JP2006208429A - 両面マスクの作成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板の下面の転写有効領域内に遮光層からなるメインパターンと転写有効領域外にアライメントマークを形成する工程と、上面の転写有効領域に遮光層を形成後、全面にレジスト層を形成する工程と、上面からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の下面に形成されたアライメントマークを視認し、該アライメントマークの座標を測定し、前記下面のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整しながら、他方の面(上面)のレジスト層にメインパターンを描画する工程と、を少なくとも含む工程からなる両面マスクの作成方法。
【選択図】図1
Description
(b)透明基板の他方の面(上面)の転写有効配置領域に遮光層を形成する工程。
(c)透明基板の他方の面(上面)の全面にレジスト層を形成する工程。
(d)透明基板の他方の面(上面)からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを視認し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面(下面)のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整して、他方の面(上面)のレジスト層にメインパターンを描画する工程。
(e)リソグラフィー手法により、他方の面(上面)の遮光層にメインパターンを形成して、上面の遮光層からなるメインパターンを形成する工程。
(b)透明基板の他方の面(上面)に、一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを他方の面(上面)から認識するために必要な領域を除く全面に遮光層を形成する工程。
(c)透明基板の他方の面(上面)の全面にレジスト層を形成する工程。
(d)透明基板の他方の面(上面)からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを視認し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面(下面)のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整して、他方の面(上面)のレジスト層にメインパターンと遮光域を描画する工程。
(e)リソグラフィー手法により、他方の面(上面)の遮光層にメインパターンと遮光域を形成して、上面の遮光層からなるメインパターンと遮光域を形成する工程。
面に遮光用金属膜層の上面遮光層13を積層し形成する。上面遮光層13は、転写有効領域50に形成する。上面遮光層13の形成領域が下面のアライメントマーク配置領域60を除くことにより、下面のアライメントマーク配置領域の上面には上面遮光層が形成されないようにする。
(a)座標測定装置を用いて、上面遮光層33のない部分からレーザー光を照射し、透明基板31の下面に焦点を合わせる工程と、
(b)下面アライメントマーク36をレーザー光で反射させ画像を視認する工程と、
(c)前記装置の測定座標系を用いて、下面アライメントマーク36の画像位置を計測し、その座標を測定する工程よりなる方法である。
12、22、32、42…下面遮光層
13、23、33、43…上面遮光層
14、24、34、44…上面レジスト層
15、25、35、45…下面メインパターン
16、26、36…下面アライメントマーク
46、46’…上面アライメントマーク
17、17’、27、27’、47、47’…上面メインパターン
50…転写有効領域
60…アライメントマーク配置領域
90…遮光域
Claims (3)
- 表裏両面にパターンを有するフォトマスク(いわゆる両面マスク)の作成において、透明基板の一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを、透明基板の他方の面(上面)から視認し、該アライメントマークの座標を測定し、該アライメントマークの座標を基準座標とすることで、透明基板の他方の面(上面)のパターンのアライメントを調整する処理を、透明基板の他方の面(上面)にパターンを描画する工程中に含むことを特徴とする両面マスクの作成方法。
- 請求項1に記載の両面マスクの作成方法において、その製造工程が下記の工程からなることを特徴とする両面マスクの作成方法。
(a)透明基板の一方の面(下面)に遮光層を形成し、リソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンと、転写有効領域外に該遮光層からなるアライメントマークを形成する工程。
(b)透明基板の他方の面(上面)の転写有効領域に遮光層を形成する工程。
(c)透明基板の他方の面(上面)の全面にレジスト層を形成する工程。
(d)透明基板の他方の面(上面)からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを視認し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面(下面)のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整して、他方の面(上面)のレジスト層にメインパターンを描画する工程。
(e)リソグラフィー手法により、他方の面(上面)の遮光層にメインパターンを形成して、上面の遮光層からなるメインパターンを形成する工程。 - 請求項1に記載の両面マスクの作成方法において、その製造工程が下記の工程からなることを特徴とする両面マスクの作成方法。
(a)透明基板の一方の面(下面)に遮光層を形成し、リソグラフィー手法により、転写有効領域内に該遮光層からなるメインパターンと、転写有効領域外に該遮光層からなるアライメントマークと該アライメントマークが存在する箇所を除く領域に設けられた遮光域を形成する工程。
(b)透明基板の他方の面(上面)に、一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを他方の面(上面)から認識するために必要な領域を除く全面に遮光層を形成する工程。
(c)透明基板の他方の面(上面)の全面にレジスト層を形成する工程。
(d)透明基板の他方の面(上面)からレジスト層と透明基板を通して、透明基板の一方の面(下面)に形成されたアライメントマークを視認し、該アライメントマークの座標を測定し、前記一方の面(下面)のアライメントマークの座標を基準座標とすることでメインパターンのアライメントを調整して、他方の面(上面)のレジスト層にメインパターンと遮光域を描画する工程。
(e)リソグラフィー手法により、他方の面(上面)の遮光層にメインパターンと遮光域を形成して、上面の遮光層からなるメインパターンと遮光域を形成する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005016413A JP2006208429A (ja) | 2005-01-25 | 2005-01-25 | 両面マスクの作成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
- 2005-01-25 JP JP2005016413A patent/JP2006208429A/ja active Pending
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A521 | Written amendment |
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