WO2014061984A1 - 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 - Google Patents

무선 전력 수신이 가능한 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 Download PDF

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wireless power
etching
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processing circuit
mobile terminal
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PCT/KR2013/009232
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이호진
박창근
정현승
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숭실대학교산학협력단
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    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods

Definitions

  • Embodiments of the present invention are directed to a mobile terminal capable of reducing the production cost of the wireless power receiver and miniaturization thereof, and a method of manufacturing the display unit and the wireless power receiver included therein.
  • FIG. 1 is a view showing a brief configuration of a wireless power transmission and reception system according to a conventional magnetic induction method using a coil type inductor.
  • the conventional wireless power transmission / reception system 100 includes a wireless power transmitter 110 and a wireless power receiver 120.
  • the wireless power transmitter 110 includes a transmission side processing circuit 111 and a transmission side resonant inductor 112
  • the wireless power receiver 120 includes a reception side resonant inductor 121 and a reception side processing circuit ( 122).
  • the transmission-side processing circuit 111 is composed of an AC / DC converter, a DC / AC converter, and the like, and processes a power signal provided from the power supply device 130.
  • the processed power supply signal is provided to a transmission side resonant inductor 112.
  • the receiving side inductor 121 resonates with the transmission side resonant inductor 112, and the receiving side processing circuit 122 processes the signal generated by the resonance. To generate a power (power) signal to be provided to the electronic device 140.
  • the receiving side processing circuit 122 includes at least one active element and at least one passive element.
  • the conventional wireless power transmission and reception system 100 has a problem that can transmit and receive power wirelessly only in a close distance (almost within 1cm or a few mm).
  • the performance of the active element must be high enough to operate at high frequency, which is higher than the process for integrating a general analog or digital circuit. Is required.
  • the thickness of the metal line constituting the receiving side resonant inductor 121 becomes thin, and because of the constraint that the metal line must be implemented on a plane, the quality is good. Since the factor) is lowered, the substrate loss is large as well as the power loss due to the parasitic resistance, thereby degrading the performance of the entire wireless power transmission circuit 120. Accordingly, as shown in FIG. 1, the conventional wireless power receiver 120 does not integrate the receiving side resonant inductor 121 on the integrated circuit (the receiving side processing circuit 122), and is in an off-chip form (ie, a bulk type). In the form of an inductor).
  • the inductor 123 In order to miniaturize the wireless power receiver 120, the inductor 123 must also be integrated on the receiving side processing circuit 122, but the integrated spiral inductor is very large in size compared to other devices, which is why the spiral Integrating the inductor into the receiving side processing circuit 122 has a problem in that the production cost increases.
  • an active element constituting a rectifier or a regulator included in the receiving side processing circuit 122 should be driven at a high voltage in order to prevent a loss of the transmitted voltage.
  • the active element according to a conventional silicon semiconductor process There was a problem that the production cost is high.
  • the wireless power transmission and reception technology using the electromagnetic radiation currently in the development stage is large in size of the transmitter and the receiver it is difficult to extract the power freely from the output. Accordingly, the wireless power transmission / reception technology using the electromagnetic radiation has various problems to be applied to small electronic devices such as mobile communication devices.
  • the present invention proposes a mobile terminal capable of reducing the production cost of the wireless power receiver and miniaturization, and a manufacturing method of the display unit and the wireless power receiver included therein.
  • a method for manufacturing a display unit and a wireless power receiver included in a mobile terminal comprising: a first deposition step of depositing a first metal on a substrate; The gate electrode of the plurality of thin film transistors included in each of the plurality of pixel circuits constituting the display unit by etching the deposited first metal through a first etching process, and the transistors included in the processing circuit constituting the wireless power receiver.
  • the processing circuit may further include a capacitor or an inductor, and the first etching step may further form the capacitor or the inductor by simultaneously etching the first metal through the first etching process.
  • the processing circuit may further include a capacitor or an inductor, wherein the second etching step may further form the capacitor or the inductor by simultaneously etching the second metal through the second etching process.
  • a method of manufacturing a display unit and a wireless power receiver included in a mobile terminal comprising: a first deposition step of depositing a first metal on a substrate; A first etching step of forming the gate electrodes of the plurality of thin film transistors included in each of the plurality of pixel circuits forming the display unit by etching the deposited first metal through a first etching process; A second deposition step of depositing a second metal on top of the etched first metal; And a second etching step of forming the source electrode / drain electrode of the plurality of the thin film transistors by etching the deposited second metal through a second etching process, wherein the first etching step and the second etching step are performed.
  • Etching step of any one may further form a capacitor or inductor included in the processing circuit constituting the wireless power receiver.
  • the production cost of the wireless power receiver is relatively low, there is an advantage that can be miniaturized.
  • FIG. 1 is a view showing a brief configuration of a conventional wireless power transmission and reception system according to a magnetic induction method.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display unit and a wireless power receiver included in a mobile terminal according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating the overall flow of the manufacturing method of the display unit and the wireless power receiver shown in FIG.
  • FIG. 4 is a view for explaining a process of manufacturing a thin film transistor included in a plurality of pixel circuits constituting a display unit according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view illustrating a schematic configuration of a display unit and a wireless power receiver included in a mobile terminal according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a method of manufacturing the display unit and the wireless power receiver illustrated in FIG. 4 is a flowchart illustrating an overall flow
  • FIG. 4 is a diagram for describing a process of manufacturing a thin film transistor included in a plurality of pixel circuits constituting a display unit, according to an exemplary embodiment.
  • the first metal 410 is deposited on the substrate 210.
  • the substrate 210 may be a glass substrate, and the first metal 410 may be a highly conductive metal such as an aluminum alloy, a copper alloy, a chromium alloy, or the like.
  • the first metal 410 may be deposited on the substrate using sputtering or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • step S304 the deposited first metal 410 is etched through a first etching process.
  • the gate electrode 415 of the plurality of thin film transistors included in each of the plurality of pixel circuits 220 constituting the display unit may be processed through the first etching process. Simultaneously forms part of the passive or active components involved.
  • the processing circuit is a circuit for processing the wireless power signal received through the wireless power receiving antenna 260, and includes a matching circuit 230, rectifier circuit 240 and regulator circuit 250.
  • the matching circuit 230 includes a plurality of passive elements
  • each of the rectifier circuit 240 and the regulator circuit 250 includes a plurality of active elements.
  • the rectifier circuit included in the processing circuit of the wireless power receiver together with the gate electrode 415 included in the thin film transistor constituting the display unit may be simultaneously formed.
  • both the capacitor or inductor and the gate electrode of the transistor included in the processing circuit or the first electrode of the diode may be formed simultaneously with the gate electrode of the thin film transistor.
  • a gate insulating film 420 is deposited in step S306, an amorphous silicon film 430 is deposited in step S308, and an n + doped film 440 is deposited in step S310.
  • the amorphous silicon layer 430 and the n + doped layer 440 are etched to define the channel layer 435 and the ohmic contact 445.
  • the second metal 450 is deposited.
  • the second metal 450 may be a highly conductive metal such as an aluminum alloy, a copper alloy, a molybdenum alloy, or the like.
  • step S316 the deposited second metal 450 is etched through a second etching process.
  • the source electrode / drain electrode 455 and the wireless power receiver of the plurality of thin film transistors included in each of the plurality of pixel circuits 220 constituting the display unit may be configured through a second etching process. Simultaneously forms the rest of the passive or active components included in the processing circuit.
  • Capacitors or inductors constituting 230 may be simultaneously formed. Such a capacitor or inductor may be formed in step S316 only if it is not formed in step S304.
  • the source circuit / drain electrode 445 included in the thin film transistor constituting the display unit may be included in the processing circuit of the wireless power receiver.
  • the source electrode / drain electrode of the transistor included in the rectifier circuit 240 or the regulator circuit 250 or the second electrode of the diode may be simultaneously formed.
  • both the capacitor or inductor and the source electrode / drain electrode of the transistor included in the processing circuit or the second electrode of the diode may be formed simultaneously with the gate electrode of the thin film transistor.
  • the above step (S302) to step (S316) may be a step of configuring a thin film processing technology for forming a display device.
  • the thin film process technology may be an AM-LCD 4 Mask, 5 Mask, 6 Mask process and the like.
  • the rectifier circuit 260 and the regulator circuit 270 may include a plurality of active devices, which may be formed through a separate general semiconductor process rather than the thin film process technology described above.
  • the wireless power receiver since the thin film transistor included in the pixel circuit constituting the display unit and the various passive or active elements included in the processing circuit constituting the wireless power receiver can be manufactured by the same display process, the wireless power receiver There is an advantage that can lower the production cost required to generate.
  • the pixel circuit constituting the display unit and the wireless power receiver are formed on the same substrate, there is an advantage that the size of the mobile terminal having the wireless power reception function can be reduced.
  • the metal line is formed according to the display fabrication process, since the thickness of the metal line may be sufficiently ensured, the goodness of the inductor included in the processing circuit may be improved.
  • active devices constituting the processing circuit formed through the display process have an advantage of not being destroyed even at a high driving voltage generated during the processing of the wireless power signal.

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Abstract

무선 전력 수신이 가능한 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법이 개시된다. 개시된 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법은 기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계; 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극과 다이오드의 제1 전극 중 적어도 하나를 동시에 형성하는 제1 식각 단계; 상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및 제2 식각 공정을 통해 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 프로세싱 회로에 포함된 상기 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극과 상기 다이오드의 제2 전극 중 적어도 하나를 동시에 형성하는 제2 식각 단계;를 포함한다.

Description

무선 전력 수신이 가능한 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법
본 발명의 실시예들은 무선전력 수신부의 생산 단가를 낮추고 소형화가 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 무선기술의 발달에 따라 멀티미디어, 이동 통신 등 다양한 분야에서 사용되는 다양한 전자 기기들이 무선화되고 있으며, 이에 따라 전자 기기를 무선으로 충전할 수 있도록 하는 무선 전력 송수신 기술에 대한 관심이 증대되고 있다.
도 1은 코일형 인덕터를 이용한 종래의 자기 유도 방식에 따른 무선 전력 송수신 시스템의 간략한 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 무선 전력 송수신 시스템(100)은 무선 전력 전송 장치(110) 및 무선 전력 수신 장치(120)로 구성된다. 여기서, 무선 전력 전송 장치(110)는 전송측 프로세싱 회로(111) 및 전송측 공진 인덕터(112)를 포함하고, 무선 전력 수신 장치(120)는 수신측 공진 인덕터(121) 및 수신측 프로세싱 회로(122)를 포함한다.
먼저, 무선 전력 전송 장치(110)에 대해 살펴보면, 전송측 프로세싱 회로(111)는 AC/DC 컨버터, DC/AC 컨버터 등으로 이루어지며, 전원 공급 장치(130)로부터 제공되는 전원 신호를 프로세싱한다. 프로세싱된 전원 신호는 전송측 공진 인덕터(112)로 제공된다.
다음으로, 무선 전력 수신 장치(120)에 대해 상세히 살펴보면, 수신측 인덕터(121)는 전송측 공진 인덕터(112)와 공진하고, 수신측 프로세싱 회로(122)는 상기 공진에 의해 발생하는 신호를 프로세싱하여 전자 기기(140)로 제공할 전원(전력) 신호를 생성한다. 이러한 수신측 프로세싱 회로(122)에는 적어도 하나의 능동 소자 및 적어도 하나의 수동 소자가 포함된다.
그런데, 두 개의 인덕터(전송측 공진 인덕터(112) 및 수신측 공진 인덕터(121)) 사이의 자기 유도는 인덕터 사이의 거리 및 상대적 위치에 매우 민감하므로, 전송측 공진 인덕터(112) 및 수신측 공진 인덕터(121) 사이의 거리가 떨어지거나 상대적인 위치가 조금만 틀어져도 전력 전송 효율이 급속히 악화되는 단점이 있었다. 따라서, 종래의 무선 전력 송수신 시스템(100)은 근접거리(거의 1cm이내 또는 수mm에서)에서만 무선으로 전력을 송수신할 수 있는 문제점이 있었다.
또한, 기판 상에 작은 크기로 수신측 프로세싱 회로(122)를 집적화하기 위해서는 능동 소자의 성능이 고주파에서 동작할 수 있을 정도로 고성능이어야 하기 때문에 일반적인 아날로그 회로나 디지털 회로를 집적화하기 위한 공정 보다 높은 공정 비용이 요구된다.
그리고, 일반적으로 수신측 공진 인덕터(121)를 기판 상에 집적화하는 경우, 수신측 공진 인덕터(121)를 구성하는 금속선의 두께가 얇아지고, 금속선을 평면상에서 구현해야 하는 제약 조건 때문에 양호도(Quality factor)가 낮아져 기생 저항에 의한 전력 손실과 더불어 기판 손실이 크기 때문에 무선 전력 전송 회로(120) 전체의 성능을 저하시키는 문제가 있었다. 따라서 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 무선 전력 수신 장치(120)에서는 수신측 공진 인덕터(121)를 집적 회로(수신측 프로세싱 회로(122))상에 집적화하지 않고, off-chip 형태(즉 벌크형 인덕터의 형태)로 구현하였다.
그런데, 무선 전력 수신 장치(120)의 소형화를 위해서는 인덕터(123) 역시 수신측 프로세싱 회로(122)상에 집적화가 되어야 하지만, 집적화된 나선형 인덕터는 그 크기가 다른 소자에 비하여 매우 크며, 이 때문에 나선형 인덕터를 수신측 프로세싱 회로(122)에 집적화할 경우 생산 단가가 높아지는 문제점이 있었다.
또한, 수신측 프로세싱 회로(122)에 포함되는 정류기 또는 레귤레이터 등을 구성하는 능동 소자는 전송되는 전압의 손실을 막기 위하여 높은 전압에서 구동되어야 하는데, 종래의 실리콘 반도체 공정에 따라 능동 소자를 제조하는 경우, 생산 단가가 높다는 문제점이 있었다.
한편, 현재 개발 단계에 있는 전자기파 방사를 이용한 무선 전력 송수신 기술은 송신부 및 수신부의 크기가 크고 출력단에서 전력을 자유롭게 추출하기가 어렵다. 따라서, 이러한 전자기파 방사를 이용한 무선 전력 송수신 기술은 이동 통신용 기기와 같은 소형 전자 기기에 적용되기에는 여러 가지 문제점이 있었다.
상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 무선전력 수신부의 생산 단가를 낮추고 소형화가 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법을 제안하고자 한다.
본 발명의 다른 목적들은 하기의 실시예를 통해 당업자에 의해 도출될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법에 있어서, 기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계; 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극과 다이오드의 제1 전극 중 적어도 하나를 동시에 형성하는 제1 식각 단계; 상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및 제2 식각 공정을 통해 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 프로세싱 회로에 포함된 상기 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극과 상기 다이오드의 제2 전극 중 적어도 하나를 동시에 형성하는 제2 식각 단계;를 포함한다.
상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 더 포함하되, 상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성할 수 있다.
상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 더 포함하되, 상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성할 수 있다.
이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법에 있어서, 기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계; 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 제1 식각 단계; 상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및 제2 식각 공정을 통해 상기 증착된 제2 금속을 식각하여 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극을 형성하는 제2 식각 단계;를 포함하되, 상기 제1 식각 단계 및 상기 제2 식각 단계 중 어느 하나의 식각 단계는 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함되는 캐패시터 또는 인덕터를 동시에 더 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 무선전력 수신부의 생산 단가가 비교적 낮고 소형화가 가능한 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 무선전력 수신부에 포함된 인덕터의 양호도를 향상시켜 작은 크기를 가지면서도 무선전력 수신부 전체의 성능을 저하시키지 않는 장점이 있다.
도 1은 자기 유도 방식에 따른 종래의 무선 전력 송수신 시스템의 간략한 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법의 전체적인 흐름을 도시한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라서 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터가 제조되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 전력의 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법을 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 개략적인 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법의 전체적인 흐름을 도시한 순서도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라서 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터가 제조되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부 및 이의 제조 방법에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
먼저, 단계(S302)에서는 기판(210) 상에 제1 금속(410)을 증착시킨다. 여기서, 기판(210)은 유리 기판일 수 있고, 제1 금속(410)은 알루미늄 합금, 구리 합금, 크롬 합금 등과 같은 고전도성의 금속일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 금속(410)은 스퍼터 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 기판 위에 증착될 수 있다.
다음으로, 단계(S304)에서는 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속(410)을 식각한다. 보다 상세하게, 단계(S304)에서는 제1 식각 공정을 통해 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로(220) 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극(415)과 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함된 수동 소자 또는 능동 소자의 일부를 동시에 형성한다.
여기서, 프로세싱 회로는 무선전력 수신 안테나(260)을 통해 수신된 무선전력 신호를 프로세싱 하는 회로로서, 매칭 회로(230), 정류 회로(240) 및 레귤레이터 회로(250)를 포함한다. 이 경우, 매칭 회로(230)는 다수의 수동 소자를 포함하고, 정류 회로(240) 및 레귤레이터 회로(250) 각각은 다수의 능동 소자를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 단계(S304)에 따른 제1 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 게이트 전극(415)과 함께 무선전력 수신부의 프로세싱 회로에 포함된 매칭 회로(230)를 구성하는 캐패시터 또는 인덕터를 동시에 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단계(S304)에 따른 제1 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 게이트 전극(415)과 함께 무선전력 수신부의 프로세싱 회로에 포함된 정류 회로(240) 또는 레귤레이터 회로(250)에 포함되는 트랜지스터의 게이트 전극 또는 다이오드의 제1 전극을 동시에 형성할 수 있다.
물론, 캐패시터 또는 인덕터와 프로세싱 회로에 포함되는 트랜지스터의 게이트 전극 또는 다이오드의 제1 전극 모두가 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동시에 형성될 수도 있다.
계속하여, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 여러 단계가 순차적으로 수행된다.
단계(S306)에서는 게이트 절연막(420)이 증착되고, 단계(S308)에서는 비정질 실리콘막(430)이 증착되며, 단계(S310)에서는 n+ 도핑막(440)이 증착된다. 이 후, 단계(S312)에서는 비정질 실리콘막(430) 및 n+ 도핑막(440)을 식각하여 채널층(435) 및 Ohmic 콘텍(445)을 정의한다.
계속하여, 단계(S314)에서는 제2 금속(450)을 증착시킨다. 여기서, 제2 금속(450)은 알루미늄 합금, 구리 합금, 몰리브덴 합금 등과 같은 고전도성의 금속일 수 있다.
다음으로, 단계(S316)에서는 제2 식각 공정을 통해 상기 증착된 제2 금속(450)을 식각한다. 보다 상세하게, 단계(S316)에서는 제2 식각 공정을 통해 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로(220) 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극(455)과 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함된 수동 소자 또는 능동 소자의 나머지 일부를 동시에 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 단계(S316)에 따른 제2 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 소스 전극/드레인 전극(455)과 함께 무선전력 수신부의 프로세싱 회로에 포함된 매칭 회로(230)를 구성하는 캐패시터 또는 인덕터를 동시에 형성할 수 있다. 이러한 캐패시터 또는 인덕터는 단계(S304)에서 형성되지 않는 경우에 한해 단계(S316)에서 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단계(S316)에 따른 제2 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 소스 전극/드레인 전극(445)과 함께 무선전력 수신부의 프로세싱 회로에 포함된 정류 회로(240) 또는 레귤레이터 회로(250)에 포함되는 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 또는 다이오드의 제2 전극을 동시에 형성할 수 있다.
물론, 캐패시터 또는 인덕터와 프로세싱 회로에 포함되는 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 또는 다이오드의 제2 전극 모두가 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동시에 형성될 수도 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기한 단계(S302) 내지 단계(S316)는 디스플레이 소자를 형성하기 위한 박막 공정 기술을 구성하는 단계일 수 있다. 일례로서, 박막 공정 기술은 AM-LCD 4 Mask, 5 Mask, 6 Mask 공정 등일 수 있다. 이 경우, 정류 회로(260) 및 레귤레이터 회로(270)는 다수의 능동 소자를 포함할 수 있으며, 이는 상기한 박막 공정 기술이 아닌 별도의 일반적인 반도체 공정을 통해 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 디스플레이부를 구성하는 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터와 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함된 다양한 수동 소자 내지 능동 소자를 동일한 디스플레이 공정에 따라 제작될 수 있으므로, 무선전력 수신부를 생성하는데 요구되는 생산 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 디스플레이부를 구성하는 화소회로와 무선전력 수신부의 구성이 동일 기판 상에 형성되므로, 무선전력 수신기능을 가지는 이동 단말의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다.
또한, 디스플레이 제작 공정에 따라 금속선을 형성하는 경우 금속선의 두께를 충분히 보장할 수 있으므로, 프로세싱 회로에 포함된 인덕터의 양호도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
그리고, 디스플레이 공정을 통해 형성된 프로세싱 회로를 구성하는 능동 소자들은 무선전력 신호의 프로세싱 시 발생하는 높은 구동 전압에서도 파괴되지 않는 장점이 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (4)

  1. 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계;
    제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극과 다이오드의 제1 전극 중 적어도 하나를 동시에 형성하는 제1 식각 단계;
    상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및
    제2 식각 공정을 통해 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 프로세싱 회로에 포함된 상기 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극과 상기 다이오드의 제2 전극 중 적어도 하나를 동시에 형성하는 제2 식각 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 더 포함하되,
    상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 더 포함하되,
    상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  4. 제2 식각 공정을 통해 상기 증착된 제2 금속을 식각하여 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극을 형성하는 제2 식각 단계;를 포함하되,
    상기 제1 식각 단계 및 상기 제2 식각 단계 중 어느 하나의 식각 단계는
    상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로에 포함되는 캐패시터 또는 인덕터를 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
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