JPH11186590A - チップ型ｌｅｄ - Google Patents
チップ型ｌｅｄInfo
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- JPH11186590A JPH11186590A JP35644197A JP35644197A JPH11186590A JP H11186590 A JPH11186590 A JP H11186590A JP 35644197 A JP35644197 A JP 35644197A JP 35644197 A JP35644197 A JP 35644197A JP H11186590 A JPH11186590 A JP H11186590A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型ＬＥＤが組み込まれる表示装置の薄
型化およびチップ型ＬＥＤの包装形態を１種類にするこ
とを課題とする。 【解決手段】 チップ型ＬＥＤ１０は、主としてプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成される。
プリント配線基板２にＬＥＤ発光素子がボンディングさ
れており、プリント配線基板２はガラス基板であり、Ｌ
ＥＤ発光素子１は、透明基板上に、発光層を含んだ半導
体層が積層された発光素子である。光７はエポキシ樹脂
１１を透過して空気中に放出され、光１７はプリント配
線基板２を透過して空気中に放出される。従って、チッ
プ型ＬＥＤ１０は、両面発光体となる。
型化およびチップ型ＬＥＤの包装形態を１種類にするこ
とを課題とする。 【解決手段】 チップ型ＬＥＤ１０は、主としてプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成される。
プリント配線基板２にＬＥＤ発光素子がボンディングさ
れており、プリント配線基板２はガラス基板であり、Ｌ
ＥＤ発光素子１は、透明基板上に、発光層を含んだ半導
体層が積層された発光素子である。光７はエポキシ樹脂
１１を透過して空気中に放出され、光１７はプリント配
線基板２を透過して空気中に放出される。従って、チッ
プ型ＬＥＤ１０は、両面発光体となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、ＬＥＤ表示装
置、特に両面発光が要求されるメッセージ表示器等に組
み込まれるチップ型ＬＥＤに関するものである。
置、特に両面発光が要求されるメッセージ表示器等に組
み込まれるチップ型ＬＥＤに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】チップ型ＬＥＤは、プリント配線基板上
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図６に示されるチップ型ＬＥＤ６０では、ＬＥＤ発
光素子１の表面に形成された電極５，６が導電材（図示
略）を介して、プリント配線基板１２上の配線パターン
９に電気的に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、い
わゆるフェースダウンの状態でプリント配線基板１２に
実装され、エポキシ樹脂１１で封止される。
のＬＥＤ発光素子が透明性樹脂で封止されたものであ
る。図６に示されるチップ型ＬＥＤ６０では、ＬＥＤ発
光素子１の表面に形成された電極５，６が導電材（図示
略）を介して、プリント配線基板１２上の配線パターン
９に電気的に接続されている。ＬＥＤ発光素子１は、い
わゆるフェースダウンの状態でプリント配線基板１２に
実装され、エポキシ樹脂１１で封止される。
【０００３】ＬＥＤ発光素子１が青色発光素子のように
透明基板（サファイア基板）を含む場合、図６に示され
るように、ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方向
に放出された光７は、サファイア基板（図示略）を透過
してからエポキシ樹脂１１を透過していく。一方、発光
点Ｐから下方向に放出された光７は、プリント配線基板
１２に到達する。プリント配線基板１２が透光性がなく
て反射率の高い材質からなる場合には、光７はプリント
配線基板１２で上方向に反射する。従って、チップ型Ｌ
ＥＤ６０は、片面（上方向）のみが発光するものとな
る。
透明基板（サファイア基板）を含む場合、図６に示され
るように、ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方向
に放出された光７は、サファイア基板（図示略）を透過
してからエポキシ樹脂１１を透過していく。一方、発光
点Ｐから下方向に放出された光７は、プリント配線基板
１２に到達する。プリント配線基板１２が透光性がなく
て反射率の高い材質からなる場合には、光７はプリント
配線基板１２で上方向に反射する。従って、チップ型Ｌ
ＥＤ６０は、片面（上方向）のみが発光するものとな
る。
【０００４】上記チップ型ＬＥＤ６０は、キャリアテー
プで包装されて出荷される。キャリアテープは、図７に
示されるように、複数のキャビティ７１が等間隔に形成
されたテープ本体７２を備えている。通常、チップ型Ｌ
ＥＤ６０は、図７（ｂ）に示されるように発光面８４が
上になった状態でキャビティ７１内に装着され、キャリ
アテープは、キャビティ７１の開口がトップテープ７３
で封止されてロール状に巻かれてユーザーのもとへ送ら
れる。ユーザーは、トップテープ７３を剥がし、キャビ
ティ７１内のチップ型ＬＥＤ６０を一つずつピックアッ
プして所定の実装基板に実装する。
プで包装されて出荷される。キャリアテープは、図７に
示されるように、複数のキャビティ７１が等間隔に形成
されたテープ本体７２を備えている。通常、チップ型Ｌ
ＥＤ６０は、図７（ｂ）に示されるように発光面８４が
上になった状態でキャビティ７１内に装着され、キャリ
アテープは、キャビティ７１の開口がトップテープ７３
で封止されてロール状に巻かれてユーザーのもとへ送ら
れる。ユーザーは、トップテープ７３を剥がし、キャビ
ティ７１内のチップ型ＬＥＤ６０を一つずつピックアッ
プして所定の実装基板に実装する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】チップ型ＬＥＤ６０は
実装基板８１に実装されＬＥＤ表示装置内に組み込まれ
ることになるが、ＬＥＤ表示装置のなかには駅のメッセ
ージ表示器等のように両面の発光が要求されるものがあ
る。両面発光が要求されるメッセージ表示器を製造する
場合には、チップ型ＬＥＤ６０が実装基板８１に実装さ
れた片面発光のユニットを二つ製造しておき、各ユニッ
トの実装基板８１同士を接合することによって、ＬＥＤ
表示装置を両面発光としている。従って、両面の発光が
要求されるメッセージ表示器等のＬＥＤ表示装置は、同
一ユニットが二つ必要となり、厚いものになってしま
う。
実装基板８１に実装されＬＥＤ表示装置内に組み込まれ
ることになるが、ＬＥＤ表示装置のなかには駅のメッセ
ージ表示器等のように両面の発光が要求されるものがあ
る。両面発光が要求されるメッセージ表示器を製造する
場合には、チップ型ＬＥＤ６０が実装基板８１に実装さ
れた片面発光のユニットを二つ製造しておき、各ユニッ
トの実装基板８１同士を接合することによって、ＬＥＤ
表示装置を両面発光としている。従って、両面の発光が
要求されるメッセージ表示器等のＬＥＤ表示装置は、同
一ユニットが二つ必要となり、厚いものになってしま
う。
【０００６】ユーザーによっては、少しでもＬＥＤ表示
装置を薄くするためや発光面を考慮して、図８（ａ）に
示されるように、実装基板８１に加工された穴８２にチ
ップ型ＬＥＤ６０の発光面８４を組み込みような実装形
態をとることがある。ユーザーがこのような実装形態を
とる場合、チップ型ＬＥＤ６０は、図７（ａ）に示され
るように、キャリアテープのキャビティ７１内で発光面
８４（図８参照）を下にして包装されることになる。こ
のように、片面発光のチップ型ＬＥＤ６０をキャリアテ
ープで包装するときには、ユーザーの実装形態によっ
て、図７（ａ）または図７（ｂ）に示される２種類の包
装形態が必要であった。
装置を薄くするためや発光面を考慮して、図８（ａ）に
示されるように、実装基板８１に加工された穴８２にチ
ップ型ＬＥＤ６０の発光面８４を組み込みような実装形
態をとることがある。ユーザーがこのような実装形態を
とる場合、チップ型ＬＥＤ６０は、図７（ａ）に示され
るように、キャリアテープのキャビティ７１内で発光面
８４（図８参照）を下にして包装されることになる。こ
のように、片面発光のチップ型ＬＥＤ６０をキャリアテ
ープで包装するときには、ユーザーの実装形態によっ
て、図７（ａ）または図７（ｂ）に示される２種類の包
装形態が必要であった。
【０００７】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、チップ型ＬＥＤが組み込まれる
表示装置の薄型化およびチップ型ＬＥＤの包装形態を１
種類にすることをその課題としている。
出されたものであって、チップ型ＬＥＤが組み込まれる
表示装置の薄型化およびチップ型ＬＥＤの包装形態を１
種類にすることをその課題としている。
【０００８】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００９】すなわち、本願発明は、プリント配線基板
にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチップ型Ｌ
ＥＤにおいて、上記プリント配線基板は透光性材料から
なるものであり、上記ＬＥＤ発光素子は、透明基板上
に、発光層を含んだ半導体層が積層された発光素子であ
ることを特徴とするものである。
にＬＥＤ発光素子がボンディングされているチップ型Ｌ
ＥＤにおいて、上記プリント配線基板は透光性材料から
なるものであり、上記ＬＥＤ発光素子は、透明基板上
に、発光層を含んだ半導体層が積層された発光素子であ
ることを特徴とするものである。
【００１０】本願発明では、プリント配線基板上に、半
導体層が透明基板上に積層されたＬＥＤ発光素子をボン
ディングしている。ＬＥＤ発光素子内の発光点から上方
向に発せられた光は、ＬＥＤ発光素子を覆っている封止
体を透過して空気中に放出される。下方向に発せられた
光は、プリント配線基板に達する。本願発明では、プリ
ント配線基板が透光性材料からなるものなので、下方向
に発せられた光はプリント配線基板内を透過し、空気中
に放出される。このように、ＬＥＤ発光素子から発せら
れた光は、プリント配線基板で反射されて方向が一つに
定められるようなことはなく、双方向（上下方向）に放
出されることになる。従って、本願発明に係るチップ型
ＬＥＤは、上下両面が発光するものとなる。
導体層が透明基板上に積層されたＬＥＤ発光素子をボン
ディングしている。ＬＥＤ発光素子内の発光点から上方
向に発せられた光は、ＬＥＤ発光素子を覆っている封止
体を透過して空気中に放出される。下方向に発せられた
光は、プリント配線基板に達する。本願発明では、プリ
ント配線基板が透光性材料からなるものなので、下方向
に発せられた光はプリント配線基板内を透過し、空気中
に放出される。このように、ＬＥＤ発光素子から発せら
れた光は、プリント配線基板で反射されて方向が一つに
定められるようなことはなく、双方向（上下方向）に放
出されることになる。従って、本願発明に係るチップ型
ＬＥＤは、上下両面が発光するものとなる。
【００１１】本願発明の実施形態として、上記プリント
配線基板は、ガラスからなるものとしている。具体的に
はガラス基板の表面に配線パターンが形成されたもので
ある。ガラスは透光性が高いので、プリント配線基板が
ガラス基板の場合には、ＬＥＤ発光素子から下方向に発
せられた光がプリント配線基板内を透過して、空気中に
放出されやすくなる。このように、ガラス基板は、チッ
プ型ＬＥＤを両面発光させるには有効な材料となる。
配線基板は、ガラスからなるものとしている。具体的に
はガラス基板の表面に配線パターンが形成されたもので
ある。ガラスは透光性が高いので、プリント配線基板が
ガラス基板の場合には、ＬＥＤ発光素子から下方向に発
せられた光がプリント配線基板内を透過して、空気中に
放出されやすくなる。このように、ガラス基板は、チッ
プ型ＬＥＤを両面発光させるには有効な材料となる。
【００１２】本願発明の好ましい実施形態として、上記
プリント配線基板には凹部が設けられており、この凹部
に上記ＬＥＤ発光素子がボンディングされている構成に
することができる。ＬＥＤ発光素子が凹部内に設けられ
ている分、チップ型ＬＥＤの厚さが薄くなるので、この
ＬＥＤ発光素子が組み込まれたＬＥＤ表示装置の厚さも
薄くなる。なお、ＬＥＤ発光素子から発せられる光は、
既に述べたように上下方向に放出されるので、このチッ
プ型ＬＥＤも両面発光である。
プリント配線基板には凹部が設けられており、この凹部
に上記ＬＥＤ発光素子がボンディングされている構成に
することができる。ＬＥＤ発光素子が凹部内に設けられ
ている分、チップ型ＬＥＤの厚さが薄くなるので、この
ＬＥＤ発光素子が組み込まれたＬＥＤ表示装置の厚さも
薄くなる。なお、ＬＥＤ発光素子から発せられる光は、
既に述べたように上下方向に放出されるので、このチッ
プ型ＬＥＤも両面発光である。
【００１３】このように、本願発明に係るチップ型ＬＥ
Ｄは、上下両面が発光するものである。両面発光のチッ
プ型ＬＥＤを実装基板に実装すれば、ＬＥＤ表示装置は
両面が発光するものとなる。これまでのように、片面発
光の従来のチップ型ＬＥＤを実装基板に実装し、片面発
光のユニットを二つ製造しておき、各ユニットの実装基
板同士を接合して、ＬＥＤ表示装置を両面発光にする必
要がなくなる。このため、本願発明に係るチップ型ＬＥ
Ｄが組み込まれた表示装置は、従来のものよりも薄くな
り、設置の際にスペースを大きくとる必要もない。
Ｄは、上下両面が発光するものである。両面発光のチッ
プ型ＬＥＤを実装基板に実装すれば、ＬＥＤ表示装置は
両面が発光するものとなる。これまでのように、片面発
光の従来のチップ型ＬＥＤを実装基板に実装し、片面発
光のユニットを二つ製造しておき、各ユニットの実装基
板同士を接合して、ＬＥＤ表示装置を両面発光にする必
要がなくなる。このため、本願発明に係るチップ型ＬＥ
Ｄが組み込まれた表示装置は、従来のものよりも薄くな
り、設置の際にスペースを大きくとる必要もない。
【００１４】本願発明によってＬＥＤ表示装置の厚みが
薄くなり、さらにＬＥＤ表示装置が両面発光体になるの
で、ユーザーは、チップ型ＬＥＤを裏返してモールド樹
脂の部分を実装基板の穴に組み込という無理な実装形態
をとる必要がなくなる。従って、本願発明のチップ型Ｌ
ＥＤの包装形態は、キャリアテープ内でプリント配線基
板が下になるような形態１種類に限定することができ
る。ユーザーがさらにＬＥＤ表示装置を薄くしたい場合
には、プリント配線基板の凹部内にＬＥＤ発光素子が配
置された本願発明のチップ型ＬＥＤを使用すればよい。
このチップ型ＬＥＤの包装形態もキャリアテープ内でプ
リント配線基板が下になるような形態１種類に限定する
ことができる。
薄くなり、さらにＬＥＤ表示装置が両面発光体になるの
で、ユーザーは、チップ型ＬＥＤを裏返してモールド樹
脂の部分を実装基板の穴に組み込という無理な実装形態
をとる必要がなくなる。従って、本願発明のチップ型Ｌ
ＥＤの包装形態は、キャリアテープ内でプリント配線基
板が下になるような形態１種類に限定することができ
る。ユーザーがさらにＬＥＤ表示装置を薄くしたい場合
には、プリント配線基板の凹部内にＬＥＤ発光素子が配
置された本願発明のチップ型ＬＥＤを使用すればよい。
このチップ型ＬＥＤの包装形態もキャリアテープ内でプ
リント配線基板が下になるような形態１種類に限定する
ことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて、添付図面を参照して説明する。
いて、添付図面を参照して説明する。
【００１６】図１は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主として透光性材料からなるプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。ＬＥＤ発光素子１表面の電極５，６が導電材（図示
略）によってプリント配線基板２上の配線パターン９に
接続され、ＬＥＤ発光素子１がプリント配線基板２にフ
ェースダウンの状態で実装される。ＬＥＤ発光素子１は
透明なエポキシ樹脂１１で封止されている。
一実施例を示す要部断面図である。同図に示されるチッ
プ型ＬＥＤ１０は、主として透光性材料からなるプリン
ト配線基板２と、ＬＥＤ発光素子１とから構成されてい
る。ＬＥＤ発光素子１表面の電極５，６が導電材（図示
略）によってプリント配線基板２上の配線パターン９に
接続され、ＬＥＤ発光素子１がプリント配線基板２にフ
ェースダウンの状態で実装される。ＬＥＤ発光素子１は
透明なエポキシ樹脂１１で封止されている。
【００１７】プリント配線基板２は、ガラス基板に配線
パターン９が形成されたものである。ガラス基板の表面
に導電被膜を形成した後、この導電被膜に所定のパター
ンエッチング処理を施すことによって、配線パターン９
が形成される。ガラス基板の材質については特に問われ
ることはないが、ソーダガラス等のアルカリを含む材質
の場合には、アルカリイオンの析出を防ぐためにガラス
基板と導電被膜との間にＳｉＯ2 （二酸化珪素被膜）が
設けられる。
パターン９が形成されたものである。ガラス基板の表面
に導電被膜を形成した後、この導電被膜に所定のパター
ンエッチング処理を施すことによって、配線パターン９
が形成される。ガラス基板の材質については特に問われ
ることはないが、ソーダガラス等のアルカリを含む材質
の場合には、アルカリイオンの析出を防ぐためにガラス
基板と導電被膜との間にＳｉＯ2 （二酸化珪素被膜）が
設けられる。
【００１８】上記チップ型ＬＥＤ１０におけるＬＥＤ発
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に導通されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。
光素子１は、青色発光素子として構成されたものであ
る。図２は、ＬＥＤ発光素子１の一例を示す縦断面図で
ある。このＬＥＤ発光素子１は、同図に示されるように
ＭＩＳ構造になっており、裏返されて電極５，６が配線
パターン９に導通されることになる。サファイア基板２
１上にはバッファ層２２が形成されており、バッファ層
２２上には順に高キャリア濃度ｎ+ 層２３と低キャリア
濃度ｎ層２４が形成されており、更に低キャリア濃度ｎ
層２４上にはｉ層２５が形成されている。ｉ層２５には
電極６が接続しており、高キャリア濃度ｎ+ 層２３には
電極５が接続している。このＬＥＤ発光素子１は、有機
金属化合物気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法）によりサ
ファイア基板２１の上に各層２２〜２５を成長させ、そ
の後、電極５，６を形成することによって得られる。
【００１９】ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方
向に放出された光７は、図１に示されるように、サファ
イア基板２１（図２参照）を透過してからエポキシ樹脂
１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐから下方向
に放出された光１７は、プリント配線基板２を透過して
いく。従って、チップ型ＬＥＤ１０は、両面発光とな
る。
向に放出された光７は、図１に示されるように、サファ
イア基板２１（図２参照）を透過してからエポキシ樹脂
１１を一方向に無駄なく透過する。発光点Ｐから下方向
に放出された光１７は、プリント配線基板２を透過して
いく。従って、チップ型ＬＥＤ１０は、両面発光とな
る。
【００２０】チップ型ＬＥＤ１０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成したガラス基板に複数の溝をほり、溝の内
面にも導電被膜を形成する。次に、ＬＥＤ発光素子１表
面の電極５，６と配線パターン９とを電気的に接続し、
ＬＥＤ発光素子１をいわゆるフェースダウンの状態でガ
ラス基板に実装する。実装工程終了後、金型を被せてＬ
ＥＤ発光素子１を覆う。金型には、封止体注入用の穴が
開いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型
内に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めてガラス基板に
接合する。接合が終了してから金型を取り外し、ガラス
基板の棒状部分を溝に対して垂直方向にカットすると、
チップ型ＬＥＤ１０を複数得ることができる。
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成したガラス基板に複数の溝をほり、溝の内
面にも導電被膜を形成する。次に、ＬＥＤ発光素子１表
面の電極５，６と配線パターン９とを電気的に接続し、
ＬＥＤ発光素子１をいわゆるフェースダウンの状態でガ
ラス基板に実装する。実装工程終了後、金型を被せてＬ
ＥＤ発光素子１を覆う。金型には、封止体注入用の穴が
開いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を金型
内に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めてガラス基板に
接合する。接合が終了してから金型を取り外し、ガラス
基板の棒状部分を溝に対して垂直方向にカットすると、
チップ型ＬＥＤ１０を複数得ることができる。
【００２１】図３は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。このチップ型ＬＥ
Ｄ３０は、図１に示されるチップ型ＬＥＤ１０における
プリント配線基板２に凹部３１が設けられ、上記凹部３
１にＬＥＤ発光素子１が実装されたものである。ＬＥＤ
発光素子１が凹部３１にボンディングされる分、チップ
型ＬＥＤ３０の厚さは薄くなる。
他の実施例を示す要部断面図である。このチップ型ＬＥ
Ｄ３０は、図１に示されるチップ型ＬＥＤ１０における
プリント配線基板２に凹部３１が設けられ、上記凹部３
１にＬＥＤ発光素子１が実装されたものである。ＬＥＤ
発光素子１が凹部３１にボンディングされる分、チップ
型ＬＥＤ３０の厚さは薄くなる。
【００２２】ＬＥＤ発光素子１内部の発光点Ｐから上方
向に放出された光７は、図３に示されるように、エポキ
シ樹脂１１を透過していく。発光点Ｐから下方向に放出
された光１７は、プリント配線基板２を透過していく。
従って、チップ型ＬＥＤ３０も両面発光となる。
向に放出された光７は、図３に示されるように、エポキ
シ樹脂１１を透過していく。発光点Ｐから下方向に放出
された光１７は、プリント配線基板２を透過していく。
従って、チップ型ＬＥＤ３０も両面発光となる。
【００２３】チップ型ＬＥＤ３０の製造工程はチップ型
ＬＥＤ１０の製造工程と基本的に同じであるが、ＬＥＤ
発光素子１をガラス基板にボンディングする前に予め凹
部３１をガラス基板に形成しておく。その後の製造工程
は、チップ型ＬＥＤ１０の場合と同様である。
ＬＥＤ１０の製造工程と基本的に同じであるが、ＬＥＤ
発光素子１をガラス基板にボンディングする前に予め凹
部３１をガラス基板に形成しておく。その後の製造工程
は、チップ型ＬＥＤ１０の場合と同様である。
【００２４】図４は、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主として透光性材料から
なるプリント配線基板２、ＬＥＤ発光素子５１、ワイヤ
Ｗから構成されている。ＬＥＤ発光素子５１の表面に形
成されている電極５，６は、ワイヤＷによってプリント
配線基板２上の配線パターン９と電気的に接合してい
る。プリント配線基板２上にボンディングされたＬＥＤ
発光素子５１は、透明なエポキシ樹脂１１で封止されて
いる。
他の実施例を示す要部断面図である。同図に示されるよ
うに、チップ型ＬＥＤ５０は、主として透光性材料から
なるプリント配線基板２、ＬＥＤ発光素子５１、ワイヤ
Ｗから構成されている。ＬＥＤ発光素子５１の表面に形
成されている電極５，６は、ワイヤＷによってプリント
配線基板２上の配線パターン９と電気的に接合してい
る。プリント配線基板２上にボンディングされたＬＥＤ
発光素子５１は、透明なエポキシ樹脂１１で封止されて
いる。
【００２５】図４に示されるように、ＬＥＤ発光素子１
内部の発光点Ｐから上方向に放出された光７はエポキシ
樹脂１１を透過していき、下方向に放出された光１７は
プリント配線基板２を透過していく。従って、チップ型
ＬＥＤ５０も両面発光となる。
内部の発光点Ｐから上方向に放出された光７はエポキシ
樹脂１１を透過していき、下方向に放出された光１７は
プリント配線基板２を透過していく。従って、チップ型
ＬＥＤ５０も両面発光となる。
【００２６】図５は、上記チップ型ＬＥＤ５０における
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９にボンディングされるサファイア基板６１上
にはバッファ層６２が形成されており、バッファ層６２
上にはｎ型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６
５からなる積層部７０が形成されている。ｎ型半導体層
６３の表面にはワイヤボンディング用の電極６が設けら
れ、ｐ型半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用
の電極５が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１
は、ＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層
６２〜６５を成長させ、その後、電極５，６を形成する
ことによって得られる。
ＬＥＤ発光素子５１の一例を示す縦断面図である。ＬＥ
Ｄ発光素子５１は、青色発光素子として構成されてい
る。このＬＥＤ発光素子５１は、ｐ型半導体とｎ型半導
体とを有するものである。同図に示されるように、配線
パターン９にボンディングされるサファイア基板６１上
にはバッファ層６２が形成されており、バッファ層６２
上にはｎ型半導体層６３、発光層６４、ｐ型半導体層６
５からなる積層部７０が形成されている。ｎ型半導体層
６３の表面にはワイヤボンディング用の電極６が設けら
れ、ｐ型半導体層６５の表面にもワイヤボンディング用
の電極５が設けられている。このＬＥＤ発光素子５１
は、ＭＯＣＶＤ法によりサファイア基板６１の上に各層
６２〜６５を成長させ、その後、電極５，６を形成する
ことによって得られる。
【００２７】チップ型ＬＥＤ５０の製造工程の一例を以
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成したガラス基板に複数の溝をほり、溝の内
面にも導電被膜を形成する。次に、ＬＥＤ発光素子５１
におけるサファイア基板６１をガラス基板にボンディン
グする。ＬＥＤ発光素子５１表面に形成されている電極
５，６にワイヤＷをボンディングし、ワイヤＷの他端部
を配線パターン９にボンディングする。ワイヤボンディ
ング終了後、金型を被せてガラス基板上のＬＥＤ発光素
子１およびワイヤＷを覆う。金型には、封止体注入用の
穴が開いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を
金型内に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めてガラス基
板に接合する。接合が終了してから金型を取り外し、ガ
ラス基板の棒状部分を溝に対して垂直方向にカットする
と、チップ型ＬＥＤ５０を複数得ることができる。
下に示す。先ず、予め表面および裏面の適部に配線パタ
ーン９を形成したガラス基板に複数の溝をほり、溝の内
面にも導電被膜を形成する。次に、ＬＥＤ発光素子５１
におけるサファイア基板６１をガラス基板にボンディン
グする。ＬＥＤ発光素子５１表面に形成されている電極
５，６にワイヤＷをボンディングし、ワイヤＷの他端部
を配線パターン９にボンディングする。ワイヤボンディ
ング終了後、金型を被せてガラス基板上のＬＥＤ発光素
子１およびワイヤＷを覆う。金型には、封止体注入用の
穴が開いている。この穴から液状のエポキシ樹脂１１を
金型内に流し込み、エポキシ樹脂１１を固めてガラス基
板に接合する。接合が終了してから金型を取り外し、ガ
ラス基板の棒状部分を溝に対して垂直方向にカットする
と、チップ型ＬＥＤ５０を複数得ることができる。
【００２８】上記チップ型ＬＥＤ１０，３０，５０は、
何れも両面（上下方向）が発光するものである。これら
のチップ型ＬＥＤ１０，３０，５０を実装基板に実装し
てやれば両面発光のＬＥＤ表示装置が得られる。これま
でのように、片面発光のチップ型ＬＥＤが実装基板に実
装されている発光ユニットを二つ造る必要がないので、
ＬＥＤ表示装置の厚さは薄いものとなる。
何れも両面（上下方向）が発光するものである。これら
のチップ型ＬＥＤ１０，３０，５０を実装基板に実装し
てやれば両面発光のＬＥＤ表示装置が得られる。これま
でのように、片面発光のチップ型ＬＥＤが実装基板に実
装されている発光ユニットを二つ造る必要がないので、
ＬＥＤ表示装置の厚さは薄いものとなる。
【００２９】ＬＥＤ表示装置は両面発光体で厚みが薄く
なるので、ユーザーは、チップ型ＬＥＤ１０，３０，５
０を裏返してモールド樹脂の部分を実装基板の穴に組み
込という無理な実装形態をとる必要はない。従って、チ
ップ型ＬＥＤ１０，３０，５０を包装する場合、キャリ
アテープ内でプリント配線基板２が下になるような形態
１種類に限定できる。
なるので、ユーザーは、チップ型ＬＥＤ１０，３０，５
０を裏返してモールド樹脂の部分を実装基板の穴に組み
込という無理な実装形態をとる必要はない。従って、チ
ップ型ＬＥＤ１０，３０，５０を包装する場合、キャリ
アテープ内でプリント配線基板２が下になるような形態
１種類に限定できる。
【００３０】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤ１
０，３０，５０の一実施例を説明したが、本願発明は、
これらに限定されず、下記のように種々変形することが
可能である。
０，３０，５０の一実施例を説明したが、本願発明は、
これらに限定されず、下記のように種々変形することが
可能である。
【００３１】上記実施形態では、プリント配線基板２の
材質をガラスとしているが、プリント配線基板２は透光
性材料からなるものであれば特にガラスに限定されるこ
とはない。
材質をガラスとしているが、プリント配線基板２は透光
性材料からなるものであれば特にガラスに限定されるこ
とはない。
【００３２】上記実施形態におけるＬＥＤ発光素子１，
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各層の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。
５１は青色発光素子であるが、本願発明は、ＬＥＤ発光
素子１，５１が赤色発光素子や緑色発光素子であるもの
にも適用可能である。従って、バッファ層、ｎ型半導体
層、発光層、ｐ型半導体層等の各部の具体的な材質は限
定されることはなく、各層の具体的な構成は種々に設計
変更が可能である。
【００３３】ＬＥＤ発光素子１，５１に含まれる透明基
板の材質はサファイアに限定されることはなく、ＬＥＤ
発光素子１，５１から放出される光１７を透過させるこ
とができるものであればよい。
板の材質はサファイアに限定されることはなく、ＬＥＤ
発光素子１，５１から放出される光１７を透過させるこ
とができるものであればよい。
【００３４】上記実施形態では、ＬＥＤ発光素子１，５
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。
１の封止体としてエポキシ樹脂１１を使用しているが、
低融点ガラスを封止体とすることもできる。ＬＥＤ発光
素子１，５１は、低融点ガラスの融点である４００℃前
後の温度にも耐えられるので、液状の低融点ガラスに浸
されても品質が低下することがない。
【００３５】以上、本願発明に係るチップ型ＬＥＤの実
施例を説明したが、本願発明は、これらに限定されず、
特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変形を施すこ
とも可能であり、その中には各構成要素を均等物で置換
したものも含まれる。
施例を説明したが、本願発明は、これらに限定されず、
特許請求の範囲に含まれる範囲内で様々な変形を施すこ
とも可能であり、その中には各構成要素を均等物で置換
したものも含まれる。
【図１】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの一実施例を示
す要部断面図である。
す要部断面図である。
【図２】図１に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。
発光素子の縦断面図である。
【図３】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図４】本願発明に係るチップ型ＬＥＤの他の実施例を
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
【図５】図４に示されるチップ型ＬＥＤにおけるＬＥＤ
発光素子の縦断面図である。
発光素子の縦断面図である。
【図６】従来のチップ型ＬＥＤの一例を示す要部断面図
である。
である。
【図７】チップ型ＬＥＤを包装しているキャリアテープ
の断面図である。
の断面図である。
【図８】チップ型ＬＥＤを実装基板に実装した状態を示
す断面図である。
す断面図である。
１ ＬＥＤ発光素子 ２ プリント配線基板 ５，６ 電極 ７，１７ 光 ９ 配線パターン １０ チップ型ＬＥＤ １１ エポキシ樹脂 １２ プリント配線基板 ５１ ＬＥＤ発光素子 Ｗ ワイヤ
Claims (3)
- 【請求項１】 プリント配線基板にＬＥＤ発光素子がボ
ンディングされているチップ型ＬＥＤにおいて、 上記プリント配線基板は、透光性材料からなるものであ
り、 上記ＬＥＤ発光素子は、透明基板上に、発光層を含んだ
半導体層が積層された発光素子であることを特徴とす
る、チップ型ＬＥＤ。 - 【請求項２】 上記プリント配線基板は、ガラスからな
るものであることを特徴とする、請求項１に記載のチッ
プ型ＬＥＤ。 - 【請求項３】 上記プリント配線基板には凹部が設けら
れており、この凹部に上記ＬＥＤ発光素子がボンディン
グされていることを特徴とする、請求項１または２に記
載のチップ型ＬＥＤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35644197A JPH11186590A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | チップ型ｌｅｄ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35644197A JPH11186590A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | チップ型ｌｅｄ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186590A true JPH11186590A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18449033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35644197A Pending JPH11186590A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | チップ型ｌｅｄ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186590A (ja) |
Cited By (29)
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-
1997
- 1997-12-25 JP JP35644197A patent/JPH11186590A/ja active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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