JP2010056077A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】中間層の改良によって、長期耐久性および寿命特性を向上することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】陽極1と陰極2の間に、中間層3を介して積層された複数の発光層4を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。中間層3は、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cと、ホール注入材料からなる層3dとを備えて形成されている。また電荷輸送性材料の層3cの厚みは0.5〜30nmの範囲である。
【選択図】図1

Description

本発明は、照明光源や液晶表示器用バックライト、フラットパネルディスプレイ等に用いることのできる有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子と称される有機発光素子としては、陽極となる透明電極、ホール輸送層、発光層(有機発光層)、電子注入層、陰極となる電極の順に、透明基板の片側の表面に積層した構成のものが、その一例として知られている。そして、陽極と陰極の間に電圧を印加することによって、電子注入層を介して発光層に注入された電子と、ホール輸送層を介して発光層に注入されたホールとが、発光層内で再結合して発光が起こり、発光層で発光した光は、透明電極及び透明基板を通して取り出される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、自発光であること、比較的高効率の発光特性を示すこと、各種の色調で発光可能であること等の特徴を有するものであり、表示装置、例えばフラットパネルディスプレイ等の発光体として、あるいは光源、例えば液晶表示機用バックライトや照明としての活用が期待されており、一部では既に実用化されている。
しかし、有機エレクトロルミネッセンス素子は、その輝度と寿命とがトレードオフの関係にあり、より鮮明な画像、あるいは明るい照明光を得るために輝度を増大させると、寿命が短くなるという問題点を有する。
この問題を解決するものとして、近年、陽極と陰極の間に発光層を複数備え、且つ各発光層間を電気的に接続した有機発光素子が提案されている(例えば特許文献1−5等参照)。
図3はこのような有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一例を示すものであり、陽極1となる電極と陰極2となる電極の間に複数の発光層4a,4bを設けると共に、隣接する発光層4a,4bの間に中間層3を介在させた状態で積層し、これを透明な基板5の表面に積層したものである。陽極1は光透過性の電極として、陰極2は光反射性の電極として形成されている。尚、図3では、発光層の4a,4bの両側に設けられる電子注入層とホール輸送層とは、図示を省略している。
このものでは、複数層の発光層4a,4bを中間層3で仕切って電気的に接続することによって、陽極1と陰極2の間に電圧を印加した場合に、複数の発光層4a,4bがあたかも直列的に接続された状態で同時に発光し、各発光層4a,4bからの光が合算されるため、一定電流通電時には従来型の有機エレクトロルミネッセンス素子よりも高輝度で発光させることができ、上記のような輝度−寿命のトレードオフを回避することが可能になるものである。
ここで、上記の中間層3の構成として現在知られている一般的なものとしては、例えば、(1)BCP:Cs/V、(2)BCP:Cs/NPD:V、(3)Li錯体とAlのその場反応生成物、(4)Alq:Li/ITO/ホール輸送材料、(5)金属−有機混合層、(6)アルカリ金属およびアルカリ土類金属を含む酸化物等がある。尚、「:」は2種の材料の混合を表し、「/」は前後の組成物の積層を表す。
また、最近では、これら以外の構造を有する中間層3も提案されている(特許文献6、非特許文献1)。これらの文献には、(7)電子注入層−電子引き抜き層−ホール輸送性材料の積層、あるいは(8)電子注入層−電子輸送層−電子引き抜き層−ホール輸送層の積層からなる中間層3が開示されている。
特開平11−329748号公報 特開2003−272860号公報 特開2005−135600号公報 特開2006−332048号公報 特開2006−173550号公報 特開2006−49393号公報
Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 45, No. 12, 2006, pp. 9212
しかし、上記の従来技術のように複数の発光層を仕切る中間層を設けると、駆動電圧の増大や、好ましくない電圧上昇の発生を招くおそれがあり、また膜質の悪さによるショートサーキット等の欠陥発生の問題も生じてしまう。
例えば、上記(1)に示す系の中間層では、V層の膜質によるショートの問題が発生するおそれがある。
また上記(2)に示す系では、二つの層間で生じる副反応による電圧上昇の問題がある。すなわち、ルイス酸分子は電子輸送材料とも反応し、またアルカリ金属はルイス塩基としてホール輸送材料とも反応し、これらの反応によって駆動電圧の増大が起こることが報告されている(参考文献:高分子学会有機EL研究会 平成17年12月9日講演会 マルチフォトン有機EL照明)。
また上記(3)に示す系では、その場反応生成物を得るために用いるLi錯体の有機配位子成分が、素子特性に悪影響を与えることがあることが問題となる。
また上記(4)の系では、中間層としてのITOからのホール輸送材料へのホール注入が必ずしも良好でなく、駆動電圧や素子特性の観点で問題がある。さらにITOの比抵抗が小さいために、本来発光することを望まない場所にまでITO面内を電荷が伝わることがあり、意図した発光領域以外の部分からも発光が生じることが問題となる。
また上記(5)の系では、金属酸化物等の金属化合物を含む金属と有機物を混合して中間層を形成するために、中間層の熱安定性が低下し、特に大電流を通電した際の発熱に対する中間層の安定性に劣るという問題がある。
また、上記(6)の系では、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含有する金属酸化物の中間層としての機能が必ずしも充分ではなく、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属を含有する金属酸化物以外の物質からなる層を積層して用いることが実質的に必要であり、中間層の構造が複雑になるという問題がある。
更に、上記(1)及び(4)の系では、特に大面積デバイスとなった際に、中間層を構成する膜内の応力によって、中間層周辺での欠陥が起こりうる可能性がある。
尚、特許文献3には、1種のマトリクスに添加剤を膜内のどの位置でもその濃度が0にはならないように添加することによって中間層を形成する方法が記載されているが、この場合にも前記参考文献に記載されているような問題のすべてを解決することはできないものである。
一方、上記(7)の系では、非特許文献1にも記載されているように駆動電圧が高いという問題があり、上記(8)の系では(7)の系で課題であった駆動電圧の低減が図られているものの、電子輸送層の両方に位置する電子注入層と電子引き抜き層の経時的な拡散および反応に基づく寿命に関する課題がある。
以上のように、中間層を介して積層された複数の発光層を備える有機エレクトロルミネッセンス素子には種々の課題があり、このような種々の課題を克服した中間層を実現することが望まれているのが現状である。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、中間層の改良によって、長期耐久性および寿命特性を向上することができる有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極1と陰極2の間に、中間層3を介して積層された複数の発光層4を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、中間層3は、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cと、ホール注入材料からなる層3dとを備えて形成されており、電荷輸送性材料の層3cの厚みが0.5〜30nmの範囲であることを特徴とするものである。
この発明によれば、中間層3内において、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dの間に、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、厚みが0.5〜30nmの電荷輸送性有機材料からなる層3cを有するため、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dとの直接的な反応、および駆動にともなう両層3a,3dの界面の混合あるいは層間の材料の拡散などを抑制することができるものであり、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
また本発明は、上記の電荷輸送性有機材料からなる層3cが、電子輸送性材料からなる層であることを特徴とするものである。
このように、電荷輸送性有機材料からなる層3cが電子輸送性材料であると、ホール注入材料からなる層3dから受け渡される電子を、低抵抗で効率良く、導電体材料を含有する光透過性の層3bに輸送することができ、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
また本発明は、上記の電荷輸送性有機材料からなる層3cが、ホール輸送性材料からなる層であることを特徴とするものである。
このように、電荷輸送性有機材料からなる層3cがホール輸送性材料であると、導電体材料を含有する光透過性の層3bから受け渡されるホールを、低抵抗で効率良く、ホール注入材料からなる層3dに輸送することができ、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
また本発明は、上記の電荷輸送性有機材料からなる層3cが、ホール輸送性材料と電子輸送性材料の混合物、あるいはバイポーラ性材料からなる層であることを特徴とするものである。
この発明によれば、電荷輸送性有機材料からなる層3cはホールと電子の両者を運ぶ層となり、ホール注入材料からなる層3dから受け渡される電子を低抵抗で効率良く導電体材料を含有する光透過性の層3bに輸送することができると共に、導電体材料を含有する光透過性の層3bから受け渡されるホールを低抵抗で効率良くホール注入材料からなる層3dに輸送することができるものであり、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
また本発明は、上記の導電体材料を含有する光透過性の層3bが、金属酸化物と金属窒化物の少なくとも一方からなる層、金属と金属酸化物の積層層または混合層、金属からなる層のいずれかであることを特徴とするものである。
この発明によれば、導電体材料を含有する光透過性の層3bを高い耐熱性を有する安定な層として形成することができ、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dとの直接的な反応、および駆動にともなう両層3a,3dの界面の混合あるいは層間の材料の拡散などを抑制する効果を高く得ることができるものであり、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることがより可能となるものである。
また本発明において、上記の導電体材料を含有する光透過性の層3bは、光透過率が80%以上であることを特徴とするものである。
この発明によれば、導電体材料を含有する光透過性の層3bにおける光の吸収率が小さくなり、有機エレクトロルミネッセンス素子内部での光の吸収ロスを低減することができ、結果として発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
また本発明は、上記のホール注入材料からなる層3dが、p−ドープ層とアクセプタ材料からなる層のいずれかであることを特徴とするものである。
この発明によれば、ホール注入材料からなる層3dからその陰極2側に隣接して形成されるホール輸送層へのホール注入特性が向上すると共に、ホール注入材料からなる層3dとその陽極1側に隣接して設けられる電荷輸送性有機材料からなる層3cとの間で電荷の受け渡しに要する抵抗を小さくすることができ、この界面での発熱が低減されるものであり、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
本発明によれば、中間層3内において、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dの間に、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、厚みが0.5〜30nmの電荷輸送性有機材料からなる層3cを有するため、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dとの直接的な反応、および駆動にともなう両層3a,3dの界面の混合あるいは層間の材料の拡散などを抑制することができるものであり、このような中間層3の改良によって、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
本発明の実施の形態の一例における層構成を示す概略断面図である。 実施例で作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の概略構成を示すものであり、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A′線断面図である。 従来例における層構成を示す概略断面図である。
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
図1は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一例を示すものであり、陽極1となる電極と陰極2となる電極の間に発光層(有機発光層)4及び中間層3が設けてある。この発光層4は複数の発光層4a,4bからなるものであり、陽極1と陰極2の積層方向に複数の発光層4a,4bを積層し、隣り合う発光層4a,4bの間に中間層3が介在させてある。また一方の電極(陽極1)は、透明な基板5の表面に積層するようにしてある。図1の実施の形態では、陽極1は光透過性の電極として、陰極2は光反射性の電極として形成してある。
図1の実施の形態では、発光層4として中間層3を介して2層の発光層4a,4bを設けるようにしているが、中間層3を介して発光層4をさらに多層に積層した積層構成であってもよい。発光層4の積層数は特に制限されないが、層数が増大すると光学的及び電気的な素子設計の難易度が増大するので、5層以内とすることが好ましい。尚、一般的な有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に発光層4a,4bと陽極1や陰極2の間に、必要に応じてホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等を設けることができるものであり、図1中ではこれらの層の図示を省略してある。
そして本発明では上記の中間層3は、図1に示すように、電荷移動錯体からなる層3aまたは3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cと、ホール注入材料からなる層3dとを、陽極1の側から陰極2の側へと、この順に積層することによって形成してある。
本発明において、上記の電荷移動錯体からなる層3aあるいは、3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aは、中間層3からその陽極1の側に隣接する発光層4(4a)への電子電荷の注入を容易にするための層である。
電荷移動錯体からなる層3aとしては、一般的に電荷移動錯体系として知られ、電子注入に寄与する物質系であれば、特に限定されないが、例えば電子輸送材料に低仕事関数、特に3.7eV以下の仕事関数を有する金属、例えばセリウム、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、ルビジウム、サマリウム、イットリウム等を混合することによって形成される層、電子輸送材料に当該電子輸送材料に電子を供与可能なエネルギー準位を有する有機材料または無機材料を混合して得られる層、などが挙げられる。電子輸送材料に電子を供与可能なエネルギー準位を有する有機材料または無機材料とは、例えば、一般に有機ドナーとして知られる有機材料(例えばルテニウム錯体)、前述の仕事関数が3.7eV以下の金属、前記金属を含有する金属酸化物半導体などが挙げられる。
またこの電荷移動錯体からなる層3aとしては、還元性の低仕事関数金属化合物を電子輸送材料に積層したり混合したりした層に、還元性の金属、例えばアルミニウムの薄膜を積層して得られるものも使用可能である。還元性の低仕事関数金属化合物とは、特に限定されないが、例えばリチウム、セシウム、ナトリウム、ストロンチウム、マグネシウム、カルシウム、イットリウム、サマリウムなど、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の酸化物や有機物との錯体などが挙げられる。これらの物質は単独で用いることもできるし、複数種を混合して用いてもよい。
また、仕事関数が3.7eV以下の金属もしくは金属化合物の層3aとしては、特に限定はされないが、上記に例示したものを含む、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の群から選ばれる金属を含有してなる層、または上記の金属の酸化物、ハロゲン化物、窒化物、ホウ素化物、炭化物、酸化窒化物、および複合化合物を含有してなる層である。
電荷移動錯体からなる層3aまたは3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aの厚みは、特に限定されないが、0.5〜20nm程度が好ましい。またこの層3aには、他の有機化合物や、無機物質、例えばAl、Cu、Ni、Ag、Au、Tiなどの金属、LiF、LiO、NaF、CsF、SiO、SiO、NiO、SnO、InOなどの金属ハロゲン化物や金属酸化物などを含有していてもよい。このように2種以上の材料を混合することによって、単独では安定性が悪い材料の安定性を向上させたり、単独では膜質や隣接する層との密着性が悪い材料の成膜性を向上させることが可能になるものである。
本発明において、導電体材料を含有する光透過性の層3bは、一般に導電材料として知られる材料から成る層であり、高い光透過性を有する材質もしくは膜厚であればよく、特に限定されないが、例えば、金属、金属酸化物、金属窒化物、電気伝導性化合物などから適宜選定して形成することができる。例示すれば、Al、Cu、Ni、Ag、Au、Ti、Mg、Ca、Baなどの金属、CuI、ZnSe、ZnS、CuSeなどの金属化合物、ITO(インジウム−スズ酸化物)、SnO、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)、LiWO、LiMoOなどの金属酸化物、TiN、SiN、AlNなどの金属窒化物、SiOとSiNの混合物またはSiON、TiOとTiNの混合物またはTiONなど金属酸化物および/または金属窒化物、カーボンナノチューブ、フラーレンなどの炭素化合物などを挙げることができる。
この導電体材料を含有する光透過性の層3bを構成する材料は1種に限定されないものであり、例えばインジウムとスズ、インジウムと亜鉛、アルミニウムとガリウム、ガリウムと亜鉛、チタンとニオブなど、上記のいずれかの金属を含有する複数の金属、あるいは金属酸化物や金属窒化物であってもよく、またその他の組み合わせの混合物や、金属と金属酸化物の積層または混合層、例えばアルミニウムとIZOの積層体、IZOとMoの混合層、ITOとWの混合層などであってもよく、さらに金属と金属窒化物の混合または積層、例えばSiNとアルミニウム、TiNとMoなどであっても良い。各金属の酸化数や窒化数、複数の金属の混合比率は、当該金属酸化物あるいは窒化物の膜質や熱安定性、電気的特性が好ましい範囲、具体的には低抵抗化を鑑みて10Ωcm未満、特に好ましくは10Ωcm未満になるように任意に設定することが可能である。これらの材料は、真空蒸着法やスパッタリング法、塗布等の方法により薄膜に形成することによって層とすることができる。
またこの導電体材料を含有する光透過性の層3bには、上記の材料物質の他に、有機化合物や非導電性の無機絶縁物などを含有していてもよい。無機絶縁物としては、導電性金属酸化物と混合成膜できるものであればよく、特に限定されないが、例えば、フッ化リチウムやフッ化マグネシウム等の金属フッ化物、塩化ナトリウム、塩化マグネシウムなどに代表される金属塩化物などの金属ハロゲン化物や、アルミニウム、コバルト、ジルコニウム、チタン、バナジウム、ニオブ、クロム、タンタル、タングステン、マンガン、モリブデン、ルテニウム、鉄、ニッケル、銅、ガリウム、亜鉛などの各種金属の酸化物(ホール注入性の金属酸化物に含まれるものを除く)、窒化物、炭化物、酸化窒化物など、例えばAl、MgO、酸化鉄、AlN、SiN、SiC、SiON、BNなどの絶縁物となるものや、SiOやSiOなどをはじめとする珪素化合物、炭素化合物などから任意に選択して用いることができる。
これらの絶縁物は、可視光領域の吸収が小さく、あるいは屈折率が低いものから選択することが好ましく、この際には本層3bの光吸収率や屈折率を低下させることができ、結果として素子内部での反射や吸収が少なくなる。このため、発光層4で生じた光が外部に放出される際のロスを低減することができる。特に、導電性を有しない金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属窒化物、金属炭化物、炭素化合物、珪素化合物のいずれかであることが、耐熱性、安定性、光学的な観点から好ましい。本層3bをこのように混合物で形成する場合には、層3b中での導電性金属酸化物とその他の物質との混合比率は、当該層3bの比抵抗が1×10Ωcm以下である範囲で任意に設定することができる。
また、導電体材料を含有する光透過性の層3bには、さらに金属またはその化合物を含有することもできる。例えば、セリウム、セシウム、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、ルビジウム、サマリウム、イットリウム、タングステン、モリブデン、レニウム、バナジウム、ルテニウム、アルミニウムなどから選ばれる金属やその化合物が好適に用いられる。これらの金属の添加量は、本層3bの比抵抗が上記の範囲から外れないものであればよく、特に限定されないが、通常0.1〜20質量%程度が好ましい。
この導電体材料を含有し、比抵抗が1×10Ωcm以下である光透過性の層3bの層の厚みは、10nm以下であることが好ましく、より好ましくは5nm以下である。厚みが10nm以下であることによって、本層3b内の横方向への電流伝導を無視できるレベルにまで小さくすることができ、従来例の欠点として述べた意図した発光領域以外の部分からの発光を抑制することができるものである。特に、厚み(nm)を比抵抗(Ωcm)で除した値が10以下となる範囲に厚みを設定することが好ましい。
また導電体材料を含有する光透過性の層3bの光透過率は、80%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましい。光透過率が上記よりも低い場合には、本層3b内での光の吸収量が大きくなり、結果として、発光層4で発光した光のうち利用可能な光量が低下することになるため好ましくない。またここでいう光透過率は、本層3bの薄膜層内の実質的な光透過率であり、薄膜表面の屈折率段差による反射光に基づくものは考慮しないものである。このような薄膜層内の実質的な光透過率は、公知の一般的な方法で測定できるものであるが、厚みの異なる測定対象膜を光透過性の基板、例えばガラス基板上に形成し、両測定対象膜の透過率の差から算出することが簡便である。
本発明において、電荷輸送性有機材料からなる層3cは、電荷、すなわち電子やホールを輸送するための層である。そしてこの電荷輸送性有機材料からなる層3cは、電子輸送性材料からなる層として、あるいはホール輸送性材料からなる層として、あるいはホール輸送性材料と電子輸送性材料の混合物またはバイポーラ性材料からなる層として形成することができる。
電荷輸送性有機材料からなる層3cを電子輸送性材料で形成する場合、本層3cの陰極2側に隣接するホール注入材料からなる層3dから受け渡される電子を、本層3cの陽極1側に隣接する導電体材料を含有する光透過性の層3bに、低抵抗で効率良く輸送することができるものである。この電子輸送性材料としては、電子輸送性に優れ、電子に対して安定であり、また熱安定性に優れる材料であれば、特に限定せず用いることができるものであり、例えば、Alqなどのキノリン誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体などを挙げることができる。
電荷輸送性有機材料からなる層3cをホール輸送性材料で形成する場合、本層3cの陽極1側に隣接する導電体材料を含有する光透過性の層3bから受け渡されるホールを、本層3cの陰極2側に隣接するホール注入材料からなる層3dに、低抵抗で効率良く輸送することができるものである。このホール輸送性材料としては、ホール輸送性に優れ、ホールに対して安定であり、また熱安定性に優れる材料であれば、特に限定せず用いることができるものであり、例えばトリアリールアミン誘導体(NPD、TPD、2-TNATAなど)、ビフェニル誘導体、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体など芳香族誘導体、アニリン誘導体、チオフェン誘導体などを挙げることができる。
また電荷輸送性有機材料からなる層3cを、ホール輸送性材料と電子輸送性材料の混合物で形成するにあたって、ホール輸送性材料と電子輸送性材料としては、前述の各種材料を任意に用いることが可能である。また電荷輸送性有機材料からなる層3cを、バイポーラ性材料で形成するにあたって、バイポーラ性材料としては、例えばアントラセン誘導体、多環芳香族系物質などのうち、ホール輸送性と電子輸送性の両方を示す材料などを用いることができる。特に両電荷を輸送する優れた特性を有し、熱的に安定なものが好適に用いられる。
このように電荷輸送性有機材料からなる層3cを、ホール輸送性材料と電子輸送性材料の混合物、あるいはバイポーラ性材料で形成する場合、ホールと電子の両者を運ぶことができるものであり、ホール注入材料からなる層3dから受け渡される電子を低抵抗で効率良く導電体材料を含有する光透過性の層3bに輸送することができると共に、導電体材料を含有する光透過性の層3bから受け渡されるホールを低抵抗で効率良くホール注入材料からなる層3dに輸送することができるものである。特に、バイポーラ性の材料もしくはホール輸送性材料と電子輸送性材料の混合物を用いることによって、対向電荷が本層3c内に浸入した場合の材料の劣化を抑制できるものであり、より安定性、長期耐久性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
電荷輸送性有機材料からなる層3cの厚みは、0.5〜30nmの範囲に設定されるものであり、1〜10nmの範囲がより好ましい。この範囲を下回ると、光透過性の層3bとホール注入材料からなる層3dとの接触を防止できなくなり、あるいは駆動に伴う物質拡散と推定される特性低下を抑制できなくなる。またこの範囲を上回ると、電荷輸送性材料からなる層3cの電荷移動性あるいは不安定性に基づく特性あるいは寿命の悪化が見られるため好ましくない。
本発明において、ホール注入材料からなる層3dは、ホール注入性の有機材料、金属酸化物、いわゆるアクセプタ系の有機材料あるいは無機材料、p−ドープ層などを用いて形成することができる。
ホール注入性の有機材料とは、ホール輸送性を有し、また仕事関数が5.0〜6.0eV程度であり、電極との強固な密着性を示す材料などがその例であり、例えばCuPc、スターバーストアミンなどがその例である。またホール注入性の金属酸化物とは、例えば、モリブデン、レニウム、タングステン、バナジウム、亜鉛、インジウム、スズ、ガリウム、チタン、アルミニウムのいずれかを含有する金属酸化物である。また、1種の金属のみの酸化物ではなく、例えばインジウムとスズ、インジウムと亜鉛、アルミニウムとガリウム、ガリウムと亜鉛、チタンとニオブなど、上記のいずれかの金属を含有する複数の金属の酸化物であっても良い。各金属の酸化数や、複数の金属の混合比率は、当該金属酸化物の膜質や熱安定性、電気的特性が好ましい範囲になるように任意に設定することが可能である。さらに、上記した導電体材料を含有する光透過性の層3bと概ね同一の材料から成るものであってもよい。
またアクセプタ系の有機材料あるいは無機材料とは、電子受容性の物質であり、本層3dに隣接しあるいは混合されている有機材料もしくは無機材料から電子を受容する性質を持つものである。例えば、フッ素やシアノ基、ホウ素を分子内に保有する有機物質、あるいはルイス酸を分子内に有したり、ルイス酸との錯体を形成したりしている物質、例えばFTCNQ、TCNQ、TTN、HAT-CN6、DDQ、CFTCNQ、TBPAHなどや、一部の蛍光色素などを挙げることができる。これらの材料は、既に略称名までが一般に知られているものもあるが、同等の性質を有するものであれば、特に限定せず好適に用いることができる。また、上記の金属酸化物や、いわゆるルイス酸である塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化銅、臭素やヨウ素などのハロゲン、リン酸などの酸なども用いることができる。
層3dを形成するこれらの材料と、それに隣接しあるいは混合されている有機材料もしくは無機材料とは、隣接あるいは混合した段階で電荷を授受している必要はなく、層3dを形成するこれらの材料と、それに隣接しあるいは混合されている有機材料もしくは無機材料とで電荷の授受が電圧を印加した際に生じるものであっても何ら問題はない。たとえば、アクセプタ性の低いもの、前記例示物質の中ではたとえば、電子受容性基の含有量が少ないTCNQ、HAT−CN6や一部の蛍光色素などがその例である。なお、電子授受の有無は、たとえば2種の材料を混合して得られた膜の吸収スペクトルが、2種の材料の吸収スペクトルの単なる和であるか(電子授受がない場合)、和に対して新たな吸収ピークが生じたり、もともと存在していたピークが消失したり、ピーク強度が変化すること(電子授受がある場合)によって識別可能である。あるいは、2種の材料を混合あるいは積層して得られた試料のラマンスペクトルが2種の材料のスペクトルの和であるか(電子授受がない場合)、和に対して新たな吸収ピークが生じたり、もともと存在していたピークが消失したり、ピーク強度が変化すること(電子授受がある場合)によって識別可能である。
またp−ドープ層とは、ホール注入性あるいはその他の有機材料、例えばトリアリールアミン誘導体(NPD、TPD、2−TNATAなど)、ビフェニル誘導体、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体など芳香族誘導体、アニリン誘導体、チオフェン誘導体などに、当該材料から電子を受容する上記のアクセプタ系の材料を混合したもの、あるいは一部に含有されたものである。有機物に対する当該有機物から電子を受容する材料の混合比率は、材料の種類に応じて適宜設定されるが、0.1〜80mol%の範囲が好ましく、より好ましくは1〜50mol%の範囲である。
ホール注入材料からなる層3dの厚みは、特に限定されるものではないが、0.5〜20nm程度の範囲に設定するのが好ましい。
そして中間層3を上記のような層3a、3b、3c、3dから形成するにあたっては、隣接する発光層4のうち、陽極1の側の発光層4の上に電荷移動錯体からなる層3aまたは3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aを積層し、この表面に導電体材料を含有する光透過性の層3bを積層し、この表面に電荷輸送性有機材料からなる層3cを積層し、この表面にホール注入材料からなる層3dを積層することによって行なうことができる。各層3a、3b、3c、3dの形成は、上記の各材料を、真空蒸着法やスパッタリング法などのPVD法や、塗布など、任意の方法により薄膜に成膜することによって行なうことができるものである。尚、発光層4の表面に電子輸送層などが形成される場合には、層3a、3b、3c、3dから中間層3は、電子輸送層を介して発光層3の上に形成されるものである。
本発明において、上記の発光層4の材料としては、有機エレクトロルミネッセンス素子用の材料として知られる任意の材料が使用可能である。例えばアントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルアミン誘導体及び各種蛍光色素等、前述の材料系およびその誘導体を始めとするものが挙げられるが、これらに限定するものではない。またこれらの化合物のうちから選択される発光材料を適宜混合して用いることも好ましい。また、前記化合物に代表される蛍光発光を生じる化合物のみならず、スピン多重項からの発光を示す材料系、例えば燐光発光を生じる燐光発光材料、およびそれらからなる部位を分子内の一部に有する化合物も好適に用いることができる。また、これらの材料からなる有機層は、蒸着、転写等の乾式プロセスによって成膜しても良いし、スピンコート、スプレーコート、ダイコート、グラビア印刷等、湿式プロセスによって成膜するものであってもよい。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する他の部材である、積層された素子を保持する基板5や陽極1、陰極2等には、従来から使用されているものをそのまま使用することができる。
すなわち、上記基板5は、この基板5を通して光が出射される場合には光透過性を有するものであり、無色透明の他に、多少着色されているものであっても、すりガラス状のものであってもよい。例えば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどの透明ガラス板や、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、エポキシ等の樹脂、フッ素系樹脂等から任意の方法によって作製されたプラスチックフィルムやプラスチック板などを用いることができる。またさらに、基板5内に基板母剤と屈折率の異なる粒子、粉体、泡等を含有し、あるいは表面に形状を付与することによって、光拡散効果を有するものも使用可能である。また、基板5を通さずに光を射出させる場合、基板5は必ずしも光透過性を有するものでなくてもかまわず、素子の発光特性、寿命特性等を損なわない限り、任意の基板5を使うことができる。特に、通電時の素子の発熱による温度上昇を軽減するために、熱伝導性の高い基板5を使うこともできる。
上記陽極1は、有機発光層4中にホールを注入するための電極であり、仕事関数の大きい金属、合金、電気伝導性化合物、あるいはこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が4eV以上のものを用いるのがよい。このような陽極1の材料としては、例えば、金などの金属、CuI、ITO(インジウム−スズ酸化物)、SnO、ZnO、IZO(インジウム−亜鉛酸化物)等、PEDOT、ポリアニリン等の導電性高分子及び任意のアクセプタ等でドープした導電性高分子、カーボンナノチューブなどの導電性光透過性材料を挙げることができる。陽極1は、例えば、これらの電極材料を基板5の表面に真空蒸着法やスパッタリング法、塗布等の方法により薄膜に形成することによって作製することができる。また、有機発光層4における発光を陽極1を透過させて外部に照射するためには、陽極1の光透過率を70%以上にすることが好ましい。さらに、陽極1のシート抵抗は数百Ω/□以下とすることが好ましく、特に好ましくは100Ω/□以下とするものである。ここで、陽極1の膜厚は、陽極1の光透過率、シート抵抗等の特性を上記のように制御するために、材料により異なるが、500nm以下、好ましくは10〜200nmの範囲に設定するのがよい。
また上記陰極2は、有機発光層4中に電子を注入するための電極であり、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極材料を用いることが好ましく、仕事関数が5eV以下のものであることが好ましい。このような陰極2の電極材料としては、アルカリ金属、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属等、およびこれらと他の金属との合金、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Al/LiF混合物を例として挙げることができる。またアルミニウム、Al/Al混合物なども使用可能である。さらに、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、あるいは金属酸化物を陰極2の下地として用い、さらに金属等の導電材料を1層以上積層して用いてもよい。例えば、アルカリ金属/Alの積層、アルカリ金属のハロゲン化物/アルカリ土類金属/Alの積層、アルカリ金属の酸化物/Alの積層などが例として挙げられる。また、ITO、IZOなどに代表される透明電極を用い、陰極2側から光を取りだす構成としても良い。また陰極2の界面の有機物層にリチウム、ナトリウム、セシウム、カルシウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属をドープしても良い。
また上記陰極2は、例えば、これらの電極材料を真空蒸着法やスパッタリング法等の方法により、薄膜に形成することによって作製することができる。有機発光層4における発光を陽極1側から取り出す場合には、陰極2の光透過率を10%以下にすることが好ましい。また反対に、透明電極を陰極2として陰極2側から発光を取りだす場合(陽極1と陰極2の両電極から光を取り出す場合も含む)には、陰極2の光透過率を70%以上にすることが好ましい。この場合の陰極2の膜厚は、陰極2の光透過率等の特性を制御するために、材料により異なるが、通常500nm以下、好ましくは100〜200nmの範囲とするのがよい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構成は、本発明の趣旨に反しない限り任意のものを用いることができる。例えば、前述の通り、図1の素子構成の例としては、ホール注入層やホール輸送層、電子輸送層や電子注入層を省略して記したが、必要に応じてこれらを適宜設けることができる。
ホール輸送層に用いる材料は、例えばホール輸送性を有する化合物の群から選定することができる。この種の化合物としては、例えば、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)、スピロ−NPD、スピロ−TPD、スピロ−TAD、TNBなどを代表例とする、アリールアミン系化合物、カルバゾール基を含むアミン化合物、フルオレン誘導体を含むアミン化合物などを挙げることができるが、一般に知られる任意のホール輸送材料を用いることが可能である。
また、電子輸送材料に用いる材料は、電子輸送性を有する化合物の群から選定することができる。この種の化合物としては、Alq等の電子輸送性材料として知られる金属錯体や、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、テトラジン誘導体、オキサジアゾール誘導体等のヘテロ環を有する化合物などが挙げられるが、この限りではなく、一般に知られる任意の電子輸送材料を用いることが可能である。
上記のように形成される有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、中間層3を介して複数の発光層4を積層して設けているので、複数層の発光層4が中間層3によって電気的に直列に配列された状態で発光するものであり、高輝度で発光させることができるものである。
そして中間層3は、電荷移動錯体からなる層3aまたは3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cと、ホール注入材料からなる層3dとから形成するようにしてあるので、電荷移動錯体からなる層3aまたは3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dの間に、導電体材料を含有する光透過性の層3bと、電荷輸送性有機材料からなる層3cが介在するものであり、電荷移動錯体からなる層3aまたは3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層3aと、ホール注入材料からなる層3dとの直接的な反応、および駆動にともなう両層3a,3dの界面の混合あるいは層間の材料の拡散などを抑制することができるものであり、長期耐久性および寿命特性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが可能となるものである。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。
(実施例1)
陽極1として、厚み150nm、幅5mm、シート抵抗約10Ω/□のITO膜が図2のパターンのように成膜された、0.7mm厚のガラス製の基板5を用意した。そしてまず、この基板5を、洗剤、イオン交換水、アセトンで各10分間超音波洗浄した後、IPA(イソプロピルアルコール)で蒸気洗浄して乾燥し、さらにUV/O処理を施した。
次に、この基板5を真空蒸着装置にセットし、1×10−4Pa以下の減圧雰囲気下で、陽極1の上に、ホール注入層として、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)と酸化モリブデン(MoO)の共蒸着体(モル比1:1)を30nmの膜厚で蒸着した。次にこの上にホール輸送層として、α−NPDを30nmの膜厚で蒸着した。
次いで、このホール輸送層の上に、発光層4aとして、Alqにキナクリドンを3質量%共蒸着した層を30nmの膜厚で形成した。次にこの発光層4aの上に、電子輸送層としてBCPを単独で60nmの厚みに成膜した。
この後、電子輸送層の上に、AlqとLiとのモル比1:1の混合膜を厚み5nmで成膜することによって、電荷移動錯体からなる層3aを電子注入層として形成し、次にこの上に厚み3nmのAl層を成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にBCPを厚み5nmで成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上に厚み5nmのHAT−CN6(化1)を成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。
Figure 2010056077
続いて中間層3の上に、ホール輸送層として、α−NPDを40nmの膜厚で蒸着し、ホール輸送層の上に、発光層4bとして、Alqにキナクリドンを7質量%共蒸着した層を30nmの膜厚で形成した。
次にこの発光層4bの上に、電子輸送層としてBCPを単独で40nmの膜厚に成膜し、続いて、LiFを0.5nmの膜厚で成膜した。
この後、陰極2となるアルミニウムを0.4nm/sの蒸着速度で、図2のパターンのように5mm幅、100nm厚に蒸着した。
このようにして発光層4が二層構成でその間に中間層3が設けられた、図1に示す構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。尚、ホール注入層、ホール輸送層及び電子輸送層は、図示を省略している。
(実施例2)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着で、Naの厚み1nmの層とLiMoOの厚み4nmの層を積層して、厚み5nmの層3aを形成し、この上に抵抗加熱蒸着でZnOを5nmの膜厚に成膜することによって導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成するようにした他は、実施例1と同様にして中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例3)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でLiWOを1nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上に抵抗加熱蒸着で、Alを1.5nmの膜厚に成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にHAT−CN6を5nmで成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例4)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でLiOを5nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上に抵抗加熱蒸着で、Alを1.5nmの膜厚に成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にF4−TCNQを3nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例5)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、AlqとRbとのモル比1:1の混合層を5nmの膜厚で成膜することによって層3aを形成し、次にこの上に抵抗加熱蒸着で、InとAlをモル比10:1で1.5nmの膜厚で成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にNPDとAlqのモル比1:1の混合層を5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にp−ドープ層であるMoOとNPDの混合層(モル比1:1)を3nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例6)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、BCPとKとのモル比1:1の混合層を5nmの膜厚で成膜することによって層3aを形成し、次にこの上にスパッタで、IZOを2nmの膜厚で成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にバイポーラ性のspiro−DPVBiを5nmの膜厚で成膜することによって電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にp−ドープ層であるF4−TCNQとNPDの混合層(モル比2:98)を3nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例7)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、AlqとCsとのモル比1:0.5の混合層を5nmの膜厚で成膜することによって層3aを形成し、次にこの上にMgとAgとの1:1の共蒸着層を3nmの膜厚で形成することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にホール輸送性のNPDを5nmの膜厚で形成することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にp−ドープ層であるHAT−CN6とNPDの混合層(モル比1:4)を10nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例8)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、LiWOとLiのモル比4:1の共蒸着層を5nmの膜厚で成膜することによって層3aを形成し、次にこの上にInとLiとのモル比10:1の共蒸着層を5nmの膜厚に成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次いでこの上にバイポーラ性のspiro−DPVBiを5nmの膜厚で形成することによって電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にHAT−CN6を10nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例9)
実施例3において、導電体材料を含有する光透過性の層3bを厚み10nmのAlで形成したこと以外は、実施例3と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例10)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でLiを1nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上に抵抗加熱蒸着でAlを2nmの膜厚に成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にHAT−CN6を5nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例11)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でNaを1nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上に抵抗加熱蒸着でAlを1nmの膜厚に成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にF4−TCNQを3nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例12)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でLiを2nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上にスパッタでIZOを3nmの膜厚に成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にHAT−CN6を5nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例13)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でLiを2nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上にMgを1.5nmの膜厚に蒸着して成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にHAT−CN6を5nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(実施例14)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、抵抗加熱蒸着でNaを2nmの膜厚に成膜することによって層3aを形成し、次にこの上にCaを2nmの膜厚に蒸着して成膜することによって、導電体材料を含有する光透過性の層3bを形成し、次にこの上にAlqを5nmの膜厚で成膜することによって、電荷輸送性有機材料からなる層3cを形成し、次にこの上にHAT−CN6を5nmの膜厚で成膜することによって、ホール注入材料からなる層3dを形成し、中間層3を作製した。そしてその他は実施例1と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(従来例1)
実施例1において、発光層4aの上に設けた1層目の電子輸送層であるBCP層の上に、AlqとLiとのモル比1:1の混合膜を厚み5nmで成膜して電荷移動錯体からなる層3aを電子注入層として形成した後に、この上に陰極2としてAlを80nmの膜厚で成膜して、1層目の発光層4aのみを備える有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(従来例2)
実施例1において、陽極1を構成するITOの上に、厚み5nmのHAT−CN6を成膜して中間層3の最後の層3dを形成し、次いでその上に、その後の層(ホール輸送層、発光層4b、電子輸送層、陰極2)を実施例1と同様に成膜することによって、2層目の発光層4bのみを備える有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例1)
実施例5において、導電体材料を含有する光透過性の層3bであるInOとAlの共蒸着層を形成しなかったこと以外は、実施例5と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た
(比較例2)
実施例4において、LiOからなる層3aを形成しなかったこと以外は、実施例4と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例3)
実施例4において、電荷輸送性有機材料からなる層3cであるAlqの層を形成しなかったこと以外は、実施例4と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例4)
実施例6において、ホール注入材料からなる層3dとなるF4−TCNQとNPDのp−ドープ層を形成しなかったこと以外は、実施例6と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例5)
実施例3において、電荷輸送性有機材料からなる層3cであるAlqの層を50nmの膜厚で形成するようにしたこと以外は、実施例3と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例6)
実施例4において、電荷輸送性有機材料からなる層3cであるAlqの層を0.5nm厚に形成したこと以外は、実施例4と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
(比較例7)
実施例12において、導電体材料を含有する光透過性の層3bであるIZOの蒸着層を形成しなかったこと以外は、実施例12と同様にして有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。
表1に、上記の実施例1〜14及び比較例1〜7における、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属または金属化合物の層3a、導電体材料を含有する光透過性の層3b、電荷輸送性有機材料からなる層3c、ホール注入材料からなる層3dの各層の材質および厚みをまとめて示す。
表1には、導電体材料を含有する光透過性の層3bの透過率も併せて示した。透過率は、石英基板上に導電体材料を含有する光透過性の層3bを構成する材料からなる層を5nmの膜厚で成膜したもの、10nmの膜厚で成膜したものをそれぞれ用意し、460nm〜800nmの波長範囲に於ける両者の平均吸光度の比から厚み5nmあたりの吸光度を算出し、その値から各実施例や比較例での膜厚に於ける層3bの透過率を算出した値である。
Figure 2010056077
実施例9のものは、後述の表2のように長期耐久性および寿命特性に優れているが、表1にみられるように、導電体材料を含有する光透過性の層3bの膜厚が厚いので、透過率は低いものであった。
次に、上記の実施例1〜14、比較例1〜7、従来例1〜2で得た有機エレクトロルミネッセンス素子に10mA/cmの電流を流したときの駆動電圧を測定した。また40mA/cmの電流を流したとき、輝度が初期の80%に迄低下するまでに要した時間を測定した。結果を表2に示す。
Figure 2010056077
実施例1〜14の素子は、駆動電圧が従来例1の素子と従来例2の素子の概ね和であり、中間層3が従来例1,2の素子を良好に接続していることがわかる。またその寿命も従来例1および従来例2の素子の寿命と一定電流を流した場合にはほぼ同等であり、それぞれの中間層3がそれを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命特性に悪影響を与えていないことがわかる。また、これらの素子の発光特性は概ね従来例1の素子と従来例2の素子の発光効率の和と同程度であった。
これに対して比較例1〜7の素子は、概ね従来例1の素子と従来例2の素子の和と同程度であったが、比較例1、比較例5、比較例7の素子は電圧が高いことが、比較例2および比較例4の素子は、駆動電圧が著しく高いとともに寿命も大幅に低下することが、比較例3および比較例6の素子は駆動電圧は低く実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子と同等であるものの、寿命が短めであることがわかった。
また実施例9の素子は、電圧・寿命は良好であるものの、発光効率は従来例1の素子と従来例2の素子の発光効率の和に対して低く、中間層3における層3bの光透過率が低いことに由来する問題が生じるものであった。
以上のように、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動電圧を低く保つとともに、長い寿命特性をも実現できることが確認されるものである。
1 陽極
2 陰極
3 中間層
3a 電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層
3b 導電体材料を含有する光透過性の層
3c 電荷輸送性有機材料からなる層
3d ホール注入材料からなる層
4(4a,4b) 発光層
5 基板

Claims (8)

  1. 陽極と陰極の間に、中間層を介して積層された複数の発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、中間層は、電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層と、導電体材料を含有する光透過性の層と、電荷輸送性有機材料からなる層と、ホール注入材料からなる層とをこの順に備えて形成されており、電荷輸送性材料の層の厚みが0.5〜30nmの範囲であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 上記の電荷輸送性有機材料からなる層が、電子輸送性材料からなる層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子
  3. 上記の電荷輸送性有機材料からなる層が、ホール輸送性材料からなる層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 上記の電荷輸送性有機材料からなる層が、ホール輸送性材料と電子輸送性材料の混合物、あるいはバイポーラ性材料からなる層であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 上記の導電体材料を含有する光透過性の層が、金属酸化物と金属窒化物の少なくとも一方からなる層、金属と金属酸化物の積層層または混合層、金属からなる層のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 上記の導電体材料を含有する光透過性の層は、光透過率80%以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 上記のホール注入材料からなる層が、p−ドープ層とアクセプタ材料からなる層のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 請求項1乃至7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたって、中間層を、発光層の上に電荷移動錯体からなる層または3.7eV以下の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物の層を形成する工程と、この表面に導電体材料を含有する光透過性の層を形成する工程と、この表面に電荷輸送性有機材料からなる層を積層する工程と、この表面にホール注入材料からなる層を形成する工程とを備えて作製することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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