JP2010126368A - カーボンナノチューブの生成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に触媒金属を含む触媒層を形成する工程と、前記触媒層の金属を微粒化する工程と、前記触媒粒子を核として熱化学気相蒸着法によりカーボンナノチューブを生成させる工程とからなるカーボンナノチューブの生成方法において、前記基板がSiO2を70重量%以上、Al2O3を15重量%以上含み、かつ、SiO2とAl2O3との合計が90重量%以上であり、前記下地層がSiO2を40重量%以上、BaOを2〜40重量%含むことを特徴とするカーボンナノチューブの生成方法である。
【選択図】 なし
Description
基板上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に触媒金属を含む触媒層を形成する工程と、
前記触媒層の金属を微粒化する工程と、
前記触媒粒子を核として熱化学気相蒸着法によりカーボンナノチューブを生成させる工程と
からなるカーボンナノチューブの生成方法において、
前記基板がSiO2を70重量%以上、Al2O3を15重量%以上を含み、かつ、SiO2とAl2O3との合計が90重量%以上であり、
前記下地層がSiO2を40重量%以上、BaOを2〜40重量%含む
ことを特徴とするカーボンナノチューブの生成方法である。
SiO2を74重量%含み、Al2O3を18重量%含み、その他の成分がFe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO、Li2Oなどである50×5mmの平板タイルを用意した。この平板タイルの表面にSiO2を42重量%含み、BaOを2重量%含む釉薬をスプレーで塗布して、1000℃で加熱処理し、厚さ100μmの下地層を形成した。
下地層を形成するための釉薬として、SiO2を42重量%含み、BaOを4.5重量%または35重量%含むものを用いた以外、実施例1と同じ操作を行い、触媒粒子を核として熱CVD法により基板の下地層上にカーボンナノチューブを生成させた。これらのカーボンナノチューブのSEM像も、基板の下地層の全面にわたって均一な配向性で生成された。
基板となる平板タイルとして、その主成分SiO2およびAl2O3の割合が表1に示すものを用い、下地層となる釉薬として、その主成分SiO2およびBaOの割合が表1に示すものを用いた以外、実施例1と同じ操作を行い、触媒粒子を核として熱CVD法により基板の下地層上にカーボンナノチューブを生成させた。比較例4では釉薬の塗布を行わなかった以外、実施例1と同じ操作を行った。比較例1のカーボンナノチューブのSEM像を、図4に示す。このSEM像から明らかなように、カーボンナノチューブは基板の下地層に部分的にかつ不均一な配向性でしか生成しなかった。比較例6では平板タイルはSiO2を多く含み多く石英ガラスに近くなるため、基板自体の割れが影響し、カーボンナノチューブは生成しなかった。
○:カーボンナノチューブが基板の下地層の全面に生成している
×:カーボンナノチューブが基板の下地層に部分的にしかまたは全く生成しなかった
(2) 平板タイルからなる基板
(3) 基板上に形成された下地層
(4) 下地層の上に形成された触媒層
Claims (1)
- 基板上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に触媒金属を含む触媒層を形成する工程と、
前記触媒層の金属を微粒化する工程と、
前記触媒粒子を核として熱化学気相蒸着法によりカーボンナノチューブを生成させる工程と
からなるカーボンナノチューブの生成方法において、
前記基板がSiO2を70重量%以上、Al2O3を15重量%以上を含み、かつ、SiO2とAl2O3との合計が90重量%以上であり、
前記下地層がSiO2を40重量%以上、BaOを2〜40重量%含む
ことを特徴とするカーボンナノチューブの生成方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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