JP2010086967A - 電子ビーム源および電子ビーム源を作製する方法 - Google Patents
電子ビーム源および電子ビーム源を作製する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010086967A JP2010086967A JP2009228377A JP2009228377A JP2010086967A JP 2010086967 A JP2010086967 A JP 2010086967A JP 2009228377 A JP2009228377 A JP 2009228377A JP 2009228377 A JP2009228377 A JP 2009228377A JP 2010086967 A JP2010086967 A JP 2010086967A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- beam source
- chip
- source according
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 59
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008842 WTi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000002194 amorphous carbon material Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
- H01J37/065—Construction of guns or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
- H01J1/3044—Point emitters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
- H01J2201/30407—Microengineered point emitters
- H01J2201/30415—Microengineered point emitters needle shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
- H01J2201/30476—Diamond-like carbon [DLC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06308—Thermionic sources
- H01J2237/06316—Schottky emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06375—Arrangement of electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/065—Source emittance characteristics
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49888—Subsequently coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
【解決手段】ビーム電子源は、ベースと、ベースに固定され、ベースから離れて延在するチップし、第1材料からなる表面および第2材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、第2材料がチップの表面を提供するチップと、被覆層に電気的に接続された第1電気端子と、チップに向かい合う間隙を有する抽出電極と、抽出電極に電気的に接続された第2電気端子とを備える。第1材料の電気伝導率が、105S/m、103S/m、10S/m、10−1S/m、10−3S/m、10−5S/mまたは10−7S/mよりも低いか、第2材料の電気伝導率が、10−7S/m、10−5S/m、10−3S/m、10−1S/m、102S/m、104S/mまたは106S/mよりも高いか、第2材料と第1材料の電気伝導率との比率が、10:1、100:1、104、106または108よりも大きいかの少なくとも1つの条件を満たす。
【選択図】図1
Description
5 電子ビーム源
6,8 電極
7 カソード(チップ)
9 開口部
11 コンデンサレンズ
13 電子ビーム
15 開口部
17 二次電子検出器
19 電子光学系
21 位置
23 表面
25 物体
27 レンズ
29 ディフレクタ
31 拡大領域
33 コントローラ
35,36,37,38,39,41 ライン
42 制御ライン
51 キャリアプレート
52 領域
53 ベース
53′ 表面
54 対称軸線
55 凹部
57,57a コア
59a 被覆材
60,60a チップ
61 縦方向軸線
63 非導電性材料
65 内部コア
103,105,107 ステップ
l 寸法
b 最大寸法
c 厚さ
Claims (30)
- ベースと、
ベースに固定され、前記ベースから離れる方向に延在するチップであって、第1材料からなる表面を有し、第2材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、第2材料がチップの表面を提供するチップと、
前記被覆層に電気的に接続された第1電気端子と、
前記チップに向かい合って配置された間隙を有する抽出電極と、
該抽出電極に電気的に接続された第2電気端子とを備えるビーム電子源において、
前記第1材料の電気伝導率が、105S/mよりも低いか、103S/mよりも低いか、10S/mよりも低いか、10−1S/mよりも低いか、10−3S/mよりも低いか、10−5S/mよりも低いか、または10−7S/mよりも低いかの少なくともいずれかであるという条件、
前記第2材料の電気伝導率が、10−7S/mよりも高いか、10−5S/mよりも高いか、10−3S/mよりも高いか、10−1S/mよりも高いか、102S/mよりも高いか、104S/mよりも高いか、または106S/mよりも高いかの少なくともいずれかであるという条件、
前記第2材料の電気伝導率と前記第1材料の電気伝導率との間の比率が、10:1よりも大きいか、100:1よりも大きいか、104よりも大きいか、106よりも大きいか、または108よりも大きいかの少なくともいずれかであるという条件のうち、少なくとも1つの条件を満たすことを特徴とする電子ビーム源。 - 請求項1に記載の電子ビーム源において、
前記チップにおける前記ベースから離れた終端部の表面の曲率半径が、100nmよりも小さいか、80nmよりも小さいか、60nmよりも小さいか、またはこれよりも小さいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1または2に記載の電子ビーム源において、
前記ベースから離れて縦方向に延在するチップ寸法が、縦方向に直交する横方向に延在するチップ最大寸法よりも少なくとも2倍大きいか、少なくとも5倍大きいか、または少なくとも10倍大きいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記チップの縦方向最大寸法が、50nmよりも大きいか、100nmよりも大きいか、または300nmよりも大きいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記チップの横方向寸法が、500nmよりも小さいか、100nmよりも小さいか、または50nmよりも小さいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から5までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料からなる前記被覆層の厚さが、2nmよりも大きいか、5nmよりも大きいか、または10nmよりも大きいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から6までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料からなる前記被覆層の厚さが、50nmよりも小さいか、30nmよりも小さいか、または20nmよりも小さいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記コアの中心が前記第1材料からなっている電子ビーム源。 - 請求項8に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の弾性係数が、150kN/mm2よりも大きいか、300kN/mm2よりも大きいか、600kN/mm2よりも大きいか、または700kN/mm2よりも大きいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項8または9に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料の弾性係数が、1100kN/mm2よりも小さいか、1000kN/mm2よりも小さいか、または800kN/mm2よりも小さいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記チップの前記コアが、第1材料とは異なる第3材料からなる内部コアを備え、第1材料から形成された層が前記内部コアに塗布されている電子ビーム源。 - 請求項11に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料の弾性係数が、150kN/mm2よりも大きいか、300kN/mm2よりも大きいか、600kN/mm2よりも大きいか、または700kN/mm2よりも大きいかの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項11または12に記載の電子ビーム源において、
前記第3材料の弾性係数が、1100kN/mm2よりも小さいか、1000kN/mm2よりも小さいか、または800kN/mm2よりも小さいかの少なくともいずれかのいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から13までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料がダイアモンド状炭素である電子ビーム源。 - 請求項1から14までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料がsp3結合炭素を含む電子ビーム源。 - 請求項15に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料が、sp2結合炭素、水素、窒素、フッ素、ホウ素からなる群の少なくともいずれか1種の添加剤を含む電子ビーム源。 - 請求項1から16までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1材料が、実質的にダイアモンド状炭素からなる電子ビーム源。 - 請求項1から17までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料が金属を含む電子ビーム源。 - 請求項18に記載の電子ビーム源において、
前記金属が、Ti、Pt、Al、W、V、Hf、Fe、Co、Niからなる群の少なくともいずれか1種の元素を含む電子ビーム源。 - 請求項1から19までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第2材料が、半導体材料を含む電子ビーム源。 - 請求項20に記載の電子ビーム源において、
前記半導体材料が、Si、Ge、In、GaおよびAs、P、Sbからなる群の少なくともいずれか1種を含む電子ビーム源。 - 請求項1から21までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記第1電気端子および前記第2電気端子に電気的な供給電圧を供給するための電圧供給器をさらに備える電子ビーム源。 - 請求項1から22までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記ベースの表面が、前記チップにおける前記ベースに隣接する終端部付近に延在する凸面部を備える電子ビーム源。 - 請求項23に記載の電子ビーム源において、
前記ベースの前記凸面部に関連した曲率半径が、10μm〜0.1μm、3μm〜0.3μmまたは0.6μm〜0.4μmの少なくともいずれかである電子ビーム源。 - 請求項1から24までのいずれか一項に記載の電子ビーム源において、
前記ベースが、対称軸線に対して軸線対称の表面形状を有する表面部を有し、対称軸線と前記チップの縦方向との間の角度が10°未満である電子ビーム源。 - 電子ビーム源を作製するための方法、特に請求項1から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源を作製するための方法において、該方法が、
電子ビーム蒸着またはイオンビーム蒸着の少なくともいずれかを用いてベースに第1材料のコアを成長させるステップと、
第2材料の被覆層を前記コアに塗布するステップと、
該コアを抽出電極の間隙に向かい合わせに配置するステップとを含むことを特徴とする方法。 - 電子ビームシステムにおいて、
請求項1から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源または請求項26に記載の方法により作製された電子ビーム源を備えることを特徴とする電子ビームシステム。 - 請求項1から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源、または請求項26に記載の方法により作製された電子ビーム源の使用法において、
0.1μAよりも大きいか、0.5μAよりも大きいか、または1μAよりも大きいかの少なくともいずれかの電子ビーム電流を有する電子ビームを生成するために使用することを特徴とする使用法。 - 請求項1から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源、または請求項26に記載の方法により作製された電子ビーム源の使用法において、
物体の電子顕微鏡画像を生成するために使用することを特徴とする使用法。 - 請求項1から25までのいずれか一項に記載の電子ビーム源、または請求項26に記載の方法により作製された電子ビーム源の使用法において、
所定パターンにより感光性層を露光するために使用することを特徴とする使用法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008049654.5 | 2008-09-30 | ||
DE102008049654A DE102008049654A1 (de) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Elektronenstrahlquelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010086967A true JP2010086967A (ja) | 2010-04-15 |
JP5657229B2 JP5657229B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=41794949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009228377A Active JP5657229B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | 電子ビーム源および電子ビーム源を作製する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8164071B2 (ja) |
JP (1) | JP5657229B2 (ja) |
DE (1) | DE102008049654A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008049654A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenstrahlquelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
US20110294071A1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-12-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron gun, lithography apparatus, method of manufacturing article, and electron beam apparatus |
FR2965102B1 (fr) * | 2010-09-17 | 2016-12-16 | Centre Nat De La Rech Scient (Cnrs) | Canon a electrons emettant sous haute tension, destine notamment a la microscopie electronique |
US8536773B2 (en) | 2011-03-30 | 2013-09-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Electron beam source and method of manufacturing the same |
KR102374925B1 (ko) * | 2016-09-06 | 2022-03-16 | 주식회사 히타치하이테크 | 전자원 및 전자선 조사 장치 |
CN109047763A (zh) * | 2018-09-06 | 2018-12-21 | 北京航星机器制造有限公司 | 一种利用电子束选区熔化技术制备Al-Fe-V-Si耐热铝合金件的方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298098A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Canon Inc | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 |
JPH11154458A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ricoh Co Ltd | 電界放出型電子源の製造方法 |
JP2000276999A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
JP2000293830A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその保護膜形成方法 |
JP2004165518A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Ricoh Co Ltd | 電子線描画装置およびその要部の製造方法 |
JP2004251412A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Nsk Ltd | 転がり軸受 |
WO2005124815A1 (ja) * | 2004-06-16 | 2005-12-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | 電子線源および電子線応用装置 |
JP2006244857A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Sonac Kk | 冷陰極電子源およびその製造方法 |
JP2006269443A (ja) * | 2006-06-05 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | カーボンナノチューブを有する電子源とそれを用いた電子顕微鏡および電子線描画装置 |
WO2006135094A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
JP2007149659A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界放出型電子銃、電子顕微鏡、及び電子ビーム露光機 |
JP2007258172A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | カーボンナノチューブを利用する電子放出素子及びその製造方法 |
JP2008053057A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電子放出素子を有する表示装置 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5436828B2 (ja) | 1974-08-16 | 1979-11-12 | ||
US5584739A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-17 | Futaba Denshi Kogyo K.K | Field emission element and process for manufacturing same |
DE4405768A1 (de) | 1994-02-23 | 1995-08-24 | Till Keesmann | Feldemissionskathodeneinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR100343214B1 (ko) * | 1995-03-28 | 2002-11-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자의제조방법 |
US6132278A (en) | 1996-06-25 | 2000-10-17 | Vanderbilt University | Mold method for forming vacuum field emitters and method for forming diamond emitters |
US6033924A (en) * | 1997-07-25 | 2000-03-07 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a field emission device |
US6091190A (en) | 1997-07-28 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Field emission device |
AU4174999A (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-23 | Evgeny Invievich Givargizov | Stabilized and controlled electron sources, matrix systems of the electron sources, and method for production thereof |
US6392333B1 (en) | 1999-03-05 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Electron gun having magnetic collimator |
US6340822B1 (en) * | 1999-10-05 | 2002-01-22 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same |
AU3706401A (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-27 | Fullerene Internat Corp | Diamond/carbon nanotube structures for efficient electron field emission |
JP2002025425A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 電子エミッターとその製造法および電子線装置 |
KR20020049630A (ko) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 임지순 | 전계방출 에미터 |
KR20050115949A (ko) * | 2003-04-28 | 2005-12-08 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 방출 디바이스 및 이러한 디바이스를 형성하는 방법 |
DE20321217U1 (de) | 2003-05-16 | 2006-09-28 | Nanotools Gmbh | Funktionales Objekt mit einer dreidimensionalen Nanostruktur |
DE10322005B4 (de) | 2003-05-16 | 2016-04-28 | Nanotools Gmbh | Verfahren zur automatisierten Herstellung funktionaler Objekte mit einer dreidimensionalen Nanostruktur sowie Vorrichtung und Bildanalysemittel zur Durchführung des Verfahrens |
JP3677033B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2005-07-27 | 株式会社大嶋電機製作所 | 成膜用金型、金型を用いた成膜方法および成膜制御システム |
DE10342644A1 (de) | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Nanotools Gesellschaft für Spezialanwendungen in der Rastersondenmikroskopie mbH | Sondeneinrichtung für die Rastersondentechnologie sowie Verfahren zu deren Herstellung |
DE602004030360D1 (de) | 2003-09-30 | 2011-01-13 | Sumitomo Electric Industries | Elektronenemitter |
US7276389B2 (en) | 2004-02-25 | 2007-10-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Article comprising metal oxide nanostructures and method for fabricating such nanostructures |
JP2006093141A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Fei Co | 電子源及びその電子源を有する荷電粒子装置 |
EP1672648B1 (de) * | 2004-12-14 | 2007-03-14 | Nanoworld AG | Rasterkraftsonde mit einer EBD-Abtastspitze. |
US7305019B2 (en) | 2005-01-05 | 2007-12-04 | Intel Corporation | Excimer laser with electron emitters |
US7388201B2 (en) * | 2005-05-13 | 2008-06-17 | National University Of Singapore | Radiation detector having coated nanostructure and method |
KR101100816B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2012-01-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 열전자 방출용 전자 방출원, 이를 구비한 전자 방출 소자,이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP2007087676A (ja) | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 電界放出型電子銃およびそれを用いた電子ビーム装置 |
KR20070042421A (ko) | 2005-10-18 | 2007-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 온도조절장치를 구비한 평면표시장치 |
DE102006008858B4 (de) | 2006-02-25 | 2016-10-20 | Nanotools Gmbh | Sondeneinrichtung |
JP4853066B2 (ja) | 2006-03-22 | 2012-01-11 | ヤマハ株式会社 | 音楽情報提供装置及び電子音楽装置 |
JP2008041289A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 電界放出型電子銃およびそれを用いた電子線応用装置 |
US8080930B2 (en) * | 2006-09-07 | 2011-12-20 | Michigan Technological University | Self-regenerating nanotips for low-power electric propulsion (EP) cathodes |
US7888654B2 (en) | 2007-01-24 | 2011-02-15 | Fei Company | Cold field emitter |
DE102007010463B4 (de) | 2007-03-01 | 2010-08-26 | Sellmair, Josef, Dr. | Vorrichtung zur Feldemission von Teilchen |
DE102007010462B4 (de) | 2007-03-01 | 2010-09-16 | Sellmair, Josef, Dr. | Verfahren zur Herstellung einer Teilchenstrahlquelle |
US7821187B1 (en) | 2007-09-07 | 2010-10-26 | Kla-Tencor Corporation | Immersion gun equipped electron beam column |
WO2009111149A1 (en) | 2008-03-03 | 2009-09-11 | Alis Corporation | Gas field ion source with coated tip |
DE112008003986T5 (de) | 2008-08-20 | 2012-01-12 | Advantest Corporation | Elektronenerfassungsgerät und Rasterelektronenmikroskop |
DE102008049654A1 (de) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenstrahlquelle und Verfahren zur Herstellung derselben |
EP2465331B1 (en) | 2009-08-07 | 2016-03-23 | The Regents of The University of California | Apparatus for producing x-rays for use in imaging |
-
2008
- 2008-09-30 DE DE102008049654A patent/DE102008049654A1/de active Granted
-
2009
- 2009-09-30 US US12/570,112 patent/US8164071B2/en active Active
- 2009-09-30 JP JP2009228377A patent/JP5657229B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-09 US US13/369,340 patent/US8723138B2/en active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298098A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Canon Inc | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 |
JPH11154458A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Ricoh Co Ltd | 電界放出型電子源の製造方法 |
JP2000276999A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 電子放出素子 |
JP2000293830A (ja) * | 1999-04-08 | 2000-10-20 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその保護膜形成方法 |
JP2004165518A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Ricoh Co Ltd | 電子線描画装置およびその要部の製造方法 |
JP2004251412A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Nsk Ltd | 転がり軸受 |
WO2005124815A1 (ja) * | 2004-06-16 | 2005-12-29 | Hitachi High-Technologies Corporation | 電子線源および電子線応用装置 |
JP2006244857A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Sonac Kk | 冷陰極電子源およびその製造方法 |
WO2006135094A1 (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド電子放射陰極、電子放射源、電子顕微鏡及び電子ビーム露光機 |
JP2007149659A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界放出型電子銃、電子顕微鏡、及び電子ビーム露光機 |
JP2007258172A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Kofukin Seimitsu Kogyo (Shenzhen) Yugenkoshi | カーボンナノチューブを利用する電子放出素子及びその製造方法 |
JP2006269443A (ja) * | 2006-06-05 | 2006-10-05 | Hitachi Ltd | カーボンナノチューブを有する電子源とそれを用いた電子顕微鏡および電子線描画装置 |
JP2008053057A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | 電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電子放出素子を有する表示装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013054652; 国立天文台編纂: 「理科年表」 平成6年(机上版), 19931130, 第527ページ, 丸善株式会社 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8164071B2 (en) | 2012-04-24 |
US20100078557A1 (en) | 2010-04-01 |
JP5657229B2 (ja) | 2015-01-21 |
DE102008049654A1 (de) | 2010-04-08 |
US20120131785A1 (en) | 2012-05-31 |
US8723138B2 (en) | 2014-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5657229B2 (ja) | 電子ビーム源および電子ビーム源を作製する方法 | |
KR100686294B1 (ko) | 카본 나노튜브를 갖는 전자원과 그것을 이용한 전자현미경 및 전자선 묘화 장치 | |
US6504292B1 (en) | Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same | |
EP1279183B1 (en) | A nanotube-based electron emission device and systems using the same | |
EP1314176B1 (en) | Field emission devices having carbon containing tips | |
US8102108B2 (en) | Low voltage electron source with self aligned gate apertures, fabrication method thereof, and devices using the electron source | |
US9222959B2 (en) | Method for the collective fabrication of carbon nanofibers on the surface of micropatterns constructed on the surface of a substrate | |
JP5595199B2 (ja) | 電子銃および電子銃を用いた電子ビーム描画装置 | |
JP4806762B2 (ja) | Spmカンチレバー | |
US8819861B2 (en) | Nanometer-scale sharpening of conductor tips | |
US7732764B2 (en) | Field emission electron gun and electron beam applied device using the same | |
US6815875B2 (en) | Electron source having planar emission region and focusing structure | |
JP5559431B2 (ja) | 粒子源及びその製造方法 | |
JP4029289B2 (ja) | 導電性針の製造方法及びその方法により製造された導電性針 | |
KR100449071B1 (ko) | 전계 방출 소자용 캐소드 | |
JP2003162956A (ja) | Mis/mim電子放出素子 | |
JP2002083555A (ja) | セルフアライメント型電子源デバイス | |
US8536773B2 (en) | Electron beam source and method of manufacturing the same | |
US20240079198A1 (en) | Emitter, electron gun in which same is used, electronic device in which same is used, and method for manufacturing same | |
KR20080100158A (ko) | 전자총, 전자빔 노광 장치 및 노광 방법 | |
JP2005271142A (ja) | 微小凸状構造体 | |
JPH07296755A (ja) | 電子線源およびこれを用いた電子線応用装置 | |
EP1737012A2 (en) | Field emission devices having carbon containing tips | |
JP2004345071A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
Chang et al. | Arrayed lithography using STM-based microcolumns |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120926 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20130416 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140212 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140512 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5657229 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |