JP2010139809A - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 106
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 69
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 53
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 23
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 102100022203 Tumor necrosis factor receptor superfamily member 25 Human genes 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 101150010989 VCATH gene Proteins 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 101001053811 Gallus gallus Dorsalin-1 Proteins 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 108010060408 Member 25 Tumor Necrosis Factor Receptors Proteins 0.000 description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、有機EL素子1D、書き込みトランジスタ1A、駆動トランジスタ1B、保持容量1C、補助容量1Jを備える画素が行列状に配置される構成において、保持容量1Cと補助容量とが隣接して配置され、保持容量1Cの駆動トランジスタ1Bのゲート電極と導通する配線と、補助容量1Jの有機EL素子1Dのカソードと導通する配線とが異なる層に設けられている表示装置である。
【選択図】図10
Description
1.本実施形態の前提となる表示装置(システム構成、画素回路、回路動作)
2.駆動トランジスタのゲート−カソード間がショートした場合の問題点(等価回路、タイミング波形図、配線構造)
3.本実施形態の構成例(画素回路、システム構成、配線構造、駆動方法)
4.適用例(電子機器への各種適用例)
[システム構成]
図1は、本実施形態の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。
図2は、画素(画素回路)の具体的な構成例を示す回路図である。
次に、上記構成の有機EL表示装置100の回路動作について、図3のタイミング波形図を基に、図4〜図6の動作説明図を用いて説明する。なお、図4〜図6の動作説明図では、図面の簡略化のために、書き込みトランジスタ1Aをスイッチのシンボルで図示している。また、有機EL素子1Dは容量成分を持っていることから、当該EL容量1Iについても図示している。
図3のタイミング波形図において、時刻t1以前は有機EL素子1Dが発光状態にある(発光期間)。この発光期間では、電源供給線DSLの電位DSが第1電位Vcc_Hにあり、また、書き込みトランジスタ1Aが非導通状態にある。
そして、時刻t1になると、線順次走査の新しいフィールドに入り、図4(B)に示すように、電源供給線DSLの電位DSが第1電位(以下、「高電位」と記述する)Vcc_Hから、信号線DTLの信号線基準電位Vo−Vthよりも十分に低い第2電位(以下、「低電位」と記述する)Vcc_Lに切り替わる。
次に、時刻t3で、図4(D)に示すように、電源供給線DSLの電位DSが低電位Vcc_Lから高電位Vcc_Hに切り替わると、駆動トランジスタ1Bのソース電位Vsが上昇を開始し、1回目の閾値補正期間に入る。この1回目の閾値補正期間において、駆動トランジスタ1Bのソース電位Vsが上昇することによって駆動トランジスタ1Bのゲート-ソース間電圧Vgsが所定の電位Vx1になり、この電位Vx1が保持容量1Cに保持される。
時刻t5で次の水平期間に入り、図5(B)に示すように、走査線WSLの電位WSが低電位側から高電位側に遷移し、書き込みトランジスタ1Aが導通状態となると同時に、水平駆動回路103から信号線DTLに対して信号電圧Vinに代えて信号線基準電位Voが供給され、2回目の閾値補正期間に入る。
時刻t7で次の水平期間に入り、図5(D)に示すように、走査線WSLの電位WSが低電位側から高電位側に遷移し、書き込みトランジスタ1Aが導通状態となると同時に、水平駆動回路103から信号線DTLに対して信号電圧Vinに代えて信号線基準電位Voが供給され、3回目の閾値補正期間に入る。
次に、時刻t8で走査線WSLの電位WSが低電位側に遷移することで、図6(A)に示すように、書き込みトランジスタ1Aが非導通状態となり、同時に、信号線DTLの電位がオフセット電圧Voから映像信号の信号電圧Vinに切り替わる。
次に、時刻t10で走査線WSLの電位WSが低電位側に遷移することで、図6(C)に示すように、書き込みトランジスタ1Aが非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ1Bのゲート電極は信号線DTLから切り離されてフローティング状態になる。
[等価回路]
図7(A)は、図2に示した画素回路において駆動トランジスタ1Bのゲートgとカソード1Hとが電気的にショートした場合の等価回路を示すものである。また、動作タイミングとしては、図4(D)、図5(B)、図5(D)のように映像信号基準電位Voが書込まれている状態を例としている。
図8は、図7(A)の欠陥が生じた際のタイミング波形図である。また、図7においては、Vo>Vcathの関係にあることを例としている。このタイミング波形図では、Vn−6〜Vn+2が走査ライン番号における走査線のタイミングを示しており、欠陥画素がVnに相当している。また、DTLに映像信号電位の切り替わりを示している。図8(A)〜(L)の各期間は1水平期間(1H)に対応している。
図9は、画素の配線構造を説明する図で、(A)は平面図、(B)(C)は(A)における破線部断面図である。図9(A)に示すパターンレイアウトのように、保持容量1Cと補助容量1Jとは、占有する面積とパターンレイアウト効率の観点から少なくとも互いのある一辺が隣接して配置されることが一般的である。
[画素回路]
図10は、本実施形態の一例を示す画素電位設定を説明するための回路図である。画素回路は、有機EL素子1D、駆動トランジスタ1B、書き込みトランジスタ1Aおよび保持容量1Cを有する。
図11は、本実施形態の一例を示すシステム構成図である。図11に示すように、有機EL表示装置100は、画素(PXLC)101が行列状(マトリクス状)に2次元配置されてなる画素アレイ部102と、当該画素アレイ部102の周辺に配置され、各画素101を駆動する駆動部とを有する構成となっている。画素101を駆動する駆動部としては、例えば、水平駆動回路103、書き込み走査回路104および電源供給走査回路105が設けられている。
図12、図13は、本実施形態の一例における配線構造を説明する図で、(A)は平面図、(B)(C)は(A)におけるa−a破線部断面図である。また、図13は、図12(A)におけるb−b破線部断面図である。図12(A)に示すパターンレイアウトのように、保持容量1Cと補助容量1Jとは、占有する面積とパターンレイアウト効率の観点から少なくとも互いのある一辺が隣接して配置される。
図14は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミング波形図である。図14に示すタイミング波形図は、図3に示すタイミング波形図と同様、発光期間、閾値補正期間、サンプリング期間&移動度補正期間を繰り返している。
以上説明した本実施形態に係る表示装置は、一例として、図15〜図19に示す様々な電子機器に適用される。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
Claims (5)
- 電気光学素子の第1電極と駆動トランジスタのソース電極とが接続され、前記駆動トランジスタのゲート電極と書き込みトランジスタのソース電極またはドレイン電極とが接続され、前記駆動トランジスタのゲート−ソース電極間に保持容量が接続され、前記電気光学素子の第1電極と第2電極との間に補助容量が接続される回路構成を含む画素が行列状に配置された画素アレイ部を備え、
前記保持容量と前記補助容量とが隣接して配置され、前記保持容量の前記駆動トランジスタのゲート電極と導通する配線と、前記補助容量の前記電気光学素子の第2電極と導通する配線とが異なる層に設けられている
表示装置。 - 電気光学素子の第1電極と駆動トランジスタのソース電極とが接続され、前記駆動トランジスタのゲート電極と書き込みトランジスタのソース電極またはドレイン電極とが接続され、前記駆動トランジスタのゲート−ソース電極間に保持容量が接続され、前記電気光学素子の第1電極と第2電極との間に補助容量が接続される回路構成を含む画素が行列状に配置された画素アレイ部を備え、
前記保持容量と前記補助容量とが隣接して配置され、前記保持容量の前記駆動トランジスタのソース電極と導通する配線と、前記補助容量の前記電気光学素子の第1電極と導通する配線とが異なる層に設けられている
表示装置。 - 前記異なる層のうち一方の層は第1配線層、他方の層はポリシリコン層である
請求項1または2記載の表示装置。 - 前記電気光学素子は、有機EL(Electro Luminescence)素子であり、
前記第1電極はアノード電極であり、
前記第2電極はカソード電極である
請求項1から3のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 本体筐体に表示装置を備えており、
前記表示装置が、
電気光学素子の第1電極と駆動トランジスタのソース電極とが接続され、前記駆動トランジスタのゲート電極と書き込みトランジスタのソース電極またはドレイン電極とが接続され、前記駆動トランジスタのゲート−ソース電極間に保持容量が接続され、前記電気光学素子の第1電極と第2電極との間に補助容量が接続される回路構成を含む画素が行列状に配置された画素アレイ部を備え、
前記保持容量と前記補助容量とが隣接して配置され、前記保持容量の前記駆動トランジスタのゲート電極と導通する配線と、前記補助容量の前記電気光学素子の第2電極と導通する配線とが異なる層に設けられている
電子機器。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008316551A JP5309946B2 (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 表示装置および電子機器 |
TW098140710A TWI443629B (zh) | 2008-12-11 | 2009-11-27 | 顯示裝置、其驅動方法及電子設備 |
US12/632,330 US8570245B2 (en) | 2008-12-11 | 2009-12-07 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
KR1020090122222A KR101562068B1 (ko) | 2008-12-11 | 2009-12-10 | 표시 장치, 표시 장치의 구동 방법 및 전자 기기 |
CN200910258505A CN101751858A (zh) | 2008-12-11 | 2009-12-11 | 显示装置、用于驱动所述显示装置的方法和电子设备 |
US13/926,655 US9136285B2 (en) | 2008-12-11 | 2013-06-25 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
US14/451,652 US8988330B2 (en) | 2008-12-11 | 2014-08-05 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
US14/790,898 US9299762B2 (en) | 2008-12-11 | 2015-07-02 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
US14/989,461 US9496324B2 (en) | 2008-12-11 | 2016-01-06 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
US15/284,935 US9847384B2 (en) | 2008-12-11 | 2016-10-04 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
US15/809,290 US10170533B2 (en) | 2008-12-11 | 2017-11-10 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
US16/204,718 US10431645B2 (en) | 2008-12-11 | 2018-11-29 | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008316551A JP5309946B2 (ja) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | 表示装置および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010139809A true JP2010139809A (ja) | 2010-06-24 |
JP5309946B2 JP5309946B2 (ja) | 2013-10-09 |
Family
ID=42349997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008316551A Expired - Fee Related JP5309946B2 (ja) | 2008-12-11 | 2008-12-12 | 表示装置および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5309946B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2008
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JP2008249919A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
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