JP2009531842A - 起伏のある透明導電層及びその製造方法 - Google Patents
起伏のある透明導電層及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009531842A JP2009531842A JP2009501977A JP2009501977A JP2009531842A JP 2009531842 A JP2009531842 A JP 2009531842A JP 2009501977 A JP2009501977 A JP 2009501977A JP 2009501977 A JP2009501977 A JP 2009501977A JP 2009531842 A JP2009531842 A JP 2009531842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- substrate
- etching
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 8
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 238000007373 indentation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101150097381 Mtor gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/142—Energy conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
本発明による起伏のある透明導電層は、光電装置用の基板に堆積され、***部と窪み部との繰り返しによって形成された表面形態を有する。この導電層は、前記窪み部が、半径が約25 nmよりも大きい角を丸めた底部を有すること、この窪み部が実質的に平滑であり、微細な凹凸を示すところでは、該微細な凹凸の平均高さは5 nm未満であること、及びその側面が前記基板の面に関して角度をなしており、角度の絶対値の中央値は30°〜75°であることによって特徴付けられている。
【選択図】 図1
【選択図】 図1
Description
本発明は光電装置の分野に関し、より詳しくは、薄層形状の光電装置用に、基板に堆積した透明導電層に関する。このタイプの層は、専門家によって、TCO(=transparent conductive oxide(透明導電酸化物))層又はTCO電極と称されることが非常に多い。本発明は、この電極を製造する方法にも関する。
本発明は、電気エネルギー生産用の光電セルの製造への適用を特に企図しているが、より一般的に、放射光が電気信号に変換されるあらゆる構造体、例えば、光電検出器などに適用することもできる。
現在の技術水準において、通常10μm未満の厚さの薄層形状の光電装置は、透明又は不透明、可撓又は剛堅である基板で作られており、この基板の上に、無機半導体材料、又は稀であるが有機半導体材料で作られた光電活性層を堆積し、その両側に、少なくとも一方が透明である2つの電極が設けられている。前記半導体層は、通常、p型層、真性型活性層、及びn型層を接着して、p-i-n接合又はn-i-p接合を形成することによって作られる。使用される材料は、主として、アモルファスシリコン又は水素化マイクロクリスタリンシリコンである。有機系の光電活性層である場合には、通常、p型層とn型層とを接着することによって光電活性層を形成することができる。使用される材料は、例えば、ポリマーである。
光電装置の製造コストを抑えるためには、真性活性層は比較的薄くなければならない(100 nm〜数ミクロン)。しかしながら、このような層は、特に、マイクロクリスタリンシリコンなどの間接ギャップ材料に対しては、光の吸収量が少なく、結果として、効果が低下する。この効果を補償するために、真性層内の光路をできるだけ増加する必要がある。これは、通常、入射光を放散又は回折させることのできる起伏のあるTCO基板又は層を使用し、前記活性層における光路の長さを増大させることによって行われる。
DE 197 13 215は、基板が、TCO層、好適には酸化亜鉛(ZnO)で被覆され、アルミニウムをドープしたZnOターゲットからアルゴン雰囲気中への陰極スパッタリングによって形成される太陽電池について記載している。このTCO層に大き過ぎない起伏を与えるために、酸溶液を用いた化学的方法、又は電気化学的な方法(陽極エッチング若しくはリアクティブイオンエッチング)でエッチングされる。このエッチングは、TCO層の堆積中、又は堆積後に行うことができる。
しかしながら、このような方法にはいくつかの欠点がある。第一に、陰極スパッタリング装置及び必要なターゲットは比較的高価であり、このようにして製造された電池の価格をかなり高くしてしまう。第二に、TCO層のエッチングには細心の注意を要する。したがって、光の捕捉には適さない表面形態、特に大きな穴、及び光電層の後の好適な成長にとってあまり好ましくない断裂をTCO層が有することのないように、注意深くなされなければならない。
JP 62-297462は、化学的ではない蒸着によってTCO層を堆積し、この操作を中断してアルゴンプラズマエッチングによって層の表面を軟化させることを提案している。
このような取り組みが光電型電池の製造に適用されると、蒸着による堆積であるために、非常に粗度の低いフィルムしか得られず、この出願に使用することのできる光捕捉能力を与えるには、いずれにせよ、明らかに不十分である。堆積した層にアルゴンプラズマの作用させると層の粗度はさらに低下し、光電型太陽電池の光を捕捉する機能を実質的に与えることが出来ない。
層の光捕捉能力の指標の1つは、「ヘイズ因子」によって与えられる。「ヘイズ因子」は、入射光が全く放散されないときには、その値が0%になり、受けた光の全てが放散されるときには100%になる。勿論、太陽電池の「ヘイズ因子」は可能な限り大きな値を有していなければならず、通常、最小でも10%である。しかしながら、前記日本の公報で与えられているヘイズ因子の値は、アルゴンプラズマの作用前には2〜5%であり、アルゴンプラズマでの処理の後には0.5 %である。これらの値は、蒸着によって堆積した層のアルゴンプラズマエッチングが光電型電池の技術分野の使用には意図されていないことを、明らかに示している。
EP 1 443 527は、基部が0.1〜0.3μm、高さが0.05〜0.2μm、ピッチ(高い部位間の距離)が0.1〜0.3μmである、多数の微細凹凸を有する浅い窪みの連続で形成された表面形態を有する起伏のあるTCO層を記載している。しかしながら、このような微細凹凸は光電層の後からの良好な成長に特によく適してはいない。さらに、その大きさが小さい故に、対象となる範囲(赤及び赤外)の光の捕捉をあまり増加させることができない。また、窪みが浅いという事実は、光の反射を増加させるという欠点を有している。この欠点のために光電装置に導入される光が減少し、それ故に光によって発生する電流も低減する。
本発明の目的の1つは、良好な光捕捉能力を有すると共に、光電層の後からの十分な成長も保証するTCO層を提供することである。
より正確には、本発明は、光電装置用の基板に堆積され、***部と窪み部との繰り返しによって形成された表面形態を有する、起伏のある透明導電層に関する。本発明によると、この層は、
−その窪み部は、半径が約25 nmよりも大きい角を丸めた底部を有し、
−該窪み部は実質的に平滑であり、即ち、微細な凹凸を示すところでは、該微細な凹凸の平均高さは5 nm未満であり、
−その側面は前記基板の面に関して角度をなしており、角度の絶対値の中央値は30°〜75°である
という特徴を有している。
−その窪み部は、半径が約25 nmよりも大きい角を丸めた底部を有し、
−該窪み部は実質的に平滑であり、即ち、微細な凹凸を示すところでは、該微細な凹凸の平均高さは5 nm未満であり、
−その側面は前記基板の面に関して角度をなしており、角度の絶対値の中央値は30°〜75°である
という特徴を有している。
本発明は、光電装置用の基板上に、起伏のある透明導電層を作る方法にも関する。この方法は、以下の主要な操作を含む。
−基板上に、光を放散する凹凸を有する層を化学蒸着し、
−この凹凸を有する層をプラズマでエッチングして、入射光を放散する力を大きく低下させることなく、基板上に堆積した光電層の後の良好な成長に好適な形態を与える。
−基板上に、光を放散する凹凸を有する層を化学蒸着し、
−この凹凸を有する層をプラズマでエッチングして、入射光を放散する力を大きく低下させることなく、基板上に堆積した光電層の後の良好な成長に好適な形態を与える。
本発明の他の特徴は、添付の図面を参照してなされる以下の記載から明らかになるであろう。
本発明によるTCO層とその製造方法とについて記載する前に、太陽電池に適用されるにせよ、光電検出器に適用されるにせよ、光電装置はその変換効率ηと光捕捉能力とによって特徴付けられ、光発電された電流の収集がうまくいっている限り、前者が後者に依存することを確認しておく。
このタイプの装置の変換効率ηは、該装置によって供給される電力と受け取るキャンドル・パワとの比によって与えられ、供給される電力は以下の計算の積に等しい。
短絡電流(Isc)x開路電圧(Voc)x充填率(FF)。
短絡電流(Isc)x開路電圧(Voc)x充填率(FF)。
光捕捉能力の好適な指標は、逆電圧下にある電池によって与えられる光電流密度(Iinv)によって与えられる。この逆電圧は、光発電された搬送電流の全てを抽出して、Voc及びFFの値とは独立に、装置の最大電流密度を評価するのを可能にする。
本発明による方法は、光電装置用の基板上で行われる、2つの必須の操作を有している。該基板は、プラスチック、金属、ガラス、又は他のあらゆる絶縁性若しくは導電性材料、可撓若しくは剛堅な材料で作ることができる。
第一の操作は、透明導電酸化物(TCO)の層を基板上に堆積することであり、この透明導電酸化物は、特に、SnO2、ZnO、ITO、In2O3、Cd2SnO4、又はこれらの酸化物の組み合わせで作られており、通常は、0.05〜10μm程度の厚さを有する。本発明では、この堆積は化学的に行われる。この「化学的」という表現は、その中で化学反応が起こっている本来的に物理的な方法を含む。
好適には、堆積は、関連する文献を参照して以下に例示されている技術のいずれか一つを用いて行われる。
−低圧CVD法(LPCVD):EP 0 204 563
−大気圧CVD法(APCVD):「大気圧化学蒸着法による起伏のあるフッ素ドープZnOフィルム、及びアモルファスシリコン太陽電池におけるその使用」、ジァンフア・フ(Jianhua Hu)及びロイ・ジー・ゴードン(Roy G. Gordon)著、太陽電池(Solar Cells), Vol. 30 (1991), p. 437-450
−光誘導有機金属CVD法(光MOCVD):「光誘導有機金属化学蒸着法によって調製された太陽電池用大面積ZnO薄膜」、マサヒロ・ヨシノ、ウィルソン・ダブリュー・ウィーナス(Wilson W. Wenas)、アキラ・ヤマダ、マコト・コナガイ及びキオシ・タカハシ著、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス、Vol. 32 (1993), p. 726-730, Part 1, No. 2
−化学浴析出法(CBD):「垂直に配向したZnO棒の新しい低温溶液析出法:基板効果及び微結晶成長の制御における対イオンの重要性の証拠」、デビッド・エス・ボイル(David S. Boyle)、クヴェシュニ・ゴヴェンダー(Kuveshni Govender)及びポール・オブライエン(Paul O'Brien)著、ケミカル・コミュニケーションズ、(2002)、p. 80-81
−反応蒸着法:「反応蒸着法によるZnO薄膜の堆積方法と該薄膜の光電特性」、ジー・ゴルディーロ(G. Gordillo)、シー・カルデロン(C. Calderon)、ジェイ・オラルト(J. Olarte)、ジェイ・サンディーノ(J. Sandino)及びエイチ・メンデツ(H. Mendez)著、オーストリア、ウィーン、1998年7月6日〜10日、光電太陽エネルギー変換に関する第2回世界会議及び展示会の議事録、薄膜電池及び技術(Thin Film Cells and Technologies)、Vol. B5(1998)、p. 750-753
−プラズマCVD法(PECVD):「熱プラズマCVDを拡大することによる薄膜太陽電池用の表面起伏ZnOフィルム」、アール・グレーネン(R. Groenen)、ジェイ・レフレル(J. Loffler)、ピー・エム・ゾンメリンク(P. M. Sommeling)、ジェイ・エル・リンデン(J. L. Linden)、イー・エイ・ゲー・ハーメルス(E. A. G. Hamers)、アール・イー・アイ・シュロップ(R. E. I Schropp)、及びエム・シー・エム・ファン・デ・サンデン(M. C. M. van de Sanden)著、固体薄膜(Thin Solid Films) 392(2001)、p.226-230。「プラズマ化学蒸着法によって調製されるZnO薄膜の成長速度と配向とに与える基板温度とrf出力との効果」、ヤン・ジン・キム(Young Jin Kim)及びヒェオン・ジューン・キム(Hyeon Joon Kim)、マテリアルズ・レター(Materials Letters)21, (1994)、p. 351-356
−ジェット気相成長法:「透明導電性ZnOのジェット気相成長法:光電機器用のAl薄膜」、エイチ・ハン(H. Han)、ジェイ・ゼット・ザン(J. -Z. Zhang)、ビー・エル・ハルパーン(B. L. Halpern)、ジェイ・ジェイ・シュミット(J. J. Schmitt)及びジェイ・デル・クエート(J. del Cueto)、マテリアル・リサーチ・ソサイエティ会報(Material Research Society Proceedings)、Vol 426, (1997) p. 491-496
−噴霧熱分解法:「噴霧熱分解法によって堆積される酸化亜鉛薄膜が示す特性」、ピー・ニューネス(P. Nunes)、イー・フォルトゥナート(E. Fortunato)、ピー・ヴィラリンホ(P. Vilarinho)、エフ・ブラ・フェルナンデス(F. Braz Fernandes)及びアール・マーティンス(R. Martins)、第16回ヨーロッパ光電太陽エネルギー会議於グラスゴーの会報、Vol. 1 (2000), p. 899-902
−RFマグネトロンスパッタリング法:「ZnO薄膜の繊維状起伏成長及び表面粗度」、ジェイ・エイ・アンナ・セルバン(J. A. Anna Selvan)、エイチ・ケプナー(H. Keppner)、ユー・クロール(U. Kroll)、ジェイ・キュペラス(J. Cuperus)、エイ・シャー(A. Shah)、ティー・アダット(T. Adatte)及びエヌ・ランダル(N. Randall)著、マテリアル・リサーチ・ソサイエティ会報(Material Research Society Proceedings)、Vol 427, (1997) p. 39-44。
−低圧CVD法(LPCVD):EP 0 204 563
−大気圧CVD法(APCVD):「大気圧化学蒸着法による起伏のあるフッ素ドープZnOフィルム、及びアモルファスシリコン太陽電池におけるその使用」、ジァンフア・フ(Jianhua Hu)及びロイ・ジー・ゴードン(Roy G. Gordon)著、太陽電池(Solar Cells), Vol. 30 (1991), p. 437-450
−光誘導有機金属CVD法(光MOCVD):「光誘導有機金属化学蒸着法によって調製された太陽電池用大面積ZnO薄膜」、マサヒロ・ヨシノ、ウィルソン・ダブリュー・ウィーナス(Wilson W. Wenas)、アキラ・ヤマダ、マコト・コナガイ及びキオシ・タカハシ著、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス、Vol. 32 (1993), p. 726-730, Part 1, No. 2
−化学浴析出法(CBD):「垂直に配向したZnO棒の新しい低温溶液析出法:基板効果及び微結晶成長の制御における対イオンの重要性の証拠」、デビッド・エス・ボイル(David S. Boyle)、クヴェシュニ・ゴヴェンダー(Kuveshni Govender)及びポール・オブライエン(Paul O'Brien)著、ケミカル・コミュニケーションズ、(2002)、p. 80-81
−反応蒸着法:「反応蒸着法によるZnO薄膜の堆積方法と該薄膜の光電特性」、ジー・ゴルディーロ(G. Gordillo)、シー・カルデロン(C. Calderon)、ジェイ・オラルト(J. Olarte)、ジェイ・サンディーノ(J. Sandino)及びエイチ・メンデツ(H. Mendez)著、オーストリア、ウィーン、1998年7月6日〜10日、光電太陽エネルギー変換に関する第2回世界会議及び展示会の議事録、薄膜電池及び技術(Thin Film Cells and Technologies)、Vol. B5(1998)、p. 750-753
−プラズマCVD法(PECVD):「熱プラズマCVDを拡大することによる薄膜太陽電池用の表面起伏ZnOフィルム」、アール・グレーネン(R. Groenen)、ジェイ・レフレル(J. Loffler)、ピー・エム・ゾンメリンク(P. M. Sommeling)、ジェイ・エル・リンデン(J. L. Linden)、イー・エイ・ゲー・ハーメルス(E. A. G. Hamers)、アール・イー・アイ・シュロップ(R. E. I Schropp)、及びエム・シー・エム・ファン・デ・サンデン(M. C. M. van de Sanden)著、固体薄膜(Thin Solid Films) 392(2001)、p.226-230。「プラズマ化学蒸着法によって調製されるZnO薄膜の成長速度と配向とに与える基板温度とrf出力との効果」、ヤン・ジン・キム(Young Jin Kim)及びヒェオン・ジューン・キム(Hyeon Joon Kim)、マテリアルズ・レター(Materials Letters)21, (1994)、p. 351-356
−ジェット気相成長法:「透明導電性ZnOのジェット気相成長法:光電機器用のAl薄膜」、エイチ・ハン(H. Han)、ジェイ・ゼット・ザン(J. -Z. Zhang)、ビー・エル・ハルパーン(B. L. Halpern)、ジェイ・ジェイ・シュミット(J. J. Schmitt)及びジェイ・デル・クエート(J. del Cueto)、マテリアル・リサーチ・ソサイエティ会報(Material Research Society Proceedings)、Vol 426, (1997) p. 491-496
−噴霧熱分解法:「噴霧熱分解法によって堆積される酸化亜鉛薄膜が示す特性」、ピー・ニューネス(P. Nunes)、イー・フォルトゥナート(E. Fortunato)、ピー・ヴィラリンホ(P. Vilarinho)、エフ・ブラ・フェルナンデス(F. Braz Fernandes)及びアール・マーティンス(R. Martins)、第16回ヨーロッパ光電太陽エネルギー会議於グラスゴーの会報、Vol. 1 (2000), p. 899-902
−RFマグネトロンスパッタリング法:「ZnO薄膜の繊維状起伏成長及び表面粗度」、ジェイ・エイ・アンナ・セルバン(J. A. Anna Selvan)、エイチ・ケプナー(H. Keppner)、ユー・クロール(U. Kroll)、ジェイ・キュペラス(J. Cuperus)、エイ・シャー(A. Shah)、ティー・アダット(T. Adatte)及びエヌ・ランダル(N. Randall)著、マテリアル・リサーチ・ソサイエティ会報(Material Research Society Proceedings)、Vol 427, (1997) p. 39-44。
以下の測定は、堆積に係るパラメータが注意深く選択される限り、このようにして得られたTCO層が優れた光捕捉能力を有していることを示している。しかしながら、図1の側面(a)と図3の外観図とによって示されているように、この層は、比較的険しい側面を有する略V形の***と窪みとで形成された非常に粗い表面を有している。これらの窪みの曲率半径ρは通常数ナノメーターである。このような形態は、良好な変換効率を有する太陽電池又は光電検出器の部品となる光電層の後の良好な成長には適していない。特に、装置の変換効率に影響を与えるキャリアの再結合と電子的な他の問題(短絡など)とを引き起こす危険性のある割れ又は破断の外観の割には、半導体層の成長の間、V字形の窪みの部分が好適な位置にある。
化学的に堆積されたTCO層の粗度は、図2のグラフに示されているその値が202 nmである、「rms粗さ」表面を構成する点の高さの標準偏差によって特徴付けることができる。
このような層は、先に述べたように、その優れた光捕捉能力にも関わらず、光電層をその上に成長させるのにはあまり適さず、本発明の方法では、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)及びラドン(Rn)等の希ガスプラズマを用いてTCO層をエッチングすることからなる第二の操作によってこの弱点を補償している。試験によると、大気中での単純なエッチングによって所望の結果が達成されることも示されている。このエッチングは、水素(H2)、酸素(O2)、窒素(N2)、塩素(Cl2)、メタン(CH4)、水(H2O)及び二酸化炭素(CO2)等の少なくとの一種の他のガスを併用して行うこともできる。アルゴンプラズマを用いてエッチングを行うと好ましい。
プラズマエッチング技法については、例えば、「ZnOの光学特性及び表面化学量論に与える高密度プラズマエッチングの効果(Effect of high-density plasma etching on the optical properties and surface stoichiometry of ZnO)、ケイ・イプ(K. Ip)等著、アプライド・フィジクス・レターズ(Applied Physics Letters)、vol 81、No. 19、p. 3546, 2002」に記載されている。
使用される機器としては、インテグレイテッド・プラズマ・リミテッド(Integrated Plasma Limited)という会社から販売されているリアクティブイオンエッチングIPL 200E装置を挙げることができる。本発明を制限しない例として、エッチング条件としては次のものを示すことができる。
−電力:1 W/cm2
−圧力:90 mTor
−周波数:13.56 MHz
−周囲温度
−ガス:アルゴン。
−電力:1 W/cm2
−圧力:90 mTor
−周波数:13.56 MHz
−周囲温度
−ガス:アルゴン。
以下に示す測定によって示されているように、驚くべきことに、このタイプのエッチングはTCO層の光捕捉能力を大きく低減させることがない。しかしながら、図1の側面図(b)と図4とによって示されているようにTCO層は粗いままであり、その先端は高い位置を保っており、一方、その窪みはU形を取り、谷部がV形である場合よりも、はるかに丸まった底部を有することになる。通常、底部の曲率半径ρ(図1)は約25 nmよりも大きい。さらに、底部は実質的に滑らかであり、微細な凹凸を示すところでは、これら微細な凹凸の平均高さが5 nm未満であり、その表面を構成する先端の高さの標準偏差によって決定される表面粗度は3 nm未満である。この型の形態は光電層の後の良好な成長に理想的であり、このような光電層から破断のない太陽電池又は光電検出器を作ることができる。
TCO層をプラズマエッチングするので、図2のグラフにやはり示されているように、その表面の「rms粗度」は、40分後には202 nmから177 nmになり、80分後には151 nmになった。
通常、本発明のTCO層は好適にも次のような主要な幾何学的特徴も示している。
−その側面は、表面をなす面に対して、角度αを有し(図1)、その絶対値の中央値は約30°〜75°である。
−その表面を形成する先端の高さの標準偏差は約40〜250 nmである。
−***部と窪み部との間の垂直方向の高度差は約100〜800 nmである。
−***部のピーク間の距離は、約100〜1500 nmである。
−その側面は、表面をなす面に対して、角度αを有し(図1)、その絶対値の中央値は約30°〜75°である。
−その表面を形成する先端の高さの標準偏差は約40〜250 nmである。
−***部と窪み部との間の垂直方向の高度差は約100〜800 nmである。
−***部のピーク間の距離は、約100〜1500 nmである。
層の側面によって形成される角度αについては、30°未満であると光の捕捉が弱くなり、一方、75°を越えると引き続いて堆積される層の成長が劣ったものとなる。
このように、化学的に堆積され、良好な光捕捉能力を有するものの、光電層の後の良好な成長には適していない形態を有していた当初のTCO層は、そのプラズマエッチングによって、良好な光捕捉能力と光電層の成長に十分に適した形態を有するようになる。プラズマエッチングの継続時間tに対する、化学的に堆積されたTCO層に被覆された基板を備えた水素化マイクロクリスタリンシリコン光電装置の変換効率ηの向上を示している図5のグラフも参照されたい。ここで、マイクロクリスタリンシリコンの層はPECVD(プラズマ化学蒸着(plasma-enhanced chemical vapor deposition))法を用いて堆積されている。エッチングの前のηの値は、当初わずか3.3%であったが、40分後には9.2%まで増加し、その後は一定である。前記操作条件下におけるプラズマ処理の最適継続時間は、したがって、約40分である。すると、粗度の標準偏差は180 nmよりも小さい値にまで落ちこそするものの、電池内で光を最適に捕捉することについては依然として完全に満足のゆくものである。
以下の表は、一例として、化学的に堆積されたTCO層のプラズマエッチングを行う前のものと行った後のものとを備えた水素化マイクロクリスタリンシリコン光電装置について、(先に述べた)様々な性質についての評価を示している。
この実験結果に対して以下の所見を述べることができる。
−装置の光捕捉能力の指標である、逆電圧下での光電流密度Iinvは、プラズマエッチングによって実質的に影響されない。
−装置の変換効率に寄与する、開路電圧(Voc)及び充填率(FF)が60分のエッチングの後には非常に大きく改善され、それぞれ、21.1%、66.4%へと飛躍している。
−最後に、変換効率ηは238%に飛躍している。
−装置の光捕捉能力の指標である、逆電圧下での光電流密度Iinvは、プラズマエッチングによって実質的に影響されない。
−装置の変換効率に寄与する、開路電圧(Voc)及び充填率(FF)が60分のエッチングの後には非常に大きく改善され、それぞれ、21.1%、66.4%へと飛躍している。
−最後に、変換効率ηは238%に飛躍している。
2つの公知の操作、即ち、TCO層の化学堆積と引き続いて行われるそのプラズマエッチングとによって、優れた変換効率と優れた光捕捉能力とを与える基板を備えた光電装置を提供することが可能になることを、前記データは明らかに示している。
他の方法を使用した場合には前記層の生産効率が平均して60%であるのに対し、プラズマエッチングがある故に本発明の方法によって得られた層の生産効率が95%よりも大きいことにも留意する必要がある。これは、プラズマ処理が、電池を短絡させる危険性のある、作業環境にある塵や微粒子の全てを効果的に除去するという事実による。
勿論、薄層を用いたあらゆる光電装置が本発明の基板による利益を得ることができる。例として、以下のような装置を挙げることができる。
・水素化アモルファスシリコンを用いた太陽電池
・水素化マイクロクリスタリンシリコンを用いた太陽電池
・薄層を有する多接合型電池
・アモルファスシリコン接合部とマイクロクリスタリンシリコン接合部とを有するタンデム太陽電池
・テルル化カドミウム太陽電池
・黄銅鉱を基材とする太陽電池、例えばCu(InxGa1-x)Se2で作られた太陽電池
・アモルファスシリコンとゲルマニウム合金とを基材とする太陽電池
・前記材料の一種を有する有機太陽電池又は光電検出太陽電池
・水素化アモルファスシリコンを用いた太陽電池
・水素化マイクロクリスタリンシリコンを用いた太陽電池
・薄層を有する多接合型電池
・アモルファスシリコン接合部とマイクロクリスタリンシリコン接合部とを有するタンデム太陽電池
・テルル化カドミウム太陽電池
・黄銅鉱を基材とする太陽電池、例えばCu(InxGa1-x)Se2で作られた太陽電池
・アモルファスシリコンとゲルマニウム合金とを基材とする太陽電池
・前記材料の一種を有する有機太陽電池又は光電検出太陽電池
Claims (10)
- 光電装置用の基板に堆積され、***部と窪み部との繰り返しによって形成された表面形態を有する、起伏のある透明導電層であって、
−前記窪み部は、半径が約25 nmよりも大きい角を丸めた底部を有し、
−該窪み部は実質的に平滑であり、微細な凹凸を示すところでは、該微細な凹凸の平均高さは5 nm未満であり、
−その側面は前記基板の面に関して角度をなしており、角度の絶対値の中央値は30°〜75°である
ことを特徴とする導電層。 - 前記導電層の表面をなす点の高さの標準偏差によって定められる導電層の粗度が40〜250 nmであることを特徴とする、請求項1に記載の導電層。
- 前記窪み部の表面をなす点の高さの標準偏差によって定められる該窪み部の粗度が3 nm未満であることを特徴とする、請求項2に記載の導電層。
- 導電層表面の***部と窪みとの間の高度差が100〜800 nmであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導電層。
- 前記***部のピーク間の距離が100〜1500 nmであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の導電層。
- 光電装置用の基板上に、起伏のある透明導電層を作る方法であって、
−前記基板上に、光を放散する凹凸を有する層を化学蒸着し、
−該凹凸を有する層をプラズマでエッチングして、入射光を放散する力を大きく低下させることなく、基板上に堆積した光電層の後の良好な成長に好適な形態を与える
という主要な操作を含むことを特徴とする方法。 - 前記化学蒸着の操作が、低圧CVD法(LPCVD)、大気圧CVD法(APCVD)、光誘導有機金属CVD法(光MOCVD)、化学浴析出法(CBD)、反応蒸着法、プラズマCVD法(PECVD)、ジェット気相成長法、噴霧熱分解法、及びRFマグネトロンスパッタリング法よりなる群から選択される一種の技法を用いて行われることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記層が、SnO2、ZnO、ITO、In2O3、Cd2SnO4、及びこれらの酸化物の組み合わせよりなる群から選択される一種の酸化物を有することを特徴とする、請求項6又は7に記載の方法。
- 前記エッチング操作が、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びラドンよりなる群から選択されるガスのプラズマを用いておこなわれることを特徴とする、請求項6〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ガスが、水素、酸素、窒素、塩素、メタン、水及び二酸化炭素よりなる群から選択される少なくとも一種の他のガスと共に使用されることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06112013A EP1840966A1 (fr) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | Couche conductrice transparente et texturée et son procédé de réalisation |
PCT/EP2007/051375 WO2007113037A1 (fr) | 2006-03-30 | 2007-02-13 | Couche conductrice transparente et texturee et son procede de realisation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009531842A true JP2009531842A (ja) | 2009-09-03 |
Family
ID=36545206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009501977A Pending JP2009531842A (ja) | 2006-03-30 | 2007-02-13 | 起伏のある透明導電層及びその製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8723020B2 (ja) |
EP (2) | EP1840966A1 (ja) |
JP (1) | JP2009531842A (ja) |
KR (1) | KR101504553B1 (ja) |
CN (1) | CN101410980B (ja) |
AT (1) | ATE463842T1 (ja) |
AU (1) | AU2007233965B2 (ja) |
DE (1) | DE602007005787D1 (ja) |
ES (1) | ES2343378T3 (ja) |
WO (1) | WO2007113037A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041996A (ja) * | 2011-08-16 | 2013-02-28 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5243697B2 (ja) * | 2006-04-19 | 2013-07-24 | 株式会社カネカ | 光電変換装置用透明導電膜とその製造方法 |
EP2190024A1 (fr) | 2008-11-19 | 2010-05-26 | Université de Neuchâtel | Dispositif photoélectrique a jonctions multiples et son procédé de realisation |
KR20120003859A (ko) * | 2009-03-17 | 2012-01-11 | 아이엠이씨 | 플라즈마 텍스처링 방법 |
AU2010348488B2 (en) * | 2010-03-15 | 2013-06-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for photoelectric conversion device, photoelectric conversion device using the substrate, and method for producing the substrate and device |
EP2413373A1 (en) * | 2010-07-29 | 2012-02-01 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Multiple-junction photoelectric device and its production process |
US9276142B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-03-01 | First Solar, Inc. | Methods for forming a transparent oxide layer for a photovoltaic device |
US8476105B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-07-02 | General Electric Company | Method of making a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device |
EP2518789B1 (en) * | 2011-04-18 | 2016-04-13 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Method of manufacturing a light extraction substrate for an electroluminescent device |
KR101202746B1 (ko) * | 2011-04-22 | 2012-11-19 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 광전지 모듈용 기판 제조방법 |
KR101225739B1 (ko) * | 2011-04-22 | 2013-01-23 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 광전지용 산화아연계 투명 도전막 및 그 제조방법 |
KR101324725B1 (ko) * | 2012-02-21 | 2013-11-05 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 투명 도전막 제조방법 |
KR101421026B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법 |
RU2505888C1 (ru) * | 2012-07-31 | 2014-01-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке |
CN103236451A (zh) * | 2013-04-10 | 2013-08-07 | 中国科学院微电子研究所 | 结合氧化锌纳米线的硅超小绒面太阳电池及其制备方法 |
CN104201235B (zh) * | 2014-07-16 | 2017-04-05 | 电子科技大学 | 一种薄膜太阳能电池azo薄膜的等离子体织构方法 |
CN104465814B (zh) * | 2014-12-15 | 2017-04-05 | 中国科学院微电子研究所 | 一种结合氧化锌纳米结构超小绒面太阳电池及其制备方法 |
CN110137233B (zh) | 2019-05-28 | 2022-01-14 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61288473A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS62297462A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Toyota Motor Corp | 高速真空成膜方法 |
JPH04133360A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH06132533A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Toshiba Corp | Tftアレイ基板の製造方法 |
JP2001352086A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透明電極膜、その製造方法、および該透明電極膜を用いた太陽電池及びその製造方法 |
WO2003036657A1 (fr) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Asahi Glass Company, Limited | Substrat a couche d'oxyde conductrice transparente, son procede de production et element de conversion photoelectrique |
JP2005347490A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法ならびに光電変換素子 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5137155B2 (ja) * | 1973-03-12 | 1976-10-14 | ||
US4532537A (en) * | 1982-09-27 | 1985-07-30 | Rca Corporation | Photodetector with enhanced light absorption |
JPH0682625B2 (ja) | 1985-06-04 | 1994-10-19 | シーメンス ソーラー インダストリーズ,エル.ピー. | 酸化亜鉛膜の蒸着方法 |
JP3651932B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2005-05-25 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子用裏面反射層及びその形成方法並びに光起電力素子及びその製造方法 |
DE19713215A1 (de) | 1997-03-27 | 1998-10-08 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Solarzelle mit texturierter TCO-Schicht sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen TCO-Schicht für eine solche Solarzelle |
NL1013900C2 (nl) * | 1999-12-21 | 2001-06-25 | Akzo Nobel Nv | Werkwijze voor de vervaardiging van een zonnecelfolie met in serie geschakelde zonnecellen. |
US6787692B2 (en) * | 2000-10-31 | 2004-09-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Solar cell substrate, thin-film solar cell, and multi-junction thin-film solar cell |
US6750394B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell and its manufacturing method |
US20030044539A1 (en) * | 2001-02-06 | 2003-03-06 | Oswald Robert S. | Process for producing photovoltaic devices |
EP1289025A1 (fr) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Universite De Neuchatel | Procédé de dépot d'une couche d'oxyde sur un substrat et cellule photovoltaique utilisant ce substrat |
US20050172997A1 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Johannes Meier | Back contact and back reflector for thin film silicon solar cells |
-
2006
- 2006-03-30 EP EP06112013A patent/EP1840966A1/fr not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-02-13 US US12/294,936 patent/US8723020B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-13 JP JP2009501977A patent/JP2009531842A/ja active Pending
- 2007-02-13 WO PCT/EP2007/051375 patent/WO2007113037A1/fr active Application Filing
- 2007-02-13 DE DE602007005787T patent/DE602007005787D1/de active Active
- 2007-02-13 AU AU2007233965A patent/AU2007233965B2/en not_active Ceased
- 2007-02-13 KR KR1020087025467A patent/KR101504553B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-02-13 CN CN2007800112081A patent/CN101410980B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-13 AT AT07704549T patent/ATE463842T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-02-13 EP EP07704549A patent/EP2005473B1/fr not_active Revoked
- 2007-02-13 ES ES07704549T patent/ES2343378T3/es active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61288473A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS62297462A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Toyota Motor Corp | 高速真空成膜方法 |
JPH04133360A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH06132533A (ja) * | 1992-10-19 | 1994-05-13 | Toshiba Corp | Tftアレイ基板の製造方法 |
JP2001352086A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 透明電極膜、その製造方法、および該透明電極膜を用いた太陽電池及びその製造方法 |
WO2003036657A1 (fr) * | 2001-10-19 | 2003-05-01 | Asahi Glass Company, Limited | Substrat a couche d'oxyde conductrice transparente, son procede de production et element de conversion photoelectrique |
JP2005347490A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法ならびに光電変換素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013041996A (ja) * | 2011-08-16 | 2013-02-28 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101410980B (zh) | 2012-11-07 |
US8723020B2 (en) | 2014-05-13 |
CN101410980A (zh) | 2009-04-15 |
AU2007233965B2 (en) | 2012-03-29 |
ATE463842T1 (de) | 2010-04-15 |
KR20090015898A (ko) | 2009-02-12 |
ES2343378T3 (es) | 2010-07-29 |
WO2007113037A1 (fr) | 2007-10-11 |
KR101504553B1 (ko) | 2015-03-23 |
EP1840966A1 (fr) | 2007-10-03 |
US20100126575A1 (en) | 2010-05-27 |
EP2005473B1 (fr) | 2010-04-07 |
DE602007005787D1 (de) | 2010-05-20 |
AU2007233965A1 (en) | 2007-10-11 |
EP2005473A1 (fr) | 2008-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009531842A (ja) | 起伏のある透明導電層及びその製造方法 | |
JP5156641B2 (ja) | 光電変換装置用透明導電膜付基板及び光電変換装置の製造方法 | |
JP4257332B2 (ja) | シリコン系薄膜太陽電池 | |
JP5559704B2 (ja) | 透明導電膜付き基板の製造方法ならびに多接合型薄膜光電変換装置および発光素子の製造方法 | |
US7923626B2 (en) | Transparent substrate comprising an electrode | |
EP2110859B1 (en) | Laminate type photoelectric converter and method for fabricating the same | |
US5603778A (en) | Method of forming transparent conductive layer, photoelectric conversion device using the transparent conductive layer, and manufacturing method for the photoelectric conversion device | |
JP2003347572A (ja) | タンデム型薄膜光電変換装置とその製造方法 | |
US20150270422A1 (en) | Method for producing crystalline silicon solar cell, method for producing solar cell module, crystalline silicon solar cell, and solar cell module | |
JP3801342B2 (ja) | 太陽電池用基板、その製造方法及び半導体素子 | |
US20110108118A1 (en) | Thin-film solar cell and method of manufacturing the same | |
US20080210300A1 (en) | Method of Producing Substrate for Thin Film Photoelectric Conversion Device, and Thin Film Photoelectric Conversion Device | |
JP2009267222A (ja) | 薄膜光電変換装置用透明導電膜付き基板の製造方法 | |
JP2005142358A (ja) | 太陽電池 | |
JP5469298B2 (ja) | 光電変換装置用透明導電膜、及びその製造方法 | |
JP2013191587A (ja) | 裏面電極、裏面電極の製造方法、及び薄膜太陽電池 | |
JP4971755B2 (ja) | 薄膜光電変換装置とその製造方法 | |
JP4193960B2 (ja) | 太陽電池用基板および薄膜太陽電池 | |
JP5613296B2 (ja) | 光電変換装置用透明導電膜、光電変換装置、およびそれらの製造方法 | |
JP2002158366A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2011192796A (ja) | 光電変換装置用基板、およびそれを用いた光電変換装置、ならびにそれらの製造方法 | |
JP2013041996A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
JP2011192795A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120210 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120921 |