JP2010098255A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p型GaN層2と、p型GaN層2上に形成され、空乏化されたn型GaN層3と、n型GaN層3上に形成された厚さが30μm以上のアンドープのGaN層4と、が設けられている。更に、GaN層4上に形成された活性層5と、活性層5上に形成された電極層6と、が設けられている。これらの積層体は、サファイア基板を用いて形成されたものであり、積層体の形成後にサファイア基板が分離されている。
【選択図】図1
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)実装体の構造を示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、HEMT1を製造する方法が第1の実施形態と相違している。図6A乃至図6Cは、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)実装体の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、HEMT1を製造する方法が第1及び第2の実施形態と相違している。図7A乃至図7Eは、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)実装体の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、HEMT1を製造する方法が第1〜第3の実施形態と相違している。図8A乃至図8Cは、第4の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)実装体の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第5の実施形態について説明する。第5の実施形態では、サファイア基板31とp型GaN層2との間に設ける層が第4の実施形態と相違している。図9は、第5の実施形態に係るGaN系HEMT(化合物半導体装置)実装体の製造方法を示す断面図である。
2:p型GaN層
3:n型GaN層
4:GaN層
5:活性層
6:電極層
7:電子走行層
8:電子供給層
9:保護層
10:SiN膜
10a:開口部
11d:ドレイン電極
11g:ゲート電極
11s:ソース電極
21:実装基板
22:ペースト
31:サファイア基板
32:AlN層
33:ダイシングライン
34、35:溝
36:InGaN層
41:支持基板
42:接着剤
Claims (7)
- 第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成され、空乏化された第2導電型の第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上に形成された第3の半導体層と、
前記第3の半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された電極層と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記第3の半導体層は、30μm以上の膜厚であることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
- 前記第1の半導体層側から実装基板に実装されることを特徴とする請求項1又は2に記載の化合物半導体装置。
- 前記第1の半導体層は、p型GaN層であり、
前記第2の半導体層は、n型GaN層であり、
前記第3の半導体層は、アンドープのGaN層であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。 - 厚さが30μm以上のアンドープのGaN層と、
前記GaN層上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
前記電子供給層上方に形成された電極層と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置。 - 基板上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に第1導電型の第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層上に、空乏化された第2導電型の第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層上に、第3の半導体層を形成する工程と、
前記第3の半導体層上に、活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、電極層を形成する工程と、
前記分離層を除去する工程と、
を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 前記分離層として、AlN層又はInGaN層を形成することを特徴とする請求項6に記載の化合物半導体装置の製造方法。
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