JP2010056488A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板110の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子111を配設した表示装置10であって、複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板101から剥離された単結晶薄膜半導体層102から構成され、単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層(活性層)113とこの発光層(活性層)を挟んだ2層の非発光層112、114とを備え、2層の非発光層のエネルギバンドギャップは、発光層(活性層)のエネルギバンドギャップより大きい値を有する。
【選択図】図2
Description
先ず、単結晶薄膜半導体層102を母材基板101上に犠牲層103を挟んで、単結晶薄膜半導体発光素子111の仕様に基づき、例えば有機金属化学気相成長結晶成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法等により形成した後、少なくとも犠牲層103が露出するように、単結晶薄膜半導体層102を単結晶薄膜半導体発光素子111の仕様に基づき、島状に分離エッチングする(図1(a))。この分離エッチング方法は、ウェットエッチング法又はドライエッチング法を用いることができる。又、このとき、犠牲層103のエッチングレートは、単結晶薄膜半導体層102及び母材基板101のエッチングレートよりも大きいことが必要である。
ここで、単結晶薄膜半導体発光素子111の厚さ範囲は、0.3μm乃至10μmの範囲が好適である。この厚さの下限値である0.3μmは、単結晶薄膜半導体層102によって発光素子を構成する場合、高発光効率の発光素子を作製するために必要とされる厚さである。又、厚さの上限値である10μmは、透明基板110と接合した単結晶薄膜半導体発光素子111上の電極と透明基板110上の配線電極とを接続するための接続配線をフォトリソグラフィ技術を用いて形成する場合に断線・欠陥・欠損することなく良好に形成するために安全係数も考慮した厚さである。
ここで、透明基板110は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、石英基板、サファイヤ基板やZnO基板等の酸化物基板、あるいは、GaN基板、AlNやSiNなどの窒化物基板を使用することができる。そして、透明基板110上に配設された単結晶薄膜半導体発光素子111からの発光波長に対して、高い透過率を有することが必要である。具体的には、透過率の基準は用途によって定めることができるが、発光波長に対して50%以上の透過率を有する透明基板とすることが好適である。
透明基板110と単結晶薄膜半導体発光素子111との接合構造については、前記製造工程の概略で説明したように、接着剤を使用せずに分子間力によって直接接合した形態を好適とするが、直接接合のための透明な誘電体層を透明基板110上に設け、その表面に直接接合した構成であってもよい。更に、接着のための透明材料層を設けて接着した構成であってもよい。
次に、本発明の表示装置の実施形態について、透明基板の片面に配設された単結晶薄膜半導体発光素子の構造及び発光形態について、図2及び図3を参照して説明する。
本発明の第1の実施形態の単結晶薄膜半導体発光素子の構造及び発光形態は、図2(a)に示すように、透明基板110の片面に単結晶薄膜半導体発光素子111を直接接合して、この単結晶薄膜半導体発光素子111の表裏両面から光を出射させるものである。この形態における単結晶薄膜半導体発光素子111の構造の要件は、発光層(活性層)113の両側の2層の非発光層112、114において発光層(活性層)113から出射される光の吸収ができるだけ小さくなるように、非発光層112、114のエネルギバンドギャップ値を発光層(活性層)113のエネルギバンドギャップ値より大きくすることが要件となる。この要件を満たすことによって、発光層(活性層)113からの出射光115、116を単結晶薄膜半導体発光素子111の両面側から出射させることができる。その結果、透明基板110の片面に配設された単結晶薄膜半導体発光素子111の表裏両面から出射される光を透明基板の表裏両面で表示させる表示装置10を具現することができる。尚、この実施形態における単結晶薄膜半導体発光素子の厚さ範囲は、2μm乃至3μmであることが更に好適である。
次に、本発明の第2の実施形態の単結晶薄膜半導体発光素子の構造及び発光形態は、図2(b)に示すように、前記第1の実施形態の単結晶薄膜半導体発光素子111の表面に、非光透過層120と、他の発光層(活性層)123を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子121とを積層した構成である。この単結晶薄膜半導体発光素子121を構成する発光層(活性層)123と2層の非発光層122、124とのエネルギバンドギャップ値の要件は、単結晶薄膜半導体発光素子111の場合と同様に、非発光層122、124のエネルギバンドギャップ値を発光層(活性層)123のエネルギバンドギャップ値より大きくすることが要件となる。尚、この実施形態における2つの単結晶薄膜半導体発光素子111、121と非光透過層120との合計厚さの範囲は、4μm乃至7μmであることが更に好適である。そして、この実施形態においては、非透過層120は、各々の発光層(活性層)113、123から出射される光を吸収又は反射することが要件である。この要件を満たすことによって、発光層(活性層)113、123からの出射光116、117、126及び127は、非透過層120の両側に、すなわち、それぞれの単結晶薄膜半導体発光素子111、121側に出射することができる。その結果、透明基板110の表裏両面側で独立した光を表示させる表示装置20を具現することができる。
そして、本発明の第3の実施形態の単結晶薄膜半導体発光素子の構造及び発光形態は、図3に示すように、透明基板110の片面に、2つの単結晶薄膜半導体発光素子111、131を互いに隣接配設し、一方の単結晶薄膜半導体発光素子111は表面に第1の非光透過層130を備え、他方の単結晶薄膜半導体発光素子131と透明基板110との間に第2の非光透過層140を備えた構成である。この形態における要件は、2つの単結晶薄膜半導体発光素子111、131の各活性層(活性層)113、133と各非発光層112、114、132、134とのエネルギバンドギャップ値の関係は、前記第1の実施形態及び第2の実施形態と同様である。尚、この実施形態における単結晶薄膜半導体発光素子の厚さ範囲は、2μm乃至3μmであることが更に好適である。又、第1の非光透過層130及び第2の非光透過層140は、各々の発光層(活性層)113、133から出射される光を吸収又は反射することが要件である。この要件を満たすことによって、発光層(活性層)113、133からの出射光116、117、及び出射光136、137は、それぞれ、第1の非光透過層130及び第2の非光透過層132の反対側に出射される。その結果、透明基板110の表裏両面側で独立した光を表示させる表示装置30を具現することができる。
前記各実施形態の単結晶薄膜半導体発光素子の構造及び発光形態の特徴を基に、表示装置の実施形態についての構成・動作・効果を説明する。
本発明の第1の実施形態は、単結晶薄膜半導体層から構成される単結晶薄膜半導体発光素子111を透明基板110の片面に接合して2次元状に配列した構成とし、これら2次元状の単結晶薄膜半導体発光素子アレイに一定の時間周期で、画素となる単結晶薄膜半導体発光素子の点灯制御データの転送方向を逆転させることにより、一定周期で透明基板表裏両面側に同等の表示を行う表示装置10を具現することである。
キャンする方向を反転し、スキャン方向BでスキャンすることでONにすると、透明基板110の裏面から見て所望の画像が表示される。これを一定時間周期で繰り返すことにより、基板の表側と裏側とで同一の画像を一定周期で表示させることができる。
次に、この発明の第1の実施形態の表示装置10を具現化するための具体的な実施例及び変形例を図6乃至図8を参照して説明する。
第1の実施形態においては、表示装置10を構成する複数の単結晶薄膜半導体発光素子は同一材料である必要はない。すなわち、図7に示したように異なる材料の単結晶薄膜半導体発光素子111を配列した構成であってもよい。変形例1として、表示装置10−2には、異なる発光波長の単結晶薄膜半導体発光素子111a、111b、111cを、例えば、3色の発光要素であるR、G、Bの発光特性の単結晶薄膜半導体発光素子として構成することによりカラー表示の可能な表示装置10を具現することができる。構成としては、単結晶薄膜半導体発光素子111a、111b、111c、前記透明基板110、y方向配線153、x方向配線154、駆動制御回路170である。
又、以上の実施例及び変形例は2端子発光素子について説明したが、第1の各実施形態の単結晶薄膜半導体発光素子は、例えば、図8に示すような3端子構造の発光素子であってもよい。変形例2として、3端子構造の単結晶薄膜半導体発光素子111−4はAlGaAs系単結晶薄膜半導体発光素子である。具体的な構造としては、図示しない透明基板110側から、n−GaAs層191、n−AltGa1-tAs層192、n−GaAs層(カソードコンタクト層)193、n−AlxGa1-xAs層194、n−AlyGa1-yAs層(活性層)195、p−AlzGa1-zAs層196、n−AlrGa1-rAs層(ゲートコンタクト層)197、p−AlsGa1-sAs層198、p−GaAs層(アノードコンタクト層)199、アノード電極201、ゲート電極202、カソード電極203である。
次に、本発明の第2の実施形態の実施例について、その構成とその動作説明を図9乃至図13を参照して説明する。この第2の実施形態の表示装置20は、単結晶薄膜半導体発光素子111(図2(b))の表面に、非光透過層と、他の発光層(活性層)を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子121とを積層した構造である。そして、この非光透過層は、2つの発光層(活性層)から各々出射される光を吸収又は反射する層である。又、更に、この発明の表示装置20は、非光透過層の両側に設けられた2つの単結晶薄膜半導体発光素子111、121を独立に点灯制御する駆動制御回路180を設けたことを特徴としている。その結果、透明基板の表裏両面側で独立した画像の表示を具現するものである。
次に、本発明の第3の実施形態の実施例及び変形例について、その構成とその動作説明を図14乃至図17を参照して説明する。この第3の実施形態の表示装置30−1は、透明基板110の片面に、2つの単結晶薄膜半導体発光素子520、530を互いに隣接配設し、一方の単結晶薄膜半導体発光素子は表面に第1の非光透過層553を備え、他方の単結晶薄膜半導体発光素子と透明基板との間に第2の非光透過層560を備えた構造である。そして、第1の非光透過層553及び第2の非光透過層560は、隣接配設した2つの単結晶薄膜半導体発光素子520、530から各々出射される光を吸収又は反射する層である。そして、互いに隣接配設した2つの単結晶薄膜半導体発光素子520、530は、1次元状又は2次元状に配設されている。更に、この実施形態の表示装置30−1は、透明基板110上に隣接配設した2つの単結晶薄膜半導体発光素子520、530を独立に点灯制御する駆動制御回路190を設けたことを特徴とする。その結果、透明基板110の表裏両面側に独立した画像を表示させると共に、透明基板110の表裏両面側において表示画素のサイズ及び配列ピッチを変えた画像の表示を具現するものである。
又、前記実施例8の変形例として、図16に示すように、透明基板110と隣接する2つの単結晶薄膜半導体発光素子との間に誘電体層561を設けても、第3の実施形態は表示装置30−2として具現される。この変形例3では、隣接する2つの単結晶薄膜半導体発光素子の構造及びその他の電極等は、実施例8と同様であり、異なる点は、誘電体層561が設けられていることである。この誘電体層561は2つの単結晶薄膜半導体発光素子520,530の発光層からの光に対して透明、すなわち、光透過する有機材料層や、酸化物層及び窒化物層等の無機材料層を用いることができる。
10−1 表示装置(第1の実施形態の実施例)
10−2 表示装置(第1の実施形態の変形例)
20 表示装置(第2の実施形態)
20−1 表示装置(第2の実施形態の実施例)
20−2 表示装置(第2の実施形態の実施例)
30 表示装置(第3の実施形態)
30−1 表示装置(第3の実施形態の実施例)
30−2 表示装置(第3の実施形態の変形例)
30−3 表示装置(第3の実施形態の実施例)
101 母材基板
102 単結晶薄膜半導体層
103 犠牲層
110 透明基板
111、121、131 単結晶薄膜半導体発光素子
111a、111b、111c 異なる発光波長の単結晶薄膜半導体発光素子
111−1 AlGaAs系単結晶薄膜半導体発光素子
111−2 AlGaInP系単結晶薄膜半導体発光素子
111−3 GaN系単結晶薄膜半導体発光素子
111−4 3端子構造の単結晶薄膜半導体発光素子
112、114、122、124、132、134 非発光層
113、123、133 発光層(活性層)
115、116、117、126、127、136、137 出射光
120 非光透過層
130 第1の非透過層
140 第2の非透過層
141 発光領域
142 電極領域
143、144 接続配線
150 配線
151、153 y方向配線
152、154 x方向配線
160、170、180、190 駆動制御回路
A、B スキャン方向
165 AlyGa1-yAs層(活性層)
175 (AlyGa1-y)s2In1-s2P層(活性層)
183 InxGa1-xN層/GaN層の積層層(活性層)
195 n−AlyGa1-yAs層(活性層)
201 アノード電極
202 ゲート電極
203 カソード電極
220 単結晶薄膜半導体発光素子(上部)
223 n−Aly1Ga1-y1As層(活性層)
230 単結晶薄膜半導体発光素子(下部)
232 n−Aly2Ga1-y2As層(活性層)
234 n型導通層
240 p−GaAs層(吸収層)
251 絶縁膜
252 共通電極
253 上部n側電極
254 下部n側電極
255 下部n側制御配線
256 上部n側制御配線
257 共通配線
320 単結晶薄膜半導体発光素子(上部)
322 n−(Alx2Ga1-x2)y1In1-y1P層(活性層)
330 単結晶薄膜半導体発光素子(下部)
335 n−(Alz2Ga1-z2)y1In1-y1P層(活性層)
340 単結晶薄膜半導体発光素子(上部)
342 ノンドープInx1Ga1-x1N/ノンドープGaNの積層層(活性層)
343 n−Aly1Ga1-y1N層
350 単結晶薄膜半導体発光素子(下部)
353 ノンドープInx2Ga1-x2N/ノンドープGaNの積層層(活性層)
360 Inx3Ga1-x3N層(吸収層)
420 単結晶薄膜半導体発光素子(上部)
423 n−Aly1Ga1-y1As層(活性層)
430 単結晶薄膜半導体発光素子(下部)
433 n−Aly2Ga1-y2As層(活性層)
435 n−GaAs/n−AltGa1-tAs/n−GaAs層(n型導通層)
451 絶縁膜
452 上部n側電極
453 p側電極
454 金属層(反射層、共通電極)
455 下部n側電極
461 誘電体層
520 単結晶薄膜半導体発光素子(左部)
523 Aly2Ga1-y2As層(活性層)
525 GaAs層
530 単結晶薄膜半導体発光素子(右部)
533 Aly1Ga1-y1As層(活性層)
552 電極
553 金属層(反射層)
554 共通電極
560 金属層(反射層)
561 誘電体層
571 制御配線
572 制御配線
573 共通配線
620 単結晶薄膜半導体発光素子(左部)
623 Aly2Ga1-y2As層(活性層)
625 GaAs層(吸収層)
630 単結晶薄膜半導体発光素子(右部)
631 GaAs層(吸収層)
633 Aly1Ga1-y1As層(活性層)
Claims (12)
- 透明基板の片面に複数の単結晶薄膜半導体発光素子を配設した表示装置であって、
前記複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、母材基板から剥離された単結晶薄膜半導体層から構成され、
前記単結晶薄膜半導体発光素子は、発光層とこの発光層を挟んだ2層の非発光層とを備えることを特徴とする表示装置。 - 前記2層の非発光層のエネルギバンドギャップは、前記発光層のエネルギバンドギャップより大きい値を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記複数の単結晶薄膜半導体発光素子の表面から出射される光と、裏面から出射し、前記透明基板を透過する光とにより、表裏両面で表示することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。
- 前記複数の単結晶薄膜半導体発光素子は、1次元状又は2次元状に配設されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうち何れか1項に記載の表示装置。
- 前記複数の単結晶薄膜半導体発光素子への点灯信号入力のスキャン方向を、所定の時間間隔(周期)で反転させる駆動制御回路を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のうち何れか1項に記載の表示装置。
- 前記単結晶薄膜半導体発光素子の表面に、非光透過層と、他の発光層を有する他の単結晶薄膜半導体層からなる他の単結晶薄膜半導体発光素子とを積層したことを特徴とする請求項1乃至請求項4のうち何れか1項に記載の表示装置。
- 前記非光透過層は、前記2つの発光層から各々出射される光を吸収又は反射する層であることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- 前記非光透過層の両側に設けられた2つの単結晶薄膜半導体発光素子を独立に点灯制御する駆動制御回路を設けたことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の表示装置。
- 前記透明基板の片面に、2つの前記単結晶薄膜半導体発光素子を互いに隣接配設し、一方の前記単結晶薄膜半導体発光素子は表面に第1の非光透過層を備え、他方の前記単結晶薄膜半導体発光素子と前記透明基板との間に第2の非光透過層を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のうち何れか1項に記載の表示装置。
- 前記第1の非光透過層及び第2の非光透過層は、2つの前記単結晶薄膜半導体発光素子から各々出射される光を吸収又は反射する層であることを特徴とする請求項9に記載の表示装置。
- 前記互いに隣接配設された2つの前記単結晶薄膜半導体発光素子は、1次元状又は2次元状に複数組配設されていることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の表示装置。
- 前記透明基板上に隣接配設された前記2つの前記単結晶薄膜半導体発光素子を独立に点灯制御する駆動制御回路を設けたことを特徴とする請求項9乃至請求項11のうち何れか1項に記載の表示装置。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004624A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2013171942A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Oki Data Corp | 発光装置、led装置、及び表示装置 |
JP2013247371A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光素子、発光装置及び装置用ベース |
KR101392977B1 (ko) | 2011-09-01 | 2014-05-08 | 에피스타 코포레이션 | 다층 발광적층을 구비한 발광 소자 |
JP2014229700A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
KR101489082B1 (ko) * | 2013-04-09 | 2015-02-02 | 유니티 옵토 테크노로지 주식회사 | 1칩 2광원의 발광소자 |
JP2015524999A (ja) * | 2012-07-18 | 2015-08-27 | ジースマット カンパニー リミテッドG−Smatt Co., Ltd | 透明電光板およびその製造方法 |
WO2017073759A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子、受発光素子モジュールおよび光学式センサ |
JP2019509636A (ja) * | 2016-03-09 | 2019-04-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法 |
JP2021125683A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8192051B2 (en) | 2010-11-01 | 2012-06-05 | Quarkstar Llc | Bidirectional LED light sheet |
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JP5643720B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2014-12-17 | 株式会社沖データ | ディスプレイモジュール及びその製造方法と表示装置 |
DE102011087886A1 (de) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | Osram Gmbh | Halbleiterleuchte |
TWI473294B (zh) * | 2012-08-03 | 2015-02-11 | Genesis Photonics Inc | 發光裝置 |
KR102547686B1 (ko) * | 2016-04-11 | 2023-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
CN106449944A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-02-22 | 上海俪德照明科技股份有限公司 | 一种led面光源、led灯片及led灯 |
CN107359175B (zh) * | 2017-07-25 | 2020-02-11 | 上海天马微电子有限公司 | 微发光二极管显示面板和显示装置 |
CN109860364B (zh) * | 2017-08-30 | 2020-09-01 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管 |
US10892296B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device having commonly connected LED sub-units |
US11282981B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-03-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Passivation covered light emitting unit stack |
US10892297B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) stack for a display |
US11527519B2 (en) | 2017-11-27 | 2022-12-13 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US10748881B2 (en) | 2017-12-05 | 2020-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US10886327B2 (en) | 2017-12-14 | 2021-01-05 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552057B2 (en) | 2017-12-20 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | LED unit for display and display apparatus having the same |
US11522006B2 (en) | 2017-12-21 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting stacked structure and display device having the same |
US11552061B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-01-10 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
US11114499B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-09-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Display device having light emitting stacked structure |
US10784240B2 (en) | 2018-01-03 | 2020-09-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same |
CN114203749B (zh) * | 2021-12-10 | 2023-08-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 双面显示面板和双面显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186590A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Rohm Co Ltd | チップ型led |
JP2002176229A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2003051616A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Sony Corp | 発光装置 |
JP2004327431A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器 |
WO2004114272A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Pioneer Corporation | 表示装置及びこれを含んでなる電子機器 |
JP2008034473A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 面状光源 |
JP2008159767A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Oki Data Corp | 発光表示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4870322A (en) * | 1986-04-15 | 1989-09-26 | Hoya Corporation | Electroluminescent panel having a layer of germanium nitride between an electroluminescent layer and a back electrode |
JPH06250591A (ja) | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ledディスプレイ装置 |
US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
KR100382481B1 (ko) * | 2000-06-09 | 2003-05-01 | 엘지전자 주식회사 | 백색 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법 |
JP2005004120A (ja) * | 2003-06-16 | 2005-01-06 | Advanced Display Inc | 表示装置及び表示制御回路 |
KR20060024421A (ko) * | 2003-06-30 | 2006-03-16 | 켄이치로 미야하라 | 박막 형성용 기판, 박막 기판, 및 발광소자 |
KR100527198B1 (ko) * | 2003-11-12 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 양면으로 화면을 표시할 수 있는 평면표시장치 |
WO2005060478A2 (en) * | 2003-12-16 | 2005-07-07 | Colorado Time Systems, Llc | Lighted indicia display apparatus and methods |
US7250728B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-07-31 | Au Optronics | Bottom and top emission OLED pixel structure |
TWI270722B (en) * | 2004-07-23 | 2007-01-11 | Au Optronics Corp | Dual-side display panel |
JP4636501B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-02-23 | 株式会社沖データ | 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置 |
-
2008
- 2008-08-29 JP JP2008222816A patent/JP5097057B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-26 US US12/461,851 patent/US20100051969A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-27 EP EP09168777A patent/EP2159780B1/en not_active Not-in-force
-
2013
- 2013-07-03 US US13/934,273 patent/US8796703B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186590A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Rohm Co Ltd | チップ型led |
JP2002176229A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2003051616A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Sony Corp | 発光装置 |
JP2004327431A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子機器 |
WO2004114272A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Pioneer Corporation | 表示装置及びこれを含んでなる電子機器 |
JP2008034473A (ja) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 面状光源 |
JP2008159767A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Oki Data Corp | 発光表示装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
M. OGIHARA ET AL.: "1200dpi thin film LED array by silicon photonics technology", ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE, 2008. ECTC 2008. 58TH, JPN6011062297, 27 May 2008 (2008-05-27), pages 765 - 772, XP031276280, ISSN: 0002081062 * |
荻原光彦: "エピフィルムボンディングによる異種材料融合デバイス", OKIテクニカルレビュー, vol. 第211号Vol.74 No.3, JPN6011062295, October 2007 (2007-10-01), pages 98 - 103, ISSN: 0002081061 * |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004624A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
KR101392977B1 (ko) | 2011-09-01 | 2014-05-08 | 에피스타 코포레이션 | 다층 발광적층을 구비한 발광 소자 |
JP2013171942A (ja) * | 2012-02-20 | 2013-09-02 | Oki Data Corp | 発光装置、led装置、及び表示装置 |
JP2013247371A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光素子、発光装置及び装置用ベース |
JP2015524999A (ja) * | 2012-07-18 | 2015-08-27 | ジースマット カンパニー リミテッドG−Smatt Co., Ltd | 透明電光板およびその製造方法 |
KR101489082B1 (ko) * | 2013-04-09 | 2015-02-02 | 유니티 옵토 테크노로지 주식회사 | 1칩 2광원의 발광소자 |
JP2014229700A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
WO2017073759A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2017-05-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子、受発光素子モジュールおよび光学式センサ |
JPWO2017073759A1 (ja) * | 2015-10-29 | 2018-06-21 | 京セラ株式会社 | 発光素子、受発光素子モジュールおよび光学式センサ |
JP2019509636A (ja) * | 2016-03-09 | 2019-04-04 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品を製造するための方法 |
US10686099B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-06-16 | Osram Oled Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
JP2021125683A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
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JP2023006060A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
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