JP2010109036A - プリント基板及び回路装置 - Google Patents

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公教 尾崎
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Abstract

【課題】基板の反りと重量の低減を図ることができると共に、放熱性の改善が可能なプリント基板及び回路装置の提供にある。
【解決手段】平板状の回路基材11と、該回路基材11に形成されたスルーホール16と、該スルーホール16内に設けられた熱伝導性部材としての銅チップ17と、回路基材11の両面に形成された配線パターン12、13と、回路基材11の一方面である表側の配線パターン12に搭載される発熱素子14とを有し、回路基材11の他方面である裏側の配線パターン13のうち、発熱素子14と対向する部分の厚さが他の部分の厚さより厚膜で形成され、銅チップ17が、発熱素子14及び厚膜の配線パターン13aの両方に熱的に接続されている。
【選択図】 図1

Description

この発明は、プリント基板及び回路装置に関するものである。
特許文献1で開示された従来技術においては、金属ベース上にフィラー入り接着性絶縁層が設けられ、その上に多層回路基板が設けられている。多層回路基板は、配線板の表面に薄手の回路導体を形成し、裏側に厚手の回路導体を形成したものである。そして、表面の薄手の回路導体の発熱部品が搭載される部位が、スルーホールにより裏側の厚手の回路導体に接続されている。
このように構成されていることにより、発熱部品からの熱は表面の薄手の回路導体からスルーホールを介して裏側の厚手の回路導体へ伝わり、この厚手の回路導体から接着性絶縁層を介して金属ベースに伝わることにより良好に放熱されるとしている。
特開平9−36553号公報(第3〜4頁、図1)
しかし、特許文献1で開示された金属ベース多層回路基板において、厚手の回路導体は配線板の裏側全面に設けられているので、高温条件下では配線板と回路導体との熱膨張率の差によって多層回路基板の反りが発生する問題がある。また、厚手の回路導体を裏側全面に形成する必要があるので、回路基板が重くなってしまう問題がある。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、回路基板の反りと重量の低減を図ることができると共に、放熱性の改善が可能なプリント基板及び回路装置の提供にある。
上記課題を達成するため、請求項1記載の発明は、プリント基板において、平板状の基材と、該基材に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に設けられた熱伝導性部材と、前記基材の両面に形成された配線パターンとを有し、前記基材の一方面の配線パターンには発熱素子を搭載する搭載部が形成され、前記基材の他方面の配線パターンには、他の部分よりも厚く形成された厚膜部が形成されており、前記搭載部の少なくとも一部と前記厚膜部の少なくとも一部とが前記基材を挟んで対向するとともに、前記熱伝導性部材が、前記搭載部の前記厚膜部と対向する部分及び前記厚膜部の前記搭載部と対向する部分の
両方に熱的に接続されていることを特徴とする。なお、本発明におけるスルーホールとは、基材の一方面の配線パターンと他方面の配線パターンとの間に形成される中空の孔のことを指し、内面がメッキ処理されていないものも含む。また、搭載部とは配線パターンにおける発熱素子の搭載される場所のことをいう。
請求項1記載の発明によれば、基材の他方面の配線パターンには、他の部分よりも厚く形成された厚膜部が形成されているので、配線パターン全面の厚さを厚く形成する場合と比較して、基板の反りと重量を低減することができる。また、発熱素子の搭載部の少なくとも一部と厚膜部の少なくとも一部とが基材を挟んで対向するとともに、熱伝導性部材が、搭載部の厚膜部と対向する部分及び厚膜部の搭載部と対向する部分の両方に熱的に接続されていることにより、搭載部に発熱素子が搭載されている場合には、発熱素子で発生した熱を熱伝導性部材を介して厚膜部へ速やかに伝達することができ、放熱性を改善することができる。
請求項2記載の発明は、請求項1に記載のプリント基板において、前記厚膜部は前記基材の他方面の配線パターンの他の部分より厚く形成されていることを特徴とする。
請求項2記載の発明によれば、基材の他方面の配線パターンには他の部分より厚く形成された厚膜部と、厚膜部より薄く形成された部分とが存在することになり、基材の他方面の配線パターン全面の厚さを厚く形成する場合と比較して、基板の反りと重量を低減することができる。
請求項3記載の発明は、回路装置において、平板状の基材と、該基材に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に設けられた熱伝導性部材と、前記基材の両面に形成された配線パターンと、前記基材の一方面の配線パターンに搭載される発熱素子とを有し、前記基材の他方面の配線パターンのうち、前記発熱素子と対向する部分の少なくとも一部の厚さが他の部分の厚さよりも厚く形成された厚膜部が形成されており、前記熱伝導性部材が、前記発熱素子及び前記厚膜部の前記発熱素子と対向する部分の両方に熱的に接続されていることを特徴とする。なお、本発明における発熱素子とは、電力制御用のパワー素子や受動素子など比較的大電流が流れ発熱量の大きい素子をいう。
請求項3記載の発明によれば、請求項1及び請求項2と同等の効果を得ることができる。
請求項4記載の発明は、請求項3に記載の回路装置において、前記厚膜部は、放熱部材に接続されていることを特徴とする。
請求項4記載の発明によれば、発熱素子で発生した熱は熱伝導性部材を通って厚膜部に伝達され、厚膜部と接続された放熱部材へ伝わるので、基板の放熱性の改善が可能である。
請求項5記載の発明は、請求項4に記載の回路装置において、前記放熱部材への接続は、絶縁性で且つ熱伝導性を有する熱伝導性シートを介して前記放熱部材に接続されていることを特徴とする。
請求項5記載の発明によれば、絶縁性で且つ熱伝導性を有する熱伝導性シートを介して放熱部材に接続されているので、電気絶縁性を維持しつつ、配線パターンに伝達された熱を速やかに放熱部材へ伝えることができる。
請求項6記載の発明は、請求項3〜5のいずれか一項に記載の回路装置において、前記基材の一方面の配線パターンは、前記厚膜部の厚さより薄く形成され、前記基材の一方面の配線パターンのうち前記厚膜部に対向する部分以外の部分に非発熱素子を搭載することを特徴とする。
請求項6記載の発明によれば、基材の一方面の配線パターンのうち厚膜部に対向する部分以外の部分に非発熱素子を搭載することができるので、非発熱素子を搭載するための基板を別途設ける必要がなく、コスト及び設置スペースを削減可能である。また、厚膜部に対向する部分以外の厚さの薄い部分に非発熱素子が搭載されているので、厚さの薄い部分の熱抵抗は高いため、厚膜部から非発熱素子への熱の伝達を抑えることができる。したがって、非発熱素子の温度上昇を防ぐことができる。なお、本発明における非発熱素子とは、信号制御用のICや受動素子など比較的小電力で発熱量の少ない素子をいう。
請求項7記載の発明は、請求項3〜5のいずれか一項に記載の回路装置において、前記基材の一方面の配線パターンのうち、前記厚膜部と対向する部分の厚さは他の部分の厚さより厚く形成され、前記基材の一方面の配線パターンのうち前記厚膜部と対向する部分以外の部分に非発熱素子を搭載することを特徴とする。
請求項7記載の発明によれば、厚膜部と対向する部分の厚さは他の部分の厚さより厚く形成され、この厚く形成された部分に発熱素子が搭載されているので、厚さの厚い部分を介して放熱性を向上することができる。また、厚膜部に対向する部分以外の厚さの薄い部分に非発熱素子が搭載されているので、厚さの薄い部分の熱抵抗は高いため、厚膜部から非発熱素子への熱の伝達を抑えることができる。したがって、非発熱素子の温度上昇を防ぐことができる。
本発明によれば、基板上の配線パターンの一部の厚さを厚く形成することにより、基板の反りと重量の低減を図ることができると共に、放熱性を改善することができる。
(第1の実施形態)
以下、第1の実施形態に係る回路装置について、図1〜図3に基づいて説明する。なお、図1は、回路装置の構成を模式的に示したものであり、一部の寸法を誇張して分かり易く図示しており、実際の寸法とは異なっている。
図1に示すように、回路装置10は、基材としてのエポキシ樹脂などからなる平板状で絶縁性の回路基材11を備え、回路基材11の一方面である表側及び他方面である裏側には導電性の配線パターン12及び13a、13bが形成されている。表側に形成された配線パターン12上にはパワー素子などの発熱素子14及び制御ICなどの非発熱素子15が半田により接合されている。本実施形態では、発熱素子14に隣接して非発熱素子15が同一基板上に設けられている。なお、配線パターン12上における発熱素子14が搭載されている場所が発熱素子14の搭載部に相当する。
そして、回路基材11の発熱素子14に対向する裏側には、厚膜部に相当する厚さの厚い(厚膜の)配線パターン13aが形成され、回路基材11の非発熱素子15に対向する裏側には、厚さの薄い(薄膜の)配線パターン13bが形成されている。この実施形態では、配線パターン13aと配線パターン13bとは接続された状態にある。
なお、表側の配線パターン12は薄膜のパターンである。配線パターン12、13a、13bは、いずれも銅箔をエッチング加工することで、回路基材11の表側及び裏側に所望の形状に形成される。
回路基材11上に搭載される発熱素子14の直下の回路基材11には、断面丸孔状で大径のスルーホール16が貫通形成され、スルーホール16内には熱伝導性部材に相当する円柱状の銅チップ17が嵌め込み固定されている。銅チップ17がスルーホール16に嵌め込まれた状態において、銅チップ17の表側及び裏側は回路基材11の表側及び裏側と面一に形成されている。この面一の表側及び裏側に配線パターン12及び13aが形成されている。このため、発熱素子14が接合された表側の配線パターン12と、裏側の配線パターン13aとは銅チップ17を介して接続されている。
また、図1に示すように、厚膜の配線パターン13aは、銅チップ17と対向する部分だけでなく、銅チップ17と対向する部分から外側に拡張して形成されている。
回路基材11上に搭載される非発熱素子15の直下の回路基材11には、断面丸孔状で小径のスルーホール18が貫通形成され、スルーホール18内には銅メッキが施されている。このことにより非発熱素子15が接続された表側の配線パターン12と、裏側の配線パターン13bとはスルーホール18を介して接続されている。
このように、裏側の配線パターン13のうち、発熱素子14に対向する部分の配線パターン13aの厚さが他の部分の配線パターン13bの厚さより厚く形成されている。
この厚膜の配線パターン13aは、絶縁性で且つ熱伝導性を有する熱伝導性シート19を介して金属製の放熱部材20に接続されている。なお、熱伝導性シート19は弾力性を有する樹脂などの材料により形成されている。
発熱素子14で発生した熱は、表側の配線パターン12及び銅チップ17を介して裏側の配線パターン13aに伝導され、熱伝導性シート19を通って放熱部材20に放熱される。
次に、回路装置10の製造手順について図2に基づき説明を行う。
先ずS101にて回路基材11にドリル工具でスルーホール16、18を貫通形成する。なお、スルーホール16の形成は大径のドリル工具を使用し、スルーホール18の形成は小径のドリル工具を使用して行う。
次にS102にてスルーホール16に銅チップ17を嵌め込み固定する。この場合、スルーホール16の内径寸法に対し銅チップ17の外径寸法をやや大きくとって、銅チップ17をスルーホール16に嵌め込み、銅チップ17の表側及び裏側が回路基材11の表側及び裏側と面一となるように固定される。
次にS103にてスルーホール16に銅チップ17を嵌め込んだ状態で、表側及び裏側全面に銅メッキ処理を施す。裏側は表側よりも更に厚く銅メッキ処理を施す。これにより、銅チップ17両端面は銅メッキ層と接続される。また、スルーホール18内にも銅メッキ処理を施す。
次にS104にて回路基材11表側に、エッチングによる薄膜の配線パターン12を形成する。銅チップ17上に形成される配線パターン12は銅チップ17と接続された状態にあり、スルーホール18上に形成される配線パターン12はスルーホール18と接続された状態にある。
回路基材11裏側への配線パターン13a、13bの形成は、S105及びS106の2工程で行われる。
まずS105にて回路基材11裏側に、配線パターン13aの部分にマスクをかけて配線パターン13bの厚さまでエッチング処理を行い、厚膜パターン及び薄膜を形成する。
そして、更にS106にて配線パターン13a、13bの部分にマスクをかけて回路基材11裏側を再度エッチング処理を行う。その結果、回路基材11裏側には、厚膜の配線パターン13aと、薄膜の配線パターン13bとがそれぞれ形成される。銅チップ17下に形成される配線パターン13aは銅チップ17と接続された状態にあり、スルーホール18下に形成される配線パターン13bはスルーホール18と接続された状態にある。
次にS107にて銅チップ17上の配線パターン12上に発熱素子14を半田を介して配置し、スルーホール18上の配線パターン12上に非発熱素子15を半田を介して配置して、リフロー炉内にて所定温度で加熱することにより発熱素子14及び非発熱素子15を一括して半田接合させる。
次にS108にて裏側の厚膜の配線パターン13aと放熱部材20との間に熱伝導性シート19を介在させて、回路基材11を放熱部材20に図示しないネジにより固定する。その結果、配線パターン13aは熱伝導性シート19を介して放熱部材20に接続されている。
次に、上記構成を有する回路装置10について図3に基づき作用説明を行う。
パワー素子など発熱素子14は、動作すると大量の熱を発生する。図3(a)に示すように、発熱素子14で発生した熱は、矢印21で示す如く、配線パターン12を介して銅チップ17に伝達され、銅チップ17と接続された裏側の配線パターン13aに伝達される。
裏側の配線パターン13aに伝達された熱は、矢印22で示すように、熱伝導性シート19を介して放熱部材20に伝えられる。
ところで、配線パターン13aは厚膜で形成されているので、配線パターン13a自体の熱容量を高めることができるため、銅チップ17からの熱を効果的に配線パターン13aに吸収することができるとともに、配線パターン13aを通る熱の伝達経路の断面積が広くなり、配線パターン13aに伝達された熱の一部は、配線パターン13a内を回路基材11の基材面と平行な矢印23で示す方向へ効果的に拡散して伝達される。
そして、配線パターン13a内を拡散して伝達された熱は、矢印24で示すように、熱伝導性シート19を介して放熱部材20に放熱される。
一方、図3(b)で示す比較例では、裏側の配線パターン13cが薄膜で形成されており、それ以外の構成は上記構成と同等である。
この場合には、裏側の配線パターン13cに伝達された熱は、矢印26で示すように、熱伝導性シート19を介して放熱部材20に伝えられる。
ところで、配線パターン13cは薄膜で形成されているので、配線パターン13cに伝達された熱の一部は、配線パターン13c内を回路基材11の基材面と平行な矢印27で示す方向へ拡散して伝達されるが、配線パターン13cが薄膜であるがゆえに熱容量が小さく、また基材面と平行な方向への熱の伝達経路も矢印27で示すように狭く、図3(a)で示す形態に比べて熱抵抗が高いため、発熱素子14から放熱部材20に伝わる熱の量は図3(a)で示す形態に比べて少量である。
このように、図3(a)で示す第1の実施形態では、裏側の配線パターン13aが厚膜で形成されていることにより効果的に熱を拡散させて、広い面積で熱伝導性シート19を介して放熱部材20に放熱させることができる。すなわち、配線パターン13aにおける基材面と平行な方向への熱の伝達経路の断面積を拡張することによって、発熱素子14〜放熱部材20間の熱抵抗を小さくすることができ、放熱性の改善を図ることができる。
一方、配線パターン13aに隣接して形成された薄膜の配線パターン13bでは、熱容量は小さく熱抵抗が高い。従って、配線パターン13bと接続された非発熱素子15への熱伝導を抑制することが可能である。
また、回路基材11の裏側に形成される配線パターン13のうち、発熱素子14と対向する部分の厚さが他の部分の厚さより厚く形成されている。裏側の配線パターン13全面の厚さが従来技術のように厚く形成されている場合には、回路基材11と配線パターン13との熱膨張率の差によって基板の反りが発生する恐れがあるが、裏側の配線パターン13の一部が厚いだけなので、基板の反りを低減可能である。
この第1の実施形態に係る回路装置10によれば以下の効果を奏する。
(1)回路基材11の裏側に形成される配線パターン13のうち、発熱素子14と対向する部分の厚さが他の部分の厚さより厚く形成されているので、裏側の配線パターン13全面の厚さを厚く形成する場合と比較して、基板の反りを小さくすることができると共に、基板の重量を低減可能である。
(2)回路基材11上に搭載される発熱素子14の直下の回路基材11には、スルーホール16が貫通形成され、スルーホール16内には銅チップ17が嵌め込み固定されている。そして、回路基材11の裏側に形成される配線パターン13のうち、発熱素子14と対向する部分の配線パターン13aの厚さが厚膜で形成されている。従って、配線パターン13a自体の熱容量を高めると共に、配線パターン13aを通る熱の伝達経路の断面積を増大させて熱抵抗を減らすことができるため、発熱素子14で発生した熱は、表側の配線パターン12及び銅チップ17を介して裏側の配線パターン13aに速やかに吸収及び伝達され、配線パターン13a内に拡散された上で、広い面積で熱伝導性シート19を介して放熱部材20に効果的に放熱させることができる。よって、放熱部材20への放熱面積を拡張することによって、発熱素子14〜放熱部材20間の熱抵抗を小さくすることができ、放熱性の改善を図れる。
(3)回路基材11を放熱部材20に取り付ける時、回路基材11の裏側の配線パターン13aと放熱部材20との間に弾力性を有する熱伝導性シート19を介在させて取り付け固定されるので、回路基材11と放熱部材20との密着性を向上でき、放熱効果を一層改善可能である。
(4)回路基材11上に発熱素子14に加えて非発熱素子15を搭載可能なので、非発熱素子15を搭載するための基板を新規に設ける必要がなく、コスト及び設置スペースの削減が可能である。
(5)非発熱素子15は薄膜の配線パターン13bと接続して搭載されているので、配線パターン13bを介しての熱伝達が抑えられ非発熱素子15の温度上昇を防ぐことができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係る回路装置30を図4に基づいて説明する。
この実施形態は、第1の実施形態における銅チップ17の形状を変更したものであり、その他の構成は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図4に示すように、銅チップ33がスルーホール16に嵌め込まれた状態において、銅チップ33の表側は回路基材31の表側と面一に形成されているが、銅チップ33の裏側は回路基材31の裏側より突出して形成されている。この突出した銅チップ33の周囲に厚膜の配線パターン32aが形成されている。銅チップ33の裏側への突出量は、配線パターン32aの膜厚と同等となるように予め回路基材31より突出して形成されており、突出した銅チップ33の周囲に配線パターン32aが銅メッキ及びエッチングにより形成された時、同じ高さとなるようになっている。また、薄膜の配線パターン32bは第1の実施形態における配線パターン13bと同様に形成されている。
このように、銅チップ33が裏側に突出して設けられていることにより、銅チップ33と配線パターン32aとの接触面積を大きくすることができ、銅チップ33と配線パターン32aとを確実に接合可能である。また、銅チップ33と放熱部材20とは、熱伝導性シート19を介して直接接続されているので、発熱素子14から銅チップ33を通って伝達された熱の一部は、銅チップ33と配線パターン32aとの接合部分を介さずに熱伝導性シート19を介して放熱部材20に直接伝えることができ、接合部分の接合不良などによる熱抵抗の増大があった場合でも、放熱性の向上を図れる。
それ以外については、第1の実施形態と同等の作用効果を得ることができるので、説明を省略する。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態に係る回路装置40を図5に基づいて説明する。
この実施形態は、第1の実施形態における表面の配線パターン12の形状を変更したものであり、その他の構成は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図5に示すように、回路基材41の表側に形成される配線パターン42は、厚さの異なる2種類の配線パターン42a、42bからなり、厚膜の配線パターン42a上に発熱素子14が搭載され、薄膜の配線パターン42b上に非発熱素子15が搭載されている。そして、回路基材41の裏側に形成される配線パターン13のうち、薄膜の配線パターン13b上には非発熱素子15が搭載されている。
このように、回路基材41の両面に厚さの異なる2種類の配線パターンを形成し、発熱素子14と接合された表側の配線パターン42aが厚膜で形成されているので、発熱素子14で発生した熱は配線パターン42a及び銅チップ17を介して裏側の配線パターン13aに伝達されると同時に、表側の配線パターン42a内を回路基材41の基材面と平行な矢印43で示す方向へ拡散して伝達される。そして、配線パターン42a内を拡散して伝達された熱の一部は外気に直接放熱されるので、発熱素子14の放熱性を高めることができる。
また、回路基材41表側の薄膜の配線パターン42bに加えて、裏側の薄膜の配線パターン13b上にも非発熱素子15が搭載可能なので、基板サイズを一層小型化できる。
それ以外については、第1の実施形態と同等の作用効果を得ることができるので、説明を省略する。
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態に係る回路装置50を図6及び図7に基づいて説明する。
この実施形態は、第1の実施形態における回路装置10の製造手順を変更したものである。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図6に示すように、回路装置50では、スルーホール16がメッキコーティングされ、回路基材51の表面及び裏面に配線パターン52、53aが形成されてから、銅チップ55が嵌め込み固定される。スルーホール16の内面にはメッキ層54が形成され、表面及び裏面の配線パターン52、53aは、メッキ層54を介して接続されている。
銅チップ55がスルーホール16に嵌め込まれた状態において、銅チップ55の表側及び裏側は回路基材51の表面及び裏面の配線パターン52、53aと面一となるように形成されている。面一に形成された銅チップ55の表側及び配線パターン52上に発熱素子14が半田接合され、面一に形成された銅チップ55の裏側及び配線パターン53a上に熱伝導性シート19を介して放熱部材20が取り付け固定されている。
図7に示すように、回路装置50の製造手順は、S201にて回路基材51にドリル工具でスルーホール16、18を貫通形成したのち、次にS202にて、スルーホール16に銅チップ55を嵌め込まない状態で、表側及び裏側全面に銅メッキ処理を施す。この時、スルーホール16にはメッキ層54が形成される。次にS203にて回路基材51表側に、エッチングによる薄膜の配線パターン52を形成し、次にS204及びS205の2工程で回路基材11裏側へ配線パターン53a、53bを形成する。
そして、S206にてスルーホール16に銅チップ55を嵌め込み固定する。この場合、銅チップ55の表側及び裏側が回路基材51の表面及び裏面の配線パターン52、53aと面一となるように固定される。なお、銅チップ55の高さ寸法は、表面及び裏面の配線パターン52、53aの膜厚を考慮した寸法に予め設定されている。
次にS207にて銅チップ55の表側及び配線パターン52上に発熱素子14を半田を介して接合させる。次にS208にて銅チップ55の裏側及び厚膜の配線パターン53aと放熱部材20との間に熱伝導性シート19を介在させて、回路基材51を放熱部材20に図示しないネジにより固定する。その結果、銅チップ55及び配線パターン53aは熱伝導性シート19を介して放熱部材20に接続されている。
このように、この実施形態では、スルーホール16の内面にメッキ層54が形成され、その上に銅チップ55を表面及び裏面の膜厚分だけ突出させて嵌め込み固定されているので、発熱素子14で発生した熱は銅チップ55及びメッキ層54を介して裏側の配線パターン53a及び熱伝導性シート19に伝達することができ、発熱素子14の放熱性を更に高めることができる。
なお、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能であり、例えば、次のように変更しても良い。
○ 第1〜第4の実施形態では、スルーホール16内に設けられる熱伝導性部材として銅チップ17、33、55として説明したが、銅ペーストでもよく、また、その他銅以外の金属材料或いは、導電性のフィラーを含んだ導電性の樹脂部材としても良い。
○ 第1〜第4の実施形態では、回路基材11、31、41、51として一層構成として説明したが多層構成であっても良い。
○ 第1〜第4の実施形態では、スルーホール16の断面形状を丸孔としたが、矩形孔でもよく、また、不定形孔でも良い。この場合には、スルーホール16に嵌め込まれる銅チップの外形形状は、矩形の角柱或いは、不定形の角柱となる。
○ 第1〜第2の実施形態では、表側の配線パターン12上に発熱素子14を接合させるとして説明したが、配線パターン12を介さないで銅チップ17、33上に直接発熱素子14を接合させても良い。
○ 第1の実施形態では、厚膜の配線パターン13aが銅チップ17と対向する部分だけでなく、銅チップ17と対向する部分から外側に拡張して形成されているとして説明したが、銅チップ17と対向する部分のみが厚膜で形成されていてもよく、また、銅チップ17と対向する部分の一部のみが厚膜で形成されていても良い。
○ 第1〜第4の実施形態では、裏面に形成される厚膜の配線パターン13a、32a、53aと薄膜の配線パターン13b、32b、53bとはそれぞれ接続された状態にあるとして説明したが、接続されておらずに別々に形成されていても良い。
○ 第4の実施形態では、銅チップ55の表側及び裏側が回路基材51の表面及び裏面の配線パターン52、53aと面一となるように形成されているとして説明したが、銅チップ55の表側及び裏側が回路基材51の表側及び裏側と面一となるように形成し、発熱素子14と銅チップとの間及び銅チップと熱伝導性シート19との間にメッキ処理等により導電部材を埋めこんで該導電部材が配線パターン52、53aと面一になるように形成しても良い。
○ 第1〜第2の実施形態では、表側の配線パターン12と裏側の配線パターン13aとが銅チップ17、33を介して電気的及び熱的に接続されているとして説明したがこれに限定されるものではなくて、銅チップ17、33を介して発熱素子14と厚膜の配線パターン13aとが熱的に接続されておれば、これ以外の構成としても良い。例えば、表側の配線パターン12は銅チップ17、33と接続されていない構成としてもよく、また、銅チップ17、33に代えて絶縁性で且つ熱伝導性を有する部材としても良い。
第1の実施形態に係る回路装置の概略構成を示す断面図である。 第1の実施形態に係る回路装置の製造手順を示すフローチャートである。 第1の実施形態に係る回路装置の作用説明用の模式図である。(a)第1の実施形態の模式図、(b)比較例の模式図。 第2の実施形態に係る回路装置の概略構成を示す断面図である。 第3の実施形態に係る回路装置の概略構成を示す断面図である。 第4の実施形態に係る回路装置の概略構成を示す断面図である。 第4の実施形態に係る回路装置の製造手順を示すフローチャートである。
符号の説明
10、30、40、50 回路装置
11、31、41、51 回路基材
12、42(42a、42b)、52 表側の配線パターン
13(13a、13b)、32(32a、32b)、53(53a、53b) 裏側の配線パターン
12、13b、32b、42b、52、53b 薄膜の配線パターン
13a、32a、42a、53a 厚膜の配線パターン
14 発熱素子
15 非発熱素子
16、18 スルーホール
17、33、55 銅チップ
19 熱伝導性シート
20 放熱部材

Claims (7)

  1. 平板状の基材と、該基材に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に設けられた熱伝導性部材と、前記基材の両面に形成された配線パターンとを有し、
    前記基材の一方面の配線パターンには発熱素子を搭載する搭載部が形成され、前記基材の他方面の配線パターンには、他の部分よりも厚く形成された厚膜部が形成されており、
    前記搭載部の少なくとも一部と前記厚膜部の少なくとも一部とが前記基材を挟んで対向するとともに、前記熱伝導性部材が、前記搭載部の前記厚膜部と対向する部分及び前記厚膜部の前記搭載部と対向する部分の両方に熱的に接続されていることを特徴とするプリント基板。
  2. 前記厚膜部は前記基材の他方面の配線パターンの他の部分より厚く形成されていることを特徴とする請求項1に記載のプリント基板。
  3. 平板状の基材と、該基材に形成されたスルーホールと、該スルーホール内に設けられた熱伝導性部材と、前記基材の両面に形成された配線パターンと、前記基材の一方面の配線パターンに搭載される発熱素子とを有し、
    前記基材の他方面の配線パターンのうち、前記発熱素子と対向する部分の少なくとも一部の厚さが他の部分の厚さよりも厚く形成された厚膜部が形成されており、
    前記熱伝導性部材が、前記発熱素子及び前記厚膜部の前記発熱素子と対向する部分の両方に熱的に接続されていることを特徴とする回路装置。
  4. 前記厚膜部は、放熱部材に接続されていることを特徴とする請求項3に記載の回路装置。
  5. 前記放熱部材への接続は、絶縁性で且つ熱伝導性を有する熱伝導性シートを介して前記放熱部材に接続されていることを特徴とする請求項4に記載の回路装置。
  6. 前記基材の一方面の配線パターンは、前記厚膜部の厚さより薄く形成され、前記基材の一方面の配線パターンのうち前記厚膜部に対向する部分以外の部分に非発熱素子を搭載することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の回路装置。
  7. 前記基材の一方面の配線パターンのうち、前記厚膜部と対向する部分の厚さは他の部分の厚さより厚く形成され、前記基材の一方面の配線パターンのうち前記厚膜部と対向する部分以外の部分に非発熱素子を搭載することを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の回路装置。
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