JP2010058220A - 研磨パッド及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 耐久性に優れ、研磨特性の安定性及び寿命特性に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 基材層上に研磨層が設けられている研磨パッドにおいて、
前記研磨層は、開口を有する略球状の連続気泡を含む熱硬化性ポリウレタン発泡体からなり、
前記熱硬化性ポリウレタン発泡体は、イソシアネート成分、活性水素基含有化合物、水0.09〜0.55重量%、及びシリコン系界面活性剤を含むウレタン組成物の反応硬化体であり、
前記活性水素基含有化合物は、低分子量成分を2〜30重量%含有しており、
前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度であることを特徴とする研磨パッド。
【選択図】 図1

Description

本発明はレンズ、反射ミラー等の光学材料やシリコンウエハ、ハードディスク用のガラス基板、及びアルミ基板等の表面を研磨する際に用いられる研磨パッド(粗研磨用又は仕上げ研磨用)に関する。特に、本発明の研磨パッドは、仕上げ用の研磨パッドとして好適に用いられる。
一般に、シリコンウエハ等の半導体ウエハ、レンズ、及びガラス基板などの鏡面研磨には、平坦度及び面内均一度の調整を主目的とする粗研磨と、表面粗さの改善及びスクラッチの除去を主目的とする仕上げ研磨とがある。
前記仕上げ研磨は、通常、回転可能な定盤の上に軟質な発泡ウレタンよりなるスエード調の人工皮革を貼り付け、その上にアルカリベース水溶液にコロイダルシリカを含有した研磨剤を供給しながら、ウエハを擦りつけることにより行われる(特許文献1)。
仕上げ研磨に用いられる研磨パッドとしては、上記の他に以下のようなものが提案されている。
ポリウレタン樹脂に、発泡剤を利用して厚さ方向に形成させた細長い微細な穴(ナップ)を多数形成したナップ層とナップ層を補強する基布からなるスエード調の仕上げ研磨パッドが提案されている(特許文献2)。
また、スエード調であり、表面粗さが算術平均粗さ(Ra)で5μm以下である仕上げ研磨用研磨布が提案されている(特許文献3)。
また、基材部とこの基材部上に形成される表面層(ナップ層)とを備え、前記表面層に、ポリハロゲン化ビニルまたはハロゲン化ビニル共重合体を含有させた仕上げ研磨用研磨布が提案されている(特許文献4)。
従来の研磨パッドは、いわゆる湿式硬化法により製造されていた。湿式硬化法とは、ウレタン樹脂をジメチルホルムアミドなどの水溶性有機溶媒に溶解させたウレタン樹脂溶液を基材上に塗布し、これを水中で処理し湿式凝固して多孔質銀面層を形成し、水洗乾燥後に該銀面層表面を研削して表面層(ナップ層)を形成する方法である。例えば、特許文献5では、平均径が1〜30μmの略球状の孔を有する仕上げ用研磨布を湿式硬化法により製造している。
しかし、従来の研磨パッドは、気泡が細長い構造であるため又は表面層の材料自体の機械的強度が低いため、耐久性に乏しく、平坦化特性が次第に悪化したり、研磨速度の安定性に劣るという問題があった。
上記問題を解決するために、基材層上に研磨層が設けられている研磨パッドであって、前記研磨層は、平均気泡径35〜300μmの略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体からなることを特徴とする研磨パッドが提案されている(特許文献6)。
さらに、従来の研磨パッドは、気泡内に研磨屑(特に、パッド屑)が詰まりやすいため研磨特性の安定性が悪く、寿命が短いという問題があった。
また、水発泡によるポリウレタンフォームの製造方法として、(a)水を0.01〜0.10重量%含有するポリオールを主成分とする原料組成物と、イソシアネートを主成分とする原料組成物を少なくとも含む二種以上の原料組成物のうち、少なくとも一種の原料組成物中に1〜50容量%の気体を混合または溶解する工程、(b)前記、二種以上の原料組成物をミキシングヘッドに供給する工程、(c)混合された原料組成物をミキシングヘッドから外部に放出する工程を包含することを特徴とするポリウレタンフォームの製造方法が提案されている(特許文献7)。
特開2003−37089号公報 特開2003−100681号公報 特開2004−291155号公報 特開2004−335713号公報 特開2006−75914号公報 特開2008−87148号公報 特開2006−206625号公報
本発明は、耐久性に優れ、研磨特性の安定性及び寿命特性に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す研磨パッドにより上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、基材層上に研磨層が設けられている研磨パッドにおいて、
前記研磨層は、開口を有する略球状の連続気泡を含む熱硬化性ポリウレタン発泡体からなり、
前記熱硬化性ポリウレタン発泡体は、イソシアネート成分、活性水素基含有化合物、水0.09〜0.55重量%、及びシリコン系界面活性剤を含むウレタン組成物の反応硬化体であり、
前記活性水素基含有化合物は、低分子量成分を2〜30重量%含有しており、
前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度であることを特徴とする研磨パッド、に関する。
従来の仕上げ用研磨パッドは、気泡が細長い構造をしているため又は研磨層の材料自体の機械的強度が低いため、研磨層に繰り返し圧力が加わると「へたり」が生じて耐久性に乏しくなると考えられる。一方、上記のように、略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体で研磨層を形成することにより、研磨層の耐久性を向上させることができる。そのため、本発明の研磨パッドを用いた場合には、長期間平坦化特性を高く維持することができ、研磨速度の安定性も向上する。ここで、略球状とは、球状及び楕円球状をいう。楕円球状の気泡とは、長径Lと短径Sの比(L/S)が5以下のものであり、好ましくは3以下、より好ましくは1.5以下である。
また、本発明者らは、発泡剤として水をウレタン組成物中に0.09〜0.55重量%添加することにより、連続気泡が有する開口の平均開口径を40〜90μmに拡大でき、それにより、連続気泡内に研磨屑が堆積にくくなり、研磨速度の安定性及び寿命特性がより向上することを見出した。
また、本発明者らは、活性水素基含有化合物中に低分子量成分を2〜30重量%含有させることにより、無機粒子などの連続気泡化剤を用いることなく、ポリウレタン樹脂を構成する原料によってポリウレタン発泡体を連続気泡化できることを見出した。
研磨層の平均気泡径が100μm未満の場合には、研磨屑(特に、パッド屑)が堆積し、気泡がスラリー保持という役割を十分に果たせなくなり、300μmを超える場合には、研磨層に繰り返し圧力が加わった際に「へたり」が生じやすくなり、耐久性に乏しくなる。
連続気泡が有する開口の平均開口径が40μm未満の場合には、連続気泡内に研磨屑(特に、パッド屑)が堆積しやすくなり、90μmを超える場合には、連続気泡内に入り込んだ研磨屑は排出されやすくなるが、研磨層に繰り返し圧力が加わった際に「へたり」が生じやすくなり、耐久性に乏しくなる。
研磨層のアスカーC硬度が40度未満の場合には、研磨時に連続気泡の開口が潰れやすくなって連続気泡内に研磨屑(特に、パッド屑)が堆積しやすくなり、95度を超える場合には、研磨対象物にスクラッチが発生しやすくなる。
前記活性水素基含有化合物は、水酸基価が50〜200mgKOH/gのポリエチレングリコールを50〜90重量%含み、かつ平均水酸基価が250〜450mgKOH/gであることが好ましい。当該活性水素基含有化合物を用いることにより、研磨層とスラリーとの親和性が高くなり、また研磨層の高硬度化によって研磨時における連続気泡の開口の潰れを抑制できる。それにより、連続気泡内の研磨屑の排出性が向上し、研磨速度の安定性及び寿命特性がより向上する。
ポリエチレングリコールの水酸基価が50mgKOH/g未満の場合には、研磨時に研磨パッドが膨張して研磨特性の安定性が低下しやすくなり、一方、200mgKOH/gを超える場合には、研磨層とスラリーとの親和性が不十分になって研磨速度安定性が向上し難くなる。また、ポリエチレングリコールの含有量が50重量%未満の場合には研磨層とスラリーとの親和性が不十分になって研磨速度安定性が向上し難くなり、一方、90重量%を超える場合には、研磨時に研磨パッドが膨張して研磨特性の安定性が低下しやすくな。また、活性水素基含有化合物の平均水酸基価が250mgKOH/g未満の場合には、架橋による研磨層の高硬度化が不十分になるため研磨時に連続気泡の開口が潰れやすくなり、450mgKOH/gを超える場合には、研磨層の硬度が高くなりすぎて研磨対象物にスクラッチが発生しやすくなる。
研磨層は、比重が0.2〜0.6であることが好ましい。それにより、経時的な研磨層の硬度低下を抑制することができる。
また、研磨層は、基材層に自己接着していることが好ましい。それにより、研磨中に研磨層と基材層とが剥離することを効果的に防止することができる。
また、本発明は、イソシアネート成分、低分子量成分を2〜30重量%含む活性水素基含有化合物、シリコン系界面活性剤、及び水0.09〜0.55重量%を含むウレタン組成物を機械撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製する工程、基材層上に気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、開口を有する略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体を形成する工程、及び熱硬化性ポリウレタン発泡体の厚さを均一に調整して研磨層を形成する工程を含み、
前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度である、研磨パッドの製造方法、に関する。
また、本発明は、イソシアネート成分、低分子量成分を2〜30重量%含む活性水素基含有化合物、シリコン系界面活性剤、及び水0.09〜0.55重量%を含むウレタン組成物を機械撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製する工程、離型シート上に気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、気泡分散ウレタン組成物上に基材層を積層する工程、押圧手段により厚さを均一にしつつ気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、開口を有する略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体を形成する工程、熱硬化性ポリウレタン発泡体下の離型シートを剥離する工程、及び露出した熱硬化性ポリウレタン発泡体表面のスキン層を除去して研磨層を形成する工程を含み、
前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度である、研磨パッドの製造方法、に関する。
本発明の研磨パッドの製造方法においては、前記活性水素基含有化合物は、水酸基価が50〜200mgKOH/gのポリエチレングリコールを50〜90重量%含み、かつ平均水酸基価が250〜450mgKOH/gであることが好ましい。
さらに、本発明は、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法、に関する。
本発明の研磨パッドは、開口を有する略球状の連続気泡を含む熱硬化性ポリウレタン発泡体(以下、ポリウレタン発泡体という)からなる研磨層と、基材層を含む。
ポリウレタン樹脂は耐摩耗性に優れ、原料組成を種々変えることにより所望の物性を有するポリマーを容易に得ることができ、また機械発泡法(メカニカルフロス法を含む)により略球状の微細気泡を容易に形成することができるため研磨層の形成材料として好ましい材料である。
ポリウレタン発泡体は、イソシアネート成分、活性水素基含有化合物(高分子量ポリオール、低分子量成分(鎖延長剤を含む))、水0.09〜0.55重量%、及びシリコン系界面活性剤を含むウレタン組成物の反応硬化体である。なお、ポリウレタン発泡体をプレポリマー法により製造する場合には、イソシアネート末端プレポリマーの原料である高分子量ポリオール(さらに低分子量成分を含んでいてもよい)、及びイソシアネート末端プレポリマーの硬化剤である鎖延長剤が活性水素基含有化合物である。
イソシアネート成分としては、ポリウレタンの分野において公知の化合物を特に限定なく使用できる。例えば、2,4−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、2,2’−ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメリックMDI、カルボジイミド変性MDI(例えば、商品名ミリオネートMTL、日本ポリウレタン工業製)、1,5−ナフタレンジイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、m−フェニレンジイソシアネート、p−キシリレンジイソシアネート、m−キシリレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート、エチレンジイソシアネート、2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、1,6−ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート、1,4−シクロヘキサンジイソシアネート、4,4’−ジシクロへキシルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート等の脂環式ジイソシアネートが挙げられる。これらは1種で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
イソシアネート成分としては、上記ジイソシアネート化合物の他に、3官能以上の多官能ポリイソシアネート化合物も使用可能である。多官能のイソシアネート化合物としては、デスモジュール−N(バイエル社製)や商品名デュラネート(旭化成工業社製)として一連のジイソシアネートアダクト体化合物が市販されている。
上記のイソシアネート成分のうち、4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート又はカルボジイミド変性MDIを用いることが好ましい。
高分子量ポリオールとしては、ポリウレタンの技術分野において、通常用いられるものを挙げることができる。例えば、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエチレングリコール等に代表されるポリエーテルポリオール、ポリブチレンアジペートに代表されるポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカプロラクトンのようなポリエステルグリコールとアルキレンカーボネートとの反応物などで例示されるポリエステルポリカーボネートポリオール、エチレンカーボネートを多価アルコールと反応させ、次いでえられた反応混合物を有機ジカルボン酸と反応させたポリエステルポリカーボネートポリオール、ポリヒドロキシル化合物とアリールカーボネートとのエステル交換反応により得られるポリカーボネートポリオール、ポリマー粒子を分散させたポリエーテルポリオールであるポリマーポリオールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本発明においては、高分子量ポリオールとして水酸基価が50〜200mgKOH/gのポリエチレングリコールを用いることが好ましい。ポリエチレングリコールの水酸基価は、50〜150mgKOH/gであることがより好ましい。
前記ポリエチレングリコールは、活性水素基含有化合物中に50〜90重量%配合することが好ましく、より好ましくは55〜85重量%である。
低分子量成分としては、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,2−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール、3−メチル−1,5−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,4−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、トリメチロールプロパン、グリセリン、1,2,6−ヘキサントリオール、ペンタエリスリトール、テトラメチロールシクロヘキサン、メチルグルコシド、ソルビトール、マンニトール、ズルシトール、スクロース、2,2,6,6−テトラキス(ヒドロキシメチル)シクロヘキサノール、ジエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン、及びトリエタノールアミン等の低分子量ポリオール;エチレンジアミン、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、及びジエチレントリアミン等の低分子量ポリアミン;モノエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、及びモノプロパノールアミン等のアルコールアミンなどが挙げられる。これら低分子量成分は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
これらのうち、水酸基価が400〜1830mgKOH/gの低分子量ポリオール及び/又はアミン価が400〜1870mgKOH/gの低分子量ポリアミンを用いることが好ましい。水酸基価は900〜1500mgKOH/gであることがより好ましく、アミン価は400〜950mgKOH/gであることがより好ましい。水酸基価が400mgKOH/g未満又はアミン価が400mgKOH/g未満の場合には、連続気泡化の向上効果が十分に得られない傾向にある。一方、水酸基価が1830mgKOH/gを超える場合又はアミン価が1870mgKOH/gを超える場合には、ウエハ表面にスクラッチが発生しやすくなる。特に、ジエチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール、及びトリメチロールプロパンからなる群より選択される少なくとも1種を用いることが好ましい。
ポリウレタン発泡体を連続気泡構造にするために、低分子量成分は、活性水素基含有化合物中に合計で2〜30重量%含有させることが必要であり、好ましくは5〜30重量%である。低分子量成分を特定量用いることにより気泡膜が破れやすくなり、連続気泡を形成しやすくなるだけでなく、ポリウレタン発泡体の機械的特性が良好になる。
ポリウレタン発泡体をプレポリマー法により製造する場合において、イソシアネート末端プレポリマーの硬化には鎖延長剤を使用する。鎖延長剤は、少なくとも2個以上の活性水素基を有する有機化合物であり、活性水素基としては、水酸基、第1級もしくは第2級アミノ基、チオール基(SH)等が例示できる。具体的には、4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)(MOCA)、2,6−ジクロロ−p−フェニレンジアミン、4,4’−メチレンビス(2,3−ジクロロアニリン)、3,5−ビス(メチルチオ)−2,4−トルエンジアミン、3,5−ビス(メチルチオ)−2,6−トルエンジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,4−ジアミン、3,5−ジエチルトルエン−2,6−ジアミン、トリメチレングリコール−ジ−p−アミノベンゾエート、1,2−ビス(2−アミノフェニルチオ)エタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、N,N’−ジ−sec−ブチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジエチル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、m−キシリレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、及びp−キシリレンジアミン等に例示されるポリアミン類、あるいは、上述した低分子量成分を挙げることができる。これらは1種で用いても、2種以上を混合しても差し支えない。
活性水素基含有化合物は、平均水酸基価が250〜450mgKOH/gであることが好ましく、より好ましくは270〜430mgKOH/gである。
平均水酸基価(OHVav)は下記式により算出される。
Figure 2010058220
上記式において、nは高分子量ポリオール及び低分子量成分の成分数、aiは水酸基価、ciは添加重量部である。
例えば、使用する活性水素基含有化合物が第1〜第n成分まである場合、第1成分の水酸基価をa1、及び添加重量部をc1とし、・・・、第n成分の水酸基価をan、及び添加重量部をcnとする。
イソシアネート成分及び活性水素基含有化合物の比は、各々の分子量やポリウレタン発泡体の所望物性などにより種々変え得る。所望する特性を有する発泡体を得るためには、活性水素基含有化合物の合計活性水素基(水酸基+アミノ基)数に対するイソシアネート成分のイソシアネート基数は、0.80〜1.20であることが好ましく、より好ましくは0.99〜1.15である。イソシアネート基数が前記範囲外の場合には、硬化不良が生じて要求される比重、硬度、及び圧縮率などが得られない傾向にある。
ポリウレタン発泡体は、溶融法、溶液法など公知のウレタン化技術を応用して製造することができるが、コスト、作業環境などを考慮した場合、溶融法で製造することが好ましい。
ポリウレタン発泡体の製造は、プレポリマー法、ワンショット法のどちらでも可能である。
本発明の研磨層の形成材料であるポリウレタン発泡体は、シリコン系界面活性剤及び水を使用した機械発泡法(メカニカルフロス法を含む)により作製できる。
特に、ポリアルキルシロキサン、又はアルキルシロキサンとポリエーテルアルキルシロキサンとの共重合体であるシリコン系界面活性剤を使用した機械発泡法が好ましい。かかるシリコン系界面活性剤としては、SH−192及びL−5340(東レダウコーニングシリコーン社製)、B8443、B8465(ゴールドシュミット社製)等が好適な化合物として例示される。
シリコン系界面活性剤は、ウレタン組成物中に0.1〜5重量%添加することが好ましく、より好ましくは0.2〜3重量%である。
また、本発明においては、特定の連続気泡構造を持つ研磨層を形成するために、発泡剤として水をウレタン組成物中に0.09〜0.55重量%添加することが必要であり、好ましくは0.1〜0.3重量%添加する。
必要に応じて、酸化防止剤等の安定剤、滑剤、顔料、充填剤、帯電防止剤、その他の添加剤を加えてもよい。
研磨層を構成するポリウレタン発泡体を製造する方法の例について以下に説明する。かかるポリウレタン発泡体の製造方法は、以下の工程を有する。
(1)イソシアネート成分及び高分子量ポリオールなどを反応させてなるイソシアネート末端プレポリマーにシリコン系界面活性剤を添加した第1成分を、非反応性気体の存在下で機械撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。そして、該気泡分散液に鎖延長剤及び水を含む第2成分を添加し、混合して気泡分散ウレタン組成物を調製する。
(2)イソシアネート成分(又はイソシアネート末端プレポリマー)を含む第1成分、及び活性水素基含有化合物を含む第2成分の少なくとも一方にシリコン系界面活性剤及び水を添加し、シリコン系界面活性剤及び水を添加した成分を非反応性気体の存在下で機械攪拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。そして、該気泡分散液に残りの成分を添加し、混合して気泡分散ウレタン組成物を調製する。
(3)イソシアネート成分(又はイソシアネート末端プレポリマー)を含む第1成分、及び活性水素基含有化合物を含む第2成分の少なくとも一方にシリコン系界面活性剤及び水を添加し、前記第1成分及び第2成分を非反応性気体の存在下で機械攪拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散ウレタン組成物を調製する。
また、気泡分散ウレタン組成物は、メカニカルフロス法で調製してもよい。メカニカルフロス法とは、原料成分をミキシングヘッドの混合室内に入れるとともに非反応性気体を混入させ、オークスミキサー等のミキサーで混合撹拌することにより、非反応性気体を微細気泡状態にして原料混合物中に分散させる方法である。メカニカルフロス法は、非反応性気体の混入量を調節することにより、容易にポリウレタン発泡体の密度を調整することができるため好ましい方法である。また、略球状の微細気泡を有するポリウレタン発泡体を連続成形することができるため製造効率がよい。
前記微細気泡を形成するために使用される非反応性気体としては、可燃性でないものが好ましく、具体的には窒素、酸素、炭酸ガス、ヘリウムやアルゴン等の希ガスやこれらの混合気体が例示され、乾燥して水分を除去した空気の使用がコスト的にも最も好ましい。
非反応性気体を微細気泡状にして分散させる撹拌装置としては、公知の撹拌装置を特に限定なく使用可能であり、具体的にはホモジナイザー、ディゾルバー、2軸遊星型ミキサー(プラネタリーミキサー)、メカニカルフロス発泡機などが例示される。撹拌装置の撹拌翼の形状も特に限定されないが、ホイッパー型の撹拌翼の使用にて微細気泡が得られ好ましい。目的とするポリウレタン発泡体を得るためには、撹拌翼の回転数は500〜2000rpmであることが好ましく、より好ましくは800〜1500rpmである。また、撹拌時間は目的とする密度に応じて適宜調整する。
なお、発泡工程において気泡分散液を調製する撹拌と、第1成分と第2成分を混合する撹拌は、異なる撹拌装置を使用することも好ましい態様である。混合工程における撹拌は気泡を形成する撹拌でなくてもよく、大きな気泡を巻き込まない撹拌装置の使用が好ましい。このような撹拌装置としては、遊星型ミキサーが好適である。気泡分散液を調製する発泡工程と各成分を混合する混合工程の撹拌装置を同一の撹拌装置を使用しても支障はなく、必要に応じて撹拌翼の回転速度を調整する等の撹拌条件の調整を行って使用することも好適である。
その後、上記方法で調製した気泡分散ウレタン組成物を基材層上に塗布し、該気泡分散ウレタン組成物を硬化させて、基材層上に直接ポリウレタン発泡体(研磨層)を形成する。
基材層は特に制限されず、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、及びポリ塩化ビニルなどのプラスチックフィルム、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体、ブタジエンゴム、イソプレンゴムなどのゴム性樹脂、感光性樹脂などが挙げられる。これらのうち、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、及びポリ塩化ビニルなどのプラスチックフィルム、ポリウレタンフォーム、ポリエチレンフォームなどの高分子樹脂発泡体を用いることが好ましい。また、基材層として両面テープ、片面粘着テープ(片面の粘着層はプラテンに貼り合わせるためのもの)を用いてもよい。
基材層は、研磨パッドに靭性を付与するためにポリウレタン発泡体と同等の硬さ、もしくはより硬いことが好ましい。また、基材層(両面テープ及び片面粘着テープの場合は基材)の厚さは特に制限されないが、強度、可とう性等の観点から20〜1000μmであることが好ましく、より好ましくは50〜800μmである。
気泡分散ウレタン組成物を基材層上に塗布する方法としては、例えば、グラビア、キス、コンマなどのロールコーター、スロット、ファンテンなどのダイコーター、スクイズコーター、カーテンコーターなどの塗布方法を採用することができるが、基材層上に均一な塗膜を形成できればいかなる方法でもよい。
気泡分散ウレタン組成物を基材層上に塗布して流動しなくなるまで反応したポリウレタン発泡体を加熱し、ポストキュアすることは、ポリウレタン発泡体の物理的特性を向上させる効果があり、極めて好適である。ポストキュアは、30〜80℃で10分〜6時間行うことが好ましく、また常圧で行うと気泡形状が安定するため好ましい。
ポリウレタン発泡体の製造において、第3級アミン系等の公知のポリウレタン反応を促進する触媒を使用してもかまわない。触媒の種類や添加量は、各成分の混合工程後、基材層上に塗布するための流動時間を考慮して選択する。
ポリウレタン発泡体の製造は、各成分を計量して容器に投入し、機械撹拌するバッチ方式であってもよく、また撹拌装置に各成分と非反応性気体を連続して供給して機械撹拌し、気泡分散ウレタン組成物を送り出して成形品を製造する連続生産方式であってもよい。
また、基材層上にポリウレタン発泡体を形成した後又はポリウレタン発泡体を形成するのと同時に、ポリウレタン発泡体の厚さを均一に調整しておくことが好ましい。ポリウレタン発泡体の厚さを均一に調整する方法は特に制限されないが、例えば、研磨材でバフがけする方法、プレス板でプレスする方法などが挙げられる。
また、上記方法で調製した気泡分散ウレタン組成物を基材層上に塗布し、該気泡分散ウレタン組成物上に離型シートを積層する。その後、押圧手段により厚さを均一にしつつ気泡分散ウレタン組成物を硬化させてポリウレタン発泡体を形成してもよい。
一方、上記方法で調製した気泡分散ウレタン組成物を離型シート上に塗布し、該気泡分散ウレタン組成物上に基材層を積層する。その後、押圧手段により厚さを均一にしつつ気泡分散ウレタン組成物を硬化させてポリウレタン発泡体を形成してもよい。
離型シートの形成材料は特に制限されず、一般的な樹脂や紙などを挙げることができる。離型シートは、熱による寸法変化が小さいものが好ましい。なお、離型シートの表面は離型処理が施されていてもよい。
基材層、気泡分散ウレタン組成物(気泡分散ウレタン層)、及び離型シートからなるサンドイッチシートの厚さを均一にする押圧手段は特に制限されないが、例えば、コーターロール、ニップロールなどにより一定厚さに圧縮する方法が挙げられる。圧縮後に発泡体中の気泡が1.2〜2倍程度大きくなることを考慮して、圧縮に際しては、(コーター又はニップのクリアランス)−(基材層及び離型シートの厚み)=(硬化後のポリウレタン発泡体の厚みの50〜85%)とすることが好ましい。
そして、前記サンドイッチシートの厚さを均一にした後に、流動しなくなるまで反応したポリウレタン発泡体を加熱し、ポストキュアして研磨層を形成する。ポストキュアの条件は前記と同様である。
その後、ポリウレタン発泡体の上面側又は下面側の離型シートを剥離して研磨パッドを得る。この場合、ポリウレタン発泡体上にはスキン層が形成されているため、バフがけ等することによりスキン層を除去する。また、上記のように機械発泡法によりポリウレタン発泡体を形成した場合、気泡のバラツキは、ポリウレタン発泡体の上面側よりも下面側の方が小さい。したがって、下面側の離型シートを剥離してポリウレタン発泡体の下面側を研磨表面にした場合には、気泡のバラツキが小さい研磨表面となるため研磨速度の安定性がより向上する。
また、基材層上に直接ポリウレタン発泡体(研磨層)を形成せずに、研磨層を形成した後に両面テープ等を用いて基材層に貼り合わせてもよい。
本発明の研磨パッドの形状は特に制限されず、長さ数m程度の長尺状であってもよく、直径数十cmのラウンド状でもよい。
前記方法で作製された研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μmの連続気泡構造を有する。平均気泡径は140〜250μmであることが好ましく、平均開口径は45〜80μmであることが好ましい。
研磨層の比重は、0.2〜0.6であることが好ましく、より好ましくは0.3〜0.5である。比重が0.2未満の場合には、研磨層の耐久性が低下する傾向にある。また、0.6より大きい場合は、ある一定の弾性率にするために材料を低架橋密度にする必要がある。その場合、永久歪が増大し、耐久性が悪くなる傾向にある。
研磨層の硬度は、アスカーC硬度計にて、40〜95度であることが必要である。
研磨層の表面は、スラリーを保持・更新するための凹凸構造を有していてもよい。発泡体からなる研磨層は、研磨表面に多くの開口を有し、スラリーを保持・更新する働きを持っているが、研磨表面に凹凸構造を形成することにより、スラリーの保持と更新をさらに効率よく行うことができ、また研磨対象物との吸着による研磨対象物の破壊を防ぐことができる。凹凸構造は、スラリーを保持・更新する形状であれば特に限定されるものではなく、例えば、XY格子溝、同心円状溝、貫通孔、貫通していない穴、多角柱、円柱、螺旋状溝、偏心円状溝、放射状溝、及びこれらの溝を組み合わせたものが挙げられる。また、これらの凹凸構造は規則性のあるものが一般的であるが、スラリーの保持・更新性を望ましいものにするため、ある範囲ごとに溝ピッチ、溝幅、溝深さ等を変化させることも可能である。
前記凹凸構造の作製方法は特に限定されるものではないが、例えば、所定サイズのバイトのような治具を用い機械切削する方法、所定の表面形状を有した金型に樹脂を流しこみ、硬化させることにより作製する方法、所定の表面形状を有したプレス板で樹脂をプレスし作製する方法、フォトリソグラフィを用いて作製する方法、印刷手法を用いて作製する方法、炭酸ガスレーザーなどを用いたレーザー光による作製方法などが挙げられる。
研磨層の厚みは特に限定されるものではないが、通常0.2〜2mm程度であり、0.5〜1.5mmであることが好ましい。
本発明の研磨パッドは、プラテンと接着する面に両面テープが設けられていてもよい。
半導体デバイスは、前記研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を経て製造される。半導体ウエハとは、一般にシリコンウエハ上に配線金属及び酸化膜を積層したものである。半導体ウエハの研磨方法、研磨装置は特に制限されず、例えば、図1に示すように研磨パッド1を支持する研磨定盤2と、半導体ウエハ4を支持する支持台(ポリシングヘッド)5とウエハへの均一加圧を行うためのバッキング材と、研磨剤3の供給機構を備えた研磨装置などを用いて行われる。研磨パッド1は、例えば、両面テープで貼り付けることにより、研磨定盤2に装着される。研磨定盤2と支持台5とは、それぞれに支持された研磨パッド1と半導体ウエハ4が対向するように配置され、それぞれに回転軸6、7を備えている。また、支持台5側には、半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付けるための加圧機構が設けてある。研磨に際しては、研磨定盤2と支持台5とを回転させつつ半導体ウエハ4を研磨パッド1に押し付け、スラリーを供給しながら研磨を行う。スラリーの流量、研磨荷重、研磨定盤回転数、及びウエハ回転数は特に制限されず、適宜調整して行う。
これにより半導体ウエハ4の表面の表面粗さが改善され、スクラッチが除去される。その後、ダイシング、ボンディング、パッケージング等することにより半導体デバイスが製造される。半導体デバイスは、演算処理装置やメモリー等に用いられる。また、レンズやハードディスク用のガラス基板も前記と同様の方法で仕上げ研磨することができる。
以下、本発明を実施例を上げて説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
[測定、評価方法]
(平均開口径及び平均気泡径の測定)
作製したポリウレタン発泡体を厚み1mm以下になるべく薄くカミソリ刃で平行に切り出したものをサンプルとした。サンプルをスライドガラス上に固定し、SEM(S−3500N、日立サイエンスシステムズ(株))を用いて100倍で観察した。得られた画像を画像解析ソフト(WinRoof、三谷商事(株))を用いて、任意範囲の全連続気泡の開口径(直径)及び気泡径(直径)を測定し、平均開口径及び平均気泡径を算出した。ただし、楕円状の開口又は気泡の場合は、その面積を円の面積に換算し、円相当径を開口径又は気泡径とした。
(比重の測定)
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものをサンプルとし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
(硬度の測定)
JIS K−7312に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を5cm×5cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものをサンプルとし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、サンプルを重ね合わせ、厚み10mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーC型硬度計、加圧面高さ:3mm)を用い、加圧面を接触させてから60秒後の硬度を測定した。
(研磨速度安定性の評価)
研磨装置としてSPP600S(岡本工作機械社製)を用い、作製した研磨パッドの研磨速度安定性の評価を行った。評価結果を表2に示す。研磨条件は以下の通りである。
ガラス板:6インチφ、厚さ1.1mm(光学ガラス、BK7)
スラリー:セリアスラリー(昭和電工GPL C1010)
スラリー量:100ml/min
研磨加工圧力:10kPa
研磨定盤回転数:55rpm
ガラス板回転数:50rpm
研磨時間:10min/枚
研磨したガラス板枚数:500枚
まず、研磨したガラス板1枚ごとの研磨速度(Å/min)を算出する。算出方法は以下の通りである。
研磨速度=〔研磨前後のガラス板の重量変化量[g]/(ガラス板密度[g/cm]×ガラス板の研磨面積[cm]×研磨時間[min])〕×10
研磨速度安定性(%)は、ガラス板1枚目から処理枚数(100枚、300枚、又は500枚)までにおける最大研磨速度、最小研磨速度、及び全平均研磨速度(1枚目から処理枚数までの各研磨速度の平均値)を求めて、その値を下記式に代入することにより算出する。研磨速度安定性(%)は数値が低いほど、多数のガラス板を研磨しても研磨速度が変化しにくいことを示す。本発明においては、500枚処理した後の研磨速度安定性が15%以内であることが好ましく、より好ましくは10%以内である。
研磨速度安定性(%)={(最大研磨速度−最小研磨速度)/全平均研磨速度}×100
実施例1
容器に、数平均分子量1000のポリエチレングリコール(PEG1000、水酸基価:112mgKOH/g、官能基数2)60重量部、ポリカプロラクトントリオール(ダイセル化学工業社製、PCL305、水酸基価:305mgKOH/g、官能基数3)25重量部、トリメチロールプロパン(TMP、水酸基価:1255mgKOH/g、官能基数3)5重量部、ジエチレングリコール(DEG、水酸基価:1057mgKOH/g、官能基数3)10重量部、水0.5重量部、シリコン系界面活性剤(ゴールドシュミット社製、B8443)1重量部、及び触媒(花王製、No.25)0.14重量部を入れ、混合して第2成分(25℃)を調製した。そして、撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように約4分間激しく撹拌を行った。その後、第1成分であるカルボジイミド変性MDI(日本ポリウレタン工業製、ミリオネートMTL、NCOwt%:29wt%、25℃)97重量部を容器内に加え(NCO/OH=1.1)、約30秒間撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製した。
調製した気泡分散ウレタン組成物を、離型処理した離型シート(東洋紡績製、ポリエチレンテレフタレート、厚さ:0.1mm)上に塗布して気泡分散ウレタン層を形成した。そして、該気泡分散ウレタン層上に基材層(ポリエチレンテレフタレート、厚さ:0.2mm)を被せた。ニップロールにて気泡分散ウレタン層を1.5mmの厚さにし、その後70℃で3時間キュアしてポリウレタン発泡体(連続気泡構造、平均気泡径:157μm、平均開口径:63μm、比重:0.39、C硬度:83度)を形成した。その後、ポリウレタン発泡体下の離型シートを剥離した。次に、バンドソータイプのスライサー(フェッケン社製)を用いてポリウレタン発泡体の表面をスライスして厚さを1.2mmにし、さらにバフ掛けにより厚み精度を調整して厚さ1.0mmの研磨層を形成した。ポリウレタン発泡体は、略球状の連続気泡を有していた。その後、基材層表面にラミ機を使用して両面テープ(ダブルタックテープ、積水化学工業製)を貼りあわせて研磨パッドを作製した。
実施例2〜7及び比較例1〜7
表1記載の配合比を採用した以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。表1中の化合物は以下のとおりである。
・PTMG1000:数平均分子量1000のポリテトラメチレンエーテルグリコール、水酸基価:112mgKOH/g、官能基数2
・PEG600:数平均分子量600のポリエチレングリコール、水酸基価:187mgKOH/g、官能基数2
・PEG2000:数平均分子量2000のポリエチレングリコール、水酸基価:56mgKOH/g、官能基数2
・PCL210:ポリカプロラクトンジオール(ダイセル化学工業社製、水酸基価:112mgKOH/g、官能基数2)
・L5340:シリコン系界面活性剤(東レダウコーニングシリコーン社製)
Figure 2010058220
Figure 2010058220
CMP研磨で使用する研磨装置の一例を示す概略構成図
符号の説明
1:研磨パッド
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:研磨対象物(半導体ウエハ、レンズ、ガラス板)
5:支持台(ポリシングヘッド)
6、7:回転軸

Claims (8)

  1. 基材層上に研磨層が設けられている研磨パッドにおいて、
    前記研磨層は、開口を有する略球状の連続気泡を含む熱硬化性ポリウレタン発泡体からなり、
    前記熱硬化性ポリウレタン発泡体は、イソシアネート成分、活性水素基含有化合物、水0.09〜0.55重量%、及びシリコン系界面活性剤を含むウレタン組成物の反応硬化体であり、
    前記活性水素基含有化合物は、低分子量成分を2〜30重量%含有しており、
    前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度であることを特徴とする研磨パッド。
  2. 前記活性水素基含有化合物は、水酸基価が50〜200mgKOH/gのポリエチレングリコールを50〜90重量%含み、かつ平均水酸基価が250〜450mgKOH/gである請求項1記載の研磨パッド。
  3. 研磨層は、比重が0.2〜0.6である請求項1又は2記載の研磨パッド。
  4. 研磨層は、基材層に自己接着している請求項1〜3のいずれかに記載の研磨パッド。
  5. イソシアネート成分、低分子量成分を2〜30重量%含む活性水素基含有化合物、シリコン系界面活性剤、及び水0.09〜0.55重量%を含むウレタン組成物を機械撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製する工程、基材層上に気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、開口を有する略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体を形成する工程、及び熱硬化性ポリウレタン発泡体の厚さを均一に調整して研磨層を形成する工程を含み、
    前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度である、研磨パッドの製造方法。
  6. イソシアネート成分、低分子量成分を2〜30重量%含む活性水素基含有化合物、シリコン系界面活性剤、及び水0.09〜0.55重量%を含むウレタン組成物を機械撹拌して気泡分散ウレタン組成物を調製する工程、離型シート上に気泡分散ウレタン組成物を塗布する工程、気泡分散ウレタン組成物上に基材層を積層する工程、押圧手段により厚さを均一にしつつ気泡分散ウレタン組成物を硬化させることにより、開口を有する略球状の連続気泡を有する熱硬化性ポリウレタン発泡体を形成する工程、熱硬化性ポリウレタン発泡体下の離型シートを剥離する工程、及び露出した熱硬化性ポリウレタン発泡体表面のスキン層を除去して研磨層を形成する工程を含み、
    前記研磨層は、平均気泡径が100〜300μm、平均開口径が40〜90μm、かつアスカーC硬度が40〜95度である、研磨パッドの製造方法。
  7. 前記活性水素基含有化合物は、水酸基価が50〜200mgKOH/gのポリエチレングリコールを50〜90重量%含み、かつ平均水酸基価が250〜450mgKOH/gである請求項5又は6記載の研磨パッドの製造方法。
  8. 請求項1〜4のいずれかに記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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