JP2010141107A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】隣接する活性領域間が狭くなった場合においても、コンタクトプラグと拡散層とのコンタクト抵抗を低く抑えることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】X方向に延在する活性領域102内に設けられたゲートトレンチ103gt1、103gt2及びダミーゲートトレンチ103dgtと、活性領域102を横切るY方向に延在し、各トレンチ103gt1、103gt2、103dgt内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれたゲート電極104g1、104g2及びダミーゲート電極104dgとを有し、ゲート電極104g1とその両側に設けられた拡散層105a1,105a2とからなるトランジスタ109と、ゲート電極104g2とその両側に設けられた拡散層105b1,105b2とからなるトランジスタ110は、拡散層105a2と拡散層105b1との間に配置されたダミーゲート電極104dgにより絶縁分離される。
【選択図】図1
【解決手段】X方向に延在する活性領域102内に設けられたゲートトレンチ103gt1、103gt2及びダミーゲートトレンチ103dgtと、活性領域102を横切るY方向に延在し、各トレンチ103gt1、103gt2、103dgt内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれたゲート電極104g1、104g2及びダミーゲート電極104dgとを有し、ゲート電極104g1とその両側に設けられた拡散層105a1,105a2とからなるトランジスタ109と、ゲート電極104g2とその両側に設けられた拡散層105b1,105b2とからなるトランジスタ110は、拡散層105a2と拡散層105b1との間に配置されたダミーゲート電極104dgにより絶縁分離される。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に、トレンチゲート型(リセスチャネル型ともいう)(特許文献1〜3参照)のトランジスタを有する半導体装置及びその製造方法に関する。
一般に、半導体装置の製造方法においては、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより微細パターンの形成が行われている。
図26は、一般的なDRAMのメモリセルトランジスタの構造を示す図であり、(a)が略平面図、(b)が(a)のB−B線における略断面図である。
図26に示すように、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより半導体基板400にSTI(Shallow Trench Isolation)領域401が形成され、これにより、活性領域402が区画形成されている。上面をキャップ絶縁膜405で覆われ側面をサイドウォール絶縁膜406で覆われたゲート電極が活性領域402と交差するように設けられている。そして、ゲート電極の両側に設けられた拡散層404上にこれと接続するコンタクトプラグ407が形成されている。本例では、図示のとおり、活性領域402がゲート電極403の両側に十分な広さをもって形成されているため、拡散層404も十分な大きさで形成されている。これにより、コンタクトプラグ407と拡散層404とが十分な面積で接続されることから、コンタクト抵抗は低く抑えられている。
特開2005−322880号公報
特開2006−173429号公報
特開2006−261627号公報
しかしながら、半導体素子の微細化に伴い、フォトリソグラフィ及びドライエッチングによる微細パターンの形成が困難となってきている。例えば、DRAMのメモリセルのように、最小化工寸法で形成される領域において、STI領域で囲まれる活性領域を形成する際、以下のような問題が生じる。
図27は、隣接する活性領域間が狭くなった場合のメモリセルトランジスタの構造を示す図であり、(a)が略平面図、(b)が(a)のB−B線における略断面図である。なお、図27において、図26と同一の構成要素については、同一の参照番号を付してその説明を省略する。
図27では、隣接する活性領域間が狭くなったことにより、フォトリソグラフィ及びドライエッチングが良好に行われず、STI領域501によって区画形成された活性領域502の面積が縮小されてしまっている。これにより、拡散層504が目減りし、図27に点線で示すように、コンタクトプラグ407と拡散層504との接触面積が非常に小さくなってしまう。したがって、コンタクト抵抗が非常に高くなってしまうという問題が生じる。
以上、DRAMのメモリセル領域を例に従来の問題を説明したが、DRAMの周辺領域やその他半導体装置における微細パターンの形成においても同様に生じうる問題である。
本発明による半導体装置は、半導体基板に設けられSTI領域により区画形成され第1の方向に延在する活性領域と、活性領域内に設けられた第1のゲートトレンチ、第2のゲートトレンチ、及びダミーゲートトレンチと、活性領域を横切る第2の方向に延在し、第1のゲートトレンチ、第2のゲートトレンチ、及びダミーゲートトレンチ内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極、第2のゲート電極、及びダミーゲート電極と、第1のゲート電極の両側にそれぞれ設けられた第1及び第2の拡散層と、第2のゲート電極の両側にそれぞれ設けられた第3及び第4の拡散層とを備え、第1のゲート電極と第1及び第2の拡散層とにより第1のトランジスタが構成され、第2のゲート電極と第3及び第4の拡散層とにより第2のトランジスタが構成され、ダミーゲート電極は第2の拡散層と第3の拡散層との間に配置され、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを絶縁分離することを特徴とする。
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板に第1の方向に延在する複数の溝を形成する第1の工程と、溝を絶縁膜で埋め込むことによりSTI領域を形成する第2の工程と、STI領域により区画形成され第1の方向に延在する活性領域内に第1のゲートトレンチ、第2のゲートトレンチ、及びダミーゲートトレンチを形成する第3の工程と、活性領域を横切る第2の方向に延在し第1のゲートトレンチ、第2のゲートトレンチ、及びダミーゲートトレンチ内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極、第2のゲート電極、及びダミーゲート電極を形成する第4の工程と、第1のゲート電極の両側にそれぞれ第1及び第2の拡散層を形成して第1のゲート電極と第1及び第2の拡散層からなる第1のトランジスタを形成するとともに第2のゲート電極の両側にそれぞれ第3及び第4の拡散層を形成して第2のゲート電極と第3及び第4の拡散層からなる第2のトランジスタを形成する第5の工程とを備え、ダミーゲート電極は第2の拡散層と第3の拡散層との間に形成され、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを絶縁分離することを特徴とする。
本発明によれば、第1のトランジスタと第2のトランジスタとをSTI領域によって絶縁分離するのではなく、第1及び第2のゲート電極が形成される活性領域内にダミーゲートトレンチを設け、そこにダミーゲート電極を形成し、これを第1のトランジスタの拡散層と第2のトランジスタの拡散層との間に配置することにより、ダミーゲート電極を素子分離領域として機能させている。したがって、STI領域形成のためのフォトリソグラフィ及びドライエッチングの対象は、第1の方向に延在するラインアンドスペースパターンとすることができる。ラインアンドスペースパターンは、フォトリソグラフィにおける解像が比較的容易であることから、第1の方向において、活性領域のパターンが縮小してしまうことを防止でき、したがって、拡散層が目減りし、コンタクトプラグと拡散層との接触面積が小さくなることを抑制することができる。これにより、コンタクト抵抗を十分に低く抑えることが可能となる。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の好ましい第1の実施形態による半導体装置10の構造を示す図であり、(a)は略平面図、(b)は(a)に示すB−B線における略断面図、(c)は(a)に示すC−C線における略断面図である。本実施形態による半導体装置10はDRAMであり、図1は、拡散層に接続するコンタクトプラグの形成が終了した時点での構造を示している。
図1に示すように、本実施形態による半導体装置10は、半導体基板100に設けられSTI領域101により区画形成されX方向(第1の方向)に延在する活性領域102と、活性領域102内に設けられた第1のゲートトレンチ103gt1、第2のゲートトレンチ103gt2、及びダミーゲートトレンチ103dgtと、活性領域102を横切るY方向(第2の方向)に延在し、第1のゲートトレンチ103gt1、第2のゲートトレンチ103gt2、及びダミーゲートトレンチ103dgt内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極104g1、第2のゲート電極104g2、及びダミーゲート電極104dgとを備えて構成されている。そして、ダミーゲート電極104dgは第1のゲート電極104g1と第2のゲート電極104g2との間に配置されている。
第1及び第2のゲート電極104g1、104g2の各両側にはソース/ドレイン領域となる第1〜第4の拡散層105a1、105a2、105b1、105b2が設けられている。第1及び第2のゲート電極104g1、104g2、ならびにダミーゲート電極104dgそれぞれの上面上にはキャップ絶縁膜106が設けられ、また、それぞれの両側面にはサイドウォール絶縁膜107が設けられている。コンタクトプラグ108は、拡散層105a1、105a2、105b1、105b2それぞれと接続し、これにより上層に設けられるビットコンタクトや容量コンタクト(図示せず)と拡散層とを電気的に接続する。
第1のゲート電極104g1、第1及び第2の拡散層105a1、105a2により第1のトランジスタ109が構成され、第2のゲート電極104g2、第3及び第4の拡散層105b1、105b2により第2のトランジスタ110が構成され、図1(b)に破線矢印で示すように半導体基板100と反対導電型のチャネルが形成されるように、第1及び第2のゲート電極104g1、104g2それぞれに所定のバイアスをかけることによりトランジスタ動作が行われる。
一方、ダミーゲート電極104dgが第2の拡散層105a2と第3の拡散層105b1との間に配置されることにより、ダミーゲート電極104dgと第2及び第3の拡散層105a2、105b1はトランジスタの構成となっている。しかしながら、ダミーゲート電極104dgには常に上記所定のバイアスとは逆のバイアスがかけられており、拡散層105a2と拡散層105b1との間にはチャネルは形成されない。すなわち、ダミーゲート電極104dgと前記第2及び第3の拡散層105a2、105b1とにより構成されるトランジスタは常時オフ状態となっている。したがって、ダミーゲート電極104dgは、第1のトランジスタ109と第2のトランジスタ110とを絶縁分離する素子分離領域として機能する。
次に、本発明の第1の実施形態による半導体装置10の製造方法について説明する。
図2〜図6は、本実施形態による半導体装置の製造方法の各製造工程を示す図であり、各図において(a)は略平面図を、(b)は(a)におけるB−B線に沿った略断面図を、(c)は(a)におけるC−C線に沿った略断面図を示している。
まず、図2に示すように、半導体基板100上に、活性領域102となる領域を覆うようにラインアンドスペースパターンの第1のマスク層111を形成する。次に、図3に示すように、マスク層を用いて、半導体基板100をエッチングし、STI用トレンチ101tを形成した後、STI用トレンチ101tを絶縁膜で埋め込むことにより、STI領域101を形成する。
第1のマスク層111を除去した後、図4に示すように、半導体基板100の活性領域102上に、第1のマスク層111を除去した後、第1のゲートトレンチ103gt1、第2のゲートトレンチ103gt2、及びダミーゲートトレンチ103dgtが形成される領域を露出する第2のマスク層112を形成する。そして、第2のマスク層112を用いて半導体基板100をエッチングすることにより、図5に示すように、第1のゲートトレンチ103gt1、第2のゲートトレンチ103gt2、及びダミーゲートトレンチ103dgtを形成する。
次に、第1のゲートトレンチ103gt1、第2のゲートトレンチ103gt2、及びダミーゲートトレンチ103dgt内を埋め込むように全面に導電材料を形成した後、図6に示すように、キャップ絶縁膜106を形成し、キャップ絶縁膜106をマスクとして導電材料をパターニングする。これにより、第1のゲートトレンチ103gt1、第2のゲートトレンチ103gt2、及びダミーゲートトレンチ103dgtにそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極104g1、第2のゲート電極104g2、及びダミーゲート電極104dgが形成される。
続いて、第1及び第2のゲート電極104g1、104g2、ダミーゲート電極104dg及びキャップ絶縁膜106をマスクに半導体基板100に不純物をイオン注入することにより、第1〜第4の拡散層105a1、105a2、105b1、105b2を形成する。次に、第1及び第2のゲート電極104g1、104g2、ダミーゲート電極104dg及びキャップ絶縁膜106の側面にサイドウォール絶縁膜107を形成する。続いて、拡散層105a1、105a2、105b1、105b2それぞれと接続するコンタクトプラグ108を形成することにより、図1に示す構造を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、Y方向(図1参照)の素子分離はSTI領域101で行い、X方向の素子分離はダミーゲート電極104dgにより行われる。したがって、活性領域102のパターンをフォトリソグラフィの高い解像度を得ることが可能な一方向(X方向)に延在するラインアンドスペースパターンとすることができ、活性領域102の縮小を防止できる。これにより、拡散層105a1、105a2、105b1、105b2が目減りすることを防止し、コンタクトプラグ108と拡散層との接触面積を十分に確保することができ、コンタクト抵抗を低く抑えることが可能となる。
次に、本発明の好ましい第2の実施形態につき説明する。第2の実施形態は、メモリセルトランジスタとして、ゲートトレンチの側面に半導体基板の一部からなりチャネル領域を構成するフィン状部を有する所謂ダブルフィン構造のトランジスタを用いるものである。また、素子分離領域として機能するダミーゲートトレンチの側面にはフィン状部を設けないものである。
図7は、本発明の好ましい第2の実施形態による半導体装置20の構造を示す図であり、(a)は略平面図、(b)は(a)に示すB−B線における略断面図、(c)は(a)に示すC−C線における略断面図、(d)は(a)におけるD−D線に沿った略断面図である。本実施形態において、上記第1の実施形態による半導体装置10と同一の構成要素については同一の番号を付しその説明を省略する。
図7(d)に示すように、本実施形態による半導体装置20は、第1及び第2のゲートトレンチ203gt1、203gt2のX方向に沿った側面の下部に半導体基板200の一部からなりチャネル領域の一部をなすフィン状部211がそれぞれ設けられている。STI領域201で区画された一点鎖線で示す領域が活性領域202である。第1のトランジスタ209と第2のトランジスタ210においては、第1及び第2のゲート電極204g1,204g2に所定のバイアスをかけたときに形成されるチャネル領域が、第1及び第2のゲートトレンチ203gt1、203gt2のY方向に沿った側面及び底面に形成されるだけでなく、X方向に沿った側面に設けられたフィン状部211にも形成される。これにより、第1及び第2のトランジスタ209、210の閾値電圧を低くすることができる。一方、図7(c)に示すように、ダミーゲートトレンチ203dgtのX方向に沿った側面にはフィン状部は形成されていない。すなわち、ダミーゲートトレンチ203dgtのX方向に沿った側面は半導体基板200の一部を介さずにSTI領域201に接している。これにより、ダミーゲート電極204dgを有するトランジスタの閾値電圧を第1及び第2のトランジスタ209、210よりも高くすることができる。したがって、ダミーゲート電極204dgが第1及び第2のトランジスタ209、210間の素子分離領域としてより確実に機能することができる。
なお、第1及び第2のゲートトレンチ203gt1、203gt2のX方向に沿った側面の上部には、側壁絶縁膜212が設けられており、したがって、第1及び第2のゲートトレンチ203gt1、203gt2の上部は、側壁絶縁膜212を介してSTI領域201に接している。フィン状部211を第1及び第2のゲートトレンチ203gt1、203gt2の上部の方まで高くすることも可能ではあるが、閾値制御が困難になるという問題が生じやすいため、図示のようにしている。
次に、本発明の第2の実施形態による半導体装置20の製造方法について説明する。
図8〜図17は、本実施形態による半導体装置の製造方法の各製造工程を示す図であり、各図において(a)は略平面図を、(b)は(a)におけるB−B線に沿った略断面図を、(c)は(a)におけるC−C線に沿った略断面図を、(d)は(a)におけるD−D線に沿った略断面図を示している。なお、D−D線に沿った略断面図がC−C線に沿った略断面図と同一の場合は、図(d)は省略している。
まず、図8に示すように、半導体基板200上に、ラインアンドスペースパターンの第1のマスク層213を形成する。一点鎖線で示す領域は、後に活性領域202となる領域であり、本実施形態では、第1のマスク層213は、活性領域202よりも幅を狭く形成する。そして、第1のマスク層213を用いて半導体基板200をエッチングし溝を形成する。
次に、図9に示すように、全面に絶縁膜を形成した後、これをエッチバックすることにより、第1のマスク層213の側面に側壁絶縁膜212を形成する。続いて、図10に示すように、第1のマスク層213及び側壁絶縁膜212をマスクとして半導体基板200をエッチングして上記溝をさらに掘り下げ、STI用トレンチ201tを形成する。
次に、図11に示すように、STI用トレンチ201tを絶縁膜で埋め込むことにより、STI領域201を形成する。こうして、STI領域201によって活性領域202が区画形成される。
続いて、図12に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により、半導体基板200の上面が露出するまで平坦化を行う。続いて、図13に示すように、第1のゲートトレンチ203gt1、第2のゲートトレンチ203gt2、及びダミーゲートトレンチ203dgtが形成される領域を露出する第2のマスク層214を形成する。そして、第2のマスク層214、側壁絶縁膜212、及びSTI領域201をマスクとして半導体基板200をエッチングする。これにより、第1のゲートトレンチ203gt1、第2のゲートトレンチ203gt2、及びダミーゲートトレンチ203dgtが形成される。また、これと同時に、各トレンチ203gt1、203gt2、及び203dgtそれぞれの側面の側壁絶縁膜212の下部に半導体基板200の一部からなるフィン状部211が形成される。
次に、図14に示すように、第2のマスク層214を残した状態で、ダミーゲートトレンチ203dgt上を露出する開口215opを有するフォトレジスト215を形成する。そして、図15に示すように、フォトレジスト215及び第2のマスク層214をマスクとしてダミーゲートトレンチ203dgtの側面に形成されたフィン状部211を除去するエッチングを行う。このとき、ダミーゲートトレンチ203dgtは、X方向(図7参照)及び高さ方向に少し拡がる。
次に、図16に示ように、フォトレジスト215及び第2のマスク層214を除去する。その後は、上記第1の実施形態と同様にして、キャップ絶縁膜106、第1のゲートトレンチ203gt1、第2のゲートトレンチ203gt2、及びダミーゲートトレンチ203dgtにそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極204g1、第2のゲート電極204g2、及びダミーゲート電極204dg、第1〜第4の拡散層105a1、105a2、105b1、105b2、サイドウォール絶縁膜107、及びコンタクトプラグ108を順次形成することにより、図17に示す構造を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第1の実施形態と同様の効果が得られるとともに、第1及び第2のゲート電極204g1、204g2のX方向に沿った側面それぞれの少なくとも一部(下側側面)にフィン状部211が形成されていることにより、第1及び第2のトランジスタ209、210のオン状態において、このフィン状部211もチャネル領域となることから、第1及び第2のトランジスタ209、210の閾値電圧を低くすることができる。また、ダミーゲートトレンチ203dgtのX方向に沿った側面にはフィン状部は形成されていない(図15の工程において除去される)ことから、ダミーゲート電極204dgを有するトランジスタの閾値電圧を第1及び第2のトランジスタ209、210よりも高くすることができる。したがって、ダミーゲート電極204dgが第1及び第2のトランジスタ209、210間の素子分離領域としてより確実に機能することができる。
次に、本発明の好ましい第3の実施形態につき説明する。第3の実施形態は、上記第2の実施形態の変形例であり、ダミーゲートトレンチの側面にフィン状部を設けないようにするための製造プロセスが異なるものである。そしてこれにより構造上も多少異なる部分があるが、機能的にはほぼ同等のものである。
図18は、本発明の好ましい第3の実施形態による半導体装置30の構造を示す図であり、(a)は略平面図、(b)は(a)に示すB−B線における略断面図、(c)は(a)に示すC−C線における略断面図、(d)は(a)におけるD−D線に沿った略断面図である。本実施形態において、上記第1の実施形態による半導体装置10と同一の構成要素については同一の番号を付しその説明を省略する。
図18(d)に示すように、本実施形態による半導体装置30は、第1及び第2のゲートトレンチ303gt1、303gt2のX方向に沿った側面の下部に半導体基板300の一部からなりチャネル領域の一部をなすフィン状部311がそれぞれ設けられている。また、第1及び第2のゲートトレンチ303gt1、303gt2のX方向に沿った側面の上部には、側壁絶縁膜312が設けられており、したがって、第1及び第2のゲートトレンチ303gt1、303gt2の上部は、側壁絶縁膜312を介してSTI領域201に接している。第1のトランジスタ309と第2のトランジスタ310においては、第1及び第2のゲート電極304g1,304g2に所定のバイアスをかけたときに形成されるチャネル領域が、第1及び第2のゲートトレンチ303gt1、303gt2のY方向に沿った側面及び底面に形成されるだけでなく、X方向に沿った側面に設けられたフィン状部311にも形成される。これにより、第1及び第2のトランジスタ309、310の閾値電圧を低くすることができる。一方、図18(c)に示すように、ダミーゲートトレンチ303dgtのX方向に沿った側面にはフィン状部は形成されていない。以上の構成は上記第2の実施形態による半導体装置20と同様である。
次に、第2の実施形態と本実施形態との相違点につき説明する。本実施形態の半導体装置30においては、図18(c)に示すように、ダミーゲートトレンチ303dgtのX方向に沿った側面はその全面が半導体基板300の一部を介さずにSTI領域301に接している。すなわち、ダミーゲートトレンチ303dgtのX方向に沿った側面の上部には、側壁絶縁膜312は形成されていない。かかる構成により、図18(a)に示すように、STI領域301により区画形成された活性領域302は、ダミーゲート電極304dgの周辺において、X方向における幅が狭くなっている。また、ダミーゲートトレンチ303dgtの高さ方向の幅は、上部から下部まで同一である。
本実施形態は、第2の実施形態に対し、以上のような構成上の相違はある。しかし、フィン状部311の存在により、ダミーゲート電極304dgを有するトランジスタの閾値電圧を第1及び第2のトランジスタ309、310よりも高くすることができ、ダミーゲート電極304dgが第1及び第2のトランジスタ309、310間の素子分離領域としてより確実に機能することができるという効果は、本実施形態と第2の実施形態とで同様である。
次に、本発明の第3の実施形態による半導体装置30の製造方法について説明する。
図18〜図25は、本実施形態による半導体装置の製造方法の各製造工程を示す図であり、各図において(a)は略平面図を、(b)は(a)におけるB−B線に沿った略断面図を、(c)は(a)におけるC−C線に沿った略断面図を、(d)は(a)におけるD−D線に沿った略断面図を示している。なお、D−D線に沿った略断面図がC−C線に沿った略断面図と同一の場合は、図(d)は省略している。
まず、図19に示すように、半導体基板300上に、ラインアンドスペースパターンの第1のマスク層313を形成する。一点鎖線で示す領域は、後に活性領域302となる領域であり、本実施形態では、第1のマスク層313は、活性領域302の最大幅よりも幅を狭く形成する。そして、第1のマスク層313を用いて半導体基板300をエッチングし溝を形成する。
次に、図21に示すように、第1のマスク層313を残した状態で、ダミーゲートトレンチ303dgtが形成される領域上を露出する開口314opを有するフォトレジスト314を形成する。そして、フォトレジスト314をマスクとして、側壁絶縁膜312に対してエッチングを行う。これにより、ダミーゲートトレンチ303dgtが形成される領域に形成されていた側壁絶縁膜のみ除去される。
フォトレジスト314を除去した後、図22に示すように、第1のマスク層313及び側壁絶縁膜312をマスクとして半導体基板300をエッチングすることにより、上記溝を掘り下げ、STI用トレンチ301tを形成する。
次に、第1のマスク層313を除去した後、図23に示すように、STI用トレンチ301tを絶縁膜で埋め込み、平坦化を行うことにより、STI領域301を形成する。こうして、STI領域301によって活性領域302が区画形成される。
続いて、図24に示すように、第1のゲートトレンチ303gt1、第2のゲートトレンチ303gt2、及びダミーゲートトレンチ303dgtが形成される領域を露出する第2のマスク層315を形成する。そして、第2のマスク層315、側壁絶縁膜312、及びSTI領域301をマスクとして半導体基板300をエッチングする。これにより、第1のゲートトレンチ303gt1、第2のゲートトレンチ303gt2、及びダミーゲートトレンチ303dgtが形成される。また、これと同時に、第1のゲートトレンチ303gt1、第2のゲートトレンチ303gt2それぞれの側面の側壁絶縁膜312の下部に半導体基板300の一部からなるフィン状部311が形成される。
次に、上記第1及び第2の実施形態と同様にして、キャップ絶縁膜106、第1のゲートトレンチ303gt1、第2のゲートトレンチ303gt2、及びダミーゲートトレンチ303dgtにそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極304g1、第2のゲート電極304g2、及びダミーゲート電極304dg、第1〜第4の拡散層105a1、105a2、105b1、105b2、サイドウォール絶縁膜107、及びコンタクトプラグ108を順次形成することにより、図25に示す構造を得る。
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第2の実施形態とは異なる製造プロセスにより、上記第1及び第2の実施形態と同様の効果が得られる半導体装置30を形成することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態において、ダミーゲート電極を半導体基板と同一導電型(例えばP型)のポリシリコンで形成し、第1及び第2のゲート電極を半導体基板と異なる導電型(例えばN型)のポリシリコンで形成するようにしてもよい。かかる構成によれば、仕事関数差からダミーゲート電極を有するトランジスタの閾値電圧をより一層高くすることが可能となる。なお、上記のような構成とするには、ゲートトレンチ及びダミートレンチに埋め込むように全面にノンドープのポリシリコン膜を形成した後、ダミートレンチを覆うマスク層を用いてゲートトレンチのポリシリコン膜に例えばN型の不純物をイオン注入し、次に、ゲートトレンチを覆う別のマスク層を形成し、ダミートレンチのポリシリコン膜に例えばP型の不純物をイオン注入し、その後ポリシリコン膜をゲート電極及びダミーゲート電極形状にパターニングすることにより、N+ポリシリコンからなるゲート電極とP+ポリシリコンからなるダミーゲート電極を形成することができる。
10.20,30 半導体装置
100,200,300,400 半導体基板
101,201,301,401,501 STI領域
101t,201t,301t STI用トレンチ
102,202,302,402,502 活性領域
103gt1,103gt2,203gt1,203gt2,303gt1,303gt2 ゲートトレンチ
103dgt,203dgt,303dgt ダミーゲートトレンチ
104dg,204dg,304dg ダミーゲート電極
104g1,104g2,204g1,204g2,304g1,304g2,403 ゲート電極
105a1,105a2,105b1,105b2,404,504 拡散層
106,405 キャップ絶縁膜
107,406 サイドウォール絶縁膜
108,407 コンタクトプラグ
109,110,209,210,309,310 トランジスタ
111,112,213,214,313,315 マスク層
211,311 フィン状部
212,312 側壁絶縁膜
215,314 フォトレジスト
215op,314op フォトレジストの開口
100,200,300,400 半導体基板
101,201,301,401,501 STI領域
101t,201t,301t STI用トレンチ
102,202,302,402,502 活性領域
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103dgt,203dgt,303dgt ダミーゲートトレンチ
104dg,204dg,304dg ダミーゲート電極
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105a1,105a2,105b1,105b2,404,504 拡散層
106,405 キャップ絶縁膜
107,406 サイドウォール絶縁膜
108,407 コンタクトプラグ
109,110,209,210,309,310 トランジスタ
111,112,213,214,313,315 マスク層
211,311 フィン状部
212,312 側壁絶縁膜
215,314 フォトレジスト
215op,314op フォトレジストの開口
Claims (11)
- 半導体基板に設けられSTI領域により区画形成され第1の方向に延在する活性領域と、
前記活性領域内に設けられた第1のゲートトレンチ、第2のゲートトレンチ、及びダミーゲートトレンチと、
前記活性領域を横切る第2の方向に延在し、前記第1のゲートトレンチ、前記第2のゲートトレンチ、及び前記ダミーゲートトレンチ内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極、第2のゲート電極、及びダミーゲート電極と、
前記第1のゲート電極の両側にそれぞれ設けられた第1及び第2の拡散層と、
前記第2のゲート電極の両側にそれぞれ設けられた第3及び第4の拡散層とを備え、
前記第1のゲート電極と前記第1及び第2の拡散層とにより第1のトランジスタが構成され、
前記第2のゲート電極と前記第3及び第4の拡散層とにより第2のトランジスタが構成され、
前記ダミーゲート電極は前記第2の拡散層と前記第3の拡散層との間に配置され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとを絶縁分離することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1及び第2のゲートトレンチの前記第1の方向に沿った側面の少なくとも一部に接して前記半導体基板の一部からなりチャネル領域の一部をなすフィン状部がそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2のゲートトレンチの前記側面の上部は側壁絶縁膜を介して前記STI領域に接していることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲートトレンチの前記第1の方向に沿った側面は前記半導体基板の一部を介さずに前記STI領域に接していることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲートトレンチの前記側面の上部は側壁絶縁膜を介して前記STI領域に接していることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置。
- 前記ダミーゲート電極と前記第2及び第3の拡散層とにより構成されるトランジスタは常時オフ状態であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板に第1の方向に延在する複数の溝を形成する第1の工程と、
前記溝を絶縁膜で埋め込むことによりSTI領域を形成する第2の工程と、
前記STI領域により区画形成され前記第1の方向に延在する活性領域内に第1のゲートトレンチ、第2のゲートトレンチ、及びダミーゲートトレンチを形成する第3の工程と、
前記活性領域を横切る第2の方向に延在し前記第1のゲートトレンチ、前記第2のゲートトレンチ、及び前記ダミーゲートトレンチ内にそれぞれ少なくとも一部が埋め込まれた第1のゲート電極、第2のゲート電極、及びダミーゲート電極を形成する第4の工程と、
前記第1のゲート電極の両側にそれぞれ第1及び第2の拡散層を形成して前記第1のゲート電極と前記第1及び第2の拡散層からなる第1のトランジスタを形成するとともに前記第2のゲート電極の両側にそれぞれ第3及び第4の拡散層を形成して前記第2のゲート電極と前記第3及び第4の拡散層からなる第2のトランジスタを形成する第5の工程とを備え、
前記ダミーゲート電極は前記第2の拡散層と前記第3の拡散層との間に形成され、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとを絶縁分離することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程は、
半導体基板上に前記第1の方向に延在するラインアンドスペースパターンの第1のマスク層を形成する第1のステップと、
前記第1のマスク層を用いて前記半導体基板に前記溝の一部となる第1のトレンチを形成する第2のステップと、
少なくとも前記第1及び第2のゲートトレンチが形成される領域において前記第1のトレンチの内側面に側壁絶縁膜を形成する第3のステップと、
前記第1のマスク層及び前記側壁絶縁膜をマスクとして前記半導体基板の前記第1のトレンチの下に前記溝の一部となる第2のトレンチを形成する第4のステップとを有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3の工程は、
前記第1のゲートトレンチ、前記第2のゲートトレンチ、及び前記ダミーゲートトレンチが形成される領域を露出する第2のマスク層を形成する第5のステップと、
前記第2のマスク層及び前記側壁絶縁膜をマスクとして前記半導体基板に前記第1のゲートトレンチ、前記第2のゲートトレンチ、及び前記ダミーゲートトレンチを形成することにより前記側壁絶縁膜の下に前記半導体基板の一部からなるフィン状部を形成する第6のステップとを有することを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3の工程は、前記ダミーゲートトレンチが形成される領域に形成された前記フィン状部を除去する除去するステップをさらに有することを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3のステップにおいて、前記ダミーゲートトレンチが形成される領域においても前記第1のトレンチの内側面に側壁絶縁膜が形成され、
前記第3のステップと前記第4のステップとの間に、前記ダミーゲートトレンチが形成される領域に形成された前記側壁絶縁膜を除去するステップをさらに備えることを特徴とする請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法。
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