JP2010129623A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
【課題】 ウエーハに付着物を付着させることなく、ウエーハの加工品質の悪化を防止可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に複数の切削予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の切削予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを、該切削予定ラインに沿って切削し個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面にシリコンからなる保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハの裏面をウエーハ支持手段によって支持するウエーハ支持工程と、該ウエーハ支持手段によって支持されたウエーハをチャックテーブルで吸引保持するウエーハ保持工程と、該チャックテーブルで吸引保持されたウエーハを該保護部材と共に該切削予定ラインに沿って切削して、個々のチップに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、該保護部材をウエーハの表面から除去する保護部材除去工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図３
【解決手段】 表面に複数の切削予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の切削予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを、該切削予定ラインに沿って切削し個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面にシリコンからなる保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハの裏面をウエーハ支持手段によって支持するウエーハ支持工程と、該ウエーハ支持手段によって支持されたウエーハをチャックテーブルで吸引保持するウエーハ保持工程と、該チャックテーブルで吸引保持されたウエーハを該保護部材と共に該切削予定ラインに沿って切削して、個々のチップに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、該保護部材をウエーハの表面から除去する保護部材除去工程と、を具備したことを特徴とする。
【選択図】図３
Description
本発明は、表面に格子状に形成された複数の切削予定ラインによって区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを、複数の切削予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法に関する。
例えば、半導体デバイス製造工程においては、ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる切削予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のデバイスを形成し、デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することで個々のチップを製造している。
ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置はダイヤモンドやＣＢＮ等の超砥粒をメタルやレジンで固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードによってウエーハを切削予定ラインに沿って切削し、ウエーハを個々のチップに分割する。このようにして分割されたチップはパッケージングされて、携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
ダイシング装置を用いてウエーハを切削し個々のチップに分割する際には、ウエーハのハンドリングを容易にするため、ウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態でダイシング装置のチャックテーブル上に吸引保持し、ウエーハを切削予定ラインに沿って切削加工を行う。また、切削ブレードでウエーハを切削加工する際に発生する加工熱を冷却するために、切削ブレードへ切削水を供給しながら切削が遂行される。
ところが、切削によって生成される切削屑を含む切削水がウエーハの表面に付着して、デバイスの品質を低下させるという問題がある。特にデバイスがＣＣＤやＣＭＯＳ等の固体イメージセンサである場合には、切削屑等の付着物が付着するとデバイス不良となり、非常に大きな問題となる。
この問題を解決するために、特開２００７−１３４３９０号公報では、ウエーハの表面に保護テープを貼着し、保護テープごとウエーハを切削して個々のチップに分割するウエーハの加工方法が提案されている。
特開平８−８８２０２号公報
特開２００７−１３４３９０号公報
ところが、特許文献２に開示されたウエーハの表面に保護テープを貼着して、保護テープごとウエーハを切削する方法では、保護テープは一般的にポリオリフィンや塩化ビニル等の樹脂基材にゴム系やアクリル系の糊が塗布された構造であり、軟性且つ粘性であるため、切削中の切削ブレードに含まれる砥粒に糊がまとわりつき、切削ブレードの目詰まりを起こすという現象がある。その結果、切削ブレードの切削能力を低下させ、ウエーハの加工品質を著しく悪化させるという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの表面に付着物を付着させることなく、ウエーハの加工品質を悪化させることのないウエーハの加工方法を提供することである。
請求項１記載の発明によると、表面に複数の切削予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の切削予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを、該切削予定ラインに沿って切削し個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面にシリコンからなる保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハの裏面をウエーハ支持手段によって支持するウエーハ支持工程と、該ウエーハ支持手段によって支持されたウエーハをチャックテーブルで吸引保持するウエーハ保持工程と、該チャックテーブルで吸引保持されたウエーハを該保護部材と共に該切削予定ラインに沿って切削して、個々のチップに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、該保護部材をウエーハの表面から除去する保護部材除去工程と、を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
ウエーハ支持手段は環状のフレームと、環状のフレームの開口を覆うように環状のフレームに装着され表面に粘着層を有するダイシングテープとから構成され、ウエーハ支持工程はダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着する。
好ましくは、保護部材は熱によって粘着力が低下する接着剤によってウエーハに接着されており、保護部材除去工程では、接着剤に熱を付与し該接着剤の粘着力を低減させることで保護部材をウエーハから除去可能とする。
好ましくは、保護部材は表裏面に研削、研磨、エッチングの少なくとも何れかの加工が施されたシリコンウエーハから構成される。好ましくは、ウエーハの加工方法は、ウエーハ支持工程を実施する前に、表面に保護部材が配設されたウエーハの裏面を研削して所定の厚さに加工する裏面研削工程を更に具備している。
本発明によると、ウエーハの表面に保護部材が配設された状態でウエーハが保護部材と共に切削されるため、切削屑等の付着物がウエーハ表面に付着することがなく、ウエーハの加工品質の悪化を防止することができる。
以下、本発明実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１（Ａ）を参照すると、半導体ウエーハ２の表面２ａにシリコンからなる保護部材８を配設する様子を示す分解斜視図が示されている。
半導体ウエーハ２は、例えば裏面２ｂが研削されてその厚さが１００μｍ程度に形成されたシリコン基板の表面２ａに複数の切削予定ライン（ストリート）４が格子状に形成され、複数のストリート４によって区画された複数の領域にＣＣＤからなるデバイス６が形成されている。
本発明のウエーハの加工方法では、まず図１（Ａ）に示すように、ウエーハ２の表面２ａにシリコンウエーハからなる保護部材８をフィラー入りワックスを用いて貼着する保護部材配設工程を実施する。図１（Ｂ）は、その表面２ａに保護部材８が配設されたウエーハ２を反転したウエーハ２の裏面側斜視図を示している。
フィラー入りワックスとしては、日化精工社製のアドフィックスワックスを使用可能である。フィラーはドレス効果を有する樹脂から構成され、例えばガラスビーズ、シリカ粒子、ホワイトアランダム粒子、グリーンカーボネート粒子等を好適に採用可能である。
図１に示した保護部材配設工程を実施後、図２に示すように、ウエーハ２の裏面２ｂをウエーハ支持手段１０によって支持するウエーハ支持工程を実施する。ウエーハ支持手段１０は、環状のフレーム１２と、環状のフレーム１２の開口部を覆うように外周部が環状フレーム１２に貼着されたダイシングテープ１４とから構成される。
ダイシングテープ１４は、例えば厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さ５μｍ程度に塗布されて構成されている。このように構成されたダイシングテープ１４の表面にウエーハ２の裏面２ｂを貼着する。従って、ウエーハ２の表面２ａに貼着された保護部材８が上側となる。
環状フレーム１２でダイシングテープ１４を介してウエーハ２を支持したなら、図３に示すように、ダイシング装置１６のチャックテーブル１８でダイシングテープ１４を介してウエーハ２を吸引保持する。尚、図３では環状フレーム１２が省略されている。実際には、環状フレーム１２が図示しないクランプで固定される。
チャックテーブル１８でウエーハ２を吸引保持したなら、保護部材８と共にウエーハ２をストリート４に沿って個々のチップに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、例えば図３に示すダイシング装置１６を用いて実施する。
ダイシング装置１６は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル１８と、切削ブレード２２を備えた切削手段２０と、チャックテーブル１８上に保持されたウエーハ２を撮像する撮像手段２４を具備している。
チャックテーブル１８は回転可能に構成され、更に図示しない切削送り機構によって図３において矢印Ｘで示す切削送り方向に移動される。切削手段２０は、図示しない割り出し送り機構によって矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動される。撮像手段２４は、切削ブレード２２と矢印Ｘで示す切削送り方向の同一直線上に配設されている。
撮像手段２４は、ウエーハ２に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に入力する。
次に、ダイシング装置１６を用いて実施する分割工程について図３及び図４を参照して説明する。チャックテーブル１８が撮像手段２４の直下に位置付けられると、撮像手段２４及び図示しない制御手段によってウエーハ２の切削すべき領域を検出するアライメント工程を実行する。
即ち、撮像手段２４及び図示しない制御手段は、ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート４と、切削ブレード２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する。チャックテーブル１８を９０度回転して、上記所定方向に対して直角に伸びるストリート４に対しても同様のアライメントを遂行する。
この時、ウエーハ２の表面２ａにシリコンからなる保護部材８が貼着されているが、撮像手段２４が上述したように赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等を含んでいるので、シリコンからなる保護部材８を透過してストリート４を撮像することができる。
全てのストリート４についてのアライメント終了後、図３に示すように、チャックテーブル１８を矢印Ｘ方向に移動させるとともに、切削ブレード２２を高速回転させながら切削手段２０を下降させると、位置合わせされたストリート４が切削され、切削溝２６が形成される。
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削ブレード２２を矢印Ｙ方向にインデクス送りしながら切削を行うことにより、同方向のストリート４が全て切削される。更に、チャックテーブル１８を９０度回転させてから、上記と同様の切削を行うと、ウエーハ２が個々のチップ（デバイス）６に分割される。
このウエーハ分割工程においては、切削ブレード２２による切削により切削屑が生成され、この切削屑が切削部に供給される切削水に混合してウエーハ２上を流れるが、ウエーハ２の表面２ａには保護部材８が貼着されているので、切削屑がウエーハ２の表面２ａに形成されているデバイス６に付着することはない。
更に、保護部材８はフィラー入りワックスでウエーハ２の表面２ａに貼着されているため、保護部材８を切削することで切削ブレード２２は適度に磨耗して常に新しい砥粒が突出する、所謂自生発刃が促される。これにより、切削ブレード２２の切削能力が低下することが抑制される。
ウエーハ分割工程が終了すると、保護部材８が熱によって粘着力が低減される接着剤によってウエーハ２の表面２ａに接着されている場合には、図５（Ａ）に矢印Ａで示すように保護部材８に温風を吹き付けて保護部材８を加熱する。
その結果、図５（Ｂ）に示すように、加熱により粘着力が低下した切削済みの保護部材８ａをデバイス６上から除去することができる。接着剤の粘着力低減は、温風の吹き付けに限定されるものではなく、ウエーハ２を温水につけたり、ホットプレートで加熱して接着剤の粘着力を低減するようにしてもよい。
尚、上述した実施形態では、保護部材配設工程として、図１（Ａ）に示すように裏面研削済みのウエーハ２の表面２ａにシリコンからなる保護部材８を貼着する例について説明したが、本発明の保護部材配設工程はこれに限定されるものではない。即ち、保護部材配設工程は、裏面を研削する前の厚さ７００μｍ程度のウエーハ２の表面２ａにシリコンからなる保護部材８を貼着するようにしてもよい。
この場合には、図２に示すウエーハ支持工程の前に、保護部材８がその表面に貼着されたウエーハ２の保護部材８側を研削装置のチャックテーブルで吸引保持し、ウエーハ２の裏面２ｂを所定厚さ（例えば１００μｍ）になるまで研削する裏面研削工程を実施する。
この実施形態によれば、保護部材８をウエーハ２の表面２ａから剥離せずに貼着したままで、図３に示したダイシング装置１６を使用したウエーハ分割工程を実施することができる。
２ 半導体ウエーハ
４ 切削予定ライン（ストリート）
６ デバイス
８ 保護部材
１０ 支持手段
１２ 環状フレーム
１４ ダイシングテープ
１６ ダイシング装置
１８ チャックテーブル
２０ 切削手段
２２ 切削ブレード
２４ 撮像手段
２６ 切削溝
４ 切削予定ライン（ストリート）
６ デバイス
８ 保護部材
１０ 支持手段
１２ 環状フレーム
１４ ダイシングテープ
１６ ダイシング装置
１８ チャックテーブル
２０ 切削手段
２２ 切削ブレード
２４ 撮像手段
２６ 切削溝
Claims (5)
- 表面に複数の切削予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の切削予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハを、該切削予定ラインに沿って切削し個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面にシリコンからなる保護部材を配設する保護部材配設工程と、
ウエーハの裏面をウエーハ支持手段によって支持するウエーハ支持工程と、
該ウエーハ支持手段によって支持されたウエーハをチャックテーブルで吸引保持するウエーハ保持工程と、
該チャックテーブルで吸引保持されたウエーハを該保護部材と共に該切削予定ラインに沿って切削して、個々のチップに分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、該保護部材をウエーハの表面から除去する保護部材除去工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記保護部材は熱によって接着力が低減される接着剤によってウエーハに接着されており、
前記保護部材除去工程では、該接着剤に熱を付与して該接着剤の粘着力を低減させることで該保護部材をウエーハから除去可能とする請求項１記載のウエーハの加工方法。 - 前記ウエーハ支持手段は環状のフレームと、該環状のフレームの開口を覆うように該環状のフレームに装着され表面に粘着層を有するダイシングテープとから構成され、
前記ウエーハ支持工程は該ダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着する請求項１又は２記載のウエーハの加工方法。 - 前記保護部材は表裏面に研削、研磨、エッチングの少なくとも何れかの加工が施されたシリコンウエーハから構成される請求項１〜３の何れかに記載のウエーハの加工方法。
- 前記ウエーハ支持工程を実施する前に、ウエーハの表面に前記保護部材が配設されたウエーハの裏面を研削して所定の厚さに加工する裏面研削工程を更に具備した請求項１〜４の何れかに記載のウエーハの加工方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2010129623A true JP2010129623A (ja) | 2010-06-10 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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