JP2010034501A - Supporting member, semiconductor manufacturing apparatus, and method for supporting substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a supporting member, a semiconductor manufacturing apparatus, and a method for supporting a substrate, which can make the inclination of a substrate uniform in one direction, allowing the reduction of trouble of transfer. <P>SOLUTION: A pusher 10 is equipped with a substrate 1 and a groove portion 3 formed in the upper face of the substrate 1, supports a wafer W while being inserted in the groove portion 3, wherein the bottom face 6 of the groove 3 includes a shape that the fringe edge W1 of the wafer W contacting the bottom face 6 is put aside toward the side of the side face 4 of the groove 3. For example, the bottom face 6 of the groove 3 forms an inclined plane dropping toward the side face 4 from a side face 5. Such a configuration makes it possible to put aside the fringe edge W1 of the wafer W toward the side of the side face 4 by sliding it along the bottom face 6, and to make the inclination of the wafer W uniform in one direction. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法に関する。   The present invention relates to a support member, a semiconductor manufacturing apparatus, and a substrate support method.

この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示されたものがある。即ち、この特許文献１には、複数枚のウエーハを一方のカセットから他方のカセットに移し替える際に、これらウエーハを一時的に支持するための支持部材が開示されている。そして、この支持部材には所定のピッチで互いに平行するように複数の支持溝が設けられていること、及び、これら支持溝の各々はその底部から上方に向かって徐々に溝幅が広がる形状を有すること、が開示されている。   As this type of prior art, for example, there is one disclosed in Patent Document 1. That is, Patent Document 1 discloses a support member for temporarily supporting a plurality of wafers when the wafers are transferred from one cassette to the other cassette. The support member is provided with a plurality of support grooves so as to be parallel to each other at a predetermined pitch, and each of the support grooves has a shape in which the groove width gradually increases from the bottom to the top. Has been disclosed.

特開平５−１０９８７７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-109877

ところで、上記の特許文献１に開示された支持部材では、支持溝の底面は支持部材の上面に対して平行（即ち、平ら）となっている。このため、上記の特許文献１に開示された支持部材では、例えば図９に示すように、隣り合う２枚のウエーハＷ´のうちの一方は左側に傾き、他方は右側に傾いてしまう可能性があった。このように、支持部材９０上においてウエーハＷ´の傾く方向がそれぞれ異なると、ウエーハＷ´間の距離にバラツキが生じてしまい、例えば、支持部材９０の上方に待機している溝付チャック（図示せず）の１つの溝部に２枚のウエーハＷ´が一緒に入ったり、本来入るべき溝部の隣の位置にある溝部にウエーハＷ´が入ったりするなどの、移載トラブルが発生してしまう可能性があった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の傾きを一方向に揃えることができ、移載トラブルを低減できるようにした支持部材、半導体製造装置及び基板の支持方法の提供を目的とする。 By the way, in the support member disclosed in Patent Document 1, the bottom surface of the support groove is parallel (that is, flat) to the top surface of the support member. For this reason, in the support member disclosed in Patent Document 1, for example, as shown in FIG. 9, one of the two adjacent wafers W ′ may be inclined to the left and the other may be inclined to the right. was there. As described above, if the directions in which the wafers W ′ are inclined are different on the support member 90, the distance between the wafers W ′ varies, and for example, a grooved chuck waiting above the support member 90 (see FIG. Transfer troubles such as two wafers W ′ entering one groove part (not shown) together, or wafer W ′ entering a groove part located next to the groove part to be originally inserted. There was a possibility.
Therefore, the present invention has been made in view of such circumstances, and can support the support member, the semiconductor manufacturing apparatus, and the substrate, which can align the inclination of the substrate in one direction and reduce transfer troubles. The purpose is to provide a method.

本発明の一態様に係る基板支持装置は、複数の溝部を備える支持部材と、を含む基板支持装置であって、前記複数の溝部の底面の第１の部分は、傾斜していることを特徴とするものである。
また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、それぞれ第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面を有し、前記第１の部分に形成された傾斜は、前記第１の側面の底部が、前記第２の側面の底部より下方に位置することにより形成されていても良い。 The substrate support apparatus which concerns on 1 aspect of this invention is a board | substrate support apparatus containing a support member provided with a some groove part, Comprising: The 1st part of the bottom face of the said some groove part is inclined, It is characterized by the above-mentioned. It is what.
Further, in the above substrate support apparatus, each of the plurality of groove portions has a first side surface and a second side surface facing the first side surface, and the inclination formed in the first portion is The bottom part of the first side surface may be formed by being positioned below the bottom part of the second side surface.

また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、それぞれ第１の開口部及び第２の開口部を有し、前記第２の開口部は、前記第１の開口部の上方に位置し、前記第２の開口部が有する幅は、前記第１の開口部が有する幅よりも大きいことを特徴としても良い。
また、上記の基板支持装置において、前記第２の開口部は、前記支持部材の上方に向かって幅が広がるように形成されていることを特徴としても良い。 In the substrate support apparatus, each of the plurality of grooves has a first opening and a second opening, and the second opening is located above the first opening. The width of the second opening may be larger than the width of the first opening.
In the substrate support apparatus described above, the second opening may be formed so that the width increases toward the upper side of the support member.

また、上記の基板支持装置において、前記複数の溝部は、一定の間隔で前記支持部材に形成されていることを特徴としても良い。
本発明の別の態様に係る半導体製造装置は、上記の支持部材を備えることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る半導体装置の製造方法は、上記の半導体製造装置を用いることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る半導体基板の支持方法は、上記の支持部材を用いて、複数の基板を同一方向に傾斜させる工程を備えることを特徴としても良い。 In the substrate support apparatus, the plurality of groove portions may be formed in the support member at regular intervals.
A semiconductor manufacturing apparatus according to another aspect of the present invention may include the support member described above.
A method for manufacturing a semiconductor device according to still another aspect of the present invention may use the above-described semiconductor manufacturing apparatus.
A method for supporting a semiconductor substrate according to still another aspect of the present invention may include a step of inclining a plurality of substrates in the same direction using the support member.

本発明のさらに別の態様に係る支持部材、半導体製造装置、又は、基板の支持方法は、例えば下記の発明１〜８であっても良い。
発明１の支持部材は、基材と、前記基材の上面に形成された溝部とを備え、基板を前記溝部に挟んだ状態で支持する支持部材であって、前記溝部の底面は、当該底面と接触した前記基板の縁部の端を前記溝部の第１の側面の側へ片寄せする形状を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の傾きを一方向に揃えることができる。
発明２の支持部材は、発明１の支持部材において、前記溝部の底面は、前記溝部の前記第１の側面と対向する第２の側面から、前記第１の側面に向かって下がる斜面、を含むことを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の縁部の端（以下、縁端ともいう。）を溝部の底面に沿って滑らせて、当該縁端を溝部の第１の側面の側へ片寄せすることができる。また、この片寄せの結果、基板の傾きを一方向に揃えることができる。 The following inventions 1-8 may be sufficient as the support member which concerns on another aspect of this invention, a semiconductor manufacturing apparatus, or the support method of a board | substrate, for example.
The support member according to the first aspect of the present invention is a support member that includes a base material and a groove portion formed on the upper surface of the base material, and supports the substrate in a state where the substrate is sandwiched between the groove portions. The edge part of the said board | substrate which contacted the board | substrate has a shape which moves near to the 1st side surface side of the said groove part. With such a configuration, the inclination of the substrate can be aligned in one direction.
A support member according to a second aspect of the present invention is the support member according to the first aspect, wherein the bottom surface of the groove portion includes a slope that descends from the second side surface facing the first side surface of the groove portion toward the first side surface. It is characterized by this. With such a configuration, the edge of the edge of the substrate (hereinafter also referred to as edge) is slid along the bottom surface of the groove, and the edge is shifted toward the first side surface of the groove. be able to. Further, as a result of the shifting, the inclination of the substrate can be aligned in one direction.

発明３の支持部材は、発明２の支持部材において、前記溝部は、前記第１の側面と前記第２の側面との間の距離が一定である第１の開口部と、前記第１の開口部上に位置して、前記第１の側面と前記第２の側面との間の距離が前記基材の上方に向かって徐々に拡がる第２の開口部と、を有し、前記第１の側面において前記第１の開口部と第２の開口部との境界部分には第１の角部が存在し、前記第２の側面において前記第１の開口部と第２の開口部との境界部分には第２の角部が存在し、前記第２の角部は、前記第１の角部よりも上方に位置することを特徴とするものである。このような構成であれば、第１の角部と第２の角部とが同じ高さに位置する場合と比べて、基板をより直立に近い状態で支持することができる。   A support member according to a third aspect of the present invention is the support member according to the second aspect, wherein the groove has a first opening having a constant distance between the first side surface and the second side surface, and the first opening. A second opening that is located on the part and that gradually increases the distance between the first side surface and the second side surface toward the upper side of the substrate. A first corner is present at a boundary portion between the first opening and the second opening on the side surface, and a boundary between the first opening and the second opening on the second side surface. The portion has a second corner portion, and the second corner portion is located above the first corner portion. With such a configuration, the substrate can be supported in a more upright state than when the first corner and the second corner are located at the same height.

発明４の支持部材は、発明３の支持部材において、前記第１の角部の前記底面からの高さは、３ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることを特徴とするものである。このような構成であれば、基板の第１の面において、溝部の第１の側面と接触する領域は縁端から中心に向かって５ｍｍまでの領域となる。縁端から中心に向かって５ｍｍ以上離れた領域が溝部の第１の側面と接触することを防ぐことができ、当該領域に傷が付くことを防ぐことができる。例えば、ウエーハの表面に設定される製品領域（即ち、製品としての半導体装置が作りこまれる領域）は、通常、ウエーハの縁端から中心に向かって５ｍｍ以上離れた領域に設定されるが、上記の構成であれば、製品領域が溝部の第１の側面と接触することを防ぐことができ、製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。   A support member according to a fourth aspect of the present invention is the support member according to the third aspect, wherein the height of the first corner portion from the bottom surface is 3 mm or more and 5 mm or less. If it is such a structure, in the 1st surface of a board | substrate, the area | region which contacts the 1st side surface of a groove part will be an area | region to 5 mm toward a center from an edge. It is possible to prevent a region 5 mm or more away from the edge toward the center from coming into contact with the first side surface of the groove, and to prevent the region from being damaged. For example, a product region set on the surface of a wafer (that is, a region in which a semiconductor device as a product is built) is usually set to a region separated by 5 mm or more from the edge of the wafer toward the center. If it is the structure of this, it can prevent that a product area | region contacts the 1st side surface of a groove part, and can prevent a product area | region from being damaged.

発明５の支持部材は、発明１から発明４の何れか一の支持部材において、前記溝部は、一定の間隔で複数形成されていることを特徴とするものである。このような構成であれば、複数枚の基板を一定の間隔で支持することができる。
発明６の支持部材は、発明５の支持部材において、前記一定の間隔で複数形成された前記溝部のうちの、隣り合う一方の溝部と他方の溝部との境界部分は、前記基材の上方に向かって突き出た形状を有することを特徴とするものである。このような構成であれば、基板を溝部に挟み込む際に、基板の縁端が溝部の底面ではなく、上記の境界部分に接触した場合でも、この縁端を境界部分の表面に沿って滑らせて溝部の底面に誘導することができる。従って、溝部と基板との位置合わせのマージンを大きくする（つまり、余裕を持たせる）ことができる。 A support member according to a fifth aspect of the present invention is the support member according to any one of the first to fourth aspects, wherein a plurality of the groove portions are formed at regular intervals. With such a configuration, a plurality of substrates can be supported at regular intervals.
The support member according to a sixth aspect of the present invention is the support member according to the fifth aspect, wherein a boundary portion between one adjacent groove portion and the other groove portion among the plurality of groove portions formed at a predetermined interval is above the base material. It has the shape which protruded toward the top. With such a configuration, when the substrate is sandwiched between the grooves, even if the edge of the substrate contacts the above boundary portion instead of the bottom surface of the groove, the edge is slid along the surface of the boundary portion. Can be guided to the bottom of the groove. Therefore, the alignment margin between the groove and the substrate can be increased (that is, a margin can be provided).

発明７の半導体製造装置は、基板を第１のカセットから第２のカセットに移し替える半導体製造装置であって、発明１から発明６の何れか一の支持部材を備えることを特徴とするものである。ここで、「基板」としては、例えばウエーハが挙げられる。このような構成であれば、例えば、複数枚のウエーハを支持部材で支持した際に、支持部材上でのウエーハの傾きを一方向に揃えることができる。従って、複数枚のウエーハを第１のカセットから第２のカセットに移し替える際に、溝付チャックの１つの溝に２枚のウエーハが一緒に入ったり、本来入るべき溝の隣の位置にある溝にウエーハが入ったりするなどの移載トラブルを低減することができる。これにより、移載トラブルに起因したウエーハの破損（割れ、欠け等）を防止することができるので、半導体装置の歩留まりの向上に寄与することができる。   A semiconductor manufacturing apparatus according to a seventh aspect of the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus for transferring a substrate from a first cassette to a second cassette, comprising the support member according to any one of the first to sixth aspects. is there. Here, examples of the “substrate” include a wafer. With such a configuration, for example, when a plurality of wafers are supported by the support member, the inclination of the wafer on the support member can be aligned in one direction. Therefore, when transferring a plurality of wafers from the first cassette to the second cassette, the two wafers are put together in one groove of the grooved chuck, or are adjacent to the groove to be originally inserted. Transfer troubles such as wafers entering the grooves can be reduced. This can prevent the wafer from being damaged (cracked, chipped, etc.) due to the transfer trouble, which can contribute to the improvement of the yield of the semiconductor device.

発明８の基板の支持方法は、基材と、前記基材の上面に形成された溝部とを備えた支持基材の前記溝部に、基板を挟み込んで支持する方法であって、前記基板の縁部の端を前記溝部の底面に接触させる工程と、前記底面と接触した前記縁部の端を前記溝部の第１の側面の側へ片寄せする工程と、を含むことを特徴とするものである。このような方法によれば、支持部材上での基板の傾きを一方向に揃えることができる。   The substrate support method of the invention 8 is a method of sandwiching and supporting a substrate in the groove portion of the support base material including a base material and a groove portion formed on the upper surface of the base material, the edge of the substrate A step of bringing the end of the portion into contact with the bottom surface of the groove portion, and a step of shifting the end of the edge portion in contact with the bottom surface toward the first side surface of the groove portion. is there. According to such a method, the inclination of the substrate on the support member can be aligned in one direction.

実施形態に係るプッシャー１０の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the pusher 10 which concerns on embodiment. 実施形態に係るウエーハ移載装置１００の構成例を示す図。The figure which shows the structural example of the wafer transfer apparatus 100 which concerns on embodiment. 実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図（その１）。The figure which shows the transfer method of the wafer W which concerns on embodiment (the 1). 実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図（その２）。The figure which shows the transfer method of the wafer W which concerns on embodiment (the 2). プッシャー１０による支持の仕組みを示す図。The figure which shows the structure of the support by the pusher. ウエーハＷの傾きが一方向に揃っている状態を示す図。The figure which shows the state in which the inclination of the wafer W is aligned in one direction. プッシャー１０の他の構成例を示す図（その１）。The figure which shows the other structural example of the pusher (the 1). プッシャー１０の他の構成例を示す図（その２）。The figure which shows the other structural example of the pusher 10 (the 2). 従来技術の課題を示す図。The figure which shows the subject of a prior art.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施形態に係るプッシャー１０の構成例を示す図であり、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の斜視図をＹ−Ｚ平面で切断したときの拡大断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that, in each drawing described below, parts having the same configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof is omitted.
1A and 1B are diagrams showing a configuration example of a pusher 10 according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a perspective view and FIG. 1B is a diagram of FIG. It is an expanded sectional view when a perspective view is cut along a YZ plane.

図１（ａ）及び（ｂ）に示すプッシャー１０は、例えば、シリコン基板又はＳＯＩ基板などのウエーハを一方のカセット（キャリアとも呼ばれる。）から他方のカセットに移し替える際に使用されるものである。具体的には、半導体装置の製造工程において、ウエーハは２５枚程度を１ロットとして取り扱われるが、この１ロット（即ち、２５枚）のウエーハは、箱型の容器に仕切りの溝が設けられたカセットに１枚ずつ垂直に離して収納される。そして、１ロットのウエーハは、カセットに収納された状態で一方の工程から他方の工程へ搬送されたり、所定の製造装置において半導体装置を作りこむための処理が施されたりする。ここで、上記のカセットは、搬送用カセット、プロセス用カセット等のように使用環境に応じて使い分けられており、１ロットのウエーハを一方のカセットから他方のカセットへと移し替えることが半導体装置の製造工程において頻繁に行われている。この移し替えは、後述するウエーハ移載装置により行われるが、図１（ａ）及び（ｂ）に示すプッシャー１０は、このウエーハ移載装置に組み込まれて使用されるものである。   A pusher 10 shown in FIGS. 1A and 1B is used when, for example, a wafer such as a silicon substrate or an SOI substrate is transferred from one cassette (also called a carrier) to the other cassette. . Specifically, in the semiconductor device manufacturing process, about 25 wafers are handled as one lot, and this one lot (that is, 25 wafers) is provided with a partition groove in a box-shaped container. Each cassette is stored vertically apart. Then, one lot of wafers is transferred from one process to the other process in a state of being stored in a cassette, or a process for making a semiconductor device in a predetermined manufacturing apparatus is performed. Here, the above-mentioned cassettes are selectively used according to the usage environment such as a transport cassette, a process cassette, etc., and transferring one lot of wafers from one cassette to the other cassette is a semiconductor device. It is frequently performed in the manufacturing process. This transfer is performed by a wafer transfer device to be described later. The pusher 10 shown in FIGS. 1A and 1B is used by being incorporated in this wafer transfer device.

図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、このプッシャー１０は、例えば、耐磨耗性に優れた樹脂からなる基材１を有し、この基材１の上面に複数の溝部３が形成されている。耐摩耗性に優れた樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、又は、ＰＣＴＦＥ（ポリクロロトリフルオロエチレン）等が挙げられる。また、複数の溝部３は、複数枚のウエーハの縁部を挟んで支持するためのものである。例えば、１ロット（即ち、２５枚）のウエーハに対応して、基材１には２５個の溝部３が形成されている。また、これら溝部３はその各々が互いに同一の形状を有し、且つその各々が互いに平行となるように、図１（ａ）のＺ軸方向に向けて所定のピッチ（即ち、間隔）で形成されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the pusher 10 has a base material 1 made of a resin having excellent wear resistance, for example, and a plurality of groove portions 3 are formed on the upper surface of the base material 1. Is formed. Examples of the resin excellent in abrasion resistance include PTFE (polytetrafluoroethylene), PCTFE (polychlorotrifluoroethylene), and the like. The plurality of grooves 3 are for supporting the edge portions of the plurality of wafers. For example, 25 grooves 3 are formed in the base material 1 corresponding to one lot (that is, 25 wafers) of wafers. Further, these groove portions 3 are formed at a predetermined pitch (ie, an interval) in the Z-axis direction of FIG. 1A so that each of the groove portions 3 has the same shape and is parallel to each other. Has been.

図１（ｂ）に示すように、溝部３のピッチをＰとする。このプッシャー１０が６インチ径のウエーハ（以下、６インチウエーハともいう。）を支持する場合は、各溝部３は例えばＰ＝４．７６ｍｍとなるように形成されている。ここで、図示しない６インチウエーハを収納するカセットの溝部のピッチは、通常４．７６ｍｍに設定されている。従って、プッシャー１０のピッチＰを６インチ用カセットのピッチと一致させることにより、このカセットに収納されている６インチウエーハの縁部をそのままプッシャー１０の溝部３に差し込むことができる。   As shown in FIG. 1B, the pitch of the grooves 3 is P. When the pusher 10 supports a 6-inch diameter wafer (hereinafter also referred to as a 6-inch wafer), each groove portion 3 is formed to have P = 4.76 mm, for example. Here, the pitch of the groove portion of the cassette for housing the 6-inch wafer (not shown) is normally set to 4.76 mm. Therefore, by matching the pitch P of the pusher 10 with the pitch of the 6-inch cassette, the edge of the 6-inch wafer stored in the cassette can be inserted into the groove 3 of the pusher 10 as it is.

また、これら溝部３の各々は、開口部３ａと開口部３ｂとによって構成されている。開口部３ａは、対向する側面４と側面５との間の距離が一定である。また、開口部３ｂは、開口部３ａの上方に位置し、側面４と側面５との間の距離が基材１の上方に向かって徐々に拡がっている。図１（ｂ）に示すように、開口部３ａの幅（即ち、Ｚ方向の長さ）をＷとしたとき、Ｗは例えばウエーハの標準的な厚さの１．１倍程度の大きさである。一例を挙げると、６インチウエーハの標準的な厚さは６２５μｍであり、このプッシャー１０が６インチウエーハを支持する場合は、各溝部３は例えばＷ＝６２５μｍ×１．１＝６８７．５μｍ、つまり、Ｗ≒７００μｍとなるように形成されている。   Moreover, each of these groove parts 3 is comprised by the opening part 3a and the opening part 3b. In the opening 3a, the distance between the side surface 4 and the side surface 5 facing each other is constant. The opening 3 b is located above the opening 3 a, and the distance between the side surface 4 and the side surface 5 gradually increases toward the upper side of the substrate 1. As shown in FIG. 1B, when the width of the opening 3a (that is, the length in the Z direction) is W, W is, for example, about 1.1 times the standard thickness of the wafer. is there. For example, the standard thickness of a 6-inch wafer is 625 μm, and when the pusher 10 supports a 6-inch wafer, each groove 3 has, for example, W = 625 μm × 1.1 = 687.5 μm, , W≈700 μm.

また、図１（ｂ）に示すように、開口部３ａと開口部３ｂとからなる溝部３の底面６は、側面５から側面４に向かって下がる斜面（即ち、傾斜）となっている。この斜面の角度（即ち、Ｚ軸方向を０゜としたときの角度）をθとしたとき、θは例えば１５〜７０゜であり、この範囲の中でも特にθ≧３０゜であることが好ましい。そして、これら溝部３の各々について、側面４における開口部３ａと開口部３ｂとの境界部分である角部７は、側面５における開口部３ａと開口部３ｂとの境界部分である角部８よりも下方に位置している。なお、これら溝部３の各々について、底面６から角部７までの高さをＨ１とし、底面６から角部８までの高さをＨ２としたとき、Ｈ１は例えば３〜５ｍｍであり、Ｈ２は例えば３〜５ｍｍ程度である。Ｈ１＝Ｈ２であっても良いし、Ｈ１≠Ｈ２であっても良い。次に、このようなプッシャー１０を備えたウエーハ移載装置について説明する。   Further, as shown in FIG. 1B, the bottom surface 6 of the groove portion 3 composed of the opening portion 3a and the opening portion 3b has a slope (that is, an inclination) that falls from the side surface 5 toward the side surface 4. When the angle of this slope (that is, the angle when the Z-axis direction is 0 °) is θ, θ is, for example, 15 to 70 °, and it is particularly preferable that θ ≧ 30 ° in this range. And about each of these groove parts 3, the corner | angular part 7 which is a boundary part of the opening part 3a and the opening part 3b in the side surface 4 is more than the corner | angular part 8 which is a boundary part of the opening part 3a and the opening part 3b in the side surface 5. Is also located below. In addition, about each of these groove parts 3, when the height from the bottom face 6 to the corner | angular part 7 is set to H1, and the height from the bottom face 6 to the corner | angular part 8 is set to H2, H1 is 3-5 mm, for example, H2 is For example, it is about 3 to 5 mm. H1 = H2 or H1 ≠ H2 may be sufficient. Next, a wafer transfer apparatus provided with such a pusher 10 will be described.

図２は、本発明の実施形態に係るウエーハ移載装置１００の構成例を示す図である。
図２に示すように、このウエーハ移載装置１００は、プッシャー１０と、ロッド２０と、ステージ３０と、溝付チャック４０と、を含んだ構成となっている。これらの中で、ロッド２０の先端にはプッシャー１０が取り付けられており、その他端の側には図示しない昇降機構が取り付けられている。この図示しない昇降機構が動作することにより、プッシャー１０はステージ３０の下から上へ移動し、また、ステージ３０の上から下へ移動するようになっている。 FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration example of the wafer transfer apparatus 100 according to the embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 2, the wafer transfer device 100 includes a pusher 10, a rod 20, a stage 30, and a grooved chuck 40. Among these, the pusher 10 is attached to the tip of the rod 20, and a lifting mechanism (not shown) is attached to the other end. By operating the lifting mechanism (not shown), the pusher 10 moves from the bottom to the top of the stage 30 and also moves from the top to the bottom of the stage 30.

ステージ３０はカセット５０が載せられる台であり、その表面にはカセット５０の位置を決めるガイド３１が設けられている。例えば、このガイド３１によって脚部５１が両側から挟まれるようにカセット５０を置くことにより、カセット５０を毎回同じ位置に配置することができる。さらに、ステージ３０の真上には、一対の溝付チャック４０が設けられている。図示しないが、この溝付チャック４０には、ガイド３１によってステージ３０上で位置決めされたカセット５０の溝部と対応するように、複数の溝部が形成されている。この溝付チャック４０も、プッシャー１０と同様、例えば、耐磨耗性に優れた樹脂からなる。また、この一対の溝付チャック４０にはそれぞれアーム４１が取り付けられている。次に、上記のプッシャー１０を備えたウエーハ移載装置１００を用いて、一方のカセットから他方のカセットへウエーハＷを移し替える場合について説明する。   The stage 30 is a table on which the cassette 50 is placed, and a guide 31 for determining the position of the cassette 50 is provided on the surface thereof. For example, by placing the cassette 50 so that the leg portion 51 is sandwiched from both sides by the guide 31, the cassette 50 can be arranged at the same position every time. Further, a pair of grooved chucks 40 is provided directly above the stage 30. Although not shown, the grooved chuck 40 is formed with a plurality of grooves so as to correspond to the grooves of the cassette 50 positioned on the stage 30 by the guide 31. The grooved chuck 40 is also made of, for example, a resin excellent in wear resistance, like the pusher 10. Further, an arm 41 is attached to each of the pair of grooved chucks 40. Next, a case where the wafer W is transferred from one cassette to the other cassette using the wafer transfer device 100 including the pusher 10 will be described.

図３（ａ）〜図４（ｂ）は、本発明の実施形態に係るウエーハＷの移載方法を示す図である。また、図５（ａ）及び（ｂ）は、移載過程でのウエーハＷの動きを示す図である、
図３（ａ）では、まず始めに、１ロット（即ち、２５枚）のウエーハＷを収納したカセット５０をステージ３０上に配置する。このとき、カセット５０の脚部５１をガイド３１で挟むようにすることで、カセット５０を所定の位置に配置することができる。なお、カセット５０に収納されたウエーハＷのオリエンテーションフラット（以下、オリフラという。）は、カセット５０をステージ３０上に配置した後で、図示しないオリフラ合わせ機によって例えば下方に調整する。或いは、このようなオリフラ合わせは、カセット５０をステージ３０上に配置する前に、行っても良い。 FIGS. 3A to 4B are diagrams showing a method for transferring the wafer W according to the embodiment of the present invention. FIGS. 5A and 5B are views showing the movement of the wafer W during the transfer process.
In FIG. 3A, first, a cassette 50 containing one lot (ie, 25 wafers) of wafers W is placed on the stage 30. At this time, the cassette 50 can be disposed at a predetermined position by sandwiching the leg portion 51 of the cassette 50 with the guide 31. The orientation flat (hereinafter referred to as orientation flat) of the wafer W accommodated in the cassette 50 is adjusted downward, for example, by an orientation flat aligner (not shown) after the cassette 50 is placed on the stage 30. Alternatively, such orientation flat alignment may be performed before the cassette 50 is placed on the stage 30.

次に、図示しない昇降機構を動作させて、ロッド２０の先端に取り付けられたプッシャー１０を上方へ移動させる。これにより、プッシャー１０の溝部にウエーハＷの縁部が入り、ウエーハＷは直立に近い状態で支持される。そして、ウエーハＷは、直立に近い状態で支持されたまま、上方へ押し上げられてカセット５０から取り出される。このプッシャー１０による支持の仕組みについて、より詳しく説明する。
図５（ａ）に示すように、まず、ウエーハＷの縁部が溝部３に入り、ウエーハＷの縁部の端（即ち、縁端）Ｗ１が溝部３の底面６に接触する。すると、底面６は側面４に向かって下がる斜面となっているので、ウエーハＷの縁端Ｗ１は斜面に沿って滑り、側面４の側へ片寄せされる。そして、この片寄せの結果、ウエーハＷは縁端Ｗ１を側面４の側に残したまま反対側（即ち、側面５の側）へ倒れ、図５（ｂ）に示すように、ウエーハＷの裏面が角部８と接触した状態で支えられることとなる。 Next, the lifting mechanism (not shown) is operated to move the pusher 10 attached to the tip of the rod 20 upward. Thereby, the edge part of the wafer W enters the groove part of the pusher 10, and the wafer W is supported in a state close to being upright. The wafer W is pushed upward and taken out from the cassette 50 while being supported in an almost upright state. The mechanism of support by the pusher 10 will be described in more detail.
As shown in FIG. 5A, first, the edge of the wafer W enters the groove 3, and the edge (that is, the edge) W <b> 1 of the wafer W contacts the bottom surface 6 of the groove 3. Then, since the bottom surface 6 is an inclined surface that goes down toward the side surface 4, the edge W <b> 1 of the wafer W slides along the inclined surface and is moved to the side surface 4 side. Then, as a result of this misalignment, the wafer W falls to the opposite side (that is, the side surface 5 side) while leaving the edge W1 on the side surface 4 side, and as shown in FIG. Will be supported in contact with the corner 8.

ここで、製品領域（即ち、製品としての半導体装置が作りこまれる領域）は、通常、ウエーハＷの表面Ｗ２に設定されている。従って、ウエーハＷの裏面Ｗ３と角部８とが接触しても製品領域に傷が付くことはない。また、角部８は角部７よりも上方に位置するので、角部７と角部８が同じ高さにある場合と比べて、ウエーハＷをより直立に近い状態で支持することができる。さらに、図５（ａ）の状態から図５（ｂ）の状態に移行する際に、ウエーハＷの表面Ｗ２と溝部３の側面４とが一時的に接触することも想定される。しかしながら、側面４の高さＨ１（図１（ｂ）参照。）を例えば３〜５ｍｍ程度に設定していれば、この側面４は製品領域に届かないので、製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。   Here, a product region (that is, a region in which a semiconductor device as a product is built) is usually set on the surface W2 of the wafer W. Therefore, even if the back surface W3 and the corner portion 8 of the wafer W come into contact with each other, the product area is not damaged. Further, since the corner portion 8 is positioned above the corner portion 7, the wafer W can be supported in a more upright state than when the corner portion 7 and the corner portion 8 are at the same height. Furthermore, it is assumed that the surface W2 of the wafer W and the side surface 4 of the groove 3 are temporarily in contact with each other when the state shown in FIG. 5A is shifted to the state shown in FIG. However, if the height H1 of the side surface 4 (see FIG. 1B) is set to about 3 to 5 mm, for example, the side surface 4 does not reach the product region, and thus the product region is prevented from being damaged. be able to.

図３（ａ）に戻って、このようにプッシャー１０によってウエーハＷはその下側から支持され、この状態で上方に押し上げられる。そして、ウエーハＷがカセット５０から完全に取り出され、溝付チャック４０と同じ高さまで押し上げられると、一対の溝付チャック４０が内側へ閉じる。これにより、図３（ｂ）に示すように、溝付チャック４０によってウエーハＷはその両側から支持されることとなる。次に、図示しない昇降機構を動作させて、プッシャー１０をステージ３０の下まで移動させる。そして、ステージ３０上にある一方のカセット５０を、他方のカセット５０に置き換える。なお、一方のカセット５０とは、例えば搬送用カセット又はプロセス用カセットのうちの一方のことであり、他方のカセット５０とは搬送用カセット又はプロセス用カセットのうちの他方のことである。   Returning to FIG. 3A, the wafer W is thus supported from the lower side by the pusher 10 and pushed upward in this state. When the wafer W is completely removed from the cassette 50 and pushed up to the same height as the grooved chuck 40, the pair of grooved chucks 40 closes inward. Thus, as shown in FIG. 3B, the wafer W is supported from both sides by the grooved chuck 40. Next, the lifting mechanism (not shown) is operated to move the pusher 10 to below the stage 30. Then, one cassette 50 on the stage 30 is replaced with the other cassette 50. One cassette 50 is, for example, one of a transfer cassette or a process cassette, and the other cassette 50 is the other of a transfer cassette or a process cassette.

次に、図４（ａ）において、図示しない昇降機構を動作させて、プッシャー１０を上方に移動させる。これにより、プッシャー１０の溝部にウエーハＷの縁部が入り、ウエーハＷはその下側から支持される。次に、一対の溝付チャック４０が外側へ開く。これにより、溝付チャック４０による支持状態が解除され、ウエーハＷはプッシャー１０によってのみ支持された状態となる。その後、図4（ｂ）において、図示しない昇降機構を動作させ
て、プッシャー１０をステージ３０の下まで移動させる。これにより、１ロットのウエーハＷは他方のカセット５０に収納されて、その移載作業が完了する。 Next, in FIG. 4A, a lifting mechanism (not shown) is operated to move the pusher 10 upward. Thereby, the edge part of the wafer W enters the groove part of the pusher 10, and the wafer W is supported from the lower side. Next, the pair of grooved chucks 40 opens outward. As a result, the support state by the grooved chuck 40 is released, and the wafer W is supported only by the pusher 10. Thereafter, in FIG. 4B, a lifting mechanism (not shown) is operated to move the pusher 10 to below the stage 30. Thus, one lot of wafers W is stored in the other cassette 50, and the transfer operation is completed.

このように、本発明の実施形態によれば、溝部３の底面６が側面５から側面４に向かって下がる斜面（即ち、傾斜）となっている。これにより、ウエーハＷの縁端Ｗ１を底面６に沿って滑らせて、側面４の側へ片寄せすることができる。また、この片寄せの結果、ウエーハＷの傾きを一方向（例えば、図５（ｂ）において、右側）に揃えることができる。
それゆえ、例えば図６に示すように、１ロットのウエーハＷを移載する際に、溝付チャック４０の１つの溝部に１枚のウエーハＷを正しく入れることができる。つまり、それぞれのウエーハＷを本来入るべき溝部に正しく入れることができる。従来例で課題とした挙げた移載トラブルを低減することができ、移載トラブルに起因したウエーハＷの破損（割れ、欠け等）を防止することができるので、半導体装置の歩留まりの向上に寄与することができる。 Thus, according to the embodiment of the present invention, the bottom surface 6 of the groove portion 3 is an inclined surface (that is, inclined) that descends from the side surface 5 toward the side surface 4. Thereby, the edge W1 of the wafer W can be slid along the bottom surface 6 and can be shifted to the side surface 4 side. Further, as a result of this shifting, the inclination of the wafer W can be aligned in one direction (for example, the right side in FIG. 5B).
Therefore, for example, as shown in FIG. 6, when transferring one lot of wafers W, one wafer W can be correctly placed in one groove portion of the grooved chuck 40. That is, each wafer W can be correctly placed in the groove portion to be originally inserted. The transfer troubles listed as problems in the conventional example can be reduced, and damage (cracking, chipping, etc.) of the wafer W caused by the transfer trouble can be prevented, contributing to improvement in the yield of semiconductor devices. can do.

また、角部８は角部７よりも高い位置にあり、底面から角部までの高さをＨ１、底面から角部までの高さをＨ２としたとき、Ｈ１、Ｈ２は例えば３〜５ｍｍとなっている。これにより、ウエーハＷをより直立に近い状態で支持すると共に、ウエーハＷの表面Ｗ２に設定される製品領域に傷が付くことを防ぐことができる。
この実施形態では、プッシャー１０が本発明の「基板支持装置」に対応し、基材１が本発明の「支持部材」に対応し、ウエーハＷが本発明の「基板」に対応している。また、側面４が本発明の「第１の側面」に対応し、側面５が本発明の「第２の側面」に対応し、底面６全体が本発明の「底面の第１の部分」に対応している。さらに、開口部３ａが本発明の「第１の開口部」に対応し、開口部３ｂが本発明の「第２の開口部」に対応している。また、角部７が本発明の「第１の角部」に対応し、角部８が本発明の「第２の角部」に対応している。そして、ウエーハ移載装置１００が本発明の「半導体製造装置」に対応している。 Further, the corner 8 is at a higher position than the corner 7, and when the height from the bottom to the corner is H1, and the height from the bottom to the corner is H2, H1 and H2 are, for example, 3 to 5 mm. It has become. As a result, it is possible to support the wafer W in a more upright state and to prevent the product region set on the surface W2 of the wafer W from being damaged.
In this embodiment, the pusher 10 corresponds to the “substrate support device” of the present invention, the base material 1 corresponds to the “support member” of the present invention, and the wafer W corresponds to the “substrate” of the present invention. Further, the side surface 4 corresponds to the “first side surface” of the present invention, the side surface 5 corresponds to the “second side surface” of the present invention, and the entire bottom surface 6 corresponds to the “first portion of the bottom surface” of the present invention. It corresponds. Furthermore, the opening 3a corresponds to the “first opening” of the present invention, and the opening 3b corresponds to the “second opening” of the present invention. Further, the corner 7 corresponds to the “first corner” of the present invention, and the corner 8 corresponds to the “second corner” of the present invention. The wafer transfer apparatus 100 corresponds to the “semiconductor manufacturing apparatus” of the present invention.

なお、本発明において、プッシャー１０の構成は図１に示した構成に限定されるものではなく、例えば、図７（ａ）又は図７（ｂ）に示すような構成であっても良い。即ち、図７（ａ）に示すように、隣り合う一方の溝部３と他方の溝部３との境界部分９は、上方に向かって突き出た角部となっていても良い。このような構成であれば、ウエーハの縁端が溝部３の底面ではなく、境界部分９に接触した場合でも、この縁端を境界部分９の表面（即ち、角部の斜面）に沿って滑らせて、溝部３の底面６に誘導することができる。従って、溝部３とウエーハとの位置合わせのマージンを大きくする（つまり、余裕を持たせる）ことができる。   In the present invention, the configuration of the pusher 10 is not limited to the configuration shown in FIG. 1, and may be, for example, a configuration as shown in FIG. 7 (a) or FIG. 7 (b). That is, as shown in FIG. 7A, the boundary portion 9 between one adjacent groove 3 and the other groove 3 may be a corner protruding upward. With such a configuration, even when the edge of the wafer contacts the boundary portion 9 instead of the bottom surface of the groove portion 3, the edge is slid along the surface of the boundary portion 9 (that is, the slope of the corner). And can be guided to the bottom surface 6 of the groove 3. Accordingly, it is possible to increase the margin for positioning the groove 3 and the wafer (that is, to provide a margin).

或いは、図７（ｂ）に示すように、プッシャー１０において、上記の境界部分９は、角部ではなく、上方に向かって突き出た曲部であっても良い。このような構成であっても、ウエーハの縁端を境界部分９の表面（即ち、曲面）に沿って滑らせて底面６に誘導することができるので、図７（ａ）と同様の効果を得ることができる。
また、本発明において、プッシャー１０の底面は、例えば図７（ａ）又は図７（ｂ）に示すように、底面６は側面５から側面４に向かって下がる斜面６ａと、プッシャー１０の上面に対して平ら（つまり、Ｘ−Ｚ平面に対して水平）な平面６ｂとにより構成されていても良い。このような構成であっても、斜面６ａに接触したウエーハの縁端を側面４の側へ片寄せすることができるので、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、図７（ａ）及び（ｂ）では、斜面６ａが本発明の「底面の第１の部分」に対応している。 Alternatively, as shown in FIG. 7B, in the pusher 10, the boundary portion 9 may be a curved portion protruding upward rather than a corner portion. Even with such a configuration, the edge of the wafer can be slid along the surface (ie, curved surface) of the boundary portion 9 and guided to the bottom surface 6, so that the same effect as in FIG. Obtainable.
Further, in the present invention, the bottom surface of the pusher 10 is formed on the inclined surface 6 a that descends from the side surface 5 toward the side surface 4 and the upper surface of the pusher 10, as shown in FIG. 7A or FIG. On the other hand, it may be constituted by a flat surface 6b that is flat (that is, horizontal to the XZ plane). Even with such a configuration, the edge of the wafer in contact with the inclined surface 6a can be shifted to the side surface 4, so that the same effect as in the above embodiment can be obtained. 7A and 7B, the slope 6a corresponds to the “first portion of the bottom surface” of the present invention.

また、本発明において、プッシャー１０の底面は、例えば図８に示すように、Ｘ−Ｙ平面において弧を描くように湾曲していても良い。このような構成であれば、ウエーハＷを移載する際にオリフラＯＦを上にした場合であっても、ウエーハＷの左右への動きを湾曲した底面６によって制限することができる。また、この場合は、プッシャー１０の上面も底面と同じように湾曲させることが好ましい。これにより、Ｘ−Ｙ平面において溝部３の深さを均一にすることができる。   In the present invention, the bottom surface of the pusher 10 may be curved so as to draw an arc in the XY plane, for example, as shown in FIG. With such a configuration, even when the orientation flat OF is turned up when the wafer W is transferred, the lateral movement of the wafer W can be limited by the curved bottom surface 6. In this case, it is preferable that the upper surface of the pusher 10 is curved in the same manner as the bottom surface. Thereby, the depth of the groove part 3 can be made uniform in the XY plane.

さらに、本発明において、支持の対象となるウエーハＷの直径は６インチに限定されるものではなく、例えば、ウエーハＷは８インチであっても良い。また、ウエーハＷの大きさに応じて、プッシャー１０の大きさを適宜に調整することが可能である。例えば、８インチ径のウエーハ（以下、８インチウエーハともいう。）をプッシャー１０で支持する場合は、溝部３のピッチＰを例えばＰ＝６．３５ｍｍとなるように形成する。８インチウエーハを収納するカセットは、その溝部のピッチが通常６．３５ｍｍに設定されているので、プッシャー１０のピッチＰを８インチ用カセットのピッチと一致させることにより、このカセットに収納されている８インチウエーハの縁部をそのままプッシャー１０の溝部３に差し込むことができる。これにより、上記の実施形態と同様の効果を得ることができる。   Furthermore, in the present invention, the diameter of the wafer W to be supported is not limited to 6 inches. For example, the wafer W may be 8 inches. Further, it is possible to appropriately adjust the size of the pusher 10 according to the size of the wafer W. For example, when a wafer having an 8 inch diameter (hereinafter also referred to as an 8 inch wafer) is supported by the pusher 10, the pitch P of the groove portions 3 is formed to be P = 6.35 mm, for example. Since the pitch of the groove of the cassette for storing the 8-inch wafer is normally set to 6.35 mm, the pitch P of the pusher 10 is set to match the pitch of the 8-inch cassette and stored in this cassette. The edge of the 8-inch wafer can be inserted into the groove 3 of the pusher 10 as it is. Thereby, the effect similar to said embodiment can be acquired.

１ 基材、３ 溝部、３ａ、３ｂ 開口部、４、５ 側面、６ 底面、６ａ 斜面、６ｂ 平面、７、８ 角部、９ 境界部分、１０ プッシャー、２０ ロッド、３０ ステージ、３１ ガイド、４０ 溝付チャック、４１ アーム、５０ カセット、５１ 脚部、ＯＦ オリフラ、Ｗ ウエーハ、Ｗ１ 縁端、Ｗ２ 表面、Ｗ３ 裏面、   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material, 3 groove part, 3a, 3b opening part, 4, 5 side surface, 6 bottom face, 6a slope, 6b plane, 7, 8 corner part, 9 boundary part, 10 pusher, 20 rod, 30 stage, 31 guide, 40 Slotted chuck, 41 arm, 50 cassette, 51 leg, OF orientation flat, W wafer, W1 edge, W2 surface, W3 back surface,

Claims (8)

複数の溝部を備える支持部材と、を含む基板支持装置であって、
前記複数の溝部の底面の第１の部分は、傾斜していることを特徴とする基板支持装置。 A substrate support device including a support member having a plurality of grooves,
The substrate supporting apparatus, wherein the first portion of the bottom surface of the plurality of groove portions is inclined. 前記複数の溝部は、それぞれ第１の側面及び前記第１の側面に対向する第２の側面を有し、
前記第１の部分に形成された傾斜は、前記第１の側面の底部が、前記第２の側面の底部より下方に位置することにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。 Each of the plurality of grooves has a first side surface and a second side surface facing the first side surface,
The slope formed in the first portion is formed by a bottom portion of the first side surface being positioned below a bottom portion of the second side surface. Substrate support device. 前記複数の溝部は、それぞれ第１の開口部及び第２の開口部を有し、
前記第２の開口部は、前記第１の開口部の上方に位置し、
前記第２の開口部が有する幅は、前記第１の開口部が有する幅よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の基板支持装置。 Each of the plurality of grooves has a first opening and a second opening,
The second opening is located above the first opening;
The substrate support apparatus according to claim 1, wherein a width of the second opening is larger than a width of the first opening. 前記第２の開口部は、前記支持部材の上方に向かって幅が広がるように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板支持装置。   The substrate support apparatus according to claim 3, wherein the second opening is formed to have a width that increases toward the upper side of the support member. 前記複数の溝部は、一定の間隔で前記支持部材に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板支持装置。   5. The substrate support apparatus according to claim 1, wherein the plurality of groove portions are formed in the support member at regular intervals. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持部材を備えることを特徴とする半導体製造装置。   A semiconductor manufacturing apparatus comprising the support member according to any one of claims 1 to 5. 請求項６に記載の半導体製造装置を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。   A semiconductor device manufacturing method using the semiconductor manufacturing device according to claim 6. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の支持部材を用いて、複数の基板を同一方向に傾斜させる工程を備えることを特徴とする半導体基板の支持方法。   A method for supporting a semiconductor substrate comprising the step of inclining a plurality of substrates in the same direction using the support member according to claim 1.
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