JP2010027685A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用でき、しかもコストの削減に寄与しうる半導体ウエハの研削方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体ウエハの研削方法は、バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、表面保護シートとを、半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削することを特徴とする。
【選択図】 図3
【解決手段】 本発明の半導体ウエハの研削方法は、バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、表面保護シートとを、半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削することを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
本発明は半導体ウエハの研削方法に関し、特に、回路面上に高さの高いバンプが高密度で配列された半導体ウエハの研削方法に関する。
半導体装置の高密度実装化に伴い、ICチップと基板の接合には球状ハンダ(バンプともよばれる)が用いられている。特に、ICチップを直接接合する場合は、直径数百μm程度のバンプが用いられることが多い。このようなバンプは予め半導体ウエハの回路面に高密度に接合されている。
一方、ICカードの普及にともない、ICチップの薄型化が進められている。このため、ウエハの裏面を研削し、ウエハの厚みを50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。脆質部材であるウエハは、薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。また、裏面研削時に発生する切削屑により回路面が傷ついたり、汚染されることもある。このため、ウエハを極薄まで研削したり、極薄のウエハを運搬したりする場合は、粘着シートなどの表面保護用シートによりウエハの回路面側を保護して作業を進めている。
しかし、上記のようなバンプが回路面に形成されたウエハの裏面を研削すると、バンプの段差による圧力差がウエハ裏面に直接影響し、ウエハ裏面にディンプルとよばれる窪みやクラックが生じ、最終的に半導体ウエハを破損させてしまう。また、バンプの高さが邪魔をして、ウエハと表面保護用シートとが密着せず、特に外周端部においてウエハと表面保護用シートとが剥離することがあった。この結果、研削時に用いる水や研削屑がウエハと表面保護用シートとの空隙から浸入し、ウエハ回路面を破損または汚染することがあった。
このため、表面保護用シートの粘着剤層の厚みを厚くし、さらに粘着剤の流動性を高めることにより、粘着剤層とウエハとを密着させ、粘着剤層のクッション性によりバンプの段差による圧力差を解消するようにして対処している。しかし、粘着剤層の厚みを厚くし、かつその流動性を高くすると、バンプの根本部分に粘着剤が回り込み易くなる。このため、表面保護用シートの剥離操作によってバンプの根本部分に付着した粘着剤が層内破壊を起こし、その一部が回路面に残着することがある。これはエネルギー線硬化型粘着剤を用いた表面保護用シートを用いた場合であっても起こりうる問題であった。回路面に残着した粘着剤は溶剤洗浄等により除去しなければ、デバイスの異物として残留し完成したデバイスの信頼性を損なう。
このような問題を解消するため、特許文献1には、本願明細書に添付の図4に示すように、半導体ウエハの裏面研削を行う際に用いる表面保護用シート30であって、基材31の片面に、貼付する半導体ウエハ4の外径よりも小径の粘着剤層が形成されていない開口部33と、その外周に形成された粘着剤層32(両面粘着シート等)が形成されている部分とが設けられている表面保護用シートが開示されている。この表面保護用シート30は、基材31の片面にリング状に打ち抜かれた両面粘着シート32が形成されてなる構造であり、バンプ5に当接する部分に粘着剤が設けられていないため、バンプ5の根本部分に粘着剤が付着することがなく、それによるデバイスの信頼性不足は起こりえない。また、通常はウエハ4の端部を両面粘着シート32の粘着剤層により密着固定できるので、回路面への洗浄水の浸入が防止され、ウエハの汚損を低減できる。
特開2005-123382号公報
しかし、上記の表面保護用シート30では、リング状の粘着剤層32(両面粘着シート等)を予め準備する必要があった。リング状の粘着剤層は、シート状の粘着剤(両面粘着シート)を打ち抜き加工することで得られる。すなわち、ウエハのバンプ形成部の形状、大きさに対応する開口部を打ち抜き、かつウエハの外径に合わせて外周部を打ち抜いて、リング状の粘着剤層が得られる。打ち抜かれた残渣は廃棄物となる。このため、リング状の粘着剤層を製造するためには多量の廃棄物が発生する。また、両面粘着シートは高価でもあり、表面保護用シート30の製造コストの削減を妨げる。
また、リング状の粘着剤層は、貼付されるウエハのバンプ形成部の形状、大きさおよびウエハの外径に合わせて準備する必要がある。このため、ウエハの大きさや回路デザインに適合するように、種々の表面保護用シートを準備する必要があり、在庫管理が煩雑化する。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用でき、しかもコストの削減に寄与しうる半導体ウエハの研削方法を提供することを目的としている。
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
(1)バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、
表面保護シートとを、
半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、
表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する半導体ウエハの研削方法。
(2)バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に液状接着剤を塗布し、
該半導体ウエハの外周端部の液状接着剤を介して半導体ウエハに表面保護シートを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する(1)に記載の半導体ウエハの研削方法。
(3)表面保護シートの片面に、
バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状に液状接着剤を塗布し、
表面保護シートの液状接着剤塗布部が、半導体ウエハの外周端部に対応するように位置合わせをし、表面保護シートに半導体ウエハを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する(1)に記載の半導体ウエハの研削方法。
(4)バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体とし、
積層体の外周端部隙間に液状接着剤を注入し、硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する(1)に記載の半導体ウエハの研削方法。
(5)回路面上に形成されたバンプの高さが50μm以上であり、ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤の幅は0.1〜5mmである(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウエハの研削方法。
(1)バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、
表面保護シートとを、
半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、
表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する半導体ウエハの研削方法。
(2)バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に液状接着剤を塗布し、
該半導体ウエハの外周端部の液状接着剤を介して半導体ウエハに表面保護シートを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する(1)に記載の半導体ウエハの研削方法。
(3)表面保護シートの片面に、
バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状に液状接着剤を塗布し、
表面保護シートの液状接着剤塗布部が、半導体ウエハの外周端部に対応するように位置合わせをし、表面保護シートに半導体ウエハを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する(1)に記載の半導体ウエハの研削方法。
(4)バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体とし、
積層体の外周端部隙間に液状接着剤を注入し、硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する(1)に記載の半導体ウエハの研削方法。
(5)回路面上に形成されたバンプの高さが50μm以上であり、ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤の幅は0.1〜5mmである(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウエハの研削方法。
本発明による半導体ウエハの研削方法では、液状接着剤を塗布、硬化してバンプウエハの外周端部を封止するため、ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用できる。また、高価な両面粘着シートを使用しないため、コストの大幅な削減が可能になる。さらにウエハのバンプに当接する部分に粘着剤が設けられていないためバンプの根本部分に粘着剤が付着することがなく、それによるデバイスの信頼性不足は起こりえない。また、ウエハの端部を接着剤により密着固定できるので、回路面への洗浄水の滲入が防止され、ウエハの汚損を低減できる。
以下、本発明について、図面を参照しながらさらに具体的に説明する。本発明に係る半導体ウエハの研削方法は、バンプ5が形成された回路表面を有する半導体ウエハ4の回路面と、表面保護シート1とを、半導体ウエハ4の外周端部において、液状接着剤2を介して重ね、該液状接着剤2を硬化して、半導体ウエハ4と表面保護シート1とを接着して半導体ウエハ4のバンプ形成部を保護しつつ、表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する。
具体的には、たとえば図1に斜視図を示したように、バンプ5が形成された回路表面を有する半導体ウエハ4の外周端部に、ディスペンサーにより制御された液状接着剤2をノズル3より塗布し、図2および図3に示したように、該半導体ウエハ4に表面保護シート1を積層し、液状接着剤2を硬化して半導体ウエハの回路面を保護しつつ、表面保護シート1側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する。また、表面保護シート1側に液状接着剤2を塗布して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着してもよく、さらに、表面保護シートと半導体ウエハを積み重ねた後、積層体の外周端部隙間に液状接着剤2を注入して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着してもよい。
(表面保護シート1)
表面保護シート1は、樹脂シートであれば、特に限定されず各種の樹脂シートが使用可能である。このような樹脂シートとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、アクリルゴム、ポリアミド、ウレタン、ポリイミド等の樹脂フィルムが挙げられる。表面保護シート1はこれらの単層であってもよいし、積層体からなってもよい。また、架橋等の処理を施したシートであってもよい。
表面保護シート1は、樹脂シートであれば、特に限定されず各種の樹脂シートが使用可能である。このような樹脂シートとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、アクリルゴム、ポリアミド、ウレタン、ポリイミド等の樹脂フィルムが挙げられる。表面保護シート1はこれらの単層であってもよいし、積層体からなってもよい。また、架橋等の処理を施したシートであってもよい。
このような表面保護シート1としては、熱可塑性樹脂を押出成形によりシート化したものが使用されてもよいし、硬化性樹脂を所定手段により薄膜化、硬化してシート化したものが使われてもよい。硬化性樹脂としては、たとえば、エネルギー線硬化性のウレタンアクリレート系オリゴマーを主剤とし、比較的嵩高い基を有するアクリレートモノマーを希釈剤とし、必要に応じて光重合開始剤を配合した樹脂組成物が用いられる。
表面保護シートの厚さは、好ましくは30〜1000μm、さらに好ましくは50〜500μm、特に好ましくは100〜300μmである。
また、表面保護シート1は、図2に示したように、貼付される半導体ウエハの外径とほぼ等しい大きさに予め打ち抜かれていてもよく、また表面保護シート1と半導体ウエハ4とを接着後、半導体ウエハの外径に合わせて表面保護シート1を切断してもよい。
(液状接着剤2)
液状接着剤2は、その種類は特定されず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系、エポキシ系、アミン系など汎用の接着剤から形成されてもよい。好ましくは、その硬化物のガラス転移温度が60〜90℃の接着剤である。
液状接着剤2は、その種類は特定されず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ビニルエーテル系、エポキシ系、アミン系など汎用の接着剤から形成されてもよい。好ましくは、その硬化物のガラス転移温度が60〜90℃の接着剤である。
液状接着剤2は、自然硬化型、熱硬化型、UV硬化型のいずれでもよい。表面保護シート1と半導体ウエハ4とを接着後、強い接着力を有し、常温の水に対しては溶解、膨潤せず、温水や有機溶剤等に浸漬するなどの所定の手段で溶解ないし膨潤し、表面保護シート1と半導体ウエハ4とを分離可能な接着剤が特に好ましく用いられる。また、エネルギー線の照射により硬化して再剥離性となるエネルギー線硬化型接着剤であってもよい。
液状接着剤2としては、たとえば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂、クロロプレンゴム、ニトリルゴム、スチレンブタジエンゴムなどが挙げられる。
液状接着剤2の塗布厚は特に限定はされないが、液状接着剤の厚み(Lt)とバンプの高さ(Bh)とした場合、その差(Bh−Lt)は好ましくは−5〜+50μm、さらに好ましくは±0〜+40μmである。例えば、バンプ5の高さ(Bh)が100μmであった場合、好ましい液状接着剤2の厚さ(Lt)は50〜105μm、好ましくは60〜100μmである。このような厚さの関係とすれば、ウエハのバンプ5と表面保護シート1とが適度な圧力で接し、研削加工時に表面保護シート1の剥がれや位置ずれ等が起きにくくなる。その差(Bh−Lt)の値が負であり、接着剤がバンプの高さよりも厚く隙間が開いていたとしても、その値が小さければ研削加工時の押し圧による半導体ウエハの撓みにより、適度な圧力が発生し、ウエハ全体が固定可能となる。
適度な厚みの塗膜を形成するため、液状接着剤2の粘度は、好ましくは0.1〜100Pa・s、さらに好ましくは1〜50Pa・sの範囲に調整される。
液状接着剤2の塗布法が特に限定はされないが、たとえばディスペンサーで制御され、ノズル3によりウエハ、表面保護シート等に塗布される。
(半導体ウエハ4)
本発明の半導体ウエハの研削方法に使用されるウエハ4は、回路面上にバンプ5が形成されたものであれば、いかなる構成のウエハであってもよいが、バンプ5の高さが50μm以上、好ましくは100μm以上のウエハが、従来の表面保護用粘着シートでの適用が困難であったが、本発明においてより好適に用いられる。なお、通常使用されているバンプ付き半導体ウエハ4においては、半導体ウエハの内周部にバンプが形成され、外周端部にはバンプは形成されていない。バンプが形成されない外周端部の幅は、一定しないが、通常は半導体ウエハの端部から0.7〜30mm程度の領域がバンプ不存在の領域となる。本発明では、バンプが形成されない外周端部において、接着剤を介して表面保護シートと半導体ウエハとを接着する。
本発明の半導体ウエハの研削方法に使用されるウエハ4は、回路面上にバンプ5が形成されたものであれば、いかなる構成のウエハであってもよいが、バンプ5の高さが50μm以上、好ましくは100μm以上のウエハが、従来の表面保護用粘着シートでの適用が困難であったが、本発明においてより好適に用いられる。なお、通常使用されているバンプ付き半導体ウエハ4においては、半導体ウエハの内周部にバンプが形成され、外周端部にはバンプは形成されていない。バンプが形成されない外周端部の幅は、一定しないが、通常は半導体ウエハの端部から0.7〜30mm程度の領域がバンプ不存在の領域となる。本発明では、バンプが形成されない外周端部において、接着剤を介して表面保護シートと半導体ウエハとを接着する。
(ウエハの表面保護形態)
本発明に係る半導体ウエハの研削方法では、まず、バンプ5が形成された回路表面を有する半導体ウエハ4の回路面と、表面保護シート1とを、半導体ウエハ4の外周端部において、液状接着剤2を介して重ね、該液状接着剤2を硬化して、半導体ウエハ4と表面保護シート1とを接着して半導体ウエハ4のバンプ形成部を保護する。
本発明に係る半導体ウエハの研削方法では、まず、バンプ5が形成された回路表面を有する半導体ウエハ4の回路面と、表面保護シート1とを、半導体ウエハ4の外周端部において、液状接着剤2を介して重ね、該液状接着剤2を硬化して、半導体ウエハ4と表面保護シート1とを接着して半導体ウエハ4のバンプ形成部を保護する。
半導体ウエハ4と表面保護シート1とを接着する方法は特に限定はされないが、たとえば図1に示したように、バンプ5が形成された回路表面を有する半導体ウエハ4を回転させつつ、その外周端部に、液状接着剤2をノズル3より塗布し、図2および図3に示したように、該半導体ウエハ4に表面保護シート1を積層して、液状接着剤2を所定の手段で硬化して、半導体ウエハ4と表面保護シート1とを接着する。この際、表面保護シート1はなるべく張力により変形が起きないように低テンションで積層することが好ましい。表面保護シートの積層時に強いテンションが加えられると、半導体ウエハに接着後にも表面保護シートに内部応力が残留する。このため、ウエハを極薄に研削すると、残留応力によって表面保護シートが変形し、ウエハが湾曲することがある。
ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤2の幅は、ウエハのサイズやバンプが形成されない外周端部の幅により依存し、特に限定されないが、通常、0.1〜5mm、好ましくは0.2〜3mmである。また、ウエハと表面保護シートとを積層後、液状接着剤2が漏出しないように、ウエハの最外周部には、接着剤が塗布されない領域を設けてもよい。接着剤を塗布しない領域は、ウエハの回路面外周端部から内側に向かって6mm以下、好ましくは3mm以下、さらに好ましくは1mm以下である。
また、半導体ウエハ4と表面保護シート1とを接着する別の方法として、図示はしないが、表面保護シート1の片面に液状接着剤2をリング形状に塗布し、続いて半導体ウエハ4のバンプ5が液状接着剤2に対面しないように精度よく位置合わせをしながら半導体ウエハ4の外周端部を液状接着剤2に積層し、液状接着剤2を硬化して、上記と同様の表面保護形態としてもよい。液状接着剤2は、表面保護シートの片面に、半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状で塗布される。
さらにまた、別の方法として表面保護シート1と半導体ウエハ4とを重ね、積層体とし、積層体の外周端部隙間に、ノズルを介して液状接着剤2を注入し、硬化することによって同様の表面保護形態としてもよい。
なお、表面保護シート1は、半導体ウエハ4との接着に先立ち、図示したように半導体ウエハ4の外径と略同径に切断されていてもよく、半導体ウエハ4と接着後、ウエハの外周よりはみ出した表面保護シート1をカッター等で切除してもよい。
(ウエハの裏面研削)
上記のような表面保護形態としたウエハ4は、ウエハ研削装置のウエハ固定台(図示せず)に表面保護シート1側を戴置し、グラインダー6等を用いた通常の研削手法で研削を行う。
上記のような表面保護形態としたウエハ4は、ウエハ研削装置のウエハ固定台(図示せず)に表面保護シート1側を戴置し、グラインダー6等を用いた通常の研削手法で研削を行う。
その後、表面保護シート1から半導体ウエハ4を分離する。半導体ウエハ4は、図示したように、リング状の接着剤を介して表面保護シート1に固定されている。リング状の接着剤の幅は狭く、したがって接着力も弱いため、半導体ウエハ4の剥離は容易である。また、接着剤が温水または有機溶剤に溶解または膨潤可能なものである場合には、表面保護シートと半導体ウエハとの積層体を温水または有機溶剤に浸漬することで、半導体ウエハ4を容易に剥離できる。さらに、接着剤がエネルギー線により接着力を消失する性質を有する場合には、接着剤層にエネルギー線を照射することで、半導体ウエハ4の剥離がさらに容易になる。
本発明では、ウエハ4の外周端部の全周が、接着剤の硬化物によって確実に封止されるため、研削加工時の洗浄水等の滲入は起こらずウエハの回路面を汚染することがない。また、ウエハ回路面に対してはバンプの頂点が適度な圧力で表面保護シートに接しているため、研削加工時に表面保護シートの剥がれや位置ずれ等が起きにくくなる。さらに本発明の方法では、液状接着剤2を塗布、硬化してバンプウエハの外周端部を封止するため、ウエハの大きさや回路デザインに関わりなく適用できる。また、高価な両面粘着シートを使用しないため、コストの大幅な削減が可能になる。
[実施例]
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において使用した表面保護シート、シリコンウエハおよび研削水滲入の評価方法を下記に示す。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において使用した表面保護シート、シリコンウエハおよび研削水滲入の評価方法を下記に示す。
(表面保護シート)
重量平均分子量5000のウレタンアクリレート系オリゴマー(荒川化学社製)50重量部と、イソボルニルアクリレート25重量部と、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート25重量部と、光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア184)2重量部と、フタロシアニン系顔料0.2重量部を配合して、表面保護シートをキャスト製膜するための光硬化性を有する樹脂組成物を得た。
重量平均分子量5000のウレタンアクリレート系オリゴマー(荒川化学社製)50重量部と、イソボルニルアクリレート25重量部と、フェニルヒドロキシプロピルアクリレート25重量部と、光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製、イルガキュア184)2重量部と、フタロシアニン系顔料0.2重量部を配合して、表面保護シートをキャスト製膜するための光硬化性を有する樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物をファウンテンダイ方式により、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(東レ社製、厚み38μm)の上に厚みが160μmとなるように塗工し、塗布膜上にさらに同じPETフィルムをラミネートし、その後、高圧水銀ランプ(160W/cm、高さ10cm)を用いて、光量250mJ/cm2の条件で紫外線照射処理を行い、塗布膜を架橋・硬化させた。その後両面のPETフィルムを剥離して厚み160μmの表面保護シートを得た。
(シリコンウエハ)
直径200mm、厚さ750μmのシリコンウエハの鏡面上に、高さ100μmの球状バンプをピッチ(隣接するバンプ同士の中心間距離)200μm、バンプが形成されないウエハの外周端部の幅10mmで形成した。
直径200mm、厚さ750μmのシリコンウエハの鏡面上に、高さ100μmの球状バンプをピッチ(隣接するバンプ同士の中心間距離)200μm、バンプが形成されないウエハの外周端部の幅10mmで形成した。
(研削水滲入)
ウエハを研削後、ウエハ回路面を目視にて観察し、ウエハ回路面に洗浄水の滲入があったものは「あり」、洗浄水の滲入がなかったものは「なし」とした。
ウエハを研削後、ウエハ回路面を目視にて観察し、ウエハ回路面に洗浄水の滲入があったものは「あり」、洗浄水の滲入がなかったものは「なし」とした。
[実施例1]
液状接着剤として、粘度を10Pa・sに調整したテクノアルファ社製熱可塑性接着剤(STAYSTIK品番343)を用い、ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅2mm、高さ100μmになるように塗布した。100℃、2分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削した。研削後イソプロピルアルコールに浸漬し、表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
液状接着剤として、粘度を10Pa・sに調整したテクノアルファ社製熱可塑性接着剤(STAYSTIK品番343)を用い、ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅2mm、高さ100μmになるように塗布した。100℃、2分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削した。研削後イソプロピルアルコールに浸漬し、表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
[実施例2]
液状接着剤として、粘度を50Pa・sに調整した化研テック社製エコセパラ(品番CT−1888A/B)を用い、ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅3mm、高さ100μmになるように塗布した。常温25℃、60分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削した。熱水浸漬(約90℃)し、表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
液状接着剤として、粘度を50Pa・sに調整した化研テック社製エコセパラ(品番CT−1888A/B)を用い、ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅3mm、高さ100μmになるように塗布した。常温25℃、60分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削した。熱水浸漬(約90℃)し、表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
[実施例3]
飽和ポリエステル樹脂(ユニチカ社製エリーテルUE−3400)100部を、酢酸エチル100部中に溶解して樹脂溶液を得た。この樹脂溶液100部に、微細シリカ粉末(日本アエロジール(株)製RY200S)2.4部をディスパースミルで混合し、減圧脱泡して、粘度を20Pa・sに調整した絶縁性接着剤を製造した。ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅1mm、高さ100μmになるように塗布した。100℃、1分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削し、常温で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
飽和ポリエステル樹脂(ユニチカ社製エリーテルUE−3400)100部を、酢酸エチル100部中に溶解して樹脂溶液を得た。この樹脂溶液100部に、微細シリカ粉末(日本アエロジール(株)製RY200S)2.4部をディスパースミルで混合し、減圧脱泡して、粘度を20Pa・sに調整した絶縁性接着剤を製造した。ウエハ外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅1mm、高さ100μmになるように塗布した。100℃、1分の環境で表面保護シートに接着させ、その後ウエハを研削し、常温で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
[実施例4]
アクリル酸ブチル75部、アクリル酸エチル20部、アクリル酸5部、過酸化ベンゾイル0.5部を、酢酸エチル233部中で窒素気流下、70℃で重合させた。この樹脂溶液に粘着付与剤(荒川化学工業(株)製テルペンフェノールタマノル803L)30部と、ブロックイソシアネート(日本ポリウレタン工業(株)コロネート2513)1部を溶解し樹脂溶液を得た。この樹脂溶液100部に、微細シリカ粉末(日本アエロジール(株)製RY200S)1部をディスパースミルで混合し、減圧脱泡して、粘度を1Pa・sに調整した絶縁性接着剤を製造した。ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅2mm、高さ100μmになるように塗布した。ウエハと表面保護シートとを接着させ、その後ウエハを研削し、常温で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
アクリル酸ブチル75部、アクリル酸エチル20部、アクリル酸5部、過酸化ベンゾイル0.5部を、酢酸エチル233部中で窒素気流下、70℃で重合させた。この樹脂溶液に粘着付与剤(荒川化学工業(株)製テルペンフェノールタマノル803L)30部と、ブロックイソシアネート(日本ポリウレタン工業(株)コロネート2513)1部を溶解し樹脂溶液を得た。この樹脂溶液100部に、微細シリカ粉末(日本アエロジール(株)製RY200S)1部をディスパースミルで混合し、減圧脱泡して、粘度を1Pa・sに調整した絶縁性接着剤を製造した。ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅2mm、高さ100μmになるように塗布した。ウエハと表面保護シートとを接着させ、その後ウエハを研削し、常温で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
[実施例5]
高分子量飽和ポリエステル樹脂(日本合成化学社製ポリエスターWR901)33部を、γ−ブチロラクトン67部中で、80℃、1時間溶解反応を行い樹脂を得た。この樹脂35部に、消泡剤(ビックケミー:Byk−141)0.03部、球状の溶融シリカ粉末(平均粒径4μm)30部、微細シリカ粉末(日本アエロジール社製アエロジール#20)0.8部、溶剤として酢酸エチル4.2部を、ディスパー混合し、減圧脱泡して、粘度を10Pa・sに調整した絶縁性接着剤を製造した。表面保護シート外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅2mm、高さ100μmになるように塗布した。100℃、1分の環境でウエハに接着させ、その後ウエハを研削し、60℃の温水で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
高分子量飽和ポリエステル樹脂(日本合成化学社製ポリエスターWR901)33部を、γ−ブチロラクトン67部中で、80℃、1時間溶解反応を行い樹脂を得た。この樹脂35部に、消泡剤(ビックケミー:Byk−141)0.03部、球状の溶融シリカ粉末(平均粒径4μm)30部、微細シリカ粉末(日本アエロジール社製アエロジール#20)0.8部、溶剤として酢酸エチル4.2部を、ディスパー混合し、減圧脱泡して、粘度を10Pa・sに調整した絶縁性接着剤を製造した。表面保護シート外周端部にディスペンサーにより制御された接着剤をノズルより幅2mm、高さ100μmになるように塗布した。100℃、1分の環境でウエハに接着させ、その後ウエハを研削し、60℃の温水で表面保護シートをウエハより剥離させた。
結果を表1に示す。
1…表面保護シート
2…液状接着剤
3…ノズル
4…半導体ウエハ
5…バンプ
6…グラインダー
2…液状接着剤
3…ノズル
4…半導体ウエハ
5…バンプ
6…グラインダー
Claims (5)
- バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハの回路面と、
表面保護シートとを、
半導体ウエハの外周端部において、液状接着剤を介して重ね、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着して半導体ウエハのバンプ形成部を保護しつつ、
表面保護シート側を固定台に載置し、半導体ウエハの裏面側を研削する半導体ウエハの研削方法。 - バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に液状接着剤を塗布し、
該半導体ウエハの外周端部の液状接着剤を介して半導体ウエハに表面保護シートを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する請求項1に記載の半導体ウエハの研削方法。 - 表面保護シートの片面に、
バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハのバンプが形成されていない外周端部に対応する形状に液状接着剤を塗布し、
表面保護シートの液状接着剤塗布部が、半導体ウエハの外周端部に対応するように位置合わせをし、表面保護シートに半導体ウエハを積層し、
該液状接着剤を硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する請求項1に記載の半導体ウエハの研削方法。 - バンプが形成された回路表面を有する半導体ウエハと表面保護シートとを重ね、積層体とし、
積層体の外周端部隙間に液状接着剤を注入し、硬化して、半導体ウエハと表面保護シートとを接着する請求項1に記載の半導体ウエハの研削方法。 - 回路面上に形成されたバンプの高さが50μm以上であり、ウエハの回路面外周端部に塗布される液状接着剤の幅は0.1〜5mmである請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウエハの研削方法。
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JP2008184067A JP2010027685A (ja) | 2008-07-15 | 2008-07-15 | 半導体ウエハの研削方法 |
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2008
- 2008-07-15 JP JP2008184067A patent/JP2010027685A/ja active Pending
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