酸ホルマリン縮合物(例えば、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩、特殊芳香族スルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩)、アルカンスルホン酸ナトリウム塩、イセチオン酸塩としてヤシ油脂肪酸(ヤシ油残基として一般にはラウリル基、ミリスチル基、パルミチル基、ステアリル基)エチルエステルスルホン酸ナトリウム塩などが挙げられる。
本発明の研磨液には、必須成分である(d)アニオン界面活性剤に加えて、必要に応じて、以下に挙げる他のアニオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤を任意成分として含有してもよい。但し、これら他の界面活性剤のうちカチオン界面活性剤については、組成物のpHによっては凝集を生じうるため、使用にあたっては、凝集を生じさせないものを組成物の設計に応じて適宜選択する必要がある。
ここで、界面活性剤の総含有量とは、本発明の研磨液における必須成分であるアニオン界面活性剤、及び所望により用いられる他の界面活性剤の総量を意味する。
本発明の研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物(酸化剤)を含有する。
具体的には、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水が挙げられるが、過酸化水素がより好ましく用いられる。これらは、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
(pH調製剤)
本発明においては、研磨面への吸着性や反応性、研磨金属の溶解性、被研磨面の電気化学的性質、化合物官能基の解離状態、液としての安定性などにより、研磨液のpHを5.0〜8.0の中性領域に設定する。
本発明の研磨液のpHは5.0〜8.0の範囲であるが、Low−k膜へのダメージ防止と経時安定性の観点からpHは6.5〜8.0が好ましい。
このような所定のpHとすべく、本発明の研磨液はアルカリ剤又は緩衝剤を含有することが好ましい。
アルカリ/酸又は緩衝剤としては、アンモニア、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩等を好ましく挙げることができる。特に好ましいアルカリ剤として水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。
本発明の研磨液は、好ましい併用成分として、水溶性高分子を含有することができる。
水溶性高分子としては、多糖類(例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロール、カルボキシエチルセルロース、プルラン)、ポリカルボン酸およびその誘導体(例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ(p−スチレンカルボン酸)、ポリビニル硫酸、ポリアミノアクリルアミド、ポリアミド酸、ポリグリオキシル酸)、ポリエチレンイミン、ビニル系ポリマー(例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン)、ポリグリコール類(例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール)などが挙げられ、より好ましくは、多糖類(例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロール、カルボキシエチルセルロース、プルラン)、ポリカルボン酸およびその誘導体(例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ(p−スチレンカルボン酸)、ポリビニル硫酸、ポリアミノアクリルアミド、ポリアミド酸、ポリグリオキシル酸)、ポリエチレンイミン、ビニル系ポリマー(例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン)、が挙げられる。
Mとしては、1価または2価の金属が好ましく、K、Na、Caがより好ましい。
本発明に係る水溶性高分子は、1種のみでもよいし、2種以上の異なる種類を併用することもできる。
本発明の研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤(すなわち硬水軟化剤)を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物であり、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、N,N,N−アミノトリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸、1,2−ジヒドロキシベンゼン−4,6−ジスルホン酸等が挙げられる。
キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であれば良く、例えば、研磨に使用する際の研磨液の1L中、0.0003mol〜0.07molになるように添加する。
本発明の研磨液の研磨対象のバリア層を構成する材料としては、一般に低抵抗のメタル材料がよく、特に、TiN、TiW、Ta、TaN、W、WNが好ましく、中でも、Ta、TaNが特に好ましい。
本発明の研磨液の研磨対象の絶縁層(層間絶縁膜)としては、TEOS等の通常用いられる層間絶縁膜の他、例えば、比誘電率が3.5〜2.0程度の低誘電率の材料(例えば、有機ポリマー系、SiOC系、SiOF系、等が挙げられ、通常、Low−k膜と略称される)を含む層間絶縁膜が挙げられる。
具体的には、低誘電率の層間絶縁膜の形成に用いる材料として、SiOC系ではHSG−R7(日立化成工業)、BLACKDIAMOND(Applied Materials,Inc)などがある。
本発明の研磨液は、ジ四級アンモニウムカチオンとコロイダルシリカとの併用により、層間絶縁膜(絶縁層)の研磨速度も向上させることができる。
本発明においては、研磨対象である被研磨体は、例えば、LSI等の半導体デバイスに適用されるような、銅金属及び/又は銅合金からなる配線を有することが好ましい。特にこの配線の原材料としては、銅合金が好ましい。更に、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。
なお、銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、更には1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨対象である被研磨体が、例えば、DRAMデバイス系に適用される場合、ハーフピッチで0.15μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.10μm以下、更に好ましくは0.08μm以下である。
一方、被研磨体が、例えば、MPUデバイス系に適用される場合、0.12μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.09μm以下、更に好ましくは0.07μm以下である。
このような配線を有する被研磨体に対して、上述の本発明における研磨液は特に優れた効果を発揮する。
本発明の研磨液は、1.濃縮液であって、使用する際に水又は水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、2.各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、3.使用液として調製されている場合がある。
本発明の研磨液を用いた研磨方法にはいずれの場合の研磨液も適用可能である。
この研磨方法は、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
研磨終了後の被研磨体は、流水中でよく洗浄された後、スピンドライヤ等を用いて被研磨体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
例えば、酸化剤を構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用する。
その他の混合方法は、上記したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液を供給する方法がある。
本発明において、本発明においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
本発明における研磨液でCMPを行なう対象の被研磨体としてのウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
本発明の研磨液を用いて研磨を実施できる装置は、特に限定されないが、Mirra Mesa CMP、Reflexion CMP(アプライドマテリアルズ)、FREX200、FREX300(荏原製作所)、NPS3301、NPS2301(ニコン)、A−FP−310A、A−FP−210A(東京精密)、2300 TERES(ラムリサーチ)、Momentum(Speedfam IPEC)などを挙げることができる。
下記に示す研磨液を調製し、研磨評価した。
(研磨液の調製)
下記組成を混合して研磨液を調整した。
コロイダルシリカ(粒径:35nm:PL3スラリー) 150g/L
クエン酸(和光純薬工業(株)製) 15g/L
BTA(ベンゾトリアゾール) 1g/L
界面活性剤(ペレックスSSL) 1g/L
純水を加えて全量 1000mL
pH(アンモニア水と硫酸で調整) 5.0
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−612」を使用し、下記の条件で、研磨液を供給しながら各ウェハを研磨した。研磨ウエハとしてTa、TEOS、Low−K(Black DiamondII BDIIx k値=2.4)を使用した。
研磨後には各膜に対する研磨速度とLow−kに対するダメージ(k値の上昇率(%))を測定した。k値評価は、膜の比誘電率をフォーディメンジョンズ製水銀プローバ、および横河ヒューレットパッカード製の「HP4285A LCR meter」を用いて1MHzにおける電気容量値を求め、その値から算出した。
テ−ブル回転数:64rpm
ヘッド回転数:65rpm
研磨圧力:13.79kPa
研磨パッド:ロデール・ニッタ株式会社製 Politex Prima Polishing Pad
研磨液供給速度:200ml/min
実施例1において用いた各化合物を、表1に記載の化合物に変更し、その他は実施例1と同様にして実施例2〜5、および比較例1、2の研磨液を調製した。それぞれの研磨液を用いて実施例1と同様に評価した。結果を表1に示す。
なお、表1〜表4で、「RR」は各ウエハ材料の研磨速度を示す。
pHが5以下、または8以上の比較例1、および比較例2は、k値の上昇率が非常に大きいことがわかる。また欠陥数が多いこともわかる。
実施例1において表2〜表4に記載の化合物に変更し、その他は実施例1と同様にして実施例6〜37、および比較例3〜8の研磨液を調整した。それぞれの研磨液を用いて実施例1と同様に評価した。結果を表2〜表4に示す。
(ポリカルボン酸化合物)
IDA:イミノジ酢酸
EDTA:エチレンジアミン四酢酸
DTPA:ジエチレントリアミン五酢酸
NTA:ニトリロ三酢酸
BTA:1,2,3−ベンゾトリアゾール
5-MBTA:5−メチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール
56-MBTA:5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール
5-CBTA:5−カルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール
56-CBTA:5,6−ジカルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール
ペレックスSSL(KAO):アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸ナトリウム
エマール20T(KAO):ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン
ネオペレックスGS(KAO):ドデシルベンゼンスルホン酸(ソフト型)
ラテムルASK(KAO):アルケニルコハク酸ジカリウム
ECT−3(NIKKO CHEMICAL):ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸
ECT−7(NIKKO CHEMICAL):ポリオキシエチレントリデシルエーテル酢酸
AKYPO RLM45(NIKKO CHEMICAL)::ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸
アラニネートLN-30(NIKKO CHEMICAL):ラウロイルメチルアラニンナトリウム水溶液
ビューライトESS(SANYO CHEMICAL):ポリオキシエチレンアルキルスルホコハク酸二ナトリウム
ビューライトLSS(SANYO CHEMICAL):ポリオキシエチレンスルホコハク酸ラウリル二ナトリウム
プルラン:(東京化成社製)
アラビアガム:(TIC社製)
セロゲンFSB:カルボキシメチルセルロース(第一工業社製)
ペクチン:(WAKO社製)
アガロース:(WAKO社製)
VISGUM−N:でんぷんの一種(日澱化成社製)
PENON JE−66:でんぷんの一種(日澱化成社製)
Claims (9)
- (a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物、
(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子、
(c)ベンゾトリアゾール誘導体、
(d)アニオン界面活性剤、
(e)酸化剤、
を含み、pHが5.0〜8.0の範囲である半導体デバイスの化学的機械的研磨に用いられる研磨液。 - 前記(a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物の濃度が0.5〜8質量%の範囲である請求項1に記載の研磨液。
- 前記(a)分子内に1つ以上のカルボキシル基を有するカルボン酸化合物が、酢酸、グリコール酸、乳酸、サリチル酸、イミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、アジピン酸、およびフタル酸からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1または請求項2に記載の研磨液。
- 前記(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子の濃度が、研磨液の総量に対して0.5質量%〜5質量%の範囲である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の研磨液。
- 前記(b)研磨液としたときのζ電位が−10mV〜−35mVの範囲であるコロイダルシリカ粒子の平均1次粒子径が、10nm〜100nmの範囲である請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の研磨液。
- 前記(c)ベンゾトリアゾール誘導体が、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−メチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、5−カルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール、および5,6−ジカルボキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールからなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の研磨液。
- 前記(d)アニオン界面活性剤が、分子内に-COO-、または-SO2-O-を有する化合物である請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の研磨液。
- 更に、多糖類を含む請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の研磨液。
- 前記多糖類が、プルラン、セルロース、アガロース、ペクチン、でんぷん及びこれらの誘導体からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項8に記載の研磨液。
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