JP2009206316A - 研磨液 - Google Patents
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Abstract
【課題】バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアCMPにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、TEOS層とSiOC層との研磨速度を独立的に調整し得る研磨液を提供すること。
【解決手段】(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とする研磨液。
【選択図】なし
【解決手段】(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とする研磨液。
【選択図】なし
Description
本発明は、半導体デバイスの製造工程において用いられる研磨液に関し、詳細には、半導体デバイスの配線工程での平坦化において主としてバリア金属材料からなるバリア層の研磨に好適に用いられる研磨液に関する。
半導体集積回路(以下LSIと記す)で代表される半導体デバイスの開発においては、小型化・高速化のため、近年配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このための技術として化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing、以下、CMPと記す)等の種々の技術が用いられてきている。このCMPは層間絶縁膜等の被加工膜の表面平坦化、プラグ形成、埋め込み金属配線の形成等を行う場合に必須の技術であり、基板の平滑化や配線形成時の余分な金属薄膜の除去や絶縁膜上の余分なバリア層の除去を行っている。
CMPの一般的な方法は、円形の研磨定盤(プラテン)上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基板(ウエハ)の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力(研磨圧力)を加えた状態で、研磨定盤及び基板の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基板の表面を平坦化するものである。
LSIなどの半導体デバイスを製造する際には、微細な配線を多層に形成することが行われており、その各層においてCuなどの金属配線を形成する際には層間絶縁膜への配線材料の拡散を防止することや、配線材料の密着性を向上させることを目的として、TaやTaN、Ti、TiNなどのバリアメタルを前もって形成することが行われている。
LSIなどの半導体デバイスを製造する際には、微細な配線を多層に形成することが行われており、その各層においてCuなどの金属配線を形成する際には層間絶縁膜への配線材料の拡散を防止することや、配線材料の密着性を向上させることを目的として、TaやTaN、Ti、TiNなどのバリアメタルを前もって形成することが行われている。
各配線層を形成するためには、まず、メッキ法などで盛付けられた余分な配線材を除去する金属膜のCMP(以下、金属膜CMPと呼ぶ)を1段若しくは多段に亘って行い、次に、これによって表面に露出したバリア金属材料(バリアメタル)を除去するCMP(以下、バリアメタルCMPと呼ぶ)を行うことが一般的になされている。しかしながら、金属膜CMPによって、配線部が過研磨されてしまういわゆるディッシングや、更にエロージョンを引き起こしてしまうことが問題となっている。
このディッシングを軽減するため、金属膜CMPの次に行うバリアメタルCMPでは、金属配線部の研磨速度とバリアメタル部の研磨速度とを調整して、最終的にディッシングやエロージョンなどの段差が少ない配線層を形成することが求められている。即ち、バリアメタルCMPでは、金属配線材に比較してバリアメタルや層間絶縁膜の研磨速度が相対的に小さい場合は、配線部が早く研磨されるなどディッシングや、その結果としてのエロージョンが発生してしまうため、バリアメタルや絶縁膜層の研磨速度は適度に大きい方が望ましい。これはバリアメタルCMPのスループットを上げるメリットがあることに加え、実際的には金属膜CMPによってディッシングが発生していることが多く、前述の理由からバリアメタルや絶縁膜層の研磨速度を相対的に高くすることが求められている点においても望ましいからである。
このディッシングを軽減するため、金属膜CMPの次に行うバリアメタルCMPでは、金属配線部の研磨速度とバリアメタル部の研磨速度とを調整して、最終的にディッシングやエロージョンなどの段差が少ない配線層を形成することが求められている。即ち、バリアメタルCMPでは、金属配線材に比較してバリアメタルや層間絶縁膜の研磨速度が相対的に小さい場合は、配線部が早く研磨されるなどディッシングや、その結果としてのエロージョンが発生してしまうため、バリアメタルや絶縁膜層の研磨速度は適度に大きい方が望ましい。これはバリアメタルCMPのスループットを上げるメリットがあることに加え、実際的には金属膜CMPによってディッシングが発生していることが多く、前述の理由からバリアメタルや絶縁膜層の研磨速度を相対的に高くすることが求められている点においても望ましいからである。
CMPに用いる金属用研磨溶液は、一般には砥粒(例えば、アルミナ、シリカ)と酸化剤(例えば、過酸化水素、過硫酸)とが含まれる。基本的なメカニズムは、酸化剤によって金属表面を酸化し、その酸化皮膜を砥粒で除去することで研磨していると考えられている。
しかしながら、このような固体砥粒を含む研磨液を用いてCMPを行うと、研磨傷(スクラッチ)、研磨面全体が必要以上に研磨される現象(シニング)、研磨金属面が皿状にくぼむ現象(ディッシング)、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨された上、複数の配線金属面が皿状にくぼむ現象(エロージョン)などが発生することがある。
また、固体砥粒を含有する研磨液を用いることによって、研磨後に、半導体面に残留する研磨液を除去するために通常行なわれる洗浄工程が複雑となり、更に、その洗浄後の液(廃液)を処理するには、固体砥粒を沈降分離する必要があるなどコスト面での問題点が存在する。
しかしながら、このような固体砥粒を含む研磨液を用いてCMPを行うと、研磨傷(スクラッチ)、研磨面全体が必要以上に研磨される現象(シニング)、研磨金属面が皿状にくぼむ現象(ディッシング)、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨された上、複数の配線金属面が皿状にくぼむ現象(エロージョン)などが発生することがある。
また、固体砥粒を含有する研磨液を用いることによって、研磨後に、半導体面に残留する研磨液を除去するために通常行なわれる洗浄工程が複雑となり、更に、その洗浄後の液(廃液)を処理するには、固体砥粒を沈降分離する必要があるなどコスト面での問題点が存在する。
このような固体砥粒を含有する研磨液については、以下のような種々の検討がなされている。
例えば、研磨傷をほとんど発生させずに高速研磨することを目的としたCMP研磨剤及び研磨方法(例えば、特許文献1参照。)、CMPにおける洗浄性を向上させた研磨組成物及び研磨方法(例えば、特許文献2参照。)、及び、研磨砥粒の凝集防止を図った研磨用組成物(例えば、特許文献3参照。)がそれぞれ提案されている。
しかしながら、上記のような研磨液においても、バリア層を研磨する際に各種被研磨膜に対して高速研磨速度を実現し、且つ各々の研磨速度を独立的に制御しうる技術は未だ得られていないのが現状である。
特開2003−17446公報
特開2003−142435公報
特開2000−84832公報
例えば、研磨傷をほとんど発生させずに高速研磨することを目的としたCMP研磨剤及び研磨方法(例えば、特許文献1参照。)、CMPにおける洗浄性を向上させた研磨組成物及び研磨方法(例えば、特許文献2参照。)、及び、研磨砥粒の凝集防止を図った研磨用組成物(例えば、特許文献3参照。)がそれぞれ提案されている。
しかしながら、上記のような研磨液においても、バリア層を研磨する際に各種被研磨膜に対して高速研磨速度を実現し、且つ各々の研磨速度を独立的に制御しうる技術は未だ得られていないのが現状である。
本発明の目的は、バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアCMPに用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、各種被研磨対象膜に対して研磨速度を各々独立的に制御しうる研磨液を提供することにある。
本発明者は鋭意検討した結果、下記研磨液を用いることによって上記問題を解決できることを見出して課題を達成するに至った。
本発明の研磨液は、半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とする。
本発明の研磨液は、半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とする。
本発明において、(A)ジ4級アンモニウムカチオンが、下記一般式(1)で表される2価のカチオンであることを特徴とする請求項1記載の研磨液。
一般式(1)中、R1〜R6は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表し、R1〜R6のうち2つが互いに結合して環を形成してもよい。Xは、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基を表す。
また、本発明において、(B)アルミナと(C)コロイダルシリカとの質量比が1:9から9:1であることが好ましい。
さらに、(B)アルミナと(C)コロイダルシリカとの濃度の和が研磨液の全質量に対して0.5〜15質量%であることが好ましい態様である。
さらに、(B)アルミナと(C)コロイダルシリカとの濃度の和が研磨液の全質量に対して0.5〜15質量%であることが好ましい態様である。
本発明において、(B)アルミナの一次平均粒径が5〜30nmの範囲で、かつ(C)コロイダルシリカの一次平均粒径が10〜50nmの範囲であることが好ましい態様である。
さらに、腐食抑制剤として、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、及び1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含む研磨液であることが好ましい態様である。
さらに、カルボキシル基を有する化合物を含有し、該カルボキシル基を有する化合物が、下記一般式(2)で表される化合物を含む研磨液であることが好ましい態様である。
さらに、本発明の研磨液は、陰イオン系界面活性剤、又は陽イオン界面活性剤を含有することが好ましい。
本発明の作用は明確ではないが、以下のように推測される。
異なる2種の研磨粒子が相互作用せず研磨に寄与することで、2種の研磨粒子の研磨特性を利用することができると考えられる。研磨液中に4級アンモニウムカチオンを含むことにより、アルミナとコロイダルシリカとの研磨粒子同士の凝集を引き起こす静電相互作用を緩和でき、その結果、二種の研磨粒子がそれぞれの性能を十分に発揮できるためではないかと考えられる。これによって、各被研磨膜種に対する研磨速度を研磨粒子の混合比を用いて制御できたものと考えられる。
異なる2種の研磨粒子が相互作用せず研磨に寄与することで、2種の研磨粒子の研磨特性を利用することができると考えられる。研磨液中に4級アンモニウムカチオンを含むことにより、アルミナとコロイダルシリカとの研磨粒子同士の凝集を引き起こす静電相互作用を緩和でき、その結果、二種の研磨粒子がそれぞれの性能を十分に発揮できるためではないかと考えられる。これによって、各被研磨膜種に対する研磨速度を研磨粒子の混合比を用いて制御できたものと考えられる。
本発明によれば、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、各種被研磨対象膜に対して研磨速度を各々独立的に制御しうる研磨液を提供することができる。
以下、本発明の具体的態様について説明する。
本発明の研磨液は、半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とし、更に必要に応じて、任意の成分を含んでいてもよい。
本発明の研磨液が含有する上記の各成分は1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明の研磨液は、半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とし、更に必要に応じて、任意の成分を含んでいてもよい。
本発明の研磨液が含有する上記の各成分は1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
本発明において「研磨液」とは、研磨に使用する際の研磨液(即ち、必要により希釈された研磨液)のみならず、研磨液の濃縮液をも包含する意である。濃縮液又は濃縮された研磨液とは、研磨に使用する際の研磨液よりも、溶質の濃度が高く調製された研磨液を意味し、研磨に使用する際に、水又は水溶液などで希釈して、研磨に使用されるものである。希釈倍率は、一般的には1〜20体積倍である。本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。
以下、本発明の研磨液を構成する各成分について詳細に説明する。
以下、本発明の研磨液を構成する各成分について詳細に説明する。
〔(A)ジ4級アンモニウムカチオン〕
本発明の研磨液は、ジ4級アンモニウムカチオン(以下、単に、「特定カチオン」と称する場合がある。)を含有する。
本発明における(A)ジ4級アンモニウムカチオンは、化学構造中に2つの4級窒素を含む構造であれば、特に限定されない。中でも、十分な研磨速度の向上を達成する観点から、下記一般式(1)で表されるカチオンであることが好ましい。
本発明の研磨液は、ジ4級アンモニウムカチオン(以下、単に、「特定カチオン」と称する場合がある。)を含有する。
本発明における(A)ジ4級アンモニウムカチオンは、化学構造中に2つの4級窒素を含む構造であれば、特に限定されない。中でも、十分な研磨速度の向上を達成する観点から、下記一般式(1)で表されるカチオンであることが好ましい。
上記一般式(1)において、R1〜R6は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。なお、前記一般式(1)におけるR1〜R6のうち2つが互いに結合してもよい。
前記アルキル基としては、炭素数1〜20のアルキル基であればよく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
また、前記アルケニル基としては、炭素数2〜10のアルケニル基であればよく、具体的には、エチニル基、プロピル基等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜20のアルキル基であればよく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
また、前記アルケニル基としては、炭素数2〜10のアルケニル基であればよく、具体的には、エチニル基、プロピル基等が挙げられる。
前記シクロアルキル基としては、炭素数3〜12の脂環式アルキル基であればよく、具体的には、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられ、中でも、シクロヘキシル基が好ましい。
前記アリール基としては、炭素数3〜12のアリール基であればよく、具体的には、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、フェニル基が好ましい。
前記アラルキル基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられ、中でも、ベンジル基が好ましい。
前記アリール基としては、炭素数3〜12のアリール基であればよく、具体的には、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、フェニル基が好ましい。
前記アラルキル基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられ、中でも、ベンジル基が好ましい。
上記の各基は、更に置換基を有していてもよく、導入しうる置換基としては、水酸基、アルキル基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、イミノ基、チオール基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。
上記一般式(1)におけるXは、炭素数1〜10のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はこれらの基を2以上組み合わせた基を表す。
なお、Xで表される連結基は、上記の有機連結基の他に、その鎖中に、−S−、−S(=O)2−、−O−、−C(=O)−を含んでいてもよい。
なお、Xで表される連結基は、上記の有機連結基の他に、その鎖中に、−S−、−S(=O)2−、−O−、−C(=O)−を含んでいてもよい。
前記炭素数1〜10のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等が挙げられ、中でも、エチレン基、ペンチレン基が好ましい。
前記アルケニレン基としては、具体的には、エチニレン基、プロピニレン基等が挙げられ、中でも、プロピニレン基が好ましい。
前記シクロアルキレン基としては、具体的には、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基等が挙げられ、中でも、シクロヘキシレン基が好ましい。
前記アリーレン基としては、具体的には、フェニレン基、ナフチレン基が挙げられ、中でも、フェニレン基が好ましい。
前記アルケニレン基としては、具体的には、エチニレン基、プロピニレン基等が挙げられ、中でも、プロピニレン基が好ましい。
前記シクロアルキレン基としては、具体的には、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基等が挙げられ、中でも、シクロヘキシレン基が好ましい。
前記アリーレン基としては、具体的には、フェニレン基、ナフチレン基が挙げられ、中でも、フェニレン基が好ましい。
上記の各連結基は更に置換基を有していてもよく、導入しうる置換基としては、水酸基、アルキル基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、イミノ基、チオール基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。
以下、本発明における特定カチオンの具体例(例示化合物A1〜A32)を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
上述のようなジ4級アンモニウムカチオンの中でも、スラリー中の分散安定性の点から、A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、A9、A10、A11、A12、A13、A12、A14、A15、A18、A19、A23、A24、A29、A30、A31、A32が好ましい。
本発明におけるジ4級アンモニウムカチオンは、例えば、アンモニアや各種アミンなどが求核剤として働く置換反応により合成することができる。
また、一般の販売試薬も使用可能である。
また、一般の販売試薬も使用可能である。
本発明の特定カチオンの対イオンとしては、1価のアニオンでも、2価のアニオンでもよく、例えば、硝酸イオン、硫酸イオン、ハロゲン化物イオン(例えば、臭化物イオン、塩化物イオン、フッ化物イオン及びヨウ化物イオン)、クエン酸イオン、リン酸イオン、シュウ酸イオン、フタル酸イオン、マレイン酸イオン、グルコン酸イオン、フマル酸イオン、酒石酸イオン、リンゴ酸イオン、グリコール酸イオン、水酸化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ホウ酸イオン、乳酸イオン、チオシアン酸イオン、シアン酸イオン、硫酸イオン、ケイ酸イオン、過ハロゲン化物イオン(たとえば過臭素酸イオン、過塩素酸イオン及び過ヨウ素酸イオン)、クロム酸イオン等、p-トルエンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ジグリコール酸イオン、2、5−フランジカルボン酸イオン、2−テトラヒドロフランカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンが挙げられる。
これらの中でも特に、研磨後の腐食を抑制する観点から、硝酸イオン、クエン酸イオン、リン酸イオン、シュウ酸イオン、フタル酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、酒石酸イオン、リンゴ酸イオン、グリコール酸イオン、水酸化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、乳酸イオン、硫酸イオン、ケイ酸イオン、p-トルエンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ジグリコール酸イオン、2、5−フランジカルボン酸イオン、2−テトラヒドロフランカルボン酸イオン、ホウ酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンが好ましい。
本発明における特定カチオンの添加量は、研磨に使用する際の研磨液(即ち、水又は水溶液で希釈する場合は希釈後の研磨液。以降の「研磨に使用する際の研磨液」も同意である。)に対して、0.0001質量%以上1質量%以下が好ましく、0.001質量%以上0.3質量%以下が更に好ましい。即ち、このような特定カチオンの添加量は、研磨速度を十分に向上させる観点で、0.00001質量%以上が好ましく、十分なスラリーの安定性の観点で、1質量%以下が好ましい。
〔(B)アルミナ〕
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、(B)アルミナを含有する。このアルミナはフュームドアルミナ、溶融アルミナ等など製造法に関わらず結晶相としてAl2O3を持つものを指し、α相、γ相、δ相、κ相のいずれでもよい。
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、(B)アルミナを含有する。このアルミナはフュームドアルミナ、溶融アルミナ等など製造法に関わらず結晶相としてAl2O3を持つものを指し、α相、γ相、δ相、κ相のいずれでもよい。
アルミナの一次粒径は、砥粒の使用目的に応じて適宜選択されるが、研磨傷を発生させない観点から、5〜100nmの範囲であることが好ましく、より好ましくは5〜30nmである。一次粒径が小さすぎると、研磨能力が極端に落ち、一次粒径が大きすぎると、研磨粒子が沈降してしまうことがある。
二次粒径においては、5nm〜1μmが好ましく、より好ましくは30nm〜500nmである。研磨粒子の二次粒径が大きくなるほど研磨能力は高くなるが、その一方で研磨傷を発生しやすくなり研磨表面が粗くなる。二次粒径が1μm以下の粒子を用いることで、研磨表面の状態が良好なままで、高い研磨速度を示すことができる。
本発明の研磨液中の(B)アルミナの含有量(濃度)は、研磨に使用する際の研磨液の溶剤を含む全質量に対して、好ましくは0.1質量%以上30質量%以下であり、更に好ましくは0.5質量%以上15質量%以下である。即ち、(B)アルミナの含有量は、充分な研磨速度でバリア層を研磨する点で0.5質量%以上が好ましく、保存安定性の点で15質量以下が特に好ましい。
〔(C)コロイダルシリカ〕
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、コロイダルシリカを含有する。
(C)コロイダルシリカとしては、粒子内部にアルカリ金属などの不純物を含有しない、アルコキシシランの加水分解により得たコロイダルシリカであることが好ましい。一方、ケイ酸アルカリ水溶液からアルカリを除去する方法で製造したコロイダルシリカも用いることができるものの、この場合、粒子の内部に残留するアルカリ金属が徐々に溶出し、研磨性能に影響を及ぼす懸念がある。このような観点からは、アルコキシシランの加水分解により得られたものが原料としてはより好ましい。
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、コロイダルシリカを含有する。
(C)コロイダルシリカとしては、粒子内部にアルカリ金属などの不純物を含有しない、アルコキシシランの加水分解により得たコロイダルシリカであることが好ましい。一方、ケイ酸アルカリ水溶液からアルカリを除去する方法で製造したコロイダルシリカも用いることができるものの、この場合、粒子の内部に残留するアルカリ金属が徐々に溶出し、研磨性能に影響を及ぼす懸念がある。このような観点からは、アルコキシシランの加水分解により得られたものが原料としてはより好ましい。
(C)コロイダルシリカの一次粒径は、砥粒の使用目的に応じて適宜選択されるが、一般的には10〜200nm程度であるが、研磨傷を発生させない観点から、10〜100nmの範囲であることが好ましい、より好ましくは10〜50nmの範囲である。
(B)アルミナと(C)コロイダルシリカとを併用する本発明では、アルミナの一次粒径が5〜30nmの範囲で、且つコロイダルシリカの一次粒径が10〜50nmの範囲にあるとき、被研磨物の選択性が良好で、且つ研磨速度が大きい。
本発明の研磨液中の(C)コロイダルシリカの含有量(濃度)は、研磨に使用する際の研磨液の溶剤を含む全質量に対して、好ましくは0.1質量%以上30質量%以下であり、更に好ましくは0.5質量%以上15質量%以下である。即ち、(C)コロイダルシリカの含有量は、充分な研磨速度でバリア層を研磨する点で0.5質量%以上が好ましく、保存安定性の点で15質量以下が特に好ましい。
本発明の研磨液中には(B)アルミナ、および(C)コロイダルシリカの二種の研磨粒子が含まれる。その研磨粒子の含有量比は質量比で、1:9から9:1が好ましい。更に好ましくは3:7〜7:3である。
この研磨粒子の含有量比により、TEOS膜とSiOC膜との研磨速度を調整できることを特徴とする。
この研磨粒子の含有量比により、TEOS膜とSiOC膜との研磨速度を調整できることを特徴とする。
〔腐食抑制剤〕
本発明の研磨液には、腐食抑制剤を添加し、使用することが好ましい。腐食抑制剤は被研磨表面に吸着して皮膜を形成し、金属表面の腐食を制御するものと考えられる。
本発明の研磨液には、腐食抑制剤を添加し、使用することが好ましい。腐食抑制剤は被研磨表面に吸着して皮膜を形成し、金属表面の腐食を制御するものと考えられる。
本発明における腐食抑制剤としては、分子内に3以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物を含有することが好ましい。ここで、「3以上の窒素原子」は、縮環を構成する原子であることが好ましく、このような複素芳香環化合物としては、ベンゾトリアゾール、及び該ベンゾトリアゾールに種々の置換基が導入されてなる誘導体であることが好ましい。
本発明に用いうる腐食抑制剤としては、ベンゾトリアゾール、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール、1,2,3,4−テトラゾール、5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、1H−テトラゾール−5−酢酸、1H−テトラゾール−5−コハク酸、1,2,3,4−テトラゾール、5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、1H−テトラゾール−5−酢酸、1H−テトラゾール−5−コハク酸、1,2,3−トリアゾール、4−アミノ−1,2,3−トリアゾール、4,5−ジアミノ−1,2,3−トリアゾール、4−カルボキシ−1H−1,2,3−トリアゾール、4,5−ジカルボキシ−1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−トリアゾール−4−酢酸、4−カルボキシ−5−カルボキシメチル−1H−1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3,5−ジアミノ−1,2,4−トリアゾール、3−カルボキシ−1,2,4−トリアゾール、3,5−ジカルボキシ−1,2,4−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール−3−酢酸、1Hベンゾトリアゾール、1H−ベンゾトリアゾール−5−カルボン酸等が挙げられる。
これらの中でも、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、及び1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールから選ばれることがより好ましい。
このような腐食抑制剤の添加量は、研磨に使用する際の研磨液の質量に対して、0.01質量%以上0.2質量%以下が好ましく、0.05質量%以上0.2質量%以下が更に好ましい。即ち、このような腐食抑制剤の添加量は、ディッシングを拡大させない点で、0.01質量%以上が好ましく、保存安定性の点から、0.2質量%以下が好ましい。
〔カルボキシル基を有する化合物〕
本発明の研磨液には、カルボキシル基を有する化合物(以下、適宜「有機酸」と称する。)を含有することが好ましい。カルボキシル基を有する化合物としては、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物であれば特に制限はないが、研磨速度構造の観点から、下記一般式(2)で表される化合物を選択することが好ましい。
なお、分子内に存在するカルボキシル基は、1〜4個であることが好ましく、安価に使用できる観点からは、1〜2個であることがより好ましい。
本発明の研磨液には、カルボキシル基を有する化合物(以下、適宜「有機酸」と称する。)を含有することが好ましい。カルボキシル基を有する化合物としては、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基を有する化合物であれば特に制限はないが、研磨速度構造の観点から、下記一般式(2)で表される化合物を選択することが好ましい。
なお、分子内に存在するカルボキシル基は、1〜4個であることが好ましく、安価に使用できる観点からは、1〜2個であることがより好ましい。
上記一般式(2)において、R7及びR8はそれぞれ独立に炭化水素基を表し、好ましくは、炭素数1〜10の炭化水素基を表す。
R7は、1価の炭化水素基である、例えば、炭素数1〜10のアルキル基(例えば、メチル基、シクロアルキル基等)、アリール基(例えば、フェニル基等)、アルコキシ基、アリールオキシ基などが好ましい。
R8は、2価の炭化水素基である。例えば、炭素数1〜10のアルキレン基(例えば、メチレン基、シクロアルキレン基等)、アリーレン基(例えば、フェニレン基等)、アルキレンオキシ基などが好ましい。
R7は、1価の炭化水素基である、例えば、炭素数1〜10のアルキル基(例えば、メチル基、シクロアルキル基等)、アリール基(例えば、フェニル基等)、アルコキシ基、アリールオキシ基などが好ましい。
R8は、2価の炭化水素基である。例えば、炭素数1〜10のアルキレン基(例えば、メチレン基、シクロアルキレン基等)、アリーレン基(例えば、フェニレン基等)、アルキレンオキシ基などが好ましい。
R7及びR8で表される炭化水素基は更に置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、例えば、炭素数1〜3のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、カルボキシル基、などが挙げられ、置換基としてカルボキシル基を有する場合、この化合物は複数のカルボキシル基を有することになる。
また、R7とR8は互いに結合して、環状構造を形成していてもよい。
また、R7とR8は互いに結合して、環状構造を形成していてもよい。
前記一般式(2)で表される化合物としては、例えば、2−フランカルボン酸、2,5−フランジカルボン酸、3−フランカルボン酸、2−テトラヒドロフランカルボン酸、ジグリコール酸、メトキシ酢酸、メトキシフェニル酢酸、フェノキシ酢酸などが挙げられ、中でも、被研磨面を高速で研磨する観点から、2,5−フランジカルボン酸、2−テトラヒドロフランカルボン酸、ジグリコール酸、メトキシ酢酸、フェノキシ酢酸が好ましい。
本発明の研磨液において、カルボキシル基を有する化合物(好ましくは、一般式(2)で表される化合物)の添加量は、研磨に使用する際の研磨液の質量に対して、0.1質量%以上5質量%以下が好ましく、0.5質量%以上2質量%以下が更に好ましい。即ち、このようなカルボキシル基を有する化合物(有機酸)の含有量は、十分な研磨速度を達成する点で、0.1質量%以上が好ましく、過剰なディッシングを発生させない点から、5質量%以下が好ましい。
(一般式(3)で示される化合物)
さらに、本発明の研磨液には、下記一般式(3)で示される化合物、または下記一般式(3)で示される構造単位を含む高分子の少なくとも一方を含むことが好ましい。
さらに、本発明の研磨液には、下記一般式(3)で示される化合物、または下記一般式(3)で示される構造単位を含む高分子の少なくとも一方を含むことが好ましい。
上記一般式(3)中、R9はエチレンオキサイド単位もしくはプロピレンオキサイド単位であり、R10〜R15は、各々独立に水素原子、水酸基、アルキル基、スルホ基、カルボキシル基及びそれらを含む炭化水素基のうちのいずれかを表す。
このような一般式(3)で示される化合物、または一般式(3)で示される構造単位を含む高分子化合物を研磨液中に含有させることにより、SiOC膜と砥粒の相互作用が大きくなり、SiOC膜などのLow−k膜の研磨性を向上させることができる。
前記一般式(3)におけるR9はエチレンオキサイド単位もしくはプロピレンオキサイド単位である。すなわち、これらのエチレンオキサイド単位等は1単位であってもよいし、複数の単位((CH2CH2O)nにおいてnが2以上)であってもよい。複数の単位である場合、nは2以上10以下の範囲であることが望ましい。
また、前記「一般式(3)で示される構造単位を含む高分子」とは、一般式(3)におけるフェニル基が主鎖の一部となるように構成されたものであれば特に制限されず、例えば、下記一般式(4)で示されるように、R10及びR14を介して重合した高分子が望ましい。この場合、mは、2以上10以下であることが望ましく、2以上5以下であることがより好適である。
以下、本発明における一般式(3)で示される化合物、及び一般式(4)で示される構造単位を含む高分子の具体例〔例示化合物(P−1)〜(P−28)〕を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の例示化合物中、n、mは1〜5であり、また、例示化合物P−15におけるx、yは、x+y=10であり、xは1〜5である。−SO3H・Na、−SO3H・Kの表記は、それぞれ−SO3Hまたは−SO3Naの両方の化合物、−SO3Hまたは−SO3Kの両方の化合物を意味する。
なお、以下の例示化合物中、n、mは1〜5であり、また、例示化合物P−15におけるx、yは、x+y=10であり、xは1〜5である。−SO3H・Na、−SO3H・Kの表記は、それぞれ−SO3Hまたは−SO3Naの両方の化合物、−SO3Hまたは−SO3Kの両方の化合物を意味する。
本発明の研磨液において、一般式(3)で示される化合物、及び一般式(3)で示される構造単位を含む高分子の添加量は、研磨に使用する際の研磨液の質量に対して、0.0001質量%以上10質量%以下が好ましく、0.001質量%以上1質量%以下が更に好ましい。即ち、前記化合物の添加量を上記範囲とすることにより、SiOC研磨速度を向上させることができる。
さらに、本発明の研磨液には、酸化剤、pH調整剤、キレート剤などを添加することが好ましい。以下に説明する。
(酸化剤)
本発明の研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物(酸化剤)を含有することができる。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、及び銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられ、中でも、過酸化水素が好ましく用いられる。
鉄(III)塩としては、例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
(酸化剤)
本発明の研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物(酸化剤)を含有することができる。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、及び銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられ、中でも、過酸化水素が好ましく用いられる。
鉄(III)塩としては、例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
酸化剤の添加量は、バリアCMP初期のディッシング量によって調整できる。バリアCMP初期のディッシング量が大きい場合、即ち、バリアCMPにおいて配線材をあまり研磨したくない場合には酸化剤を少ない添加量にすることが望ましく、ディッシング量が十分に小さく、配線材を高速で研磨したい場合は、酸化剤の添加量を多くすることが望ましい。このように、バリアCMP初期のディッシング状況によって酸化剤の添加量を変化させることが望ましいため、研磨に使用する際の研磨液の1L中に、0.01mol〜1molとすることが好ましく、0.05mol〜0.6molとすることが特に好ましい。
(pH調整剤)
本発明の研磨液は、pH2.0〜6.0であることを要し、pH3.0〜4.5の範囲であることが好ましい。研磨液のpHをこの範囲に制御することで、層間絶縁膜の研磨速度調整がより顕著に行うことが可能にある。
pHを上記好ましい範囲に調整するために、アルカリ/酸又は緩衝剤を用いることができる。本発明の研磨液は、pHがこの範囲において優れた効果を発揮する。
本発明の研磨液は、pH2.0〜6.0であることを要し、pH3.0〜4.5の範囲であることが好ましい。研磨液のpHをこの範囲に制御することで、層間絶縁膜の研磨速度調整がより顕著に行うことが可能にある。
pHを上記好ましい範囲に調整するために、アルカリ/酸又は緩衝剤を用いることができる。本発明の研磨液は、pHがこの範囲において優れた効果を発揮する。
アルカリ/酸又は緩衝剤としては、アンモニア、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩等を好ましく挙げることができる。特に好ましいアルカリ剤として水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。
アルカリ/酸又は緩衝剤の添加量としては、pHが好ましい範囲に維持される量であればよく、研磨に使用する際の研磨液の1L中、0.0001mol〜1.0molとすることが好ましく、0.003mol〜0.5molとすることがより好ましい。
(キレート剤)
本発明の研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤(すなわち硬水軟化剤)を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物であり、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、N,N,N−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸、1,2−ジヒドロキシベンゼン−4,6−ジスルホン酸等が挙げられる。
本発明の研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤(すなわち硬水軟化剤)を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物であり、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、N,N,N−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、1,2−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、2−ホスホノブタン−1,2,4−トリカルボン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、N,N’−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N’−ジ酢酸、1,2−ジヒドロキシベンゼン−4,6−ジスルホン酸等が挙げられる。
キレート剤は必要に応じて2種以上併用してもよい。
キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であれば良く、例えば、研磨に使用する際の研磨液の1L中、0.0003mol〜0.07molになるように添加する。
キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であれば良く、例えば、研磨に使用する際の研磨液の1L中、0.0003mol〜0.07molになるように添加する。
本発明の研磨液は、一般に、銅金属及び/又は銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に存在する、銅の拡散を防ぐためのバリア金属材料からなるバリア層の研磨に適する。
〔バリア金属材料〕
本発明の研磨液の研磨対象のバリア層を構成する材料としては、一般に低抵抗のメタル材料がよく、特に、TiN、TiW、Ta、TaN、W、WNが好ましく、中でも、Ta、TaNが特に好ましい。
本発明の研磨液の研磨対象のバリア層を構成する材料としては、一般に低抵抗のメタル材料がよく、特に、TiN、TiW、Ta、TaN、W、WNが好ましく、中でも、Ta、TaNが特に好ましい。
〔層間絶縁膜〕
本発明の研磨液の研磨対象の層間絶縁膜としては、TEOS等の通常用いられる層間絶縁膜の他、例えば、比誘電率が3.5〜2.0程度の低誘電率の材料(例えば、有機ポリマー系、SiOC系、SiOF系、等が挙げられ、通常、Low−k膜と略称される)を含む層間絶縁膜が挙げられる。
具体的には、低誘電率の層間絶縁膜の形成に用いる材料として、SiOC系ではHSG−R7(日立化成工業)、BLACKDIAMOND(Applied Materials,Inc)などがある。
本発明の研磨液の研磨対象の層間絶縁膜としては、TEOS等の通常用いられる層間絶縁膜の他、例えば、比誘電率が3.5〜2.0程度の低誘電率の材料(例えば、有機ポリマー系、SiOC系、SiOF系、等が挙げられ、通常、Low−k膜と略称される)を含む層間絶縁膜が挙げられる。
具体的には、低誘電率の層間絶縁膜の形成に用いる材料として、SiOC系ではHSG−R7(日立化成工業)、BLACKDIAMOND(Applied Materials,Inc)などがある。
〔配線金属原材料〕
本発明においては、研磨対象である被研磨体は、例えば、LSI等の半導体デバイスに適用されるような、銅金属及び/又は銅合金からなる配線を有することが好ましい。特にこの配線の原材料としては、銅合金が好ましい。更に、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。
なお、銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、更には1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨対象である被研磨体は、例えば、LSI等の半導体デバイスに適用されるような、銅金属及び/又は銅合金からなる配線を有することが好ましい。特にこの配線の原材料としては、銅合金が好ましい。更に、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。
なお、銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、更には1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
〔配線の太さ〕
本発明においては、研磨対象である被研磨体が、例えば、DRAMデバイス系に適用される場合、ハーフピッチで0.15μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.10μm以下、更に好ましくは0.08μm以下である。
一方、被研磨体が、例えば、MPUデバイス系に適用される場合、0.12μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.09μm以下、更に好ましくは0.07μm以下である。
このような配線を有する被研磨体に対して、上述の本発明における研磨液は特に優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨対象である被研磨体が、例えば、DRAMデバイス系に適用される場合、ハーフピッチで0.15μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.10μm以下、更に好ましくは0.08μm以下である。
一方、被研磨体が、例えば、MPUデバイス系に適用される場合、0.12μm以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは0.09μm以下、更に好ましくは0.07μm以下である。
このような配線を有する被研磨体に対して、上述の本発明における研磨液は特に優れた効果を発揮する。
〔研磨方法〕
本発明の研磨液は、1.濃縮液であって、使用する際に水又は水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、2.各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、3.使用液として調製されている場合がある。
本発明の研磨液を用いた研磨方法にはいずれの場合の研磨液も適用可能である。
この研磨方法は、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
本発明の研磨液は、1.濃縮液であって、使用する際に水又は水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、2.各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、3.使用液として調製されている場合がある。
本発明の研磨液を用いた研磨方法にはいずれの場合の研磨液も適用可能である。
この研磨方法は、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
研磨に用いられる装置としては、被研磨面を有する被研磨体(例えば、導電性材料膜が形成されたウエハ等)を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)研磨定盤と、を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は被研磨体が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨面(被研磨膜)を有する被研磨体の研磨パッドへの押しつけ圧力は、0.68〜34.5KPaであることが好ましく、研磨速度の被研磨体の面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、3.40〜20.7KPaであることがより好ましい。
研磨している間、研磨パッドには、研磨液をポンプ等で連続的に供給する。
研磨終了後の被研磨体は、流水中でよく洗浄された後、スピンドライヤ等を用いて被研磨体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
研磨終了後の被研磨体は、流水中でよく洗浄された後、スピンドライヤ等を用いて被研磨体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
本発明において、前記1.の方法のように、濃縮液を希釈する際には、下記に示す水溶液を用いることができる。水溶液は、予め、酸化剤、有機酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも1つ以上を含有した水であり、この水溶液中に含有している成分と、希釈される濃縮液中に含有している成分と、を合計した成分が、研磨する際に使用する研磨液(使用液)の成分となるようにする。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
また、濃縮液に水又は水溶液を加え希釈する方法としては、濃縮された研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを途中で合流させて混合し、混合し希釈された研磨液の使用液を研磨パッドに供給する方法がある。濃縮液と水又は水溶液との混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。
研磨液の供給速度は10〜1000ml/minが好ましく、研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、170〜800ml/minであることがより好ましい。
更に、濃縮液を水又は水溶液などにより希釈しつつ、研磨する方法としては、研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法がある。また、1つの容器に、所定量の濃縮液と水又は水溶液とを入れ混合してから、研磨パッドにその混合した研磨液を供給し、研磨をする方法を用いることもできる。
また、別の研磨方法としては、研磨液が含有すべき成分を少なくとも2つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水又は水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法がある。
例えば、酸化剤を構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用する。
例えば、酸化剤を構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分(A)とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分(A)及び構成成分(B)を希釈して使用する。
上記のような例の場合、構成成分(A)と構成成分(B)と水又は水溶液とをそれぞれ供給する3つの配管が必要であり、希釈混合は、3つの配管を、研磨パッドに供給する1つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、2つの配管を結合してから他の1つの配管を結合することも可能である。具体的には、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、更に、水又は水溶液の配管を結合する方法である。
その他の混合方法は、上記したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液を供給する方法がある。
その他の混合方法は、上記したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液を供給する方法がある。
上記した研磨方法において、酸化剤を含む1つの構成成分を40℃以下にし、他の構成成分を室温から100℃の範囲に加温し、1つの構成成分と他の構成成分とを混合する際、又は、水若しくは水溶液を加え希釈する際に、液温を40℃以下とするようにすることができる。この方法は、温度が高いと溶解度が高くなる現象を利用し、研磨液の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。
上記の他の構成成分を室温から100℃の範囲で加温することで溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、低温状態の他の構成成分を用いる場合は、予め加温して析出した原料を溶解させる必要がある。これには、加温し、原料が溶解した他の構成成分を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し、配管を加温して溶解させる手段と、を採用することができる。加温した他の構成成分が、酸化剤を含む1つの構成成分の温度を40℃以上に高めると酸化剤が分解する恐れがあるので、この加温した他の構成成分と酸化剤を含む1つの構成成分とを混合した場合、40℃以下となるようにすることが好ましい。
このように、本発明においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と有機酸を含有する成分とに分割して供給することが好ましい。また、研磨液を濃縮液とし、希釈水を別にして被研磨面に供給してもよい。
本発明において、本発明においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
本発明において、本発明においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
〔パッド〕
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
〔ウエハ〕
本発明における研磨液でCMPを行なう対象の被研磨体としてのウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
本発明における研磨液でCMPを行なう対象の被研磨体としてのウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
〔研磨装置〕
本発明の研磨液を用いて研磨を実施できる装置は、特に限定されないが、Mirra Mesa CMP、Reflexion CMP(アプライドマテリアルズ)、FREX200、FREX300(荏原製作所)、NPS3301、NPS2301(ニコン)、A−FP−310A、A−FP−210A(東京精密)、2300 TERES(ラムリサーチ)、Momentum(Speedfam IPEC)などを挙げることができる。
本発明の研磨液を用いて研磨を実施できる装置は、特に限定されないが、Mirra Mesa CMP、Reflexion CMP(アプライドマテリアルズ)、FREX200、FREX300(荏原製作所)、NPS3301、NPS2301(ニコン)、A−FP−310A、A−FP−210A(東京精密)、2300 TERES(ラムリサーチ)、Momentum(Speedfam IPEC)などを挙げることができる。
以下、実施例によって本発明をより詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
〔実施例1〕
下記に示す組成で研磨液を調製した。
<組成(1)>
・ジ4級アンモニウムカチオン:塩化ヘキサメトニウム 0.2g/L
・腐食抑制剤:ベンゾトリアゾール(BTA) 1.0g/L
・コロイダルシリカ 25g/L
・アルミナ 25g/L
・カルボキシル基を有する化合物:ジグリコール酸 1g/L
・純水を加えて全量 1000mL
pH(アンモニア水と硝酸で調整) 3.5
過酸化水素 10ml
下記に示す組成で研磨液を調製した。
<組成(1)>
・ジ4級アンモニウムカチオン:塩化ヘキサメトニウム 0.2g/L
・腐食抑制剤:ベンゾトリアゾール(BTA) 1.0g/L
・コロイダルシリカ 25g/L
・アルミナ 25g/L
・カルボキシル基を有する化合物:ジグリコール酸 1g/L
・純水を加えて全量 1000mL
pH(アンモニア水と硝酸で調整) 3.5
過酸化水素 10ml
調製した上記研磨液を用いて、下記の研磨評価を行った。
(評価方法)
研磨装置としてムサシノ電子社製装置「MA−300D」を使用し、下記の条件で、スラリーを供給しながら、下記に示すウエハを研磨した。
テ−ブル回転数: 112rpm
ヘッド回転数: 113rpm
研磨圧力: 9.19kPa
研磨パッド:ロデール・ニッタ株式会社製IC1400 XY−K−Pad
研磨液供給速度: 50ml/min
(評価方法)
研磨装置としてムサシノ電子社製装置「MA−300D」を使用し、下記の条件で、スラリーを供給しながら、下記に示すウエハを研磨した。
テ−ブル回転数: 112rpm
ヘッド回転数: 113rpm
研磨圧力: 9.19kPa
研磨パッド:ロデール・ニッタ株式会社製IC1400 XY−K−Pad
研磨液供給速度: 50ml/min
<研磨速度評価>
研磨速度評価用のウエハとして、Si基板上に各研磨対象のTEOS膜(テトラエトキシシラン膜)、SiOC膜(BLACKDIAMOND Applied Materials,Inc)を成膜した8インチウエハを6cm×6cmにカットしたウエハを使用した。
研磨速度評価用のウエハとして、Si基板上に各研磨対象のTEOS膜(テトラエトキシシラン膜)、SiOC膜(BLACKDIAMOND Applied Materials,Inc)を成膜した8インチウエハを6cm×6cmにカットしたウエハを使用した。
<研磨速度>
研磨速度は、CMP前後におけるTEOS膜、SiOC膜の膜厚をそれぞれ測定し、以下の式から換算することで求めた。
研磨速度(nm/min.)=(研磨前の各種膜厚−研磨後の各種膜厚)/研磨時間
得られた結果を表1に示す。
研磨速度は、CMP前後におけるTEOS膜、SiOC膜の膜厚をそれぞれ測定し、以下の式から換算することで求めた。
研磨速度(nm/min.)=(研磨前の各種膜厚−研磨後の各種膜厚)/研磨時間
得られた結果を表1に示す。
<研磨液の分散性評価>
上記研磨液に含まれる研磨粒子の分散性の評価を、下記評価基準に基づいて行った。研磨液調製後、室温にて1時間静置し、目視にて研磨粒子が沈降もしくはゲル化しているかを判断した。なお、○は、実用上問題の無いレベルと判断する。
−評価基準−
○:研磨粒子の沈降、もしくはゲル化が目視で確認できない。
×:研磨粒子が沈降、もしくはゲル化していることが目視にて確認できる。
上記研磨液に含まれる研磨粒子の分散性の評価を、下記評価基準に基づいて行った。研磨液調製後、室温にて1時間静置し、目視にて研磨粒子が沈降もしくはゲル化しているかを判断した。なお、○は、実用上問題の無いレベルと判断する。
−評価基準−
○:研磨粒子の沈降、もしくはゲル化が目視で確認できない。
×:研磨粒子が沈降、もしくはゲル化していることが目視にて確認できる。
〔実施例2〜32、及び比較例1〜5〕
実施例1における組成(1)を、下記表1〜表3に記載の組成に変更して調製した研磨液を用い、実施例1と同様の研磨条件で、研磨実験を行った。結果を表1〜表3に示す。
実施例1における組成(1)を、下記表1〜表3に記載の組成に変更して調製した研磨液を用い、実施例1と同様の研磨条件で、研磨実験を行った。結果を表1〜表3に示す。
上記表1〜表3に記載された特定カチオンA1〜A32は、前述の例示化合物を指す。
更に、上記表1〜表3に記載されたアルミナB1、B2、およびコロイダルシリカC1〜C5の平均一次粒径、平均二次粒径を、表4に示す。なお、平均粒径は光子相関法により求めた。また比較例で用いたセリア、およびチタニアの平均一次粒径も表4に記載した。
更に、上記表1〜表3に記載されたアルミナB1、B2、およびコロイダルシリカC1〜C5の平均一次粒径、平均二次粒径を、表4に示す。なお、平均粒径は光子相関法により求めた。また比較例で用いたセリア、およびチタニアの平均一次粒径も表4に記載した。
また、上記表1〜表3中において使用した腐食防止剤は以下の通りである。
BTA:1,2,3−ベンゾトリアゾール
DBTA:5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール
DCEBTA:1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール
HEABTA:1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール
HMBTA:1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール
BTA:1,2,3−ベンゾトリアゾール
DBTA:5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール
DCEBTA:1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール
HEABTA:1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール
HMBTA:1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾール
さらに、表1〜表3で用いたカルボキシル基を有する化合物(表1〜表3では「有機酸」と表記)を、表5に示す。
表1〜表3によれば、実施例1〜32の研磨液を用いた場合は、比較例1〜3で見られた研磨粒子の沈降もしくはゲル化が見られなかった。このことから二種の研磨粒子を含む研磨液においては、シリカとアルミナの組み合わせが適しており、かつジ4級アンモニウムカチオンを含むことが必要とされることが分かる。
また、実施例1〜32の研磨液では二種の研磨粒子の組成比および濃度により、TEOS膜研磨速度とSiOC膜研磨速度との比を調製できることが分かり、TEOS膜、およびSiOC膜の両方の膜の研磨速度が同時に高いことが分かる。また、比較例4,5はいずれも、片方の膜を研磨することはできるが、TEOS膜とSiOC膜との双方を研磨するには適していないことが分かる。
また、実施例1〜32の研磨液では二種の研磨粒子の組成比および濃度により、TEOS膜研磨速度とSiOC膜研磨速度との比を調製できることが分かり、TEOS膜、およびSiOC膜の両方の膜の研磨速度が同時に高いことが分かる。また、比較例4,5はいずれも、片方の膜を研磨することはできるが、TEOS膜とSiOC膜との双方を研磨するには適していないことが分かる。
Claims (7)
- 半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、(A)ジ4級アンモニウムカチオン、(B)アルミナ、及び(C)コロイダルシリカを含み、pHが2.0〜6.0であることを特徴とする研磨液。
- 前記(B)アルミナと、(C)コロイダルシリカとの質量比が1:9から9:1であることを特徴とする請求項1、又は請求項2に記載の研磨液。
- 前記(B)アルミナと(C)コロイダルシリカとの濃度の和が、研磨液の全質量に対して0.5〜15質量%であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の研磨液。
- 前記(B)アルミナの一次平均粒径が5〜30nmの範囲で、かつ前記(C)コロイダルシリカの一次平均粒径が10〜50nmの範囲であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の研磨液。
- さらに、腐食抑制剤として、1,2,3−ベンゾトリアゾール、5,6−ジメチル−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1−(1,2−ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1−[N,N−ビス(ヒドロキシエチル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、及び1−(ヒドロキシメチル)ベンゾトリアゾールからなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を含むことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の研磨液。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2014210322A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク基板用研磨組成物キット |
WO2021144940A1 (ja) * | 2020-01-16 | 2021-07-22 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法 |
WO2022130839A1 (ja) * | 2020-12-17 | 2022-06-23 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびこれを用いた研磨方法 |
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2008
- 2008-02-28 JP JP2008047395A patent/JP2009206316A/ja active Pending
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