JP2002176229A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002176229A JP2002176229A JP2000372827A JP2000372827A JP2002176229A JP 2002176229 A JP2002176229 A JP 2002176229A JP 2000372827 A JP2000372827 A JP 2000372827A JP 2000372827 A JP2000372827 A JP 2000372827A JP 2002176229 A JP2002176229 A JP 2002176229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- red
- semiconductor
- type
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばら
つきを抑制可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１
５０をそれぞれ形成した後に、各ＬＤ表面のコンタクト
層１１１及び１５７を直接接着したので、発光点間隔が
１０ｎｍ以内にまで近接できる。更に、この発光点間隔
のばらつきが、エピタキシャル成長により形成された層
の膜厚ばらつきにのみ依存するので、当該発光点間隔の
ばらつきを少なくすることも可能となる。
つきを抑制可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１
５０をそれぞれ形成した後に、各ＬＤ表面のコンタクト
層１１１及び１５７を直接接着したので、発光点間隔が
１０ｎｍ以内にまで近接できる。更に、この発光点間隔
のばらつきが、エピタキシャル成長により形成された層
の膜厚ばらつきにのみ依存するので、当該発光点間隔の
ばらつきを少なくすることも可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置及
びその製造方法に関し、特に、複数のレーザ光を発振可
能な半導体レーザ装置及びその製造方法に関するもので
ある。
びその製造方法に関し、特に、複数のレーザ光を発振可
能な半導体レーザ装置及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、電子情報通信学会技報、ＥＤ
９９−１９７（１９９９）ｐｐ．４１−４６に示され
た、従来のモノリシック型半導体レーザ装置の要部断面
図である。図において、５０１はｎ型ＧａＡｓ基板、５
０２はｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、５０３はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｌＰ第一クラッド層、５０４はＩｎＧａＡｌＰ
エッチングストッパ層、５０５はｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層、５０６はｐ型ＩｎＧａＡｌＰ第二クラッド層、
５０７はｐ型ＩｎＧａＡｌＰキャップ層、５０８はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層、５０９は赤色レーザ活性層、５
１０は７８０ｎｍレーザ活性層、５１１は共通ｎ電極、
５１２は赤色レーザ用のｐ電極、５１３は７８０ｎｍレ
ーザ用のｐ電極、５１４は分離溝である。
９９−１９７（１９９９）ｐｐ．４１−４６に示され
た、従来のモノリシック型半導体レーザ装置の要部断面
図である。図において、５０１はｎ型ＧａＡｓ基板、５
０２はｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、５０３はｐ型Ｉ
ｎＧａＡｌＰ第一クラッド層、５０４はＩｎＧａＡｌＰ
エッチングストッパ層、５０５はｎ型ＧａＡｓ電流ブロ
ック層、５０６はｐ型ＩｎＧａＡｌＰ第二クラッド層、
５０７はｐ型ＩｎＧａＡｌＰキャップ層、５０８はｐ型
ＧａＡｓコンタクト層、５０９は赤色レーザ活性層、５
１０は７８０ｎｍレーザ活性層、５１１は共通ｎ電極、
５１２は赤色レーザ用のｐ電極、５１３は７８０ｎｍレ
ーザ用のｐ電極、５１４は分離溝である。
【０００３】この図に示されるように、従来の半導体レ
ーザ装置においては、同一基板５０１上に７８０ｎｍレ
ーザと赤色レーザとが作り込まれている。このような従
来のモノリシック型２波長レーザ装置は、異なる発振波
長の半導体レーザを基板上に並列に実装したハイブリッ
ド型２波長レーザ装置に比べて、発光点間隔及びそのば
らつきが小さくなるという特徴がある。
ーザ装置においては、同一基板５０１上に７８０ｎｍレ
ーザと赤色レーザとが作り込まれている。このような従
来のモノリシック型２波長レーザ装置は、異なる発振波
長の半導体レーザを基板上に並列に実装したハイブリッ
ド型２波長レーザ装置に比べて、発光点間隔及びそのば
らつきが小さくなるという特徴がある。
【０００４】しかし、このようなモノリシック型２波長
レーザ装置では、各レーザを独立に制御するために、図
に示すような分離溝５１４を形成して各レーザを分離す
る必要がある。そして、この分離溝５１４の存在によ
り、各レーザの発光点の間隔を狭くすることができな
い。又、その発光点間隔のばらつきは、ハイブリッド型
に比較すると小さくできるが、フォトリソグラフィーの
精度に依存するために、現在のところ５μｍ程度のばら
つきを生じてしまう。
レーザ装置では、各レーザを独立に制御するために、図
に示すような分離溝５１４を形成して各レーザを分離す
る必要がある。そして、この分離溝５１４の存在によ
り、各レーザの発光点の間隔を狭くすることができな
い。又、その発光点間隔のばらつきは、ハイブリッド型
に比較すると小さくできるが、フォトリソグラフィーの
精度に依存するために、現在のところ５μｍ程度のばら
つきを生じてしまう。
【０００５】尚、上記文献のほかに、従来の２波長レー
ザ装置を示す文献として、特開平１０−５６２３０号公
報、特開平１１−１１２０９１号公報がある。
ザ装置を示す文献として、特開平１０−５６２３０号公
報、特開平１１−１１２０９１号公報がある。
【０００６】本発明は、以上のような問題点に鑑みてな
されたものであり、複数の半導体レーザ素子の発光点間
隔のばらつきを抑制可能な半導体レーザ装置を提供する
ことを目的とするものである。
されたものであり、複数の半導体レーザ素子の発光点間
隔のばらつきを抑制可能な半導体レーザ装置を提供する
ことを目的とするものである。
【０００７】又、温度特性を良好にすることができる半
導体レーザ装置を提供することを目的とするものであ
る。
導体レーザ装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、それぞれ別個の半導体基板を有する複数の
半導体レーザ素子を備え、当該複数の半導体レーザ素子
が、互いにその半導体部分が向かい合うように接合され
ているものである。
ーザ装置は、それぞれ別個の半導体基板を有する複数の
半導体レーザ素子を備え、当該複数の半導体レーザ素子
が、互いにその半導体部分が向かい合うように接合され
ているものである。
【０００９】又、複数の半導体レーザ素子それぞれの半
導体部分が酸性溶液により親水化処理され、かつ当該親
水化処理の施された半導体部分が互いに向かい合うよう
に上記複数の半導体レーザ素子が貼り合わされたこと
で、上記複数の半導体レーザ素子が接合されているもの
である。
導体部分が酸性溶液により親水化処理され、かつ当該親
水化処理の施された半導体部分が互いに向かい合うよう
に上記複数の半導体レーザ素子が貼り合わされたこと
で、上記複数の半導体レーザ素子が接合されているもの
である。
【００１０】又、互いに向かい合う半導体部分は、その
いずれもが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層で
あるものである。
いずれもが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層で
あるものである。
【００１１】又、互いに向かい合う半導体部分は、その
一つが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層であ
り、他の一つが半導体レーザ素子を構成する半導体基板
であるものである。
一つが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層であ
り、他の一つが半導体レーザ素子を構成する半導体基板
であるものである。
【００１２】又、それぞれ別個の半導体基板を有する複
数の半導体レーザ素子を備え、当該複数の半導体レーザ
素子が、ヒートシンク基板を挟んで接合されているもの
である。
数の半導体レーザ素子を備え、当該複数の半導体レーザ
素子が、ヒートシンク基板を挟んで接合されているもの
である。
【００１３】又、この発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、それぞれ別個の半導体基板を有する複数の半
導体レーザ素子を形成する工程と、上記複数の半導体レ
ーザ素子を互いにその半導体部分が向かい合うように接
合する工程とを含むものである。
造方法は、それぞれ別個の半導体基板を有する複数の半
導体レーザ素子を形成する工程と、上記複数の半導体レ
ーザ素子を互いにその半導体部分が向かい合うように接
合する工程とを含むものである。
【００１４】又、複数の半導体レーザ素子を接合する工
程が、上記複数の半導体レーザ素子それぞれの半導体部
分を酸性溶液により親水化処理する工程と、上記親水化
処理の施された半導体部分が互いに向かい合うように上
記複数の半導体レーザ素子を貼り合わす工程とを含むも
のである。
程が、上記複数の半導体レーザ素子それぞれの半導体部
分を酸性溶液により親水化処理する工程と、上記親水化
処理の施された半導体部分が互いに向かい合うように上
記複数の半導体レーザ素子を貼り合わす工程とを含むも
のである。
【００１５】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本実施の
形態に係る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図で
ある。図において、１００は半導体レーザ素子である７
８０ｎｍ帯レーザダイオード（以下、「７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ」と呼ぶ）、１０１はｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、
１０２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、１０３はｎ型Ａｌ
0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、１０４はＡｌ0.35Ｇａ
0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ多重量子井戸活性層、
１０５はｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一クラッド層、１
０６はｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー
層、１０７は窓領域、１０８はｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａ
ｓ電流ブロック層、１０９はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護
層、１１０はｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第二クラッド
層、１１１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１１２は共通
ｐ電極、１１３は７８０ｎｍ−ＬＤ用のｎ電極である。
形態に係る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図で
ある。図において、１００は半導体レーザ素子である７
８０ｎｍ帯レーザダイオード（以下、「７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ」と呼ぶ）、１０１はｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、
１０２はｎ型ＧａＡｓバッファ層、１０３はｎ型Ａｌ
0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、１０４はＡｌ0.35Ｇａ
0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ多重量子井戸活性層、
１０５はｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一クラッド層、１
０６はｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー
層、１０７は窓領域、１０８はｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａ
ｓ電流ブロック層、１０９はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護
層、１１０はｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第二クラッド
層、１１１はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１１２は共通
ｐ電極、１１３は７８０ｎｍ−ＬＤ用のｎ電極である。
【００１６】又、１１４は赤色ＬＤ用のｎ電極、１５０
は他の半導体レーザ素子である赤色レーザダイオード
（以下、「赤色ＬＤ」と呼ぶ）、１５１はｎ型ＧａＡｓ
（１００）１０゜ｏｆｆ基板、１５２はｎ型Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１５３はアンドープＡｌ
0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ／ＧａＩｎＰ多重量子井戸活性
層、１５４はｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層、１５５はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１５６はｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層、１５７はｐ型ＧａＡｓコンタクト層
である。
は他の半導体レーザ素子である赤色レーザダイオード
（以下、「赤色ＬＤ」と呼ぶ）、１５１はｎ型ＧａＡｓ
（１００）１０゜ｏｆｆ基板、１５２はｎ型Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、１５３はアンドープＡｌ
0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ／ＧａＩｎＰ多重量子井戸活性
層、１５４はｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド
層、１５５はｐ型ＧａＡｓキャップ層、１５６はｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層、１５７はｐ型ＧａＡｓコンタクト層
である。
【００１７】この図に示されるように、本実施の形態に
係る半導体レーザ装置は、２個の半導体レーザ素子（７
８０ｎｍ−ＬＤ１００、赤色ＬＤ１５０）が直接に接着
され、一体化されているものである。
係る半導体レーザ装置は、２個の半導体レーザ素子（７
８０ｎｍ−ＬＤ１００、赤色ＬＤ１５０）が直接に接着
され、一体化されているものである。
【００１８】図２乃至図４は、本実施の形態に係る半導
体レーザ装置の製造方法を示す要部断面図である。以
下、図２乃至図４に従い、本実施の形態に係る半導体レ
ーザ装置の製造方法を工程順に説明する。
体レーザ装置の製造方法を示す要部断面図である。以
下、図２乃至図４に従い、本実施の形態に係る半導体レ
ーザ装置の製造方法を工程順に説明する。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０１の（１００）面上にｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層１０２、ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層１０
３、Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ多重
量子井戸活性層１０４、ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一
クラッド層１０５、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチング
ストッパー層１０６、ｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブ
ロック層１０８、Ａｌ 0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層１０９を順
次ＭＯＣＶＤ法により積層する。尚、ここで、ＭＯＣＶ
Ｄ法の代わりに、ＭＢＥ法等の他の成長方法を用いても
かまわない。
Ａｓ基板１０１の（１００）面上にｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層１０２、ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層１０
３、Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ多重
量子井戸活性層１０４、ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一
クラッド層１０５、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチング
ストッパー層１０６、ｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブ
ロック層１０８、Ａｌ 0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層１０９を順
次ＭＯＣＶＤ法により積層する。尚、ここで、ＭＯＣＶ
Ｄ法の代わりに、ＭＢＥ法等の他の成長方法を用いても
かまわない。
【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、上記のよ
うにして得られたエピタキシャルウェハ上に、フォトリ
ソグラフィー技術を用いてストライプ形状のフォトレジ
ストパターン１１５を形成する。
うにして得られたエピタキシャルウェハ上に、フォトリ
ソグラフィー技術を用いてストライプ形状のフォトレジ
ストパターン１１５を形成する。
【００２１】その後、フォトレジストパターン１１５を
エッチングマスクとして、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層１
０９及びｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層１０
８を、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー層
１０６に到達するまで、選択エッチング液を用いてエッ
チングする。
エッチングマスクとして、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層１
０９及びｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層１０
８を、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー層
１０６に到達するまで、選択エッチング液を用いてエッ
チングする。
【００２２】このエッチングの具体的な方法を以下に示
す。まず、酒石酸又は硫酸等のＡｌＡｓに対して選択性
のあまりないエッチャントを用いて、ｎ型Ａｌ0.60Ｇａ
0.40Ａｓ電流ブロック層１０８の途中までエッチングを
行う。
す。まず、酒石酸又は硫酸等のＡｌＡｓに対して選択性
のあまりないエッチャントを用いて、ｎ型Ａｌ0.60Ｇａ
0.40Ａｓ電流ブロック層１０８の途中までエッチングを
行う。
【００２３】次に、ＡｌＡｓ混晶比の高い層を選択的に
エッチングできるフッ酸系のエッチャントを用いて、選
択的にｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層１０８
の２回目のエッチングを行う。このとき、フォトレジス
トパターン１１５を除去して、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護
層１０９をマスクとして２回目のエッチングを行っても
良い。この２回目のフッ酸系のエッチングでは、ｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー層１０６はエッ
チングされず、このエッチングストッパー層１０６にお
いてエッチングは停止する。
エッチングできるフッ酸系のエッチャントを用いて、選
択的にｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層１０８
の２回目のエッチングを行う。このとき、フォトレジス
トパターン１１５を除去して、Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護
層１０９をマスクとして２回目のエッチングを行っても
良い。この２回目のフッ酸系のエッチングでは、ｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー層１０６はエッ
チングされず、このエッチングストッパー層１０６にお
いてエッチングは停止する。
【００２４】このようにして、図２（ｃ）に示すよう
に、電流チャネルとなる窓領域１０７を形成する。
に、電流チャネルとなる窓領域１０７を形成する。
【００２５】次に、フォトレジストパターン１１５を除
去し、図２（ｄ）に示すように、ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52
Ａｓ第二クラッド層１１０及びｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１１１を順次積層する。
去し、図２（ｄ）に示すように、ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52
Ａｓ第二クラッド層１１０及びｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１１１を順次積層する。
【００２６】以上、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程
により、一方の半導体レーザ素子である７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ１００を形成する。
により、一方の半導体レーザ素子である７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ１００を形成する。
【００２７】次に、以下図３（ａ）〜（ｄ）に示す工程
により、他の一方の半導体レーザ素子である赤色ＬＤ１
５０を形成する。
により、他の一方の半導体レーザ素子である赤色ＬＤ１
５０を形成する。
【００２８】まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ａｓ（１００）１０゜ｏｆｆ基板１５１上に、ｎ型Ａｌ
0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１５２、アンドープ
Ａｌ0 .15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ／ＧａＩｎＰ多重量子井戸
活性層１５３、ｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッ
ド層１５４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５５を、ＭＯＣ
ＶＤ法により順次積層する。
Ａｓ（１００）１０゜ｏｆｆ基板１５１上に、ｎ型Ａｌ
0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１５２、アンドープ
Ａｌ0 .15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ／ＧａＩｎＰ多重量子井戸
活性層１５３、ｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッ
ド層１５４、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５５を、ＭＯＣ
ＶＤ法により順次積層する。
【００２９】次に、ＣＶＤ法等を用いて、ＳｉＯＮ膜を
キャップ層１５５上に成膜し、フォトリソグラフィー技
術及びエッチング技術を用いて、ストライプ状のＳｉＯ
Ｎ膜１５８を形成する。
キャップ層１５５上に成膜し、フォトリソグラフィー技
術及びエッチング技術を用いて、ストライプ状のＳｉＯ
Ｎ膜１５８を形成する。
【００３０】そして、このＳｉＯＮ膜１５８をマスクと
してウェットエッチングを行うことにより、ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層１５５、及びｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層１５４の上層部分を除去して、図３
（ｂ）に示すように、順メサ形状のリッジを形成する。
してウェットエッチングを行うことにより、ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層１５５、及びｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ
0.5Ｐクラッド層１５４の上層部分を除去して、図３
（ｂ）に示すように、順メサ形状のリッジを形成する。
【００３１】次に、図３（ｃ）に示すように、上記順メ
サ形状のリッジの側面に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層１５６を形成する。
サ形状のリッジの側面に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層１５６を形成する。
【００３２】次に、図３（ｄ）に示すように、ウェット
エッチング等によりＳｉＯＮ膜１５８を除去し、ＭＯＣ
ＶＤ法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５５及びｎ型
ＧａＡｓブロック層１５６上に、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層１５７を形成することで、赤色ＬＤ１５０を形成す
る。
エッチング等によりＳｉＯＮ膜１５８を除去し、ＭＯＣ
ＶＤ法により、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５５及びｎ型
ＧａＡｓブロック層１５６上に、ｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層１５７を形成することで、赤色ＬＤ１５０を形成す
る。
【００３３】以上のように、７８０ｎｍ−ＬＤ１００及
び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ別個に形成した後、図４
（ａ）に示すように、各ＬＤ表面のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１１１及び１５７に対し、アンモニア、濃硫酸等
により親水化処理を施し、この被処理表面同士を重ね合
わせる。このとき、ストライプ方向を一致させ、かつそ
の位置が重なるように７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色
ＬＤ１５０を張り合わせ、圧着し、例えば約４００℃、
約３０分間の条件でアニールする。以上のようにするこ
とで、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１及び１５７の間
に分子間力が働き、互いに密着することとなる。
び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ別個に形成した後、図４
（ａ）に示すように、各ＬＤ表面のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１１１及び１５７に対し、アンモニア、濃硫酸等
により親水化処理を施し、この被処理表面同士を重ね合
わせる。このとき、ストライプ方向を一致させ、かつそ
の位置が重なるように７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色
ＬＤ１５０を張り合わせ、圧着し、例えば約４００℃、
約３０分間の条件でアニールする。以上のようにするこ
とで、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１及び１５７の間
に分子間力が働き、互いに密着することとなる。
【００３４】このようにして、７８０ｎｍ−ＬＤ１００
と赤色ＬＤ１５０とを一体化した後、図４（ｂ）に示す
ように、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング
技術を用いて、赤色ＬＤ１５０の一部を取り除き、７８
０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１若しく
は赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７を露出さ
せる。
と赤色ＬＤ１５０とを一体化した後、図４（ｂ）に示す
ように、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング
技術を用いて、赤色ＬＤ１５０の一部を取り除き、７８
０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１若しく
は赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７を露出さ
せる。
【００３５】そして、図４（ｃ）に示すように、その露
出したｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１若しくは１５７
に共通電極１１２を形成し、又、各ＬＤ表面のｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０１及び１５１に、それぞれ電極１１３、１
１４を形成する。このとき、各ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板
１０１、１５１を研磨し、薄膜化してから、電極１１
３、１１４を形成してもよい。
出したｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１若しくは１５７
に共通電極１１２を形成し、又、各ＬＤ表面のｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０１及び１５１に、それぞれ電極１１３、１
１４を形成する。このとき、各ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板
１０１、１５１を研磨し、薄膜化してから、電極１１
３、１１４を形成してもよい。
【００３６】このようにして形成された本実施の形態に
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ１００を発光
させるときには、電極１１２と電極１１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極１１２と電極１１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ１００を発光
させるときには、電極１１２と電極１１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極１１２と電極１１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
【００３７】以上のように、本実施の形態においては、
７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、各ＬＤ表面のコンタクト層１１１及び１
５７を直接接着したので、発光点間隔が１０ｎｍ以内に
まで近接できる。更に、この発光点間隔のばらつきが、
エピタキシャル成長により形成された層の膜厚ばらつき
にのみ依存するので、当該発光点間隔のばらつきを少な
くすることも可能となる。
７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、各ＬＤ表面のコンタクト層１１１及び１
５７を直接接着したので、発光点間隔が１０ｎｍ以内に
まで近接できる。更に、この発光点間隔のばらつきが、
エピタキシャル成長により形成された層の膜厚ばらつき
にのみ依存するので、当該発光点間隔のばらつきを少な
くすることも可能となる。
【００３８】尚、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ１００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
７８０ｎｍ−ＬＤ２００上に赤色ＬＤ１５０を接着した
が、赤色ＬＤ１５０上に７８０ｎｍ−ＬＤ２００を接着
してもかまわない。
−ＬＤ１００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
７８０ｎｍ−ＬＤ２００上に赤色ＬＤ１５０を接着した
が、赤色ＬＤ１５０上に７８０ｎｍ−ＬＤ２００を接着
してもかまわない。
【００３９】又、本実施の形態においては、それぞれの
ＬＤの基板として、ｎ型の半導体基板を用いたが、ｐ型
の半導体基板を用いて各層の導電型を反転させてもかま
わない。又、本実施の形態においては、活性層を多重量
子井戸構造としたが、バルク結晶であってもかまわな
い。
ＬＤの基板として、ｎ型の半導体基板を用いたが、ｐ型
の半導体基板を用いて各層の導電型を反転させてもかま
わない。又、本実施の形態においては、活性層を多重量
子井戸構造としたが、バルク結晶であってもかまわな
い。
【００４０】又、本実施の形態においては、赤色ＬＤ１
５０の一部をエッチングにより除去することで、７８０
ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１１若しくは
赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露出させ、そこに
共通電極１１２を形成しているが、その代わりに、７８
０ｎｍ−ＬＤ１００の一部をエッチングにより除去する
ことで、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層
１１１若しくは赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露
出させ、そこに共通電極１１２を形成してもよい。
５０の一部をエッチングにより除去することで、７８０
ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１１若しくは
赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露出させ、そこに
共通電極１１２を形成しているが、その代わりに、７８
０ｎｍ−ＬＤ１００の一部をエッチングにより除去する
ことで、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層
１１１若しくは赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露
出させ、そこに共通電極１１２を形成してもよい。
【００４１】実施の形態２．図５は、本実施の形態に係
る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図である。
尚、図５において、図１と同一符号を用いたものは、図
１に示されたものと同一または相当であることを示す。
る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図である。
尚、図５において、図１と同一符号を用いたものは、図
１に示されたものと同一または相当であることを示す。
【００４２】図において、２００は７８０ｎｍ−ＬＤ
（半導体レーザ素子）、２０１はｐ型ＧａＡｓ（１０
０）１０゜ｏｆｆ基板、２０２はｐ型ＧａＡｓバッファ
層、２０３はｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、２
０４はＡｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ多
重量子井戸活性層、２０５はｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ
第一クラッド層、２０６はｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッ
チングストッパー層、２０７はｐ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａ
ｓ電流ブロック層、２０８は窓領域、２０９はｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層、２１０はｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52
Ａｓ第二クラッド層、２１１はｎ型ＧａＡｓコンタクト
層、２１２は共通ｎ電極、２１３は７８０ｎｍ−ＬＤ用
のｐ電極、２１４は赤色ＬＤ用のｐ電極である。
（半導体レーザ素子）、２０１はｐ型ＧａＡｓ（１０
０）１０゜ｏｆｆ基板、２０２はｐ型ＧａＡｓバッファ
層、２０３はｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、２
０４はＡｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ多
重量子井戸活性層、２０５はｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ
第一クラッド層、２０６はｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッ
チングストッパー層、２０７はｐ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａ
ｓ電流ブロック層、２０８は窓領域、２０９はｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層、２１０はｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52
Ａｓ第二クラッド層、２１１はｎ型ＧａＡｓコンタクト
層、２１２は共通ｎ電極、２１３は７８０ｎｍ−ＬＤ用
のｐ電極、２１４は赤色ＬＤ用のｐ電極である。
【００４３】この図に示されるように、本実施の形態に
係る半導体レーザ装置は、実施の形態１と同様、２個の
半導体レーザ素子（赤色ＬＤ１５０及び７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００）が直接に接着され、一体化されているもので
ある。尚、７８０ｎｍ−ＬＤ２００は、実施の形態に１
における７８０ｎｍ−ＬＤ１００とは、その導電型が反
転したものとなっている。又、本実施の形態において
は、実施の形態に１と異なり、７８０ｎｍ−ＬＤのコン
タクト層２１１と赤色ＬＤのＧａＡｓ基板１５１とが接
着されている。
係る半導体レーザ装置は、実施の形態１と同様、２個の
半導体レーザ素子（赤色ＬＤ１５０及び７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００）が直接に接着され、一体化されているもので
ある。尚、７８０ｎｍ−ＬＤ２００は、実施の形態に１
における７８０ｎｍ−ＬＤ１００とは、その導電型が反
転したものとなっている。又、本実施の形態において
は、実施の形態に１と異なり、７８０ｎｍ−ＬＤのコン
タクト層２１１と赤色ＬＤのＧａＡｓ基板１５１とが接
着されている。
【００４４】次に、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と
同様、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程と同様の工程
により７８０ｎｍ−ＬＤ２００を形成し、又、図３
（ａ）〜（ｄ）にて示した工程により赤色ＬＤ１５０を
形成する。
置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と
同様、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程と同様の工程
により７８０ｎｍ−ＬＤ２００を形成し、又、図３
（ａ）〜（ｄ）にて示した工程により赤色ＬＤ１５０を
形成する。
【００４５】次に、赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１
を研磨により所望の厚さに薄膜化する。その後、図６
（ａ）に示すように、この薄膜化した赤色ＬＤのｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１と７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコ
ンタクト層２１１に対し、アンモニア、濃硫酸等により
親水化処理を施し、この被処理表面同士を重ね合わせ
る。このとき、ストライプ方向を一致させ、かつその位
置が重なるように７８０ｎｍ−ＬＤ２００及び赤色ＬＤ
１５０を張り合わせ、圧着し、例えば約４００℃、約３
０分間の条件でアニールする。以上のようにすること
で、赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１と７８０ｎｍ−
ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１の間に分子間力
が働き、互いに密着することとなる。
を研磨により所望の厚さに薄膜化する。その後、図６
（ａ）に示すように、この薄膜化した赤色ＬＤのｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１と７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコ
ンタクト層２１１に対し、アンモニア、濃硫酸等により
親水化処理を施し、この被処理表面同士を重ね合わせ
る。このとき、ストライプ方向を一致させ、かつその位
置が重なるように７８０ｎｍ−ＬＤ２００及び赤色ＬＤ
１５０を張り合わせ、圧着し、例えば約４００℃、約３
０分間の条件でアニールする。以上のようにすること
で、赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１と７８０ｎｍ−
ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１の間に分子間力
が働き、互いに密着することとなる。
【００４６】尚、ここで、図６は、本実施の形態に係る
半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す要部断面図
である。
半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す要部断面図
である。
【００４７】このようにして、７８０ｎｍ−ＬＤ２００
と赤色ＬＤ１５０とを一体化した後、図６（ｂ）に示す
ように、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング
技術を用いて、赤色ＬＤ１５０の一部を取り除き、７８
０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しく
は赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露出させる。
と赤色ＬＤ１５０とを一体化した後、図６（ｂ）に示す
ように、通常のフォトリソグラフィー技術とエッチング
技術を用いて、赤色ＬＤ１５０の一部を取り除き、７８
０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しく
は赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露出させる。
【００４８】そして、図６（ｃ）に示すように、その露
出したｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくはｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１に共通電極２１２を形成し、又、７８
０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓｏｆｆ基板２０１及び赤色
ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７に、それぞれ電
極２１３、２１４を形成する。
出したｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくはｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１に共通電極２１２を形成し、又、７８
０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓｏｆｆ基板２０１及び赤色
ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７に、それぞれ電
極２１３、２１４を形成する。
【００４９】このようにして形成された本実施の形態に
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ２００を発光
させるときには、電極２１２と電極２１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極２１２と電極２１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ２００を発光
させるときには、電極２１２と電極２１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極２１２と電極２１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
【００５０】以上のように、本実施の形態においては、
７８０ｎｍ−ＬＤ２００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層２１１及び赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を
直接接着したので、発光点間隔のばらつきが、エピタキ
シャル成長により形成された層の膜厚ばらつきにのみ依
存するので、当該発光点間隔のばらつきを少なくするこ
とが可能となる。
７８０ｎｍ−ＬＤ２００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層２１１及び赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を
直接接着したので、発光点間隔のばらつきが、エピタキ
シャル成長により形成された層の膜厚ばらつきにのみ依
存するので、当該発光点間隔のばらつきを少なくするこ
とが可能となる。
【００５１】尚、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ２００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
活性層を多重量子井戸構造としたが、バルク結晶であっ
てもかまわない。
−ＬＤ２００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
活性層を多重量子井戸構造としたが、バルク結晶であっ
てもかまわない。
【００５２】又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ２００上に赤色ＬＤ１５０を接着したが、赤色Ｌ
Ｄ１５０上に７８０ｎｍ−ＬＤ２００を接着してもかま
わない。又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００をｐ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｎ型
ＧａＡｓ基板にそれぞれ形成したが、７８０ｎｍ−ＬＤ
２００をｎ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｐ型Ｇ
ａＡｓ基板にそれぞれ形成し、これらを接着してもかま
わない。
−ＬＤ２００上に赤色ＬＤ１５０を接着したが、赤色Ｌ
Ｄ１５０上に７８０ｎｍ−ＬＤ２００を接着してもかま
わない。又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００をｐ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｎ型
ＧａＡｓ基板にそれぞれ形成したが、７８０ｎｍ−ＬＤ
２００をｎ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｐ型Ｇ
ａＡｓ基板にそれぞれ形成し、これらを接着してもかま
わない。
【００５３】又、本実施の形態においては、赤色ＬＤ１
５０の一部をエッチングにより除去することで、７８０
ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくは
赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露出させ、そこに
共通電極２１２を形成しているが、その代わりに、７８
０ｎｍ−ＬＤ２００の一部をエッチングにより除去する
ことで、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層
２１１若しくは赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露
出させ、そこに共通電極２１２を形成してもよい。
５０の一部をエッチングにより除去することで、７８０
ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくは
赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露出させ、そこに
共通電極２１２を形成しているが、その代わりに、７８
０ｎｍ−ＬＤ２００の一部をエッチングにより除去する
ことで、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタクト層
２１１若しくは赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を露
出させ、そこに共通電極２１２を形成してもよい。
【００５４】実施の形態３．図７は、本実施の形態に係
る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図である。
尚、図７において、図５と同一符号を用いたものは、図
５に示されたものと同一または相当であることを示す。
る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図である。
尚、図７において、図５と同一符号を用いたものは、図
５に示されたものと同一または相当であることを示す。
【００５５】この図に示されるように、本実施の形態に
係る半導体レーザ装置は、実施の形態２と同様、２個の
半導体レーザ素子（赤色ＬＤ１５０及び７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００）が直接に接着され、さらに、赤色ＬＤのｐ型
ＧａＡｓコンタクト層１５７に、シリコンカーバイド若
しくはシリコン等で形成されたヒートシンク基板３００
が接着されているものである。尚、赤色ＬＤのｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１５７のヒートシンク基板３００が接
着している面とは反対側の面に電極３１４が形成されて
いる。
係る半導体レーザ装置は、実施の形態２と同様、２個の
半導体レーザ素子（赤色ＬＤ１５０及び７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００）が直接に接着され、さらに、赤色ＬＤのｐ型
ＧａＡｓコンタクト層１５７に、シリコンカーバイド若
しくはシリコン等で形成されたヒートシンク基板３００
が接着されているものである。尚、赤色ＬＤのｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層１５７のヒートシンク基板３００が接
着している面とは反対側の面に電極３１４が形成されて
いる。
【００５６】次に、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法について説明する。まず、実施の形態２と
同様、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程と同様の工程
により７８０ｎｍ−ＬＤ２００を形成し、又、図３
（ａ）〜（ｄ）にて示した工程により赤色ＬＤ１５０を
形成する。
置の製造方法について説明する。まず、実施の形態２と
同様、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程と同様の工程
により７８０ｎｍ−ＬＤ２００を形成し、又、図３
（ａ）〜（ｄ）にて示した工程により赤色ＬＤ１５０を
形成する。
【００５７】次に、赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１
を研磨により所望の厚さに薄膜化する。その後、図６
（ａ）に示したように、実施の形態２と同様の方法を用
いて、７８０ｎｍ−ＬＤ２００と赤色ＬＤ１５０を接着
する。
を研磨により所望の厚さに薄膜化する。その後、図６
（ａ）に示したように、実施の形態２と同様の方法を用
いて、７８０ｎｍ−ＬＤ２００と赤色ＬＤ１５０を接着
する。
【００５８】さらに、図８（ａ）に示すように、赤色Ｌ
Ｄのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７、及びヒートシン
ク基板３００の一方の面に対し、アンモニア、濃硫酸等
により親水化処理を施し、これらを圧着し、例えば約４
００℃、約３０分間の条件でアニールする。以上のよう
にすることで、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
５７とヒートシンク基板３００の一方の面との間に分子
間力が働き、互いに密着することとなる。
Ｄのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７、及びヒートシン
ク基板３００の一方の面に対し、アンモニア、濃硫酸等
により親水化処理を施し、これらを圧着し、例えば約４
００℃、約３０分間の条件でアニールする。以上のよう
にすることで、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
５７とヒートシンク基板３００の一方の面との間に分子
間力が働き、互いに密着することとなる。
【００５９】尚、ここで、図８は、本実施の形態に係る
半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す要部断面図
である。
半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す要部断面図
である。
【００６０】このようにして、７８０ｎｍ−ＬＤ２００
と赤色ＬＤ１５０とヒートシンク基板３００とを一体化
した後、図８（ｂ）に示すように、通常のフォトリソグ
ラフィー技術とエッチング技術を用いて、７８０ｎｍ−
ＬＤ２００の一部を取り除き、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型
ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくは赤色ＬＤのｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１を露出させる。さらに、通常のフォト
リソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、赤色Ｌ
Ｄ１５０の一部を取り除き、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１５７を露出させる。
と赤色ＬＤ１５０とヒートシンク基板３００とを一体化
した後、図８（ｂ）に示すように、通常のフォトリソグ
ラフィー技術とエッチング技術を用いて、７８０ｎｍ−
ＬＤ２００の一部を取り除き、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型
ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくは赤色ＬＤのｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１を露出させる。さらに、通常のフォト
リソグラフィー技術とエッチング技術を用いて、赤色Ｌ
Ｄ１５０の一部を取り除き、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１５７を露出させる。
【００６１】そして、図８（ｃ）に示すように、その露
出したｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくはｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１に共通電極３１２を形成する。又、７
８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓｏｆｆ基板２０１、及び
赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７のヒートシ
ンク基板３００とは反対の面に、それぞれ電極３１３、
３１４を形成する。
出したｎ型ＧａＡｓコンタクト層２１１若しくはｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１５１に共通電極３１２を形成する。又、７
８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓｏｆｆ基板２０１、及び
赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７のヒートシ
ンク基板３００とは反対の面に、それぞれ電極３１３、
３１４を形成する。
【００６２】このようにして形成された本実施の形態に
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ２００を発光
させるときには、電極３１２と電極３１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極３１２と電極３１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ２００を発光
させるときには、電極３１２と電極３１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極３１２と電極３１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
【００６３】以上のように、本実施の形態においては、
７８０ｎｍ−ＬＤ２００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層２１１及び赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を
直接接着したので、発光点間隔のばらつきが、エピタキ
シャル成長により形成された層の膜厚ばらつきにのみ依
存するので、当該発光点間隔のばらつきを少なくするこ
とが可能となる。
７８０ｎｍ−ＬＤ２００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、７８０ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓコンタ
クト層２１１及び赤色ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１５１を
直接接着したので、発光点間隔のばらつきが、エピタキ
シャル成長により形成された層の膜厚ばらつきにのみ依
存するので、当該発光点間隔のばらつきを少なくするこ
とが可能となる。
【００６４】又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ２００に比べて温度特性の劣る赤色ＬＤ１５０に
ヒートシンク基板３００を接着したので、熱放散を効率
的に行い、温度特性を良好にすることが可能となる。
−ＬＤ２００に比べて温度特性の劣る赤色ＬＤ１５０に
ヒートシンク基板３００を接着したので、熱放散を効率
的に行い、温度特性を良好にすることが可能となる。
【００６５】尚、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ２００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
活性層を多重量子井戸構造としたが、バルク結晶であっ
てもかまわない。
−ＬＤ２００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
活性層を多重量子井戸構造としたが、バルク結晶であっ
てもかまわない。
【００６６】又、本実施の形態においては、赤色ＬＤ１
５０上に７８０ｎｍ−ＬＤ２００を接着したが、７８０
ｎｍ−ＬＤ２００上に赤色ＬＤ１５０を接着してもかま
わない。又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００をｐ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｎ型
ＧａＡｓ基板にそれぞれ形成したが、７８０ｎｍ−ＬＤ
２００をｎ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｐ型Ｇ
ａＡｓ基板にそれぞれ形成してこれらを接着し、この赤
色ＬＤ１５０のｐ型ＧａＡｓ基板にヒートシンク基板３
００を接着してもかまわない。
５０上に７８０ｎｍ−ＬＤ２００を接着したが、７８０
ｎｍ−ＬＤ２００上に赤色ＬＤ１５０を接着してもかま
わない。又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ−Ｌ
Ｄ２００をｐ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｎ型
ＧａＡｓ基板にそれぞれ形成したが、７８０ｎｍ−ＬＤ
２００をｎ型ＧａＡｓ基板に、赤色ＬＤ１５０をｐ型Ｇ
ａＡｓ基板にそれぞれ形成してこれらを接着し、この赤
色ＬＤ１５０のｐ型ＧａＡｓ基板にヒートシンク基板３
００を接着してもかまわない。
【００６７】実施の形態４．図９は、本実施の形態に係
る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図である。
尚、図９において、図１と同一符号を用いたものは、図
１に示されたものと同一または相当であることを示す。
る半導体レーザ装置の構造を示す要部断面図である。
尚、図９において、図１と同一符号を用いたものは、図
１に示されたものと同一または相当であることを示す。
【００６８】この図に示されるように、本実施の形態に
係る半導体レーザ装置は、２個の半導体レーザ素子（赤
色ＬＤ１５０及び７８０ｎｍ−ＬＤ２００）がシリコン
カーバイド若しくはシリコン等で形成されたヒートシン
ク基板３００を挟んで接着されており、かつ、７８０ｎ
ｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１と赤色ＬＤ
のｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７を電気的に接続する
共通ｐ電極４１２がこれらに延在するように形成されて
いる。その他の点については、実施の形態１と同様であ
る。
係る半導体レーザ装置は、２個の半導体レーザ素子（赤
色ＬＤ１５０及び７８０ｎｍ−ＬＤ２００）がシリコン
カーバイド若しくはシリコン等で形成されたヒートシン
ク基板３００を挟んで接着されており、かつ、７８０ｎ
ｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１と赤色ＬＤ
のｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７を電気的に接続する
共通ｐ電極４１２がこれらに延在するように形成されて
いる。その他の点については、実施の形態１と同様であ
る。
【００６９】次に、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と
同様、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程により７８０
ｎｍ−ＬＤ１００を形成し、又、図３（ａ）〜（ｄ）に
て示した工程により赤色ＬＤ１５０を形成する。
置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と
同様、図２（ａ）〜（ｄ）にて示した工程により７８０
ｎｍ−ＬＤ１００を形成し、又、図３（ａ）〜（ｄ）に
て示した工程により赤色ＬＤ１５０を形成する。
【００７０】次に、図１０（ａ）に示すように、赤色Ｌ
Ｄのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７、及びヒートシン
ク基板３００の一方の面に対し、アンモニア、濃硫酸等
により親水化処理を施し、これらを圧着し、例えば約４
００℃、約３０分間の条件でアニールする。又、７８０
ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１、及びヒ
ートシンク基板３００の他の一方の面に対し、アンモニ
ア、濃硫酸等により親水化処理を施し、これらを圧着
し、例えば約４００℃、約３０分間の条件でアニールす
る。このとき、７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１
５０のストライプ方向を一致させ、かつその位置が重な
るようにする。
Ｄのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７、及びヒートシン
ク基板３００の一方の面に対し、アンモニア、濃硫酸等
により親水化処理を施し、これらを圧着し、例えば約４
００℃、約３０分間の条件でアニールする。又、７８０
ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１、及びヒ
ートシンク基板３００の他の一方の面に対し、アンモニ
ア、濃硫酸等により親水化処理を施し、これらを圧着
し、例えば約４００℃、約３０分間の条件でアニールす
る。このとき、７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１
５０のストライプ方向を一致させ、かつその位置が重な
るようにする。
【００７１】以上のようにすることで、赤色ＬＤのｐ型
ＧａＡｓコンタクト層１５７とヒートシンク基板３００
の一方の面、並びに、７８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層１１１とヒートシンク基板３００の他の一
方の面との間に、それぞれ分子間力が働き、それぞれが
互いに密着することとなる。
ＧａＡｓコンタクト層１５７とヒートシンク基板３００
の一方の面、並びに、７８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓ
コンタクト層１１１とヒートシンク基板３００の他の一
方の面との間に、それぞれ分子間力が働き、それぞれが
互いに密着することとなる。
【００７２】尚、ここで、図１０は、本実施の形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す要部断面
図である。
る半導体レーザ装置の製造方法を工程順に示す要部断面
図である。
【００７３】このようにして、７８０ｎｍ−ＬＤ１００
と赤色ＬＤ１５０とヒートシンク基板３００とを一体化
した後、図１０（ｂ）に示すように、通常のフォトリソ
グラフィー技術とエッチング技術を用いて、赤色ＬＤ１
５０の一部を取り除き、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１５７を露出させる。さらに、通常のフォトリソ
グラフィー技術とエッチング技術を用いて、ヒートシン
ク基板３００の一部を取り除き、７８０ｎｍ−ＬＤのｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１１１を露出させる。
と赤色ＬＤ１５０とヒートシンク基板３００とを一体化
した後、図１０（ｂ）に示すように、通常のフォトリソ
グラフィー技術とエッチング技術を用いて、赤色ＬＤ１
５０の一部を取り除き、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１５７を露出させる。さらに、通常のフォトリソ
グラフィー技術とエッチング技術を用いて、ヒートシン
ク基板３００の一部を取り除き、７８０ｎｍ−ＬＤのｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１１１を露出させる。
【００７４】そして、図１０（ｃ）に示すように、それ
ら露出した７８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１１１から赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５
７に延在する共通ｐ電極４１２を形成する。又、７８０
ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１０１、及び赤色ＬＤの
ｎ型ＧａＡｓ基板１５１に、それぞれ電極４１３、４１
４を形成する。このとき、各ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１
０１、１５１を研磨し、薄膜化してから、電極４１３、
４１４を形成してもよい。
ら露出した７８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト
層１１１から赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５
７に延在する共通ｐ電極４１２を形成する。又、７８０
ｎｍ−ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１０１、及び赤色ＬＤの
ｎ型ＧａＡｓ基板１５１に、それぞれ電極４１３、４１
４を形成する。このとき、各ＬＤのｎ型ＧａＡｓ基板１
０１、１５１を研磨し、薄膜化してから、電極４１３、
４１４を形成してもよい。
【００７５】このようにして形成された本実施の形態に
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ1００を発光
させるときには、電極４１２と電極４１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極４１２と電極４１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
係る半導体レーザ装置である２波長ＬＤの動作制御につ
いて説明する。例えば、７８０ｎｍ−ＬＤ1００を発光
させるときには、電極４１２と電極４１３との間に順方
向バイアスを印加すればよく、一方、赤色ＬＤ１５０を
発光させるときには、電極４１２と電極４１４との間に
順方向バイアスを印加すればよい。
【００７６】以上のように、本実施の形態においては、
７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、これらがヒートシンク基板３００を挟む
ように接着したので、シリコンカーバイド若しくはシリ
コン等で形成されたヒートシンク基板３００の厚さを制
御することで、発光点間隔を制御することが可能とな
る。
７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色ＬＤ１５０をそれぞれ
形成した後に、これらがヒートシンク基板３００を挟む
ように接着したので、シリコンカーバイド若しくはシリ
コン等で形成されたヒートシンク基板３００の厚さを制
御することで、発光点間隔を制御することが可能とな
る。
【００７７】さらに、７８０ｎｍ−ＬＤ１００及び赤色
ＬＤ１５０の両方にヒートシンク基板３００が接するた
め、温度特性にするれた２波長レーザを得ることが可能
となる。
ＬＤ１５０の両方にヒートシンク基板３００が接するた
め、温度特性にするれた２波長レーザを得ることが可能
となる。
【００７８】尚、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ１００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
活性層を多重量子井戸構造としたが、バルク結晶であっ
てもかまわない。
−ＬＤ１００としてＳＡＳ（Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）型を、赤色ＬＤ１５０として埋
込みリッジ型をそれぞれ採用したが、その他のＬＤ構造
であってもかまわない。又、本実施の形態においては、
活性層を多重量子井戸構造としたが、バルク結晶であっ
てもかまわない。
【００７９】又、本実施の形態においては、７８０ｎｍ
−ＬＤ１００上に赤色ＬＤ１５０をヒートシンク基板３
００を介して接着したが、赤色ＬＤ１５０上に７８０ｎ
ｍ−ＬＤ１００を接着してもかまわない。又、本実施の
形態においては、それぞれのＬＤの基板として、ｎ型の
半導体基板を用いたが、ｐ型の半導体基板を用いて各層
の導電型を反転させてもかまわない。
−ＬＤ１００上に赤色ＬＤ１５０をヒートシンク基板３
００を介して接着したが、赤色ＬＤ１５０上に７８０ｎ
ｍ−ＬＤ１００を接着してもかまわない。又、本実施の
形態においては、それぞれのＬＤの基板として、ｎ型の
半導体基板を用いたが、ｐ型の半導体基板を用いて各層
の導電型を反転させてもかまわない。
【００８０】又、本実施の形態においては、赤色ＬＤ１
５０の一部をエッチングにより除去することで、赤色Ｌ
Ｄのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７を露出させ、さら
に、ヒートシンク基板３００を除去することで、７８０
ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を露出さ
せ、そこに共通電極４１２を形成しているが、その代わ
りに、７８０ｎｍ−ＬＤ１００の一部をエッチングによ
り除去することで、７８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１１１を露出させ、さらに、ヒートシンク基
板３００を除去することで、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１５７を露出させ、そこに共通電極４１２を
形成してもよい。
５０の一部をエッチングにより除去することで、赤色Ｌ
Ｄのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１５７を露出させ、さら
に、ヒートシンク基板３００を除去することで、７８０
ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１１を露出さ
せ、そこに共通電極４１２を形成しているが、その代わ
りに、７８０ｎｍ−ＬＤ１００の一部をエッチングによ
り除去することで、７８０ｎｍ−ＬＤのｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１１１を露出させ、さらに、ヒートシンク基
板３００を除去することで、赤色ＬＤのｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層１５７を露出させ、そこに共通電極４１２を
形成してもよい。
【００８１】
【発明の効果】この発明に係る半導体レーザ装置は、そ
れぞれ別個の半導体基板を有する複数の半導体レーザ素
子を備え、当該複数の半導体レーザ素子が、互いにその
半導体部分が向かい合うように接合されているので、上
記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばらつきを抑
制することができる。
れぞれ別個の半導体基板を有する複数の半導体レーザ素
子を備え、当該複数の半導体レーザ素子が、互いにその
半導体部分が向かい合うように接合されているので、上
記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばらつきを抑
制することができる。
【００８２】又、複数の半導体レーザ素子それぞれの半
導体部分が酸性溶液により親水化処理され、かつ当該親
水化処理の施された半導体部分が互いに向かい合うよう
に上記複数の半導体レーザ素子が貼り合わされたこと
で、上記複数の半導体レーザ素子が接合されているの
で、上記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばらつ
きを抑制することができる。
導体部分が酸性溶液により親水化処理され、かつ当該親
水化処理の施された半導体部分が互いに向かい合うよう
に上記複数の半導体レーザ素子が貼り合わされたこと
で、上記複数の半導体レーザ素子が接合されているの
で、上記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばらつ
きを抑制することができる。
【００８３】又、互いに向かい合う半導体部分は、その
いずれもが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層で
あるので、上記複数の半導体レーザ素子の発光点を互い
に近接することができる。
いずれもが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層で
あるので、上記複数の半導体レーザ素子の発光点を互い
に近接することができる。
【００８４】又、互いに向かい合う半導体部分は、その
一つが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層であ
り、他の一つが半導体レーザ素子を構成する半導体基板
であるので、上記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔
のばらつきを抑制することができる。
一つが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層であ
り、他の一つが半導体レーザ素子を構成する半導体基板
であるので、上記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔
のばらつきを抑制することができる。
【００８５】又、この発明に係る半導体レーザ装置は、
それぞれ別個の半導体基板を有する複数の半導体レーザ
素子を備え、複数の半導体レーザ素子が、ヒートシンク
基板を挟んで接合されているので、温度特性を良好にす
ることができる。
それぞれ別個の半導体基板を有する複数の半導体レーザ
素子を備え、複数の半導体レーザ素子が、ヒートシンク
基板を挟んで接合されているので、温度特性を良好にす
ることができる。
【００８６】又、この発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、それぞれ別個の半導体基板を有する複数の半
導体レーザ素子を形成する工程と、上記複数の半導体レ
ーザ素子を互いにその半導体部分が向かい合うように接
合する工程とを含むので、上記複数の半導体レーザ素子
の発光点間隔のばらつきを抑制可能な半導体レーザ装置
を得ることができる。
造方法は、それぞれ別個の半導体基板を有する複数の半
導体レーザ素子を形成する工程と、上記複数の半導体レ
ーザ素子を互いにその半導体部分が向かい合うように接
合する工程とを含むので、上記複数の半導体レーザ素子
の発光点間隔のばらつきを抑制可能な半導体レーザ装置
を得ることができる。
【００８７】又、複数の半導体レーザ素子を接合する工
程が、上記複数の半導体レーザ素子それぞれの半導体部
分を酸性溶液により親水化処理する工程と、上記親水化
処理の施された半導体部分が互いに向かい合うように上
記複数の半導体レーザ素子を貼り合わす工程とを含むの
で、上記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばらつ
きを抑制可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
程が、上記複数の半導体レーザ素子それぞれの半導体部
分を酸性溶液により親水化処理する工程と、上記親水化
処理の施された半導体部分が互いに向かい合うように上
記複数の半導体レーザ素子を貼り合わす工程とを含むの
で、上記複数の半導体レーザ素子の発光点間隔のばらつ
きを抑制可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
装置の構造を示す要部断面図である。
装置の構造を示す要部断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
装置の製造方法を示す要部断面図である。
装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
装置の製造方法を示す要部断面図である。
装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ
装置の製造方法を示す要部断面図である。
装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図５】 この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
装置の構造を示す要部断面図である。
装置の構造を示す要部断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ
装置の製造方法を示す要部断面図である。
装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図７】 この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置の構造を示す要部断面図である。
装置の構造を示す要部断面図である。
【図８】 この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
装置の製造方法を示す要部断面図である。
装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図９】 この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ
装置の構造を示す要部断面図である。
装置の構造を示す要部断面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態４に係る半導体レー
ザ装置の製造方法を示す要部断面図である。
ザ装置の製造方法を示す要部断面図である。
【図１１】 従来の半導体レーザ装置の構造を示す要部
断面図である。
断面図である。
１００ ７８０ｎｍ−ＬＤ（半導体レーザ素子）、 １０１ ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板、 １０２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層、 １０３ ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、 １０４ Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
多重量子井戸活性層、 １０５ ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一クラッド層、 １０６ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー
層、 １０７ 窓領域、 １０８ ｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層、 １０９ Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層、 １１０ ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第二クラッド層、 １１１ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 １１２ 共通ｐ電極、 １１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｎ電極、 １１４ 赤色ＬＤ用の電極、 １１５ フォトレジストパターン、 １５０ 赤色ＬＤ（半導体レーザ素子）、 １５１ ｎ型ＧａＡｓ（１００）１０゜ｏｆｆ基板、 １５２ ｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、 １５３ アンドープＡｌ0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ／Ｇａ
ＩｎＰ多重量子井戸活性層、 １５４ ｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、 １５５ ｐ型ＧａＡｓキャップ層、 １５６ ｎ型ＧａＡｓブロック層、 １５７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 １５８ ストライプ状ＳｉＯＮ膜、 ２００ ７８０ｎｍ−ＬＤ（半導体レーザ素子）、 ２０１ ｐ型ＧａＡｓ（１００）１０゜ｏｆｆ基板、 ２０２ ｐ型ＧａＡｓバッファ層、 ２０３ ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、 ２０４ Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
多重量子井戸活性層、 ２０５ ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一クラッド層、 ２０６ ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー
層、 ２０７ ｐ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層、 ２０８ 窓領域、 ２０９ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層、 ２１０ ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第二クラッド層、 ２１１ ｎ型ＧａＡｓコンタクト層、 ２１２ 共通ｎ電極、 ２１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｐ電極、 ２１４ 赤色ＬＤ用のｐ電極、 ３００ ヒートシンク基板、 ３１２ 共通ｎ電極、 ３１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｐ電極、 ３１４ 赤色ＬＤ用のｐ電極、 ４１２ 共通ｐ電極、 ４１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｎ電極、 ４１４ 赤色ＬＤ用のｎ電極、 ５０１ ｎ型ＧａＡｓ基板、 ５０２ ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、 ５０３ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ第一クラッド層、５０４
ＩｎＧａＡｌＰエッチングストッパ層、 ５０５ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、 ５０６ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ第二クラッド層、 ５０７ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰキャップ層、 ５０８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ５０９ 赤色レーザ活性層、 ５１０ ７８０ｎｍレーザ活性層、 ５１１ 共通ｎ電極、 ５１２ 赤色レーザ用のｐ電極、 ５１３ ７８０ｎｍレーザ用のｐ電極、 ５１４ 分離溝。
多重量子井戸活性層、 １０５ ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一クラッド層、 １０６ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー
層、 １０７ 窓領域、 １０８ ｎ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層、 １０９ Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層、 １１０ ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第二クラッド層、 １１１ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 １１２ 共通ｐ電極、 １１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｎ電極、 １１４ 赤色ＬＤ用の電極、 １１５ フォトレジストパターン、 １５０ 赤色ＬＤ（半導体レーザ素子）、 １５１ ｎ型ＧａＡｓ（１００）１０゜ｏｆｆ基板、 １５２ ｎ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、 １５３ アンドープＡｌ0.15Ｇａ0.35Ｉｎ0.5Ｐ／Ｇａ
ＩｎＰ多重量子井戸活性層、 １５４ ｐ型Ａｌ0.35Ｇａ0.15Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、 １５５ ｐ型ＧａＡｓキャップ層、 １５６ ｎ型ＧａＡｓブロック層、 １５７ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 １５８ ストライプ状ＳｉＯＮ膜、 ２００ ７８０ｎｍ−ＬＤ（半導体レーザ素子）、 ２０１ ｐ型ＧａＡｓ（１００）１０゜ｏｆｆ基板、 ２０２ ｐ型ＧａＡｓバッファ層、 ２０３ ｐ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓクラッド層、 ２０４ Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓ／Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ
多重量子井戸活性層、 ２０５ ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第一クラッド層、 ２０６ ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓエッチングストッパー
層、 ２０７ ｐ型Ａｌ0.60Ｇａ0.40Ａｓ電流ブロック層、 ２０８ 窓領域、 ２０９ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ａｓ保護層、 ２１０ ｎ型Ａｌ0.48Ｇａ0.52Ａｓ第二クラッド層、 ２１１ ｎ型ＧａＡｓコンタクト層、 ２１２ 共通ｎ電極、 ２１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｐ電極、 ２１４ 赤色ＬＤ用のｐ電極、 ３００ ヒートシンク基板、 ３１２ 共通ｎ電極、 ３１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｐ電極、 ３１４ 赤色ＬＤ用のｐ電極、 ４１２ 共通ｐ電極、 ４１３ ７８０ｎｍ−ＬＤ用のｎ電極、 ４１４ 赤色ＬＤ用のｎ電極、 ５０１ ｎ型ＧａＡｓ基板、 ５０２ ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、 ５０３ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ第一クラッド層、５０４
ＩｎＧａＡｌＰエッチングストッパ層、 ５０５ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層、 ５０６ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ第二クラッド層、 ５０７ ｐ型ＩｎＧａＡｌＰキャップ層、 ５０８ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、 ５０９ 赤色レーザ活性層、 ５１０ ７８０ｎｍレーザ活性層、 ５１１ 共通ｎ電極、 ５１２ 赤色レーザ用のｐ電極、 ５１３ ７８０ｎｍレーザ用のｐ電極、 ５１４ 分離溝。
Claims (7)
- 【請求項１】 それぞれ別個の半導体基板を有する複数
の半導体レーザ素子を備え、 当該複数の半導体レーザ素子は、互いにその半導体部分
が向かい合うように接合されていることを特徴とする半
導体レーザ装置。 - 【請求項２】 複数の半導体レーザ素子それぞれの半導
体部分が酸性溶液により親水化処理され、かつ当該親水
化処理の施された半導体部分が互いに向かい合うように
上記複数の半導体レーザ素子が貼り合わされたことで、
上記複数の半導体レーザ素子が接合されていることを特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 互いに向かい合う半導体部分は、そのい
ずれもが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 互いに向かい合う半導体部分は、その一
つが半導体レーザ素子を構成するコンタクト層であり、
他の一つが半導体レーザ素子を構成する半導体基板であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 それぞれ別個の半導体基板を有する複数
の半導体レーザ素子を備え、 当該複数の半導体レーザ素子は、ヒートシンク基板を挟
んで接合されていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項６】 それぞれ別個の半導体基板を有する複数
の半導体レーザ素子を形成する工程と、 上記複数の半導体レーザ素子を互いにその半導体部分が
向かい合うように接合する工程とを含む半導体レーザ装
置の製造方法。 - 【請求項７】 複数の半導体レーザ素子を接合する工程
は、上記複数の半導体レーザ素子それぞれの半導体部分
を酸性溶液により親水化処理する工程と、上記親水化処
理の施された半導体部分が互いに向かい合うように上記
複数の半導体レーザ素子を貼り合わす工程とを含むこと
を特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372827A JP2002176229A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000372827A JP2002176229A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002176229A true JP2002176229A (ja) | 2002-06-21 |
Family
ID=18842307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000372827A Pending JP2002176229A (ja) | 2000-12-07 | 2000-12-07 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002176229A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1434321A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-06-30 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| EP1434320A3 (en) * | 2002-12-25 | 2005-01-05 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| EP1557917A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-27 | Pioneer Corporation | Integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| JP2005327826A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Sony Corp | 集積型半導体レーザ装置、集積型半導体レーザ装置の製造方法、集積型半導体発光装置、集積型半導体発光装置の製造方法、光学ピックアップ装置および光ディスク装置 |
| WO2007032268A1 (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-22 | Nec Corporation | 半導体発光素子 |
| JP2009290232A (ja) * | 2009-09-03 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法 |
| JP2010056488A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Oki Data Corp | 表示装置 |
| CN114976870A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-08-30 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种层叠式双波长集成半导体激光器及其制备方法 |
| CN115189231A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-10-14 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种条形沟道平板耦合波导半导体激光器及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101139A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
| JP2000196203A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 半導体レ―ザ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-12-07 JP JP2000372827A patent/JP2002176229A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101139A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
| JP2000196203A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 半導体レ―ザ及びその製造方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1434320A3 (en) * | 2002-12-25 | 2005-01-05 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| EP1434321A1 (en) * | 2002-12-25 | 2004-06-30 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| EP1589624A3 (en) * | 2002-12-25 | 2006-01-04 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| US7098063B2 (en) | 2002-12-25 | 2006-08-29 | Pioneer Corporation | Semiconductor laser device and method of manufacturing the same |
| US7333525B2 (en) | 2004-01-23 | 2008-02-19 | Pioneer Corporation | Integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| EP1557917A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-27 | Pioneer Corporation | Integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same |
| JP2005209950A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Pioneer Electronic Corp | 集積型半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP4634047B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2011-02-16 | パイオニア株式会社 | 集積型半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2005327826A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Sony Corp | 集積型半導体レーザ装置、集積型半導体レーザ装置の製造方法、集積型半導体発光装置、集積型半導体発光装置の製造方法、光学ピックアップ装置および光ディスク装置 |
| WO2007032268A1 (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-22 | Nec Corporation | 半導体発光素子 |
| JP2010056488A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Oki Data Corp | 表示装置 |
| JP2009290232A (ja) * | 2009-09-03 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法 |
| CN114976870A (zh) * | 2022-08-03 | 2022-08-30 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种层叠式双波长集成半导体激光器及其制备方法 |
| CN114976870B (zh) * | 2022-08-03 | 2023-10-13 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种层叠式双波长集成半导体激光器及其制备方法 |
| CN115189231A (zh) * | 2022-09-14 | 2022-10-14 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种条形沟道平板耦合波导半导体激光器及其制备方法 |
| CN115189231B (zh) * | 2022-09-14 | 2023-09-26 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种条形沟道平板耦合波导半导体激光器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8085825B2 (en) | Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus | |
| US6261859B1 (en) | Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device | |
| US6678307B2 (en) | Semiconductor surface light-emitting device | |
| JP3822976B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4126749B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6136623A (en) | Multiple wavelength laser arrays by flip-chip bonding | |
| US7535945B2 (en) | Semiconductor laser apparatus and method of manufacturing the same | |
| JP2008252069A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 | |
| JP2011014624A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 | |
| JP5214844B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2006278661A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法並びに光半導体装置 | |
| JP2002176229A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP4136401B2 (ja) | 面発光半導体レーザ素子及び光伝送システム | |
| JP2010056105A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH09237916A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP4614715B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPWO2003063312A1 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP4056717B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2002057401A (ja) | 半導体レーザおよび半導体装置 | |
| JP2010258050A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| US8617911B2 (en) | Method for forming coating film on facet of semiconductor optical device | |
| JP4810808B2 (ja) | 半導体レーザ発光装置の製造方法 | |
| JP5292443B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JP3573976B2 (ja) | マルチビームレーザダイオード | |
| JP2001358404A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040707 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070125 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100420 |