JP2010056566A - 半導体装置及び表示機能付きicカード - Google Patents
半導体装置及び表示機能付きicカード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010056566A JP2010056566A JP2009271000A JP2009271000A JP2010056566A JP 2010056566 A JP2010056566 A JP 2010056566A JP 2009271000 A JP2009271000 A JP 2009271000A JP 2009271000 A JP2009271000 A JP 2009271000A JP 2010056566 A JP2010056566 A JP 2010056566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- semiconductor
- conductive film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 555
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 53
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 14
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 68
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 230000006870 function Effects 0.000 description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 2
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/1685—Operation of cells; Circuit arrangements affecting the entire cell
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07701—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier comprising an interface suitable for human interaction
- G06K19/07703—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier comprising an interface suitable for human interaction the interface being visual
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07701—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier comprising an interface suitable for human interaction
- G06K19/07703—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier comprising an interface suitable for human interaction the interface being visual
- G06K19/07707—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier comprising an interface suitable for human interaction the interface being visual the visual interface being a display, e.g. LCD or electronic ink
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1237—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a different composition, shape, layout or thickness of the gate insulator in different devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
- H01L29/78627—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile with a significant overlap between the lightly doped drain and the gate electrode, e.g. GOLDD
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】アンテナとして機能する導電膜と、アンテナとして機能する導電膜に電気的に接続された電源生成回路と、集積回路と表示素子と、を同一基板上に有する半導体装置であって、アンテナで受信した信号から電源生成回路で電力を生成し、電力を用いて集積回路と表示素子を駆動する半導体装置を用いた表示機能付きICカードを提供する。なお、上記半導体装置の電源生成回路、集積回路、表示素子は同一工程で作製される。
【選択図】図1
Description
導体装置に関し、特に表示機能を付加したものに関する。
利便性が享受できるユビキタス社会の実現が近づいている。「ユビキタス」とは「あまね
く存在する」という意味のラテン語で、いつでもどこでもコンピューターの存在を意識せ
ず、コンピューターを利用した情報処理が生活環境の中に自然に溶け込んでいるという意
味に用いられている。
マネーなどが知られている。また、従来バーコードで行われていた商品管理を、無線通信
でデータの送受信を行うICタグで行うRFID(Radio Frequency I
dentification)の普及も進められている。ICタグは単に商品管理に便利
なだけでなく、消費者に有益な情報を提供する手段としても考えられている。
チップに記録されている内容を利用者は直接確認出来ないという不便さがあった。そこで
、ICカードに表示部を設けた、表示機能付き非接触ICカードが考えられている(例え
ば、特許文献1、特許文献2参照)。
回路などを構成するICチップと、情報を表示する表示部とを別々に形成して一枚の基体
に実装しなければならなかった。ICチップと表示部とを接続するには接続端子や配線を
別途設ける必要があり、実装するための工程が増えてしまうという問題があった。また、
ICチップと表示部をつなぐ接続配線により、電磁波で与えられる電力を損失してしまい
、せっかく与えられた電力を有効活用できないという問題があった。
部を構成する素子と比較して厚いICチップを一体に設けて薄いカード状にしても、表面
に凹凸が現れてしまい外観の美観を損ねてしまう問題があった。
き半導体装置を提供することを目的とする。また、そのような半導体装置の生産性の向上
を図ることを目的とする。また、表示機能付き半導体装置の美観を向上させることを目的
とする。
膜に電気的に接続された電源生成回路と、電源生成回路に設けられた定電圧回路及び表示
用電源回路と、定電圧回路から第1の電圧が供給される集積回路と、表示用電源回路から
第2の電圧が供給される表示素子と、電源生成回路を構成する第1の薄膜トランジスタと
、集積回路を構成する第2の薄膜トランジスタと、表示素子を構成する第3の薄膜トラン
ジスタと、第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トランジスタおよび第3の薄膜トランジ
スタを覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に形成された、第1の薄膜トランジスタのソ
ース電極またはドレイン電極と、第2の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電
極および第3の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と、第3の薄膜トラン
ジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に接続された画素電極とを有し、第1の
薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、アンテナとして機能する導電膜に
電気的に接続されている。
導体膜と、第1の半導体膜上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上
に設けられた第1のゲート電極を有し、第2の薄膜トランジスタは、第2の半導体膜と、
第2の半導体膜上に設けられた第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜上に設けられ
た第2のゲート電極を有し、第3の薄膜トランジスタは、第3の半導体膜と、第3の半導
体膜上に設けられた第3のゲート絶縁膜と、第3のゲート絶縁膜上に設けられた第3のゲ
ート電極を有し、第3のゲート絶縁膜は、第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜と
厚さが異なることを特徴としている。また、第1の薄膜トランジスタ、第2の薄膜トラン
ジスタ及び第3の薄膜トランジスタは、同一の基板上に設けられた構成とすることができ
る。基板としては、可撓性を有する基板を用いることができる。
表示部に液晶素子、発光素子又は電気泳動素子を設けた構成とすることができる。
チングして、第1の半導体膜および第2の半導体膜を形成し、第1の半導体膜および第2
の半導体膜を覆うように第1のゲート絶縁膜を形成し、第2の半導体膜上に形成された第
1のゲート絶縁膜を選択的に除去し、第2の半導体膜を選択的にエッチングして第3の半
導体膜を形成し、第1の半導体膜上に形成された第1のゲート絶縁膜および第3の半導体
膜を覆うように第2のゲート絶縁膜を形成し、第1の半導体膜上に第1のゲート絶縁膜お
よび第2のゲート絶縁膜を介して第1のゲート電極を形成し、第3の半導体膜上に第2の
ゲート絶縁膜を介して第2のゲート電極を形成し、第1の半導体膜および第3の半導体膜
に不純物元素を導入してソース領域とドレイン領域とを形成し、第1のゲート電極および
第2のゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に、第1の半導体膜の
ソース領域またはドレイン領域と電気的に接続する第1の導電膜と、第3の半導体膜のソ
ース領域またはドレイン領域と電気的に接続する第2の導電膜を形成し、第2の導電膜と
電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜を形成することを特徴としている
。
択的にエッチングして、第1の半導体膜および第2の半導体膜を形成し、第1の半導体膜
および第2の半導体膜を覆うように第1のゲート絶縁膜を形成し、第2の半導体膜上に形
成された第1のゲート絶縁膜を選択的に除去し、第2の半導体膜を選択的にエッチングし
て第3の半導体膜を形成し、第1の半導体膜上に形成された第1のゲート絶縁膜および第
3の半導体膜を覆うように第2のゲート絶縁膜を形成し、第1の半導体膜上に第1のゲー
ト絶縁膜および第2のゲート絶縁膜を介して第1のゲート電極を形成し、第3の半導体膜
上に第2のゲート絶縁膜を介して第2のゲート電極を形成し、第1の半導体膜および第3
の半導体膜に不純物元素を導入してソース領域とドレイン領域とを形成し、第1のゲート
電極および第2のゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に、第1の
半導体膜のソース領域またはドレイン領域と電気的に接続する第1の導電膜と、第3の半
導体膜のソース領域またはドレイン領域と電気的に接続する第2の導電膜を形成し、第1
の導電膜と電気的に接続するように画素電極を形成し、第2の導電膜と電気的に接続する
ようにアンテナとして機能する導電膜を形成することを特徴としている。
うようにゲート絶縁膜を形成し、半導体膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し
、半導体膜に不純物元素を導入してソース領域とドレイン領域とを形成し、ゲート電極を
覆うように層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜上に、画素電極として機能する第1の導電膜
と半導体膜のソース領域またはドレイン領域と電気的に接続する第2の導電膜を形成し、
第2の導電膜と電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜を形成し、第1の
導電膜と対向するように対向電極を設け、第1の導電膜と対向電極の間にマイクロカプセ
ルを形成することを特徴としている。
子等を同一の基板上に同一工程で作り込んで設けるため、電磁波で与えられる電力の損失
を低減し、与えられた電力を有効活用することが可能となる。また、電源生成回路、集積
回路、表示素子の回路等に含まれる半導体素子等を同一の基板上に同一工程で作り込んで
設けることによって、これらの回路を実装する工程を省き工程の簡略化を図ることができ
る。また、表示素子と集積回路の厚さの違いによる凹凸を低減することができる。
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
本実施の形態では、本発明の表示機能付きの非接触ICカードの一例に関して図面を参照
して説明する。
型の基板1上に、受信機(リーダ/ライタ)から転送される信号を表示する表示部2と、
表示部2を駆動するためのゲートドライバ3およびソースドライバ4と、ゲートドライバ
3とソースドライバ4の動作を制御するためのコントローラ5と、電波を受信するための
アンテナ6と、アンテナで受信した電磁波から直流電圧を生成するための電源生成回路7
と、固有識別番号(UID)を持つ集積回路8を有している。また、本実施の形態で示す
表示機能付きのICカードは、制限なく書き換え可能であることを特徴とする。
イバ4およびコントローラ5を有する表示素子9と電源生成回路7と集積回路8とを構成
するトランジスタやダイオード等の素子を同時に作り込むことを特徴とする。例えば、表
示素子9と電源生成回路7と集積回路8とを薄膜トランジスタ(TFT)等の素子で形成
する場合、表示素子9を構成するTFTと電源生成回路7を構成するTFTと集積回路8
を構成するTFTとを同時に作り込むことで、それぞれの素子により形成される回路を任
意に配置することができる。従って、駆動するために高電圧が必要であるコントローラ5
、ゲートドライバ3、ソースドライバ4等を電源生成回路7に近接して配置することによ
って、電磁波で与えられる電力の損失を最低限に抑えることができる。なぜなら、表示素
子9と電源生成回路7と集積回路8とを別々に貼り合わせ等により設ける場合には、それ
ぞれの回路を接続配線により接続するため電力を損失してしまうからである。
とができる。また、基板1に可撓性を持たせたい場合には、プラスチック基板を用いるこ
とが好ましいが、他にもガラス基板を薄膜化させたものやステンレス等の金属フィルムを
基板として用いることができる。
いれば静止画や動画に限られずどのようなものでもよい。例えば、表示部において、液晶
素子、発光素子、電気泳動素子等を用いて画素を形成することができる。これら表示部2
を含む表示素子9の駆動方法は、アクティブマトリクス型またはパッシブマトリクス型の
どちらを用いてもよい。また、アクティブマトリクス型で設ける場合には、表示部におけ
る複数の画素に薄膜トランジスタや有機TFTを作り込んで形成することができる。
ド、抵抗素子、インダクタ等の薄膜半導体素子を用いて形成される。
適な形状のアンテナを設ける。伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ
波方式等を用いることができる。例えば、伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導
方式(例えば13.56MHz帯)を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導
を利用するため、アンテナとして機能する導電膜を輪状(例えば、ループアンテナ)、ら
せん状(例えば、スパイラルアンテナ)に形成する(図1(A))。一方、半導体装置に
おける信号の伝送方式として、マイクロ波方式(例えば、UHF帯(860〜960MH
z帯)、2.45GHz帯等)を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を
考慮してアンテナとして機能する導電膜の長さ等の形状を適宜設定すればよい(図1(B
))。アンテナとして機能する導電膜として、金、銀、銅、パラジウム、アルミニウム、
クロム、タングステン、チタン、モリブデン、タンタル等の金属、または金属化合物を一
つまたは複数有する導電材料を用いることができる。
ード、抵抗素子、インダクタ等の薄膜半導体素子を用いて形成される。
の表示機能付き半導体装置が有する回路は、電磁波を受信するためのアンテナ6と、送信
された電磁波から、電磁波に乗った高周波信号を検出するための検波容量11と、アンテ
ナ6で受信した電磁波から回路動作用直流電圧を生成する整流回路12と、チップ応答時
に回路動作による電圧降下を抑制するための保持容量13と、集積回路の動作用電源とし
てある一定の電圧を供給するための定電圧回路14と、集積回路動作用信号と表示部分動
作用信号を分離する信号分離回路15と、表示素子9を動作させるための表示用電源回路
16と、集積回路8と、表示素子9とを備え、全て同一基板上に形成される。集積回路8
と表示素子9は、それぞれ定電圧回路14と表示用電源回路16からの直流電圧を受けて
動作する。また、図2に示した構成において、検波容量11、整流回路12、保持容量1
3、定電圧回路14、信号分離回路15、表示用電源回路16は、上記図1に示した電源
生成回路7に設ける構成とすることができる。
ンテナ6で受信する。アンテナ6で受信された電磁波から、検波容量11において電磁波
に含まれる高周波信号を検出する。集積回路8を動作させるための高周波信号が検出され
た場合、信号分離回路15で集積回路8側へ命令信号が送られる。また、表示素子9を動
作させるための高周波信号が検出された場合は、信号分離回路15で表示素子9側へ命令
信号が送られる。
する。生成された直流電圧は定電圧回路14と表示用電源回路16に供給される。集積回
路8へは定電圧回路14で定電圧化された電圧が供給され、表示素子9には表示用電源回
路16から定電圧化されない電圧が供給される。アンテナ6で大きな電磁波エネルギーを
受信した場合、表示素子9には集積回路8に供給される電圧と比較して高い電圧が供給さ
れる。
合には、電波発信源とICカードが近接したときに、整流回路12で集積回路8の動作に
対して過剰な電源電圧が生成される。そのため、通常、集積回路8に過電圧がかからない
ように、定電圧回路14によって、ある一定以上の電圧が集積回路8に供給されないよう
に制御される。
圧回路14への入力電圧を表しており、縦軸は定電圧回路14からの出力を示している。
グラフ中の実線20が定電圧回路14における出力される動作の計算結果である。参考の
ために定電圧回路14に入力される電圧を図中に点線21で示してある。
電圧が印加された場合でもある一定の電圧が出力される。ここで例に挙げた定電圧回路1
4の場合、入力電圧が2.5V以上の場合、約2.5Vの一定電圧が出力されている。
成される。そこで、本発明では、集積回路8には定電圧回路14で定電圧化された、約2
.5Vの電圧を供給し、一方、表示素子9には、定電圧回路14を通さない電圧を供給す
る構成とする。その結果、電源発信源とICカードとが近接した場合に整流回路12にお
いて10V程度の電圧が生成されるが、集積回路8には定電圧回路14を介して一定の電
圧が供給される。従って、表示部2、ゲートドライバ3、ソースドライバ4およびコント
ローラ5等の表示素子9には定電圧回路14を介さずに電圧を供給することによって、集
積回路8に供給される電圧より表示素子9に高電圧を供給することができる。
とを特徴とする。つまり、表示素子を駆動させるためにバッテリーを搭載する必要がない
。従って、表示機能付きの非接触ICカードをより薄く、より小さくできる点で大きな優
位性を有している。
させるのに十分な電力が供給されることによって、表示素子の回路の動作が開始すること
を特徴とする。
電磁波エネルギーを得るときだけ、表示素子が動作して表示部に情報が表示される。従っ
て、他人に見られたくない情報や後に残したくない情報を表示させる場合に、他のデバイ
スに比べて特に優位性が高い。
合、昇圧回路を用いて高電圧を生成してもよい。
ら遠ざけても表示させ続けたい場合、回路に電源保持容量や補助バッテリー等を搭載して
もよい。上記、電源保持容量や補助バッテリーは回路を構成するTFT等の素子を作製す
る際に同時に作り込んでもよいし、別々に形成して一枚の基体に実装してもよい。
れぞれの情報に基づく画像を表示させることができる。また、ICカード保有者の情報を
集積回路に記憶させることで、個々の嗜好に応じた情報を選択的に得ることができる。こ
れは情報量過剰なユビキタス社会において大きなメリットとなる。
介して、集積回路保有者の情報を登録し、その登録情報を基に各ICカードへ固有の画像
や映像の情報を送るシステムを構築してもよい。
電力を有効に使うための手段の一つである。この余剰電力は表示素子の駆動に限られず、
センサーやMEMS(Micro Electro Mechanical Syste
m)の回路を動作させるためにも利用することができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で示した表示機能付き半導体装置の作製方法の一例に
関して図面を参照して説明する。
には、素子として薄膜トランジスタを用いた場合の作製方法に関して説明する。
成する。基板101としてはガラス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミックス基
板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いることができる。
素(SiOxNy)(x>y)(酸化窒化珪素とも言う)、酸素を含む窒化珪素(SiN
xOy)(x>y)(窒化酸化珪素とも言う)等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層
構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。特に、基板からの汚染が懸念され
る場合には、下地絶縁膜を形成するのが好ましい。
0〜300nmの窒化珪素膜、あるいは窒化珪素酸化膜とすると好ましい。後の結晶化工
程で、半導体膜に金属元素を添加して結晶化する方法を用いた場合、金属元素をゲッタリ
ングする必要がある。このときに、下地絶縁膜が酸化珪素膜であると、酸化珪素膜と半導
体膜の珪素膜との界面において、珪素膜中の金属元素と酸化珪素膜中の酸素が反応して酸
化金属物になり、金属元素がゲッタリングされにくくなる場合がある。よって、半導体膜
に接する下地絶縁膜部分は酸化珪素膜ではない層にすることが好ましい。
5(A)参照)。半導体膜の材料はTFTに求められる特性に応じて選択することができ
、シリコン膜、シリコンゲルマニウム膜、炭化シリコン膜のいずれでも良い。本実の形態
では、半導体膜の材料はシリコン膜とする。島状半導体膜103は、絶縁膜102上にス
パッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により半導体膜を全面に形成した後
、フォトリソグラフィ法等により形成されたマスクを用いて半導体膜を形状加工して形成
する。島状半導体膜103を結晶性半導体膜で形成するときは、絶縁膜102上に直接結
晶性半導体膜を形成する方法と、非晶質半導体膜を絶縁膜102上に形成した後に、加熱
処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成する方法がある。後者の方法において、結
晶化の際の加熱処理は、加熱炉、レーザ照射、若しくはレーザ光の代わりにランプから発
する光の照射(以下、ランプアニールと表記する)、又はそれらを組み合わせて用いるこ
とにより行われる。
り結晶性半導体膜を形成してもよい。なお、ニッケルを用いた熱結晶化法を用いて結晶化
を行って結晶性半導体膜を得た場合は、結晶化後にニッケルを除去するゲッタリング処理
を行うことが好ましい。
ntinuous−wave)型のレーザビームやパルス発振型のレーザビーム(パルス
レーザビーム)を用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Ar
レーザ、Krレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フ
ォルステライト(Mg2SiO4、YAlO3、GdVO4)、若しくは多結晶(セラミ
ック)のYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてN
d、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されている
ものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、T
i:サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発
振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基
本波の第2高調波から第4高調波のレーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得る
ことができる。例えば、Nd:YVO4レーザ(基本波1064nm)の第2高調波(5
32nm)や第3高調波(355nm)を用いることができる。このレーザは、CWで射
出することも、パルス発振で射出することも可能である。CWで射出する場合は、レーザ
のパワー密度は0.01〜100MW/cm2程度(好ましくは0.1〜10MW/cm
2)必要である。そして、走査速度を10〜2000cm/sec程度として照射する。
GdVO4、若しくは多結晶(セラミック)のYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3
、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taの
うち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Arイオンレーザ、また
はTi:サファイアレーザは、連続発振をさせることが可能であり、Qスイッチ動作やモ
ード同期などを行うことによって10MHz以上の発振周波数でパルス発振をさせること
も可能である。10MHz以上の発振周波数でレーザビームを発振させると、半導体膜が
レーザによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に照射される。
従って、発振周波数が低いパルスレーザを用いる場合と異なり、半導体膜中において固液
界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的に成長した結晶
粒を得ることができる。
形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数mm、長さ数十mmの円
柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作ること
が可能である。
中でも大きくは変えられないため、濃度を増加させることによるレーザの出力向上にはあ
る程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較して媒質の大きさを
著しく大きくすることができるため大幅な出力向上を図ることができる。
とが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進行
させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で発
振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザビームは
射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに整形
するのに有利である。このように射出されたレーザビームを、光学系を用いて整形するこ
とによって、短辺の長さ1mm以下、長辺の長さ数mm〜数mの線状ビームを容易に得る
ことが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビームは長辺
方向にエネルギー分布の均一なものとなる。
ルすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その両
端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫が必要となる。
導体膜を用いて電子機器を作製すると、その電子機器の特性は、良好かつ均一である。
ンまたはリン)のドーピングを半導体層に対して行う。ここでは、ジボラン(B2H6)
を質量分離しないでプラズマ励起したイオンドープ法を用いる。
る(図5(A)参照)。ゲート絶縁膜104としてはCVD法やスパッタ法により、酸化
珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、窒素を含む酸化珪素(SiOxNy)(x>
y)、酸素を含む窒化珪素(SiNxOy)(x>y)などのいずれかを適宜組み合わせ
て積層構造としてもよい。本実施形態では、ゲート絶縁膜104は、SiNxOy膜及び
SiOxNy膜の積層構造とする。
106を形成する(図5(A)参照)。まず、第1の導電膜105を5〜50nm形成す
る。第1の導電膜105としては、アルミニウム(Al)膜、銅(Cu)膜、アルミニウ
ム又は銅を主成分とする膜、クロム(Cr)膜、タンタル(Ta)膜、窒化タンタル(T
aN)膜、チタン(Ti)膜、タングステン(W)膜、モリブデン(Mo)膜等を用いる
ことができる。その上に第2の導電膜106を150〜500nm形成する。第2の導電
膜106としては、例えば、クロム(Cr)膜、タンタル(Ta)膜、タンタルを主成分
とする膜等を用いることができる。ただし、第1の導電膜105と第2の導電膜106は
互いのエッチングにおいて選択比の取れる組み合わせにしなければならない。選択比の取
れる第1の導電膜と第2の導電膜の組み合わせとして例えば、AlとTa、AlとTi、
TaNとWを用いることができる。本実施の形態では第1の導電膜105をTaN、第2
の導電膜106をWとする。
のレジスト107を形成する(図5(B)参照)。
)。第1のエッチングでは第2の導電膜106をエッチングし、第2の導電膜106から
第1のゲート電極108を形成する。このとき、第1の導電膜105をエッチングしない
ように、第1の導電膜105に対し選択比の高いエッチング条件でエッチングすることが
好ましい。なお、第1のレジスト107もエッチングされ第2のレジスト109になる。
但し、図面上では第1のレジスト107から第2のレジスト109への後退幅を図示して
いない。このとき第1のゲート電極108の側面が有するテーパー角θは80°≦θ≦9
0°であり、ほぼ垂直なテーパー角を有する(図5(C)参照)。
混合比はCl2/SF6/O2=33/33/10sccmである。0.67Paの圧力
でコイル型の電極に2000Wの電力を供給してプラズマを生成する。基板側(試料ステ
ージ)には50Wの電力を投入する。
(図5(D)参照)。第2のエッチングにより、第1の導電膜から第2のゲート電極11
0を形成する。このとき、ゲート絶縁膜104をエッチングしないように、ゲート絶縁膜
104に対し選択比の高いエッチング条件でエッチングすることが好ましい。第2のエッ
チングの条件は、0.67Paの圧力でコイル型の電極に2000Wの電力を供給してプ
ラズマを生成する。基板側(試料ステージ)には50Wの電力を投入する。エッチングガ
スはCl2である。なお、第2のレジスト109もエッチングされ後退し、第3のレジス
ト111になるが、その後退している様子は図示していない。
Paの圧力でコイル型の電極に2000Wの電力を供給してプラズマを生成する。基板側
(試料ステージ)には電力は投入しない。エッチングガスはCl2、SF6、O2の混合
ガスとし、混合比はCl2/SF6/O2=22/22/30sccmである。第3のエ
ッチングでは、第3のレジスト111を後退させる。これと同時に後退する第3のレジス
ト111をマスクとして第1のゲート電極108のゲート長も同様に後退させ、第3のゲ
ート電極112を形成する。なお、後退した第3のレジスト111は第4のレジスト11
3となる。その後、第4のレジスト113を除去する。
エッチング)恐れがある。第3のゲート電極112の側面がエッチングされると、上面や
底面のゲート長よりも中腹部のゲート長が最も短くなり、第3のゲート電極112の断面
が鼓状になる。その場合、第3のゲート電極112上に成膜する膜のカバレッジが悪くな
り、断線が生じやすくなる。また、LDD領域を形成するときのドーピングマスクとして
第3のゲート電極が使われるため、LDD長の制御が難しくなる。このサイドエッチング
は、レジストのエッチングレートに対して第1のゲート電極のエッチングレートが速いた
め起こる現象である。そのため、本実施形態では、試料ステージ温度を−10℃以下の低
温にして、第1のゲート電極のエッチングレートを下げることで、サイドエッチングを抑
えることができる。
ート電極の形状は、エッチング時のレジスト後退幅を利用して形成される。具体的には、
第3のエッチング時における第3のレジスト111から第4のレジスト113への後退幅
が、第3のゲート電極のゲート長と第2のゲート電極のゲート長との差になっている。ま
たは第2及び第3のエッチング時におけるレジスト後退幅を合わせたもの、つまり第2の
レジスト109から第4のレジスト113への後退幅が、第3のゲート電極のゲート長と
第2のゲート電極のゲート長との差になっている。
ゲート長の差(Lov長)を、20〜200nmにすることができ、非常に微細なゲート
電極構造を形成することが可能である。
Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチ
ング法を用いて行うことが出来る。
A)参照)。第2のゲート電極とゲート絶縁膜を透過させて島状の半導体膜103に低濃
度の不純物元素をドーピングし、第2のゲート電極と重なる島状の半導体膜部分に低濃度
不純物領域130、131を形成する。また、同時にゲート絶縁膜のみを通過させ島状半
導体膜の両端部分にも不純物元素をドーピングし、高濃度不純物領域132、133を形
成する。またチャネル形成領域134も形成される。低濃度不純物領域130、131の
元素濃度は1×1016〜1×1020atoms/cm3(好ましくは1×1016〜
5×1018atoms/cm3)とする。ドーピング法としてはイオンドーピング法、
イオン注入法を用いることができる。例えばP型の半導体を作製する際には不純物元素と
して、ボロン(B)、ガリウム(Ga)等を用い、N型の半導体を作製する際にはリン(
P)、砒素(As)等を用いる。
ト電極110も介して行われる。そのため、低濃度不純物領域130、131の不純物元
素の濃度は高濃度不純物領域132、133よりも低い。
もしくは無機材料を用いて形成する。層間絶縁膜135は単層構造でも良いし、積層構造
でも良い。層間絶縁膜135に高濃度不純物領域132、133を露出するためのコンタ
クトホールをエッチングにより形成する。次にコンタクトホールを充填するように導電層
を形成し、エッチングして配線136、137を形成する。
を形成した後に、不純物領域の熱活性化を行っても良い。熱活性はレーザ光照射、RTA
、炉を用いた加熱処理などの方法を用いることができる。
領域及びドレイン領域となる。また、第2のゲート電極110とゲート絶縁膜104を介
して重なる低濃度不純物領域130、131が形成される。
よって、オン電流値の劣化を防止し高い信頼性を実現することができる。また、チャネル
長(チャネル領域におけるソース領域とドレイン領域間の長さ)におけるゲート電極と低
濃度不純物領域とが重なる領域(以下、「重畳領域」とも記す)が20〜200nm、チ
ャネル長が0.1〜1.0μmである微細なTFTを形成できる。したがって、非常に微
細なTFTであっても、そのサイズに適した重畳領域を形成でき、所定のオン電流を得る
ことができる。
構造のTFTを作製したが、ゲート電極と低濃度不純物領域とが重ならない領域を有する
TFTを設けてもよい。
領域138、139を形成することも可能である。この構成をポケット構造と呼ぶ。図7
(A)に示すように、第2のゲート電極110をマスクとして不純物イオン140を斜め
ドープする。斜めドープするのは第1のドーピングの前であっても後であっても良い。ド
ープする不純物イオンの導電型はNチャネル型TFTであればP型の不純物イオンをドー
プし、Pチャネル型TFTであればN型の不純物イオンをドープする。不純物イオン14
0を斜めドープすることで、低濃度の不純物領域138、139を形成する。
なる。ポケット構造を採用すると、より短チャネル効果を抑えることができる。
た半導体装置においても、高信頼性で劣化の少ない半導体装置を実現できる。
る回路にTFTを設ける場合には、画素に設けられるTFTと集積回路に設けられるTF
Tとのゲート絶縁膜を異なる厚さに形成することが好ましい。なぜなら、集積回路は駆動
電圧が小さく、しきい値電圧のばらつきを小さくしたいため、ゲート絶縁膜が薄いTFT
を設けることが好ましく、画素は駆動電圧が大きく、ゲート絶縁膜の強い耐圧性が求めら
れるため、ゲート絶縁膜が厚いTFTを設けることが好ましい。例えば、駆動電圧が小さ
く、しきい値電圧のばらつきを小さくしたい回路に対しては、上記図5〜図7で示したゲ
ート絶縁膜を10〜50nmに形成することが好ましい。一方、駆動電圧が大きく、ゲー
ト絶縁膜の強い耐圧性が求められる回路に対しては、ゲート絶縁膜を40〜200nmに
形成することが好ましい。
参照して説明する。
成する。基板101としてはガラス基板、石英基板、プラスチック基板、セラミックス基
板等の絶縁性基板、金属基板、半導体基板等を用いることができる。
素(SiOxNy)(x>y)(酸化窒化珪素とも言う)、酸素を含む窒化珪素(SiN
xOy)(x>y)(窒化酸化珪素とも言う)等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層
構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。特に、基板からの汚染が懸念され
る場合には、下地絶縁膜を形成するのが好ましい。
0〜300nmの窒化珪素膜、あるいは窒化珪素酸化膜とすると好ましい。後の結晶化工
程で、半導体膜に金属元素を添加して結晶化する方法を用いた場合、金属元素をゲッタリ
ングする必要がある。このときに、下地絶縁膜が酸化珪素膜であると、酸化珪素膜と半導
体膜の珪素膜との界面において、珪素膜中の金属元素と酸化珪素膜中の酸素が反応して酸
化金属物になり、金属元素がゲッタリングされにくくなる場合がある。よって、半導体膜
に接する下地絶縁膜部分は酸化珪素膜ではない層にすることが好ましい。
)参照)。半導体膜の材料はTFTに求められる特性に応じて選択することができ、シリ
コン膜、シリコンゲルマニウム膜、炭化シリコン膜のいずれでも良い。本実施の形態では
、半導体膜の材料はシリコン膜とする。
膜202を形成する。なお、ここでは、ゲート絶縁膜の強い耐圧性が求められる回路に使
用する半導体膜を島状にエッチングして半導体膜201を複数形成する(図8(B)参照
)。
10〜200nm形成する(図8(C)参照)。ゲート絶縁膜203としてはCVD法や
スパッタ法により、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、窒素を含む酸化珪素
(SiOxNy)(x>y)、酸素を含む窒化珪素(SiNxOy)(x>y)などのい
ずれかを適宜組み合わせて積層構造としてもよい。本実施形態では、ゲート絶縁膜203
は、SiNxOy膜及びSiOxNy膜の積層構造とし、50〜100nm成膜した。
体膜201を覆っているゲート絶縁膜203をマスクで覆い、半導体膜202上に形成さ
れたゲート絶縁膜203を選択的に除去することにより、ゲート絶縁膜204とする(図
9(A)参照)。ゲート絶縁膜203のエッチングは、純水で1/100に希釈したフッ
酸を用いたウェットエッチングで行う。これは、ドライエッチングによる半導体膜202
へのプラズマダメージやエッチング生成物などの影響を少なくするためである。
位置する下地膜205の一部がエッチングされる。この状態で半導体膜202を覆うよう
にゲート絶縁膜を形成すると、ゲート絶縁膜を半導体膜202の周りに均一に形成するこ
とができない。これはTFT特性のばらつき増大やリーク電流の増加につながる。
つきを小さくしたい回路に使用する半導体膜206を形成する。ここで、島状半導体膜2
06は、ウェットエッチングで下地膜205のエッチングされた部分よりも内側に形成さ
れる(図9(B)参照)。
膜207を10〜200nm形成する(図9(C)参照)。ゲート絶縁膜207としては
CVD法やスパッタ法により、酸化珪素(SiOx)、窒化珪素(SiNx)、窒素を含
む酸化珪素(SiOxNy)(x>y)、酸素を含む窒化珪素(SiNxOy)(x>y
)などのいずれかを適宜組み合わせて積層構造としてもよい。本実施形態では、ゲート絶
縁膜207は、SiNxOy膜及びSiOxNy膜の積層構造とし、5〜50nm成膜し
た。
本実施の形態では、膜厚の厚いゲート絶縁膜208は合計55〜150nmの、膜厚の薄
いゲート絶縁膜209は5〜50nmで形成する。
(実施の形態3)
本実施の形態では、表示機能付き半導体装置の作製方法に関して図面を参照して説明する
。
ば非晶質珪素を含む膜)を形成する(図10(A)参照)。なお、絶縁膜702および非
晶質半導体膜703は、連続して形成することができる。
したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いるとよい
。このような基板701であれば、その面積や形状に大きな制限はないため、基板701
として、例えば、1辺が1メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格
段に向上させることができる。このような利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比
較すると、大きな優位点である。
化物を含む膜を、単層又は積層で形成する。下地となる絶縁膜が2層構造の場合、例えば
、1層目として窒化酸化珪素膜を形成し、2層目として酸化窒化珪素膜を形成するとよい
。下地となる絶縁膜が3層構造の場合、1層目の絶縁膜として酸化珪素膜を形成し、2層
目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を形成し、3層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成
するとよい。または、1層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成し、2層目の絶縁膜と
して窒化酸化珪素膜を形成し、3層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を形成するとよい。
下地となる絶縁膜は、基板701からの不純物の侵入を防止するブロッキング膜として機
能する。
0nm(好ましくは30〜150nm)の厚さで形成する。
アニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法、結晶化
を助長する金属元素を用いる熱結晶化法とレーザ結晶化法を組み合わせた方法等)により
結晶化して、結晶質半導体膜を形成する。その後、半導体膜703を選択的にエッチング
することによって、半導体膜704a〜704dを形成する。なお、ここでは、上記図8
、図9に示した方法を用いて、駆動電圧が小さくしきい値電圧のばらつきを小さくしたい
回路では、ゲート絶縁膜を薄く形成し、駆動電圧が大きくゲート絶縁膜の強い耐圧性が求
められる回路では、ゲート絶縁膜を厚く形成する。具体的に本実施の形態では、電源生成
回路の薄膜トランジスタを構成する半導体膜704a、集積回路の薄膜トランジスタを構
成する半導体膜704b、704c上にゲート絶縁膜705bを形成し、表示部の画素の
薄膜トランジスタを構成する半導体膜704d上にゲート絶縁膜705aと705bの積
層構造とする(図10(B))。
、プラズマCVD法を用いて、膜厚50〜60nmの非晶質半導体膜を形成する。次に、
結晶化を助長する金属元素であるニッケルを含む溶液を非晶質半導体膜上に保持させた後
、非晶質半導体膜に脱水素化の処理(500℃、1時間)と、熱結晶化の処理(550℃
、4時間)を行って結晶質半導体膜を形成する。その後、必要に応じてレーザ光を照射し
、フォトリソグラフィ法を用いることよって結晶質半導体膜704a〜704dを形成す
る。
ザビーム)やパルス発振型のレーザビーム(パルスレーザビーム)を用いることができる
。ここで用いることができるレーザビームは、Arレーザ、Krレーザ、エキシマレーザ
などの気体レーザ、単結晶のYAG、YVO4、フォルステライト(Mg2SiO4)、
YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶(セラミック)のYAG、Y2O3、YVO4
、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、
Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレー
ザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ti:サファイアレーザ、銅蒸気レーザ
または金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。
このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第2高調波から第4高調波のレ
ーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Nd:YVO
4レーザ(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3高調波(355nm
)を用いることができる。このときレーザのパワー密度は0.01〜100MW/cm2
程度(好ましくは0.1〜10MW/cm2)が必要である。そして、走査速度を10〜
2000cm/sec程度として照射する。なお、単結晶のYAG、YVO4、フォルス
テライト(Mg2SiO4)、YAlO3、GdVO4、若しくは多結晶(セラミック)
のYAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4に、ドーパントとしてNd、Y
b、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Taのうち1種または複数種添加されているものを
媒質とするレーザ、Arイオンレーザ、またはTi:サファイアレーザは、連続発振をさ
せることが可能であり、Qスイッチ動作やモード同期などを行うことによって10MHz
以上の発振周波数でパルス発振をさせることも可能である。10MHz以上の発振周波数
でレーザビームを発振させると、半導体膜がレーザによって溶融してから固化するまでの
間に、次のパルスが半導体膜に照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザを用
いる場合と異なり、半導体膜中において固液界面を連続的に移動させることができるため
、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。
間の結晶化が可能となるうえ、結晶の方向が揃うという利点がある一方、金属元素が結晶
質半導体膜に残存するためにオフ電流が上昇し、特性が安定しないという欠点がある。そ
こで、結晶質半導体膜上に、ゲッタリングサイトとして機能する非晶質半導体膜を形成す
るとよい。ゲッタリングサイトとなる非晶質半導体膜には、リンやアルゴンの不純物元素
を含有させる必要があるため、好適には、アルゴンを高濃度に含有させることが可能なス
パッタ法で形成するとよい。その後、加熱処理(RTA法やファーネスアニール炉を用い
た熱アニール等)を行って、非晶質半導体膜中に金属元素を拡散させ、続いて、当該金属
元素を含む非晶質半導体膜を除去する。そうすると、結晶質半導体膜中の金属元素の含有
量を低減又は除去することができる。
iOx)、窒化珪素(SiNx)、窒素を含む酸化珪素(SiOxNy)(x>y)、酸
素を含む窒化珪素(SiNxOy)(x>y)などのいずれかを適宜組み合わせて積層構
造としてもよい。本実施形態では、ゲート絶縁膜705a、705bをそれぞれ、SiN
xOy膜及びSiOxNy膜の積層構造として形成する。
ザビームを照射しながら一方向に走査して結晶化させて得られた半導体膜704a〜70
4dは、そのビームの走査方向に結晶が成長する特性がある。その走査方向をチャネル長
方向(チャネルが形成されたときにキャリアが流れる方向)に合わせてトランジスタを配
置し、上記ゲート絶縁層を組み合わせることで、特性ばらつきが小さく、しかも電界効果
移動度が高い薄膜トランジスタ(TFT)を得ることができる。
ここでは、第1の導電膜は、プラズマCVD法やスパッタ法等により、20〜100nm
の厚さで形成する。第2の導電膜は、100〜400nmの厚さで形成する。第1の導電
膜と第2の導電膜は、タンタル(Ta)、タングステン(W)、チタン(Ti)、モリブ
デン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、クロム(Cr)、ニオブ(Nb)等
から選択された元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成
する。または、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料
により形成する。第1の導電膜と第2の導電膜の組み合わせの例を挙げると、窒化タンタ
ル膜とタングステン膜、窒化タングステン膜とタングステン膜、窒化モリブデン膜とモリ
ブデン膜等が挙げられる。タングステンや窒化タンタルは、耐熱性が高いため、第1の導
電膜と第2の導電膜を形成した後に、熱活性化を目的とした加熱処理を行うことができる
。また、2層構造ではなく、3層構造の場合は、モリブデン膜とアルミニウム膜とモリブ
デン膜の積層構造を採用するとよい。
ト電極706a、706bを形成し、その後、半導体膜704a〜704dに選択的に不
純物元素を導入することによって、ソース領域、ドレイン領域およびLDD領域を形成す
る。その結果、半導体膜704a〜704dを含む薄膜トランジスタ720a〜720d
が得られる(図10(C))。ここでは、半導体膜704a、704c、704dにN型
を示す不純物元素を導入し、半導体膜704bにP型を示す不純物元素を導入しているた
め、薄膜トランジスタ720a、720c、720dは、N型のTFTとなり、薄膜トラ
ンジスタ720bはP型のTFTとなる。
を単層または積層して形成する。ここでは、絶縁膜707と絶縁膜708を積層して形成
している(図10(D))。絶縁膜707、708は、CVD法、スパッタ法、SOG法
、液滴吐出法、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、
ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロ
キサン材料等により、単層または積層で形成する。例えば、ここでは、1層目の絶縁膜7
07として窒化酸化珪素膜で形成し、2層目の絶縁膜708として酸化窒化珪素膜で形成
することができる。
たは複数の薄膜を形成した後に、半導体膜の結晶性の回復や半導体膜に添加された不純物
元素の活性化、半導体膜の水素化を目的とした加熱処理を行うとよい。加熱処理には、熱
アニール、レーザアニール法またはRTA法などを適用するとよい。
704a〜704dのソース領域、ドレイン領域を露出させるコンタクトホールを形成す
る。そして、コンタクトホールを充填するように、導電膜を形成し、当該導電膜を選択的
にエッチングして半導体膜704a〜704dのソース電極又はドレイン電極として機能
する導電膜709を形成する。なお、導電膜を形成する前に、コンタクトホールにおいて
露出した半導体膜704a〜704dの表面にシリサイドを形成してもよい。
ステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(N
i)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジ
ウム(Nd)、炭素(C)、シリコン(Si)から選択された元素、又はこれらの元素を
主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを
主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又
は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材
料に相当する。導電膜709は、例えば、バリア膜とアルミニウムシリコン(Al−Si
)膜とバリア膜の積層構造、バリア膜とアルミニウムシリコン(Al−Si)膜と窒化チ
タン(TiN)膜とバリア膜の積層構造を採用するとよい。なお、バリア膜とは、チタン
、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アル
ミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電膜709を形成
する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやア
ルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素
であるチタンからなるバリア膜を形成すると、結晶質半導体膜上に薄い自然酸化膜ができ
ていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体膜と良好なコンタクトをとるこ
とができる。
エッチングしてコンタクトホールを形成した後、導電膜709と電気的に接続するように
導電膜711a、711bを選択的に形成する(図11(A)参照)。導電膜711aは
薄膜トランジスタ720aのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続し、導電膜7
11bは薄膜トランジスタ720dのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続され
ている。また、導電膜711aと導電膜711bは同じ材料で同時に形成してもよいし、
別途形成してもよい。導電膜711a、711bは、上記導電膜709の形成で説明した
材料のうちいずれかを用いて形成することができる。また、絶縁膜710は、CVD法、
スパッタ法、SOG法、液滴吐出法またはスクリーン印刷法等を用いて、無機材料又は有
機材料により、単層又は積層で形成する。また、絶縁膜710は、好適には、0.75μ
m〜3μmの厚さで形成する。絶縁膜710は、上記絶縁膜707、708の形成で説明
した材料のうちいずれかを用いて形成することができる。
2は、CVD法、スパッタ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法等を用いて、導電性材料に
より形成する(図11(B)参照)。好ましくは、導電膜712は、アルミニウム(Al
)、チタン(Ti)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)から選択された元素、又はこ
れらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。こ
こでは、スクリーン印刷法により、銀を含むペーストを導電膜712上に形成し、その後
、50〜350度の加熱処理を行って導電膜712とする。また、導電膜711a上に導
電膜712を形成した後に、電気的な接続を向上させるために導電膜711aおよび導電
膜712の重なっている領域にレーザ光の照射を行ってもよい。
導電膜713として、インジウム錫酸化物膜(ITO膜)、珪素を含有したインジウム錫
酸化物膜、または酸化インジウムに2〜20wt%の酸化亜鉛(ZnO)を混合したター
ゲットを用いてスパッタ法により形成した透明導電膜を用いることができる。また、他に
も、表示部を反射型で設ける場合または自発光型の表示素子を設ける場合には、アルミニ
ウム(Al)、タングステン(W)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)
、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)等から選択された元素、又はこれらの元素を主成
分とする合金材料若しくは化合物材料の単層または積層を用いることができる。積層構造
としては、例えば、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との3
層構造を用いることができる。積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオー
ミックコンタクトがとれるため好ましい。特に表示機能付き非接触ICカードのように、
バックライト等の光源を設けることが困難な場合には、表示部に自発光型の発光素子また
は電気泳動素子を用いることが好ましく、上記導電膜713は、アルミニウム、チタン、
銀、タングステン等の金属を用いるとよい。
には、導電膜713を設けずに導電膜711bを画素電極として機能させることも可能で
ある。さらに、この場合、導電膜711aと導電膜711bを同一の材料で同時に形成す
ることにより工程の簡略化を図ることができる。
によって工程を簡略化することができる。なお、図11において、絶縁膜710を設けず
に、薄膜トランジスタ720aのソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜7
09と電気的に接続するように当該導電膜709と同一の層(ここでは、絶縁膜708)
上に導電膜712を形成し、薄膜トランジスタ720dのソース電極またはドレイン電極
として機能する導電膜709と電気的に接続するように導電膜713を絶縁膜708上に
形成してもよい。絶縁膜710を設けない場合には、作製工程の簡略化を図ることができ
る。また、アンテナとして機能する導電膜712と画素電極として機能する導電膜713
をより自由に配置したい場合には、絶縁膜710を設けることが好ましい。上述したよう
に、導電膜713を設けずに、薄膜トランジスタ720dのソース電極またはドレイン電
極として機能する導電膜709を画素電極として設けてもよい。
て機能する導電膜713と対向電極として機能する導電膜との間に液晶材料を設ける。
21bに導電膜712を覆うように絶縁膜714が形成され、表示部が設けられる領域7
21cにスペーサーが設けられる。スペーサーは、絶縁膜714と同じ材料を用いて同時
に形成してもよい。そして、導電膜713上に配向膜を形成した後、液晶材料715を表
示部が設けられる領域721cに滴下し、対向電極として機能する導電膜716が設けら
れた対向基板717を貼り合わせて圧着する(図11(C)参照)。対向基板717は、
透明導電膜からなる対向電極と、ラビング処理が施された配向膜が形成されている。なお
、これらに加えて、カラーフィルタ等が形成されていてもよい。また、偏光板を対向基板
717の導電膜716が形成されている面の反対側の面に貼り合わせておく。対向基板7
17としては、ガラス基板、石英基板またはプラスチック等の透光性を有する基板を用い
ることができる。
これに限られない。例えば、液晶素子に代えて、発光素子や電気泳動素子を設けてもよい
。電気泳動素子を設けた構成を図12に示す。
子とを封入した直径10μm〜200μm程度のマイクロカプセル732を用いる構成と
することができる(図12参照)。当該マイクロカプセル732は、導電膜731と導電
膜733によって、電場が与えられると、白い微粒子と黒い微粒子が互いに逆の方向にそ
れぞれ移動し、白または黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気
泳動素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれている。電気泳動素子は、液晶素子に比
べて反射率が高いため、補助ライトは不要であり、また消費電力が小さく、薄暗い場所で
も表示部を認識することが可能である。また、表示部に電源が供給されない場合であって
も、一度表示した像を保持することが可能であるため、電波発信源から表示機能付き半導
体装置を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくことが可能となる。
気的に接続するように作り込んで形成した例を示したが、別途アンテナとして機能する導
電膜が形成された基板を貼り合わせることによって設けてもよい。例えば、図17(A)
に示すように、導電膜711a上にバンプとして機能する導電膜736を設け、当該導電
膜736とアンテナとして機能する導電膜737とが電気的に接続されるように貼り合わ
せる。なお、アンテナとして機能する導電膜737は、あらかじめ基板738上に設けら
れている。基板738としては、ガラス基板、石英基板またはプラスチック等の可撓性を
有する基板を用いることができる。
27中に含まれた導電性粒子728によって電気的に接続されている。
717に設けた後に、貼り合わせてもよい。この場合、対向基板717にアンテナとして
機能する導電膜737と対向電極として機能する導電膜716が設けられているが、同時
に同一の材料で設けることも可能である。
から剥離してプラスチック等の可撓性を有する基板上に設けてもよい。この場合の作製方
法を図15、図16を用いて説明する。
導体膜703を形成する(図15(A))。そして、上記図10(B)〜図11(C)で
示したように薄膜トランジスタ、アンテナとして機能する導電膜および表示領域を形成す
る(図15(B))。
属膜としては、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(
Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)
、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミ
ウム(Os)、イリジウム(Ir)から選択された元素またはこれらの元素を主成分とす
る合金材料若しくは化合物材料からなる膜を単層又は積層して形成する。
を照射することによって薄膜トランジスタ等の素子が形成された領域を避けて開口部を形
成後、物理的な力を用いて基板701を剥離することができる。また、形成した開口部に
エッチング剤を導入して、剥離層724を除去した後に剥離を行ってもよい。エッチング
剤を用いる場合には、エッチング剤としてフッ化ハロゲンまたはハロゲン間化合物を含む
気体又は液体を使用する。例えば、フッ化ハロゲンを含む気体として三フッ化塩素(Cl
F3)を使用することができる。なお、エッチング剤を用いる場合には、剥離層724は
、全て除去せず一部分を残存させてもよい。こうすることによって、エッチング剤の消費
量を抑え剥離層の除去に要する処理時間を短縮することが可能となる。また、剥離された
基板701は、コストの削減のために、再利用することが好ましい。
図16)。このように剥離法を用いることで、可撓性を有する基板上に薄膜トランジスタ
等の素子を設けることが可能となる。また、上述したように集積回路と表示部に設けられ
る素子を同時に設けることによって、厚さの違いにより生じる表面の凹凸を低減すること
ができる。
止フィルムと記す)を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な
材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム
等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材
料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであ
ってもよい。帯電防止フィルムを用いることによって、商品として取り扱う際に、外部か
らの静電気等によって薄膜トランジスタ等の半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制するこ
とができる。
り、上記実施の形態で示した材料や形成方法は、本実施の形態でも組み合わせて利用する
ことができるし、本実施の形態で示した材料や形成方法も上記実施の形態でも組み合わせ
て利用することができる。
以下に、本発明の表示機能付きであって無線で認証可能な半導体装置の応用例を図面に基
づいて説明する。具体的には、電波発信源システムの一例について図13を参照して説明
する。
インサーバー501と、半導体装置が有する集積回路の情報を供給する店舗サーバー50
2と、ICカード507〜509に情報を送信するリーダ/ライター503〜505(以
下、「R/W」と書く)と、固有情報の登録や変更をするためのWebサーバー506と
で構築される。
2は、店舗やセキュリティー管理会社等に設けられており、R/W503〜505と半導
体装置が有する集積回路の情報の送受信を行う。R/W503〜505は、各店舗内やセ
キュリティーを必要とするチェックポイントに設置されており、設定に応じた情報を電磁
波を介してICカード507〜509に送信する。また、Webサーバー506は、イン
ターネット等を経由してメインサーバー501に固有情報の登録や変更を行う。
とができ、固有情報を登録、変更することができる。この時、情報の漏洩を抑制するため
にID番号やパスワードを入力する方式をとってもよい。
5にICカード507〜509をかざすと、ICカード507〜509は、当該ICカー
ド507〜509に設けられた集積回路の固有識別番号をR/W503〜505に送る。
集積回路の固有識別番号を確認したR/W503〜505は店舗サーバー502の設定に
よって、メインサーバー501に格納された各々の集積回路保有者の固有情報、またはそ
の一部を読み出す。そして、R/W503〜505はその固有情報をもとにICカード5
07〜509に店舗サーバー502の設定に基づいた画像情報を送信する。
動作させるための電力を生成する(A)。この時、R/Wは集積回路の固有識別番号を確
認するための命令信号も同時に発信する。その電力を受けて集積回路の回路が動作する(
B)。
て、集積回路固有の固有識別番号を返信する(C)。ICカードから返信された固有識別
番号がメインサーバーに未登録であった場合、R/WはICカードに、例えば『登録情報
なし』、などのエラーメッセージを送信する(D)。
致した場合、メインサーバーから店舗サーバーへ、R/Wで認識された固有識別番号の固
有情報、もしくはその一部が店舗サーバーへ送られる(E)。
ってもよい(F)。このID番号は集積回路の固有識別番号である必要はなく、固有情報
を登録する際に任意に決定したものでもよい。パスワードについても、上記と同様に固有
情報を登録する際に任意に決定することができる。
紋認証、声音認証、など個々を判断するためのあらゆる認識方法を利用することができる
。ID番号とパスワード、もしくはそれらのいずれかが登録された固有情報と異なる場合
、R/WはICカードに、例えば『ID番号、パスワードが違います』、などのエラーメ
ッセージを送信する(G)。ID番号とパスワードがともに一致した場合、メインサーバ
ーから店舗サーバーに送信された固有情報、もしくはその一部が店舗に設置されたR/W
へ送られる(H)。
い。その場合は、固有識別番号と個人情報の確認(E)が完了した後、続いて店舗内の各
R/Wへ必要な情報を送信(H)を行ってもよい。
る(I)。ICカードはR/Wから送られた画像・映像信号を解析し、視覚情報として使
用者に伝達する(K)。表示する情報を更に絞り込むために、メニュー画面を表示して、
使用者の嗜好に合わせて入手する情報を選択する方式を用いてもよい(J)。
にリセットがかかり、一連のシステムが終了する(M)。もちろん、回路内やICカード
に搭載された電源保持容量や補助バッテリー等を使用して、表示された視覚情報を保持す
ることもできる。
をスーパーに買いに行くとき、予めインターネットを通じて夕食のメニューを登録してお
く。この時、特に材料やその分量を登録しなくてもよく、各店舗がそのメニューに必要な
情報を顧客に提供するシステムを採用することが望ましい。
ーに必要な食材、分量が表示される。このシステムによって消費者の無駄な買い物を減ら
すだけでなく、店舗としても、顧客の嗜好を知ることができるため、効率のよい物資調達
、商品選定が可能である。
店舗でポイントカードの導入がなされている。しかし、店舗によって異なるポイントカー
ドを採用しており、それら全てを持ち歩くのは消費者にとって負担となる。本発明を利用
した場合、各ICカードの持つポイント情報は、店舗サーバーやメインサーバーで管理さ
れるため、各店舗に設置されたR/WによってICカードの固有識別番号を確認し、その
時点におけるポイント数などを表示する。従って、複数の店舗において、統一したポイン
トカードを利用することができる。
のRFID搭載の乗車券では表示画面がついていなかったため、残金確認をするために専
用のR/Wで確認をするという手間があった。表示機能付き無線で認証可能な半導体装置
であれば、ポイントを通過するたびに、残金をICカードに表示させることが可能となる
。また、あらかじめ目的地を設定しておくことによって、ICカードの表示部に目的地ま
での経路を表示させてもよい。
2 表示部
3 ゲートドライバ
4 ソースドライバ
5 コントローラ
6 アンテナ
7 電源生成回路
8 集積回路
9 表示素子
11 検波容量
12 整流回路
13 保持容量
14 定電圧回路
15 信号分離回路
16 表示用電源回路
19a システム
19b アンテナ
20 実線
21 点線
101 基板
102 絶縁膜
103 半導体膜
104 ゲート絶縁膜
105 第1の導電膜
106 第2の導電膜
107 レジスト
108 第1のゲート電極
109 レジスト
110 第2のゲート電極
111 レジスト
112 第3のゲート電極
113 レジスト
120 低濃度の不純物イオン
130 低濃度不純物領域
131 低濃度不純物領域
132 高濃度不純物領域
133 高濃度不純物領域
134 チャネル形成領域
135 層間絶縁膜
136 配線
137 配線
138 不純物領域
139 不純物領域
140 不純物イオン
200 半導体膜
201 半導体膜
202 半導体膜
203 ゲート絶縁膜
204 ゲート絶縁膜
205 下地膜
206 半導体膜
207 ゲート絶縁膜
208 ゲート絶縁膜
209 ゲート絶縁膜
501 メインサーバー
502 店舗サーバー
503 R/W
504 R/W
505 R/W
506 Webサーバー
507 ICカード
508 ICカード
509 ICカード
510 個人用PC
701 基板
702 絶縁膜
703 半導体膜
704a 半導体膜
704b 半導体膜
704c 半導体膜
704d 半導体膜
705a ゲート絶縁膜
705b ゲート絶縁膜
706a ゲート電極
706b ゲート電極
707 絶縁膜
708 絶縁膜
709 導電膜
710 絶縁膜
711a 導電膜
711b 導電膜
712 導電膜
713 導電膜
714 絶縁膜
715 液晶材料
716 導電膜
717 対向基板
720a 薄膜トランジスタ
720b 薄膜トランジスタ
720c 薄膜トランジスタ
720d 薄膜トランジスタ
721a 電源生成回路が設けられる領域
721b 集積回路が設けられる領域
721c 表示部が設けられる領域
724 剥離層
726 基板
728 導電性粒子
731 導電膜
733 導電膜
732 マイクロカプセル
736 導電膜
737 導電膜
738 基板
Claims (7)
- アンテナとして機能する導電膜と、
前記アンテナとして機能する導電膜に電気的に接続された電源生成回路と、
集積回路と、
表示素子と、
を同一基板上に有する半導体装置であって、
前記アンテナで受信した信号から前記電源生成回路で電力を生成し、
前記電力を用いて前記集積回路と前記表示素子を駆動することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記電源生成回路は第1の薄膜トランジスタを有し、
前記集積回路は第2の薄膜トランジスタを有し、
前記表示素子は第3の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、前記第1の薄膜トランジスタと前記第2の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は前記第3のゲート絶縁膜よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記表示素子は、電気泳動素子が設けられた表示部を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記表示素子は、発光素子が設けられた表示部を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記表示素子は、液晶表示素子が設けられた表示部を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記半導体装置を用いた表示機能付きICカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009271000A JP5153755B2 (ja) | 2005-12-27 | 2009-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005376697 | 2005-12-27 | ||
JP2005376697 | 2005-12-27 | ||
JP2009271000A JP5153755B2 (ja) | 2005-12-27 | 2009-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006345314A Division JP4912858B2 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-22 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010056566A true JP2010056566A (ja) | 2010-03-11 |
JP5153755B2 JP5153755B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=38228203
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006345314A Expired - Fee Related JP4912858B2 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-22 | 半導体装置の作製方法 |
JP2009271000A Expired - Fee Related JP5153755B2 (ja) | 2005-12-27 | 2009-11-30 | 半導体装置の作製方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006345314A Expired - Fee Related JP4912858B2 (ja) | 2005-12-27 | 2006-12-22 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8476632B2 (ja) |
EP (1) | EP1966740B1 (ja) |
JP (2) | JP4912858B2 (ja) |
KR (1) | KR101233639B1 (ja) |
WO (1) | WO2007077850A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004042187B4 (de) * | 2004-08-31 | 2021-09-09 | Infineon Technologies Ag | Chipkartenmodul für eine kontaklose Chipkarte mit Sicherheitsmarkierung |
WO2007077850A1 (en) | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2007105606A1 (en) | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7965180B2 (en) | 2006-09-28 | 2011-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless sensor device |
US20080204197A1 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory carrier and method for driving the same |
JP4420932B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2010-02-24 | 株式会社沖データ | 可撓性表示体及び可撓性表示体付き物品 |
US7750852B2 (en) | 2007-04-13 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2009145833A (ja) | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置及び電子機器 |
WO2010032573A1 (en) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2010107860A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
DE102009004130A1 (de) * | 2009-01-05 | 2010-07-08 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Mehrschichtiges Folienelement |
KR101425096B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2014-08-04 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 무선 신호 전달 및 방열 기능들을 가지는 기판 |
US8928466B2 (en) * | 2010-08-04 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5757083B2 (ja) * | 2010-12-01 | 2015-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置 |
EP2466426A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-20 | Innovation & Infinity Global Corp. | Diffusion barrier structure, transparent conductive structure and method for making the same |
CN102129324B (zh) * | 2011-03-17 | 2012-05-02 | 汉王科技股份有限公司 | 触控装置及其控制方法和具有该触控装置的电子设备 |
US9781783B2 (en) * | 2011-04-15 | 2017-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system |
WO2014061984A1 (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | 숭실대학교산학협력단 | 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 |
KR20140049293A (ko) * | 2012-10-17 | 2014-04-25 | 숭실대학교산학협력단 | 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 |
CN103966223A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 纳康科技有限公司 | 去甲***蛋白结合化合物 |
TW201430711A (zh) * | 2013-01-31 | 2014-08-01 | Princeton Technology Corp | 智慧卡 |
CN103971155A (zh) * | 2013-02-01 | 2014-08-06 | 普诚科技股份有限公司 | 智能卡 |
JP6284202B2 (ja) * | 2013-07-20 | 2018-02-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 静電気分布計測装置および静電気分布計測方法 |
JP6560610B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2019-08-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102505892B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터를 포함하는 기판 및 그를 가지는 표시 장치 |
EP3503287A1 (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-26 | IMEC vzw | Improvements in or relating to antenna arrangements |
WO2019159614A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 無線通信半導体装置およびその製造方法 |
KR102651064B1 (ko) * | 2019-07-30 | 2024-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111430443A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光显示器及其制造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001330860A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2004220591A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カード及び前記カードを用いた記帳システム |
JP2004266295A (ja) * | 1996-06-04 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、表示装置を用いたカメラ、ビデオムービー、携帯型の装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム及び投影型の液晶表示装置 |
JP2005202943A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005294814A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW334581B (en) | 1996-06-04 | 1998-06-21 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | Semiconductor integrated circuit and fabrication method thereof |
JPH11352937A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
TW518650B (en) | 1999-04-15 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device and electronic equipment |
JP4531194B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置及び電子機器 |
US6509217B1 (en) | 1999-10-22 | 2003-01-21 | Damoder Reddy | Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same |
US6882012B2 (en) | 2000-02-28 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US7006846B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-02-28 | Northrop Grumman Corporation | Credit card communication system |
JP4731718B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2003044808A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Kyodo Printing Co Ltd | 表示付き非接触icカードの製造方法、および表示付き非接触icカード |
JP2003223622A (ja) | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Nippon Signal Co Ltd:The | 表示機能付き非接触icカード |
US7015826B1 (en) | 2002-04-02 | 2006-03-21 | Digital Angel Corporation | Method and apparatus for sensing and transmitting a body characteristic of a host |
US7061380B1 (en) | 2002-11-07 | 2006-06-13 | Alta Analog, Inc. | Monitoring and recording tag with RF interface and indicator for fault event |
EP1437683B1 (en) | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card and booking account system using the IC card |
US7463226B2 (en) * | 2003-04-23 | 2008-12-09 | Panasonic Corporation | Driver circuit and display device |
US7148803B2 (en) | 2003-10-24 | 2006-12-12 | Symbol Technologies, Inc. | Radio frequency identification (RFID) based sensor networks |
JP4494003B2 (ja) | 2003-12-19 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7494066B2 (en) | 2003-12-19 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8030745B2 (en) | 2004-03-04 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | ID chip and IC card |
US7652321B2 (en) | 2004-03-08 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US7374983B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4096315B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 表示システム |
US7582904B2 (en) * | 2004-11-26 | 2009-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device and method for manufacturing thereof, and television device |
WO2007077850A1 (en) | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2006
- 2006-12-20 WO PCT/JP2006/325990 patent/WO2007077850A1/en active Application Filing
- 2006-12-20 KR KR1020087017153A patent/KR101233639B1/ko active IP Right Grant
- 2006-12-20 EP EP06843373.9A patent/EP1966740B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-22 JP JP2006345314A patent/JP4912858B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-22 US US11/643,941 patent/US8476632B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-11-30 JP JP2009271000A patent/JP5153755B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-25 US US13/926,320 patent/US9177242B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004266295A (ja) * | 1996-06-04 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、表示装置を用いたカメラ、ビデオムービー、携帯型の装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム及び投影型の液晶表示装置 |
JP2001330860A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2004220591A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | カード及び前記カードを用いた記帳システム |
JP2005202943A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2005294814A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-10-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4912858B2 (ja) | 2012-04-11 |
US9177242B2 (en) | 2015-11-03 |
US20130284816A1 (en) | 2013-10-31 |
EP1966740A1 (en) | 2008-09-10 |
KR20080086999A (ko) | 2008-09-29 |
EP1966740B1 (en) | 2016-02-17 |
WO2007077850A1 (en) | 2007-07-12 |
KR101233639B1 (ko) | 2013-02-15 |
EP1966740A4 (en) | 2014-08-27 |
JP5153755B2 (ja) | 2013-02-27 |
US8476632B2 (en) | 2013-07-02 |
JP2007200291A (ja) | 2007-08-09 |
US20070170505A1 (en) | 2007-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5153755B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR101153470B1 (ko) | 박막 집적회로 제작방법 및 소자 기판 | |
US7767516B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of antenna | |
JP4942998B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 | |
US8692653B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5393057B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US7683838B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4827618B2 (ja) | アンテナの作製方法、半導体装置の作製方法 | |
JP2012212893A (ja) | 半導体装置および無線タグ | |
JP5322408B2 (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
JP2008234633A (ja) | 記録担体 | |
JP2005229098A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 | |
JP2006066904A (ja) | レーザ照射装置およびレーザ照射方法 | |
JP5388433B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5352046B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5235051B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5105918B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5153755 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |