JP2010027597A - 有機電界発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動回路が基板に実装される構造において、点灯検査及びエージング検査のためのショートバーを容易に形成及び除去できる有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機電界発光表示装置は、画素領域２０及び非画素領域４０を含む基板１００と、画素領域２０の第１方向に形成されたアノード電極１２と、アノード電極１２と連結されて非画素領域４０に形成されたデータライン６２と、画素領域２０の第２方向に形成されたカソード電極１４と、カソード電極１４と連結されて非画素領域４０に形成された走査ライン６４と、データライン６２及び走査ライン６４に連結された駆動回路９０と、データライン６２及び走査ライン６４の少なくとも１つの一部が露出するように開口部８０ｃが形成された保護膜８０とを備えていることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は有機電界発光表示装置に関し、より詳しくは、駆動回路が基板に実装された有機電界発光表示装置に関する。

通常、有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）は自ら発光する特性を有する次世代表示装置であって、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ;ＬＣＤ）に比べて視野角、コントラスト、応答速度、消費電力などの面で優れた特性を有している。

このような有機電界発光表示装置は、走査ラインと信号ラインとの間にマトリクス方式で連結されて画素を構成するパッシブマトリクス方式と、各画素の動作がスイッチの役割をする薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ;ＴＦＴ）によって制御されるアクティブマトリクス方式とから構成されている。

画素を構成する有機電界発光素子は、アノード電極、有機薄膜層及びカソード電極から構成されている。このような有機電界発光素子のアノード電極とカソード電極に所定の電圧が印加されると、アノード電極を介して注入される正孔と、カソード電極を介して注入される電子とが発光層で再結合することになり、この過程で発生するエネルギー差によって光が放出される。

一般に、有機電界発光表示装置は、製造過程において点灯検査及びエージング（ａｇｉｎｇ）検査を通じて不良画素及び信頼性を検査する。このとき、走査ラインや信号ラインに一定の検査用信号を供給するために、ショートバーを用いる。

下記の特許文献１及び特許文献２には、データラインと連結されるデータパッド及びスキャンラインと連結されるスキャンパッドに形成される正極性ショートバー及び負極性ショートバーについて開示されている。ショートバーに検査ピンが接触して点灯検査が行われ、点灯検査が完了すると、基板を切断するスクライビング（Ｓｃｒｉｂｉｎｇ）過程でショートバーが除去される。

しかしながら、製造過程で駆動回路（Ｄｒｉｖｅ ｃｉｒｃｕｉｔ）が基板に形成されていたり、半導体チップ状の駆動回路がチップオングラス（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）又はワイヤーボンディング（ｗｉｒｅｂｏｎｄｉｎｇ）方法で基板に実装されていたりする構造では、駆動回路の入力端子と連結されるパッドが、スクライブラインに隣接する基板の縁部に形成されているため、前記のような方法でショートバーを構成し難いという問題点がある。

韓国特許公開１０−２００６−００２９０８６号公報 韓国特許公開１０−２００６−０１２７５６１号

上述したように、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、駆動回路が基板に実装される構造であっても、点灯検査及びエージング検査のためのショートバーを容易に形成及び除去できる有機電界発光表示装置を提供することにある。

本発明の他の目的は、走査ライン及びデータラインの抵抗値を減少させるために、補助電極を採用した構造であっても、点灯検査及びエージング検査のためのショートバーを容易に形成及び除去できる有機電界発光表示装置を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明の一側面に係る有機電界発光表示装置は、画素領域及び非画素領域を含む基板と、前記基板の画素領域に第１方向に形成された第１電極と、前記第１電極と連結されるように、前記基板の非画素領域に形成された第１配線と、前記基板の画素領域に第２方向に形成された第２電極と、前記第２電極と連結されるように、前記基板の非画素領域に形成された第２配線と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機薄膜層と、前記第１配線及び前記第２配線に連結された駆動回路と、前記画素領域及び前記非画素領域を含む前記基板上に形成され、前記第１配線及び前記第２配線のうちの少なくとも１つの一部が露出するように、開口部が形成された保護膜とを備えていることを特徴とする。

駆動回路を基板に実装する場合、基板の大きさを増加させなければならないので、配線長の増加に伴う抵抗値の増加によって輝度及び性能が低下する場合がある。従って、駆動回路が基板に実装される構造では低抵抗の金属を用いた補助電極の採用が必須である。

本発明は、駆動回路が基板に実装され、補助電極を採用した構造において、点灯検査及びエージング検査のためのショートバーを容易に形成及び除去できるようにしたものであり、ショートバーの除去時に補助電極への被害が発生しないようにしたものである。このようにショートバーを容易に形成及び除去できる構造にしたことにより、製造工程を簡便にすることができ、補助電極への被害を防止したことにより、低い駆動電圧で高い輝度及び性能を実現できるという顕著な作用効果を発揮することができる。

本発明に係る有機電界発光表示装置の一実施形態の構成を示す平面図である。 図１のＩ１−Ｉ２部分の断面を概略的に示す断面図である。 図１のＩ１１−Ｉ１２部分の断面を概略的に示す断面図である。 図１のＩ１１−Ｉ１２部分の断面を概略的に示す断面図である。 本発明に係る有機電界発光表示装置の他の実施形態のショートバーの部分を示す断面図である。 アノード電極とカソード電極との間に配置された保護膜を示す断面図である。

下記の詳細な説明は、本発明の特定の実施形態だけを詳細に記載して示したものである。本発明の技術分野において通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で下記の実施形態を多様に変形することができる。従って、添付した図面と説明は、本発明を説明しただけであって、これに限定されるものではない。また、１つの構成要素が他の構成要素と「接触している（ｏｎ）」という記載は、１つの構成要素がその他の構成要素と直接接触するか、あるいは１つ以上の要素が２つの構成要素の間に介在して間接的に接触していることを意味する。また、ある要素が他の要素に「結合されている」という記載は、ある要素がその他の要素に直接的に連結されているか、あるいは１つ以上の要素が２つの要素の間に介在して間接的に連結されていることを意味する。以下において同じ参照番号は同じ構成要素を意味する。

以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、この技術分野において通常の知識を有する者が本発明を十分に理解できるように提供したものであって、様々な形態に変形することができ、本発明の範囲を後述する実施形態に限定するものではない。

図１及び図２は、本発明に係る有機電界発光表示装置の一実施形態を示した平面図及び断面図であって、図２は、図１のＩ１−Ｉ２部分の断面を概略的に示したものである。

基板１００はガラスやプラスチックのような絶縁物又は金属から形成され、画素領域２０と非画素領域４０とに区分されている。非画素領域４０は画素領域２０の周辺領域であって、画素領域２０を取り囲む領域とすることができる。

基板１００の画素領域２０には、アノード電極１２とカソード電極１４との間にマトリクス方式で連結された有機電界発光素子１１０がアレイ状に形成されている。また、基板１００の非画素領域４０には、画素領域２０のアノード電極１２及びカソード電極１４から延びたデータライン６２及び走査ライン６４と、有機電界発光素子１１０を動作させるための電源供給ライン（図示せず）と、入力パッド６６を介して外部から提供される信号を処理してデータライン６２及び走査ライン６４に供給する駆動回路９０とが配置されている。

有機電界発光素子１１０は、互いに交差するように形成されたアノード電極１２及びカソード電極１４と、アノード電極１２及びカソード電極１４の間に形成された有機薄膜層（図示せず）から形成されている。有機薄膜層は、正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された構造で形成され、正孔注入層と電子注入層を更に含むことができる。

駆動回路９０は、有機電界発光素子１１０の製造過程で基板１００の非画素領域４０に形成されるか、または別途の集積回路半導体チップで製造された後に、チップオングラス又はワイヤーボンディング方法などでデータライン６２及び走査ライン６４と連結されるように、基板１００に実装することができる。

また、画素領域２０と非画素領域４０を含む基板１００上にはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌ ｒｅｓｉｎ）系、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）系の絶縁物で保護膜８０が形成されている。そして、保護膜８０には、駆動回路９０が実装される領域と入力パッド６６を露出させるための開口部８０ａ、８０ｂと、データライン６２及び走査ライン６４の一部を露出させるための開口部８０ｃとが形成されている。このとき、データライン６２及び走査ライン６４の一部を露出させるための開口部８０ｃは点灯検査及びエージング検査のためにデータライン６２や走査ライン６４を共通して連結するショートバーが形成される領域である。開口部８０ｃの位置はデータライン６２や走査ライン６４を最小の大きさで露出させることができるように適切に選択することができる。図面には走査ライン６４を露出させる開口部８０ｃのみを示したが、データライン６２を露出させる開口部を更に形成できることはもちろんである。

図３Ａ及び図３Ｂは、図１のＩ１１−Ｉ１２部分の概略的な断面図である。ここで、図３Ａは走査ライン６４の一部を露出させる開口部８０ｃが保護膜８０に形成された状態を示し、図３Ｂは開口部８０ｃに走査ライン６４を共通に連結するショートバー４００が形成された状態を示す。

点灯検査及びエージング検査のために、ショートバー４００に検査ピンが接触することにより、外部からデータライン６２や走査ライン６４を介して有機電界発光素子１１０に検査用信号が供給される。

点灯検査及びエージング検査が完了すれば、ショートバー４００を除去する。従って、ショートバー４００は酸溶液などで除去が容易なアルミニウム（Ａｌ）のような金属で形成することが好ましい。このとき、保護膜８０は画素領域２０と非画素領域４０を含む基板１００の全体面に形成されているので、ショートバー４００を除去するために基板１００を酸溶液に浸漬させる方法を用いたとしてもデータライン６２及び走査ライン６４へ被害が発生することはない。

前記した実施形態は、ショートバー４００が１つの開口部８０ｃを介して走査ライン６４を共通に連結する構造を説明したが、他の実施形態として、図４に示すように、それぞれの走査ライン６４が個別に露出するように、保護膜８０に複数の開口部８０ｃを形成し、ショートバー４００が複数の開口部８０ｃを介して走査ライン６４を共通に連結するようにすることもできる。

データライン６２及び走査ライン６４は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択された透明電極物質で形成されている。しかし、透明電極物質は高い抵抗値を有するため、データライン及び走査ラインの抵抗値を減少させるためには抵抗値の低い物質で補助電極を形成することが好ましい。例えば、図４に示すように、走査ライン６４は透明電極６４ａと補助電極６４ｂの積層構造で形成することができる。補助電極６４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属であるが、金属の積層構造、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）の積層構造で形成することができる。

このようにして製造工程が完了した基板１００の上部には有機電界発光素子１００を封止するために封止基板２００が配置される。基板１００と封止基板２００は、エポキシ、フリットシールのような封止材３００によって互いに貼り合わされる。

前記のように、本発明の有機電界発光表示装置は、画素領域２０及び非画素領域４０を含む基板１００上に形成され、データライン６２及び走査ライン６４のうちの少なくとも１つの一部が露出するように、開口部８０ｃが形成された保護膜８０を備えている。保護膜８０は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、有機電界発光素子１１０が形成された画素領域２０及び非画素領域４０の上部全体に配置することができるが、有機電界発光素子１１０の製造過程でアノード電極１２とカソード電極１４との間に配置することもできる。

図５は、アノード電極１２とカソード電極１４との間に配置された保護膜８０を説明する断面図であり、図１に示すＩ１−Ｉ２部分の画素領域２０における断面を概略的に示したものである。

図１及び図５を参照すれば、基板１００の画素領域２０には一方向にアノード電極１２が形成され、非画素領域４０にはアノード電極１２から延びたデータライン６２及びカソード電極１４と連結される走査ライン６４が形成されている。このとき、データライン６２及び走査ライン６４上には補助電極が形成されている。

画素領域２０及び非画素領域４０の上部全体に保護膜８０が形成され、発光領域のアノード電極１２が露出するように、保護膜８０をパターニングする。このとき、駆動回路９０が実装される領域と入力パッド６６を露出させるための開口部８０ａ、８０ｂと、データライン６２及び走査ライン６４の一部を露出させるための開口部８０ｃとが形成される。

画素領域２０の保護膜８０上にアノード電極１２と交差する方向に隔壁（図示せず）が形成される。隔壁は、保護膜８０上に形成される有機薄膜層及びカソード電極の間を分離するためのものであり、上部の幅が下部より広いオーバーハング構造で形成されている。

画素領域２０の上部全体に有機薄膜層１３が形成された後、アノード電極１２と交差するようにカソード電極１４が形成される。カソード電極１４が形成される過程でショートバー４００を形成することができる。

以上説明したように、本発明の最も好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、又は明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることはもちろんであり、このような変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。

１２ アノード電極
１４ カソード電極
２０ 画素領域
６２ データライン
６４ 走査ライン
６６ 入力パッド
８０ 保護膜
８０ａ、８０ｂ、８０ｃ 開口部
９０ 駆動回路
１００ 基板
１１０ 有機電界発光素子
２００ 封止基板
３００ 封止材
４００ ショートバー

Claims (8)

1. 画素領域及び非画素領域を含む基板と、
   前記基板の画素領域に第１方向に形成された第１電極と、
   前記第１電極と連結されるように、前記基板の非画素領域に形成された第１配線と、
   前記基板の画素領域に第２方向に形成された第２電極と、
   前記第２電極と連結されるように、前記基板の非画素領域に形成された第２配線と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に形成された有機薄膜層と、
   前記第１配線及び前記第２配線に連結された駆動回路と、
   前記画素領域及び前記非画素領域を含む前記基板上に形成され、前記第１配線及び前記第２配線のうちの少なくとも１つの一部が露出するように、開口部が形成された保護膜と
   を備えていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
2. 前記開口部に、前記第１配線又は前記第２配線と接触するショートバーを形成することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
3. 前記第１配線及び前記第２配線は、透明電極及び補助電極の積層構造からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
4. 前記透明電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）からなる群より選択された物質で形成され、前記補助電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）及びクロム（Ｃｒ）を含む群より選択された物質で形成されていることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
5. 前記補助電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）及びクロム（Ｃｒ）を含む群より選択された金属の積層構造で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
6. 前記保護膜は、ポリイミド、フェノール樹脂及びアクリル樹脂からなる群より選択された物質で形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
7. 前記保護膜は、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。
8. 前記駆動回路の入力端子と連結されるように、前記基板の非画素領域に形成された入力パッドを更に備え、前記入力パッドが露出するように、前記保護膜に開口部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の有機電界発光表示装置。

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