JP5396911B2 - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。また、図2は、第1の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)のレイアウトを示す図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図4は、第2の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。図6は、第3の実施形態に係るGaN系HEMT(半導体装置)の構造を示す断面図である。
2:AlN層
2b:開口部
3a、3b:i−GaN層
4a、4b:i−AlGaN層
5a、5b:n−AlGaN層
6a、6b:n−GaN層
7、8:パッシベーション膜
8:i−AlGaN層
10:活性領域
11d:ドレイン電極
11g:ゲート電極
11s:ソース電極
21a、21b:i−AlGaN層
22a、22b:i−GaN層
31s、31d:開口部
Claims (6)
- 電子走行層と、
前記電子走行層上方に形成された電子供給層と、
前記電子供給層上方に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を間に挟んで形成され、前記電子走行層に電圧を印加するソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記電子走行層との間の電流経路に位置し、前記ソース電極と接するGaNの第1の化合物半導体層と、
前記ドレイン電極と前記電子走行層との間の電流経路に位置し、前記ドレイン電極と接するGaNの第2の化合物半導体層と、
前記第1の化合物半導体層の下方に形成され、前記第1の化合物半導体層より格子定数が小さく、引張歪みが生じている第3の化合物半導体層と、
前記第2の化合物半導体層の下方に形成され、前記第2の化合物半導体層より格子定数が小さく、引張歪みが生じている第4の化合物半導体層と、
を有し、
前記電子走行層の表面は(0001)面であり、
前記第1の化合物半導体層及び前記第2の化合物半導体層の表面は(000−1)面であることを特徴とする化合物半導体装置。 - 前記電子走行層、前記電子供給層、前記第1の化合物半導体層、及び前記第2の化合物半導体層は、窒化物半導体からなることを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体装置。
- 前記窒化物半導体は、GaN、AlN及びInNからなる群から選択された一種又は二種以上の混晶からなることを特徴とする請求項2に記載の化合物半導体装置。
- 前記第1の化合物半導体層及び前記第2の化合物半導体層は、前記電子走行層と直接接していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 前記第3の化合物半導体層及び前記第4の化合物半導体層はAlGaN層であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化合物半導体装置。
- 電子走行層上方に電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層上方にゲート電極を形成する工程と、
前記電子走行層に電圧を印加するソース電極及びドレイン電極を、前記ゲート電極を間に挟んで形成する工程と、
前記ソース電極と前記電子走行層との間の電流経路に位置し、前記ソース電極と接するGaNの第1の化合物半導体層を形成する工程と、
前記ドレイン電極と前記電子走行層との間の電流経路に位置し、前記ドレイン電極と接するGaNの第2の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第1の化合物半導体層の下方に、前記第1の化合物半導体層より格子定数が小さく、引張歪みが生じている第3の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第2の化合物半導体層の下方に、前記第2の化合物半導体層より格子定数が小さく、引張歪みが生じている第4の化合物半導体層を形成する工程と、
を有し、
前記電子走行層の表面を(0001)面とし、
前記第1の化合物半導体層及び前記第2の化合物半導体層の表面を(000−1)面とすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
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