KR20140049293A - 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 - Google Patents

무선 전력 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

무선 전력 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법이 개시된다. 개시된 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법은 기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계; 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하며 무선전력 전송장치에 구비된 전송측 인덕터와 공진하는 수신측 공진 인덕터를 동시에 형성하는 제1 식각 단계; 상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및 제2 식각 공정을 통해 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로와 상기 수신측 공진 인덕터를 연결하기 위한 신호선을 형성하는 제2 식각 단계;를 포함한다.

Description

무선 전력 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법{Mobile terminal capable of receiving wireless power, and Method for manufacturing display unit and wireless power receiving unit provided in the same}
본 발명의 실시예들은 무선전력 수신부의 생산 단가를 낮추고 소형화가 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 무선기술의 발달에 따라 멀티미디어, 이동 통신 등 다양한 분야에서 사용되는 다양한 전자 기기들이 무선화되고 있으며, 이에 따라 전자 기기를 무선으로 충전할 수 있도록 하는 무선 전력 송수신 기술에 대한 관심이 증대되고 있다.
도 1은 코일형 인덕터를 이용한 종래의 자기 유도 방식에 따른 무선 전력 송수신 시스템의 간략한 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 무선 전력 송수신 시스템(100)은 무선 전력 전송 장치(110) 및 무선 전력 수신 장치(120)로 구성된다. 여기서, 무선 전력 전송 장치(110)는 전송측 프로세싱 회로(111) 및 전송측 공진 인덕터(112)를 포함하고, 무선 전력 수신 장치(120)는 수신측 공진 인덕터(121) 및 수신측 프로세싱 회로(122)를 포함한다.
먼저, 무선 전력 전송 장치(110)에 대해 살펴보면, 전송측 프로세싱 회로(111)는 AC/DC 컨버터, DC/AC 컨버터 등으로 이루어지며, 전원 공급 장치(130)로부터 제공되는 전원 신호를 프로세싱한다. 프로세싱된 전원 신호는 전송측 공진 인덕터(112)로 제공된다.
다음으로, 무선 전력 수신 장치(120)에 대해 상세히 살펴보면, 수신측 인덕터(121)는 전송측 공진 인덕터(112)와 공진하고, 수신측 프로세싱 회로(122)는 상기 공진에 의해 발생하는 신호를 프로세싱하여 전자 기기(140)로 제공할 전원(전력) 신호를 생성한다. 이러한 수신측 프로세싱 회로(122)에는 적어도 하나의 능동 소자 및 적어도 하나의 수동 소자가 포함된다.
그런데, 두 개의 인덕터(전송측 공진 인덕터(112) 및 수신측 공진 인덕터(121)) 사이의 자기 유도는 인덕터 사이의 거리 및 상대적 위치에 매우 민감하므로, 전송측 공진 인덕터(112) 및 수신측 공진 인덕터(121) 사이의 거리가 떨어지거나 상대적인 위치가 조금만 틀어져도 전력 전송 효율이 급속히 악화되는 단점이 있었다. 따라서, 종래의 무선 전력 송수신 시스템(100)은 근접거리(거의 1cm이내 또는 수mm에서)에서만 무선으로 전력을 송수신할 수 있는 문제점이 있었다.
또한, 기판 상에 작은 크기로 수신측 프로세싱 회로(122)를 집적화하기 위해서는 능동 소자의 성능이 고주파에서 동작할 수 있을 정도로 고성능이어야 하기 때문에 일반적인 아날로그 회로나 디지털 회로를 집적화하기 위한 공정 보다 높은 공정 비용이 요구된다.
그리고, 일반적으로 수신측 공진 인덕터(121)를 기판 상에 집적화하는 경우, 수신측 공진 인덕터(121)를 구성하는 금속선의 두께가 얇아지고, 금속선을 평면상에서 구현해야 하는 제약 조건 때문에 양호도(Quality factor)가 낮아져 기생 저항에 의한 전력 손실과 더불어 기판 손실이 크기 때문에 무선 전력 전송 회로(120) 전체의 성능을 저하시키는 문제가 있었다. 따라서 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 무선 전력 수신 장치(120)에서는 수신측 공진 인덕터(121)를 집적 회로(수신측 프로세싱 회로(122))상에 집적화하지 않고, off-chip 형태(즉 벌크형 인덕터의 형태)로 구현하였다.
그런데, 무선 전력 수신 장치(120)의 소형화를 위해서는 인덕터(123) 역시 수신측 프로세싱 회로(122)상에 집적화가 되어야 하지만, 집적화된 나선형 인덕터는 그 크기가 다른 소자에 비하여 매우 크며, 이 때문에 나선형 인덕터를 수신측 프로세싱 회로(122)에 집적화할 경우 생산 단가가 높아지는 문제점이 있었다.
또한, 수신측 프로세싱 회로(122)에 포함되는 정류기 또는 레귤레이터 등을 구성하는 능동 소자는 전송되는 전압의 손실을 막기 위하여 높은 전압에서 구동되어야 하는데, 종래의 실리콘 반도체 공정에 따라 능동 소자를 제조하는 경우, 생산 단가가 높다는 문제점이 있었다.
한편, 현재 개발 단계에 있는 전자기파 방사를 이용한 무선 전력 송수신 기술은 송신부 및 수신부의 크기가 크고 출력단에서 전력을 자유롭게 추출하기가 어렵다. 따라서, 이러한 전자기파 방사를 이용한 무선 전력 송수신 기술은 이동 통신용 기기와 같은 소형 전자 기기에 적용되기에는 여러 가지 문제점이 있었다.
상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명에서는 무선전력 수신부의 생산 단가를 낮추고 소형화가 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법을 제안하고자 한다.
본 발명의 다른 목적들은 하기의 실시예를 통해 당업자에 의해 도출될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법에 있어서, 기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계; 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하며 무선전력 전송장치에 구비된 전송측 인덕터와 공진하는 수신측 공진 인덕터를 동시에 형성하는 제1 식각 단계; 상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및 제2 식각 공정을 통해 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로와 상기 수신측 공진 인덕터를 연결하기 위한 신호선을 형성하는 제2 식각 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법이 제공된다.
상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 포함하되, 상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성할 수 있다.
상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 포함하되, 상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성할 수 있다.
상기 프로세싱 회로는 다이오드를 포함하되, 상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 다이오드의 제1 전극을 동시에 더 형성하고, 상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 다이오드의 제2 전극을 동시에 더 형성할 수 있다.
상기 프로세싱 회로는 트랜지스터를 더 포함하되, 상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극을 동시에 더 형성하고, 상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극을 동시에 더 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 무선으로 전력을 수신할 수 있는 이동 단말에 있어서, 기판; 상기 기판 상의 제1 영역에 형성되며, 박막 트랜지스터를 포함하는 다수의 화소회로; 및 상기 기판 상의 제2 영역에 형성되며, 무선 전력 전송 장치에 구비된 전송측 공진 인덕터와 공진하는 수신측 공진 인덕터; 및 상기 수신측 공진 인덕터에 의해 생성되는 신호를 프로세싱하는 프로세싱 회로;를 포함하되, 상기 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 수신측 공진 인덕터는 제1 식각 공정을 통하여 상기 기판 위에 증착된 제1 금속을 식각함에 의해 동시에 형성되고, 상기 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 프로세싱 회로와 상기 수신측 공진 인덕터를 연결하기 위한 신호선은 제2 식각 공정을 통하여 상기 식각된 제1 금속의 상부에 증착된 제2 금속을 식각함에 의해 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말이 제공된다.
본 발명에 따르면, 무선전력 수신부의 생산 단가가 비교적 낮고 소형화가 가능한 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 무선전력 수신부에 포함된 인덕터의 양호도를 향상시켜 작은 크기를 가지면서도 무선전력 수신부 전체의 성능을 저하시키지 않는 장점이 있다.
도 1은 자기 유도 방식에 따른 종래의 무선 전력 송수신 시스템의 간략한 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법의 전체적인 흐름을 도시한 순서도이다.
도 4는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 무선전력 수신부를 구성하는 수신측 공진 인덕터가 동시에 형성된 일례의 사시도 및 단면도를 도시한 도면이다.
도 5는 박막 트랜지스터의 형성 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 기판 상에 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 구성하는 매칭 회로의 형성이 완료된 일례를 도시하고 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 무선 전력의 수신이 가능한 이동 단말과, 이에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법을 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 개략적인 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법의 전체적인 흐름을 도시한 순서도이다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부 및 이의 제조 방법에 대해 상세하게 설명하기로 한다.
먼저, 단계(S302)에서는 기판(210) 상에 제1 금속을 증착시킨다. 여기서, 기판(210)은 유리 기판일 수 있고, 제1 금속은 알루미늄 합금, 구리 합금, 크롬 합금 등과 같은 고전도성의 금속일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 금속은 스퍼터 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용하여 기판 위에 증착될 수 있다.
다음으로, 단계(S304)에서는 제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각한다. 보다 상세하게, 단계(S304)에서는 제1 식각 공정을 통해 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로(220) 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 무선전력 수신부를 구성하며 무선전력 전송장치에 구비된 전송측 인덕터와 공진하는 수신측 공진 인덕터(230)를 동시에 형성한다.
도 4에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(410)과 무선전력 수신부를 구성하는 수신측 공진 인덕터(230)가 동시에 형성된 일례의 사시도 및 단면도를 도시하고 있다.
계속하여, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 여러 단계가 순차적으로 수행된다. 도 5를 참조하여 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 후속 단계를 설명하면 아래와 같다.
단계(S306)에서는 게이트 절연막(510)이 증착되고, 단계(S308)에서는 비정질 실리콘막(520)이 증착되며, 단계(S310)에서는 n+ 도핑막(530)이 증착된다. 이 후, 단계(S312)에서는 비정질 실리콘막(520) 및 n+ 도핑막(530)을 식각하여 채널층(525) 및 Ohmic 콘텍(535)을 정의한다.
계속하여, 단계(S314)에서는 제2 금속(540)을 증착시킨다. 여기서, 제2 금속(540)은 알루미늄 합금, 구리 합금, 몰리브덴 합금 등과 같은 고전도성의 금속일 수 있다.
다음으로, 단계(S316)에서는 제2 식각 공정을 통해 상기 증착된 제2 금속(540)을 식각한다.
보다 상세하게, 단계(S316)에서는 제2 식각 공정을 통해 디스플레이부를 구성하는 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극(545)과 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로와 수신측 공진 인덕터(230)를 연결하기 위한 신호선(240)을 형성한다. 이에 따라 디스플레이부를 구성하는 다수의 박막 트랜지스터의 형성이 완료된다.
일례로서, 프로세싱 회로는 도 2에 도시된 바와 같이 매칭 회로(250), 정류 회로(260) 및 레귤레이터 회로(270)를 포함하고, 신호선(240)은 매칭 회로(250)와 연결될 수 있다.
여기서, 매칭 회로(250)는 기판(210) 상에 형성되고, 정류 회로(260) 및 레귤레이터 회로(270)은 기판(210)의 외부에 형성되며, 정류 회로(260)는 본더 와이어(280)를 통해 정류 회로(260) 및 레귤레이터 회로(270)와 연결될 수 있다.
한편, 매칭 회로(250)는 인덕터, 캐패시터 등과 같은 다수의 수동 소자로 구성될 수 있다. 이 경우, 인덕터 도는 캐패시터는 제1 식각 공정 또는 제2 식각 공정을 통해 제작될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 단계(S304)에 따른 제1 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 게이트 전극(410) 및 무선전력 수신부를 구성하는 수신측 공진 인덕터(230)와 함께 무선전력 수신부를 구성하는 매칭 회로(240)에 포함된 캐패시터 또는 인덕터를 동시에 더 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 단계(S316)에 따른 제2 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 소스 전극/드레인 전극(545), 수신측 공진 인덕터(230)와 프로세싱 회로를 연결하기 위한 신호선(240) 및 프로세싱 회로에 포함된 캐패시터 또는 인덕터를 모두 동시에 형성할 수 있다.
도 6에서는 기판(210) 상에 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 구성하는 매칭 회로의 형성이 완료된 일례를 도시하고 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기한 단계(S302) 내지 단계(S316)는 디스플레이 소자를 형성하기 위한 박막 공정 기술을 구성하는 단계일 수 있다. 일례로서, 박막 공정 기술은 AM-LCD 4 Mask, 5 Mask, 6 Mask 공정 등일 수 있다. 이 경우, 정류 회로(260) 및 레귤레이터 회로(270)는 다수의 능동 소자를 포함할 수 있으며, 이는 상기한 박막 공정 기술이 아닌 별도의 일반적인 반도체 공정을 통해 형성될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따르면, 디스플레이부를 구성하는 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터와 무선전력 수신부를 구성하는 수신측 공진 인덕터, 신호 연결선, 프로세싱 회로에 포함된 수동 소자들이 동일한 디스플레이 공정에 따라 제작될 수 있으므로, 무선전력 수신부를 생성하는데 요구되는 생산 단가를 낮출 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 디스플레이부를 구성하는 화소회로와 무선전력 수신부의 일부의 구성이 동일 기판 상에 형성되므로, 무선전력 수신기능을 가지는 이동 단말의 크기를 소형화할 수 있는 장점이 있다.
또한, 디스플레이 제작 공정에 따라 금속선을 형성하는 경우 금속선의 두께를 충분히 보장할 수 있으므로, 수신측 공진 인덕터의 양호도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부는 프로세싱 회로를 구성하는 정류 회로(760) 및 레귤레이터 회로(770)가 기판(710) 상에 형성되는 것을 제외하고는 도 2에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부와 동일한 구성을 가진다.
따라서, 본 실시예에서는 정류 회로(760) 및 레귤레이터 회로(770)를 기판(710) 상에 형성하는 내용에 대해서만 상세하게 설명하기로 한다.
일반적으로 무선전력 수신부를 구성하는 정류 회로(760) 및 레귤레이터 회로(770)는 다이오드, 트랜지스터와 같은 능동 소자를 하나 이상 포함하며, 이러한 능동 소자 역시 앞서 도 3에서 설명한 디스플레이 제작 공정을 통해 생성될 수 있다. 이하, 능동 소자가 다이오드인 경우와 트랜지스터인 경우를 분류하여 각 능동 소자의 형성 과정을 상세하게 설명한다.
먼저, 프로세싱 회로에 포함된 다이오드의 경우, 도 3에서 설명한 단계(S304)에 따른 제1 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 게이트 전극 및 무선전력 수신부를 구성하는 수신측 공진 인덕터(730)와 함께 다이오드의 제1 전극을 동시에 더 형성할 수 있다. 그리고, 도 3에서 설명한 단계(S316)에 따른 제2 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 소스 전극/드레인 전극 및 수신측 공진 인덕터와 프로세싱 회로를 연결하기 위한 신호선(740)과 함께 다이오드의 제2 전극을 동시에 더 형성할 수 있다. 이 후, 제1 전극과 제2 전극을 연결함으로써 다이오드의 형성이 완료된다.
다음으로, 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 경우, 도 3에서 설명한 단계(S304)에 따른 제1 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 게이트 전극 및 무선전력 수신부를 구성하는 수신측 공진 인덕터(730)와 함께 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극을 동시에 더 형성할 수 있다. 그리고, 단계(S306) 내지 단계(S314)를 통해 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터를 위한 게이트 절연막, 비정질 실리콘막, n+ 도핑막 및 제2 금속층이 형성된다. 이 후, 단계(S316)에 따른 제2 식각 공정에서는 디스플레이부를 구성하는 박막 트랜지스터에 포함된 소스 전극/드레인 전극, 수신측 공진 인덕터와 프로세싱 회로를 연결하기 위한 신호선(740) 및 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극이 모두 동시에 형성된다.
이와 같이, 디스플레이 공정을 통해 형성된 프로세싱 회로를 구성하는 능동 소자들은 무선전력 신호의 프로세싱 시 발생하는 높은 구동 전압에서도 파괴되지 않는 장점이 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (6)

  1. 이동 단말에 포함되는 디스플레이부 및 무선전력 수신부를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 위에 제1 금속을 증착시키는 제1 증착 단계;
    제1 식각 공정을 통해 상기 증착된 제1 금속을 식각하여 상기 디스플레이부를 구성하는 다수의 화소회로 각각에 포함된 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하며 무선전력 전송장치에 구비된 전송측 인덕터와 공진하는 수신측 공진 인덕터를 동시에 형성하는 제1 식각 단계;
    상기 식각된 제1 금속의 상부에 제2 금속을 증착시키는 제2 증착 단계; 및
    제2 식각 공정을 통해 상기 다수의 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 무선전력 수신부를 구성하는 프로세싱 회로와 상기 수신측 공진 인덕터를 연결하기 위한 신호선을 형성하는 제2 식각 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 포함하되,
    상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 프로세싱 회로는 캐패시터 또는 인덕터를 포함하되,
    상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 캐패시터 또는 상기 인덕터를 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프로세싱 회로는 다이오드를 포함하되,
    상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 다이오드의 제1 전극을 동시에 더 형성하고,
    상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 다이오드의 제2 전극을 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서
    상기 프로세싱 회로는 트랜지스터를 더 포함하되,
    상기 제1 식각 단계는 상기 제1 식각 공정을 통해 상기 제1 금속을 식각하여 상기 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 게이트 전극을 동시에 더 형성하고,
    상기 제2 식각 단계는 상기 제2 식각 공정을 통해 상기 제2 금속을 식각하여 상기 프로세싱 회로에 포함된 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극을 동시에 더 형성하는 것을 특징으로 하는 이동 단말에 포함된 디스플레이부 및 무선전력 수신부의 제조 방법.
  6. 무선으로 전력을 수신할 수 있는 이동 단말에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상의 제1 영역에 형성되며, 박막 트랜지스터를 포함하는 다수의 화소회로; 및
    상기 기판 상의 제2 영역에 형성되며, 무선 전력 전송 장치에 구비된 전송측 공진 인덕터와 공진하는 수신측 공진 인덕터; 및
    상기 수신측 공진 인덕터에 의해 생성되는 신호를 프로세싱하는 프로세싱 회로;를 포함하되,
    상기 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 수신측 공진 인덕터는 제1 식각 공정을 통하여 상기 기판 위에 증착된 제1 금속을 식각함에 의해 동시에 형성되고,
    상기 화소회로에 포함된 박막 트랜지스터의 소스 전극/드레인 전극 및 상기 프로세싱 회로와 상기 수신측 공진 인덕터를 연결하기 위한 신호선은 제2 식각 공정을 통하여 상기 식각된 제1 금속의 상부에 증착된 제2 금속을 식각함에 의해 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 무선 전력 수신이 가능한 이동 단말.
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