JP2009529786A - 外部キャビティレーザ - Google Patents

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Abstract

チューナブルレーザ装置についてのシステムおよび方法の実施態様を提供する。チューナブルレーザ装置は、ピボットアームに接続された回折格子を備え得、ピボットアームは、レーザ装置をチューニングするために回折格子をピボットポイントの周囲で旋回させる。回折格子がピボットポイントの周囲を旋回することにより、回折格子がチューニングされる波長および光学キャビティの長さが両方とも変化し得る。ピボットアームの長さは、レーザ装置をそのチューニング範囲にわたってチューニングする場合に、チューナブルレーザ装置のモードホップ数を減少させるように選択され得る。

Description

関連出願への相互参照
本出願は、2006年3月9日に出願された「外部キャビティレーザ」という発明の名称の米国特許出願番号60/780354の優先日について言及しそして主張する。上記出願の開示および内容の全体は、参照として本明細書に援用される。
本発明は、一般にレーザに関し、そしてより詳細には外部キャビティレーザに関する。
スペクトル選択的要素による外部レーザキャビティの使用は、代表的なレーザのレーザキャビティにおいて、非波長選択的ミラーによって利用可能であるものよりも狭いスペクトル線幅のレーザを生成するため、数十年間にわたって用いられてきた。加えて、スペクトル選択的要素の堅固さは、線幅が狭くかつ広いチューニング範囲に及び得る鋭敏な波長を有するレーザを生成し得る。多くの非一体型外部キャビティレーザにおけるスペクトル選択的要素は、回折格子であり得る。これらの回折格子は、例えば、サイズ、効率、および分散性などの広い範囲のレーザキャビティの必要性を満たすように設計され得る。レーザ波長のチューニングは、レーザ光線に対する回折格子の格子角度を調整することによってなされ得る。
格子角度の単なる調整によるこのようなレーザのチューニングは、時々、あるキャビティモードから別のキャビティモードへのレーザの「ホッピング」を生じ得る。キャビティモード(以下「モード」と称する)とは、レーザの光学キャビティに適合するチューニングされた波長での、光の1/2波長の積分数をいう。さらに、あるモードから別のモードへのこれらのホップは、モードホップという。モードホップにより、レーザシステムによるレーザ出力が不安定になり得る。したがって、レーザシステムのチューニング範囲にわたって存在するモードホップ数を減少させることが望ましい。
したがって、チューニング範囲にわたるモードホップの性能が改良されたレーザシステムの必要性がある。
本発明の第1の広い局面によれば、レーザシステムが提供され、該レーザシステムは:
光を供給する光源;
平行化されたコヒーレント光線を供給するために該光を平行化するレンズ;
該平行化されたコヒーレント光線の光の波長の少なくとも一部を該光源へ反射する回折格子;および
該回折格子に接続されたピボットアームであって、該ピボットアームが該回折格子を旋回させ、それによって、該回折格子によって該光源へ反射される光の波長を調整し、そして光路長を調整する、ピボットアーム、
を備える。
本発明の第2の広い局面によれば、コヒーレント光線を生成する方法を提供し、該方法は、以下の工程:
(a)平行化されたコヒーレント光線を供給する工程;および
(b)回折格子に接続されたピボットアームを、該回折格子の位置を調整するために旋回させ、それによって、該回折格子によって反射される該平行化されたコヒーレント光線の光の波長を調整し、そして光路長を調整する工程、
を含む。
本発明の第3の広い局面によれば、コヒーレント光線を生成するレーザシステムが提供され、該システムは:
平行化されたコヒーレント光線を供給する手段;
該平行化されたコヒーレント光線の光の波長の少なくとも一部を反射する手段;および
該反射手段の位置を調整し、それによって、該反射手段によって反射される該平行化されたコヒーレント光線の光の波長を調整し、そして該レーザシステムの光路長を調整する手段、
を備える。
本発明を、添付の図面と併せて説明する。
本発明を説明する前に、いくつかの用語を定義することが好都合である。本出願を通して以下の定義が用いられることが理解されるべきである。
定義
用語の定義が、その用語が一般的に用いられる意味から逸脱する場合には、特に示さない限り、出願人は以下に提供される定義を利用することを意図する。
本発明の目的のために、用語「光源」とは、単一波長または多波長を有する電磁放射線の供給源をいう。光源は、レーザ、レーザダイオード、1以上の発光ダイオード(LED)などに由来し得る。
本発明の目的のために、用語「コヒーレント光線」とは、例えば、レーザ光線などの、特定の(例えば、一定の)位相関係を有する波を含む光線をいう。
本発明の目的のために、用語「プロセッサ」とは、指示を実施および/または論理を実行することが可能な装置をいう。代表的なプロセッサとしては、特定用途向け集積回路(ASIC)、中央演算処理装置、マイクロプロセッサ(例えば、IntelおよびAMDなどから市販されているマイクロプロセッサ)などが挙げられ得る。
本発明の目的のために、用語「反射装置」とは、光を反射することが可能な装置をいう。代表的な反射装置には、ミラー、回折格子(例えば、チューナブル透過回折格子を含む)などが含まれる。
本発明の目的のために、用語「回折格子」とは、光学特性が周期的に調節され、波長に依存する角度で格子を出るような入射光を生じる装置をいう。代表的な回折格子としては、反射格子または透過格子が挙げられ得る。
本発明の目的のために、用語「透過格子」とは、非回折光が基板を透過することを可能にする透明基板上の回折格子をいう。代表的な透過格子には、例えば、装置の角度を調整することによって、入射光が進んだのと同じ経路に沿って戻り装置を通過する特定の波長で、光の一部を回折することができる装置が含まれる。
本発明の目的のために、用語「チューナブル透過格子」とは、反射された光の特定の波長が調整され得る透過格子をいう。
本発明の目的のために、用語「反射格子」とは、非回折光が基板から反射することを可能にする反射基板上にある回折格子をいう。
本発明の目的のために、用語「平行化された光線」とは、伝播の方向に対してほぼ平行および垂直な、ほぼ一定の位相の面を含む光線をいう。例えば、実施態様において、平行化された光線は、伝播の方向に対してできる限り平行に近くおよび垂直である一定の位相の面を有し得る。
本発明の目的のために、用語「チューニングする」とは、装置を所望の状態に調整することをいう。例えば、代表的な実施態様において、回折格子によって反射または透過した特定の波長を所望の波長に調整することによって、回折格子はチューニングされ得る。
本発明の目的のために、用語「光学キャビティ」とは、2つの反射装置の間の空間をいう。代表的な光学キャビティは、レーザシステムにおける反射装置間の空間、例えば、レーザダイオードの面上の反射コーティングと、透過格子、回折格子、ミラーなどとの間の空間を含み得る。
本発明の目的のために、用語「外部キャビティ」とは、光子および光学利得の供給源であるレーザシステムの構成要素の外部にある光学キャビティの一部分をいう。代表的な外部キャビティは、レーザダイオードとレーザダイオードの外部の反射装置(例えば、透過格子)との間の、レーザシステムの光学キャビティの一部分を含み、そして通常、レーザの縦および/または横モード構造の制御を提供する。
本発明の目的のために、用語「モード数」とは、光学キャビティ内に適合する光の特定の波長の1/2波長の数をいう。
本発明の目的のために、用語「モードホップ」とは、レーザをチューニングする間に生じるモード数の積分変化をいう。
本発明の目的のために、用語「基板」とは、材料の層をいう。代表的な基板としては、例えば、透明材料(例えば、ガラス、プラスチックなど)が挙げられ得る。
説明
図1は、本発明の方法およびシステムの実施態様による、代表的なレーザシステムを示す。図示されるように、レーザシステム100は、レーザダイオード102、コリメートレンズ104、透過格子108、プロセッサ140、およびピボットアーム150を備え得る。レーザシステム100は、例えば、ホログラフィーメモリーシステムに用いられるようなレーザシステムであり得る。レーザダイオード102は、例えば、コヒーレント光線を生成することが可能な任意のタイプの装置であり得る(例えば、コヒーレント光線を生成することが可能なセミコンダクター装置など)。さらに、レーザダイオード102は、外部キャビティ132の反対側の面上に高反射コーティング112(例えば、R>98%)およびレーザダイオード102の他の面上に抗反射コーティング114(例えば、R<0.5%)を含み得る。プロセッサ140は、例えば、市販のマイクロプロセッサなどの任意のタイプのプロセッサであり得、そして例えばピボットアーム150を制御する(例えば、動かす)ために用いられ得る。
コリメートレンズ104は、例えば市販されているものなどの、高品質のコリメートレンズであり得る。この実施態様には示されていないが、任意の1/2波長板(HWP)(例えば、任意のタイプの市販のHWPなど)が、レンズ104と透過格子108との間に配置され得る。透過格子108は、例えば、M. Merimaa、H. Talvitie、P. Laakkonen、M. Kuittinen、I. TittonenおよびE. Ikonen、「Compact External-Cavity Laser with a Novel Transmission Geometry」、Optics Communications 174:175-180(2000年1月15日)に記載されたような透過格子であり得る。さらに、レーザシステム100において、透過格子108は、例えば、約10〜約50%の反射率を有し得る。本実施態様は透過格子を用いることとして記載されているが、他の実施態様においては、他のタイプのスペクトル選択的要素が用いられ得る(例えば、他のタイプの回折格子(例えば反射格子など)など)。
ピボットアーム150は、ピボットポイント152の周囲を旋回するように透過格子108に接続され得、したがって、透過格子108は、レーザシステム100を所望の波長にチューニングするための角度位置(angular position)まで旋回される(例えば、回転される)。代表的な透過格子108のさらなる説明を、ピボットアーム150を用いて透過格子108を所望の角度位置まで旋回することによってレーザシステム100をチューニングすることに関する説明とともに、以下に提供する。
作動において、レーザダイオード102は、コリメートレンズ104によって無彩色的(achromatically)に平行化され得るコヒーレント光線120を生成し得る。次いで、旋回可能な透過格子108は、レーザダイオード102に向かって直接戻るコヒーレント光線120の選択された波長のみを回折することによって、レーザシステム100を所望の光の波長にチューニングするために用いられ得る。所望の波長(すなわち、レーザシステム100がチューニングされる波長)以外の光の波長は、他の角度で回折される。次いで、所望の波長での反射光のみが、コリメートレンズ104およびレーザダイオード102を通過して戻り得、次いで、反射コーティング112によって反射されて戻り得る。レーザは全レーザキャビティ134を通した各往復の光子エネルギーを増幅するので、レーザシステム100の外部キャビティ132の透過格子108は、1つのみ(または少数)の波長が占めることを選択的に許容する(すなわち、レーザ光線を発する)ために用いられ得る。
上述したように、透過格子108は、光源に戻る所望の波長の光の約10%から約50%を回折することができ、これは、例えば、レーザシステム100の本実施態様に記載された外部キャビティレーザシステムの出力カプラーに対して、約10%と約50%との間の反射率である。したがって、作動において、チューナブル透過格子108は、レーザキャビティに戻る光の約10から約50%までの回折ならびに回折格子または反射コーティングの設計により他の角度で回析または反射される他の任意の光を除いて、この格子への入射光のほとんど全てを透過し得る。さらに、透過格子108は、チューニングされた波長(ならびに光の他の全ての波長)の残りの光(すなわち、約50から約90%まで)が、透過格子108を通過して平行化された出力レーザ光線122を形成することを可能にし得る。
以下に、チューニングのために旋回可能な透過格子108を用いたレーザシステム100を設計するための、代表的な方法のより詳細な説明を提供する。以下の説明において、レーザダイオード102を、ナノメートル(nm)換算で、所望の中心波長λcenterおよびチューニング範囲Δλtotalに関して説明する。さらに、以下の説明を簡単にするために、中心波長を、チューニング範囲の中心に設定する。レーザダイオード102は、最小波長λmin=λcenter−Δλhalfおよび最大波長λmax=λcenter+Δλhalf(式中、Δλhalf=Δλtotal/2である)もまた有し得る。
透過格子108は、複数の等間隔で平行な格子を含み得る。格子線の密度G(線/nm)は、G=2*sin(αλ)/λとして定義され得、式中αλはリトロー角である。したがって、例えば、リトロー角αλ=45度については、G=√2/λである。したがって、λcenter=405nmおよびαλ=45度である代表的なシステムにおいて、G=3492線/mmである。
図2Aおよび2Bは、リトロー角αを示す簡略図を提供する。透過格子108のリトロー角αは、透過格子108が目的の波長を格子自体上に直接後方に回折する角度である(すなわち、透過格子108は、目的の波長を光軸に沿って後方に回折する)。図2Aにおいて、透過格子108は、目的の波長についてのリトロー角αλの角度ではなく、代わりに、異なる角度αに設定される。これによって、目的の波長λcenterが、光軸に沿ってではなく、代わりに、回折された出力Rによって示されるように角度βで反射される結果となる。対照的に、図2Bにおいては、透析格子108は、目的の波長λcenterについてのリトロー角αλで配置され、したがって、目的の波長λcenterを、ラインRで示されるように光軸に沿って後方に、角度αλで反射する。また、図2Aおよび2Bには、透過出力T、透過出力T、および反射出力Rが示され、これらは、回折格子の後に光が進む最も一般的な経路である。下付きの「0」は、異なる屈折率で透明基板に面する場合に、光が進むまさに自然な方向を表すために用いられる。他の2つの光線は下付きの「1」を有し、これは、光が格子によって種々の角度に回折されたことを表す。一般的な格子の式は:Gmλ=sin(α)+sin(β)であり、式中mは回折次数であって、整数でなければならない。この式および他の回折格子の詳細は、文献「Diffraction Grating Handbook」(Christopher PalmerおよびErwin Loewen、Newport Corporation、2005)に記載されており、この文献は、参照として本明細書に援用される。
以下に、透過格子108のピボットポイント152の配置、およびピボットアーム150の長さPを決定する代表的な方法の説明を提供する。簡易化するために、透過格子108についての第一の反射回折次数は、以下の説明において目的の次数m=1であると仮定し、したがって、R光線は、外部キャビティレーザ光路を定義するものである。
図1に戻って参照すると、光学キャビティ長Lは、レーザキャビティ134の中心を下に進む波長λの光子についての光路長であり、そして、図1に示されるような経路が横断する各材料の経路長および屈折率を考慮に入れる。例えば、レーザシステム100の光学キャビティ長Lは、以下のように定義され得る:
Figure 2009529786
式中、Ldiode=中心光路に沿ったレーザダイオードの物理長であり、ndiode=レーザダイオード102の中心波長λcenterにおける屈折率であり、Lair=空気である中心光路に沿った空間の物理長であり、nair=空気のλcenterにおける屈折率であり、Llens_material_n=中心光路に沿ったレンズ104の物理長であり、そしてnlens_material_n=レンズ104のλcenterにおける屈折率である。
上述したように、透過格子108についてのリトロー角αλは、以下のように定義される:
Figure 2009529786
上述したように、透過格子108は、所望のチューニング範囲にわたってレーザシステム100をチューニングするための角度位置に旋回され得る。したがって、レーザシステム100は、例えば、透過格子108が旋回して、αminからαmaxまでの範囲のリトロー角を形成し得るように設計され得、ここで、以下のとおりである。
Figure 2009529786
および
Figure 2009529786
レーザシステム100におけるモードホップ数をチューニング範囲にわたって減少させるために、レーザシステム100は、全キャビティ長Lが波長の変化に比例して変化するように設計され得る:
Figure 2009529786
ここで、
center=λcenterにおけるレーザのキャビティ長
Δλ=λ−λcenter
ΔL=L−Lcenter(ここで、L=λにおけるレーザのキャビティ長)、および
λmin≦λ≦λmax
である。
すなわち、レーザシステム100のモードホップのないチューニングは、新しい波長についてのキャビティ長Lが、λcenterについての開始キャビティ長Lと同じモード数を含む場合に達成され得る。モード数Mは、キャビティ内に適合する1/2波長の数として定義され得る:
Figure 2009529786
したがって、モードホップのないチューニングは、チューニング範囲における全てのλについてM=Mλである(すなわち、Mが、チューニング範囲における全てのλについて一定である)場合に生じ得る。リトロー外部キャビティレーザにおいて、チューニング範囲にわたってモード数を変化させないことは困難であり得るが、本発明の実施態様は、透過格子108の回転中心を最適位置に配置することにより、モードホップ数を最小にするために用いられ得る。
図3は、ピボットポイント152が透過格子108の直下に位置する、簡略化したレーザシステム100を示す。図3において、ピボットアーム150は、中心波長が光学キャビティ134内でレーザ光線を発するように、中心波長λcenterを光軸に沿って後方に反射する位置に設置される。図示するように、ピボットアーム150はまた、傾斜したΔαmin度反時計回りに回転され得、レーザシステム100内で最小波長λminのレーザ光線を発するように、透過格子108の角度位置を調整する。さらに、示すように、ピボットアーム150は、Δαmax度時計回りに回転され得、レーザシステム100内で最大波長λmaxのレーザ光線を発するように、透過格子108の角度位置を調整する。
以下により詳細に記載するように、ピボットアーム150の長さPは、チューニング範囲にわたって生じたモードホップの総数(Δλtotal)を変化させ得る。したがって、モードホップMにおける変化を最小にするために長さPを選択することは、好都合であり得る。Δα≦3°の小さな角度では、最小のモードホップ数Mを生じ得るピボットアーム長Pbestは、Pmin<Pbest<Pmaxの狭い範囲内であり得る。
Figure 2009529786
したがって、ある実施態様においては、PminおよびPmaxが算出され、そしてピボットアーム長PはPminとPmaxとの間であるように選択され得る。例えば、Pは、P=(Pmin+Pmax)/2であるように選択され得る。
図4は、ピボットアームの種々の長さPについて、代表的なレーザシステムのチューニング範囲にわたるモード数M対波長を示す、代表的なプロット400を提供する。図4の例では、ピボットポイントは、コヒーレント光線120が透過格子108を遮断する地点の直下(以下「遮断ポイント」と称する)に配置され得る。上記のように、モード数はM=L/(λ/2)である。ピボットアーム150はさらに、透過格子108の角度を動かし、レーザシステム100をチューニングする。透過格子108のこの角変位は、光学キャビティ長Lの変化の効果、およびそれに対応して、チューニングされた波長におけるレーザシステム100についてのモード数(すなわち、光学キャビティ内に適合するチューニングされた波長における1/2波長の数)を有し得る。
図4は、種々のピボットアーム長についての5本の曲線402、404、406、408および410を、光学キャビティにおける代表的な得られたモードホップ数M対Lcenter=20mmについての波長λで示す。特に、曲線402は、ピボットアーム長P=18mmの曲線を示し、この例では、M=243のモードホップ数の変化(すなわち、98900−98657)を生じる。曲線404は、ピボットアーム長P=19mmの曲線を示し、この例では、M=121のモードホップ数の変化(すなわち、98848−98727)を生じる。曲線406は、ピボットアーム長P=20mmの曲線を示し、この例では、M=16のモードホップ数の変化(すなわち、98781−98765)を生じる。曲線408は、ピボットアーム長P=21mmの曲線を示し、この例では、M=123のモードホップ数の変化(すなわち、98848−98725)を生じる。そして、曲線410は、ピボットアーム長P=22mmの曲線を示し、この例では、M=245のモードホップ数の変化(すなわち、98902−98657)を生じる。図4から、ピボットアーム長Pの変化が、チューニング範囲にわたって生じたモードホップMの総数を変化させ得ることは明らかであり、そしてそれが、モードホップの変化を最小にするように長さPを選択すること(例えば、図4の例におけるP=20mmなど)は好都合であり得る。
以下に、G=3492線/mm(0.003492線/nm)の格子を用いて約400から約410nm(Δλtotal=10nm)までのチューニング可能な範囲にわたるチューナブルレーザの、ピボットアーム長Pを算出するための代表的な計算を提供し、ここでチューニング範囲の中心波長λcenter=405nmである。したがって、この例において、Pは以下のように決定され得る:
Figure 2009529786
次いで、キャビティ長L=Lcenterが、上記のように決定され得、ここで、Lは、ダイオードで開始されるキャビティを通る単一の経路における中心光学光線の関数である:
Figure 2009529786
式中、lは光軸上の対象の物理長であり、そしてnは屈折率である。代表的には、
i=1は、レーザダイオード102をいい、
i=2は、レーザダイオード102の前面とコリメートレンズ104との間の空気をいい、
i=3は、コリメートレンズ104中を進んだ移動距離をいい(注記:コリメートレンズで用いられるいくつかの異なる空隙および材料があり得る)、そして
i=4は、(その公称αcenter位置における)レンズ104と透過格子108との間の空気をいい、
そのため、上記のように、
Figure 2009529786
式中、Lairは、レーザダイオード102とレンズ104との間の空気中を進んだ長さと、レンズ104と透過格子108との間の空気中を進んだ長さとの組み合わせである。
代表的な目的のために、この例において、算出されたキャビティ長Lを、L=20mmであると仮定する。したがって、
min=19.88mm
max=20.12mm、および
19.88mm=Pmin<P<Pmax=20.12mm(ここで、Pは選択されたピボットアーム長である)である。
図5は、PminとPmaxとの間のピボットアームの種々の長さについて、モード数M対代表的なレーザシステムのチューニング範囲にわたる波長を示す、代表的なプロット500を提供する。特に、図5は、Pmin=19.88mmからPmax=20.12mmまでの範囲の種々のピボットアーム長について、5本の曲線、502、504、506、508および510を示し、そして対応する光学キャビティにおけるモードホップ数M対波長λを示す。特に、曲線502は、ピボットアーム長P=19.88mmの曲線を示し、この例では、M=23のモードホップ数の変化(すなわち、98788−98765)を生じる。曲線504は、ピボットアーム長P=19.94mmの曲線を示し、この例では、M=19のモードホップ数の変化(すなわち、98784−98765)を生じる。曲線506は、ピボットアーム長P=20.00mmの曲線を示し、この例では、M=16のモードホップ数の変化(すなわち、98781−98765)を生じる。曲線508は、ピボットアーム長P=20.06mmの曲線を示し、この例では、M=19のモードホップ数の変化(すなわち、98784−98765)を生じる。そして、曲線510は、ピボットアーム長P=20.12mmの曲線を示し、この例では、M=23のモードホップ数の変化(すなわち、98788−98765)を生じる。図5から、ピボットアーム長P=20.00mmが、最小のモードホップ数になることは明らかである。
図5はまた、この例において、選択されたピボット長Pには公差があり、たとえピボットアームの選択されたピボット長Pが最適のピボット長ではなくても、良好な性能を提供し得ることを示す。例えば、図示するように、PminとPmaxとの間でどのピボット長Pを選択しても、モードホップ数の変化は23よりも小さくなる。図4および5で示された曲線は、例えば、レーザシステム100において異なるピボットアーム長Pを置き換え、そして、例えば、平行化された出力レーザ光線122を分析する高解像度光学スペクトルアナライザを用いてモードホップMを決定することによって、決定され得る。
別の例において、ピボットポイント152の配置のターゲットは、単に長さPbestを有する透過格子108上の遮断ポイントの直下の地点にあり得る代わりに、ピボットポイント152は、ピボットポイント152がある透過格子108の下のライン上に位置し得る。ピボットポイント152をこのようなライン上に配置することは、例えば、図1に示すように透過格子108の遮断ポイントの直下にピボットポイント152を配置することが望ましくない場合などに、公差化ならびにキャビティ設計の柔軟性を可能にすることに有用であり得る。例えば、いくつかの実施態様において、間隔要件、ピボットアームの特定の長さに対する要望、または、例えば、遮断ポイントの直下に他の構成要素を配置する必要性のために、ピボットアーム152を遮断ポイントの直下以外の場所に設置することが所望され得る。
図6は、ピボットポイントを配置するための種々の位置を示す、簡略化した代表的なレーザシステム600を示す。図示するように、ピボットポイントは、コヒーレント光線120の光軸が透過格子108を遮断する透過格子108上のポイント654の直下に位置するピボットポイント652について算出されたPbestを通過するライン602上のどこへでも配置され得る。さらに、図示するように、ライン602は、中心波長λcenterに対してリトロー角αλに等しい角度を有する。次いで、ピボットポイントは、ライン602に沿った任意の位置に設置され得、ピボットアーム長Pはピボットポイントについて、ライン602と遮断ポイント654との間の距離が等しくなるように選択される。例えば、図6は、ライン602上に位置した3つの可能なピボットポイント、すなわち652、662および664を示す。さらに、例えば、図5〜6に図示して上述したように、ピボットポイントが透過格子遮断ポイントの直下に配置される場合、ピボットアーム長Pには公差があり、そして、ピボットアーム長PはPminとPmaxとの間である。同様に、ピボットポイントがライン602に沿ったどこか他の場所に位置する場合、ピボットアーム長には同様に公差がある。
レーザシステムの性能を向上させるために、例えば、レーザダイオード102およびレンズ104などのレーザシステムの構成要素のアライメントを調整できることもまた所望され得る。例えば、1つの実施態様において、レーザシステムの構成要素の位置およびアライメントが調整され得、そして、得られるレーザシステムのモードホップ性能は、例えば、高解像度光学スペクトルアナライザを用いてレーザシステムの出力レーザ光線を分析することによって、チューニング範囲にわたって測定される。このような光学スペクトルアナライザは、例えば、中心波長λcenterにおけるレーザシステムの固定されたキャビティ長Lについてのモードホップに関連した波長Δλの変化よりも大きな解像度を有し得る。例えば、上記のように、
Figure 2009529786
この式は、周波数換算に変換され得る(例えば、ヘルツ):
Figure 2009529786
式中、c=λν=光速度=299792458m/秒である。したがって、この例において、高解像度光学スペクトルアナライザは、例えば、Δυ=7.5GHzより大きいかまたは等しい解像度(例えば、ヘルツ換算で)を有し得る。
図7は、レーザシステムの構成要素のアライメントが、例えば、その性能を向上させるためにレーザシステムをチューニングするように調整され得る、代表的なレーザシステムを示す。図示するように、レーザシステム700は、レーザシステム100に類似しているが、レーザシステム700では、レーザダイオード702およびレンズ704は、可動アセンブリ762上に位置する。可動アセンブリ762は、例えば、レーザダイオード702およびレンズ704が実装されたプラットホームであり得る。可動アセンブリ762はまた、例えば、プロセッサの制御下で移動可能であり得るか、または、例えばダイヤルを用いて、例えば手動で調整され得る。
レーザシステム700は、最初に、以下のようにチューニングされ得る:まず、レーザシステム700を、ピボットアーム750が上述のような方法を用いて算出された最適な長さPbestと等しいピボット長Pを有するように組み立て、そして、ピボットポイント752および透過格子708を、ピボットポイント752が透過格子708上の予想される遮断ポイント754の直下に位置するように設置し得る。上記のように、ピボットポイント752を遮断ポイントの直下に位置させるよりもむしろ、他の実施態様において、ピボットポイントを、ライン782に沿った別の場所に位置させ得る。ライン782は、ピボットポイント752を通過し、そして、図6を参照して上述したように、中心波長λcenterについてのリトロー角αλに等しい角度にある。
次に、レーザシステム700を作動させ、そして、透過格子708を旋回させて、レーザシステム700についてのチューニング範囲にわたってチューニングさせ得る(すなわち、レーザ光を得る)。次いで、光学スペクトルアナライザを用いて、出力レーザ光線722を分析することによって、チューニング範囲にわたるモードホップ数を決定し得る。次に、可動アセンブリ762の位置を調整し、そして、モードホップ数を、レーザシステム700についてのチューニング範囲にわたって決定し得る。例えば、可動アセンブリ762は、上下および/または左右に移動可能であり得る。可動アセンブリ762を移動することは、キャビティ長Lを変更する効果を有し得る。例えば、可動アセンブリ762を下に移動させることは、この例において透過格子708の角度によって、透過格子708上の光720の遮断ポイントを下および左に移動することによって、キャビティ長Lを縮小する効果を有し得る。同様に、可動アセンブリの上または左への移動は、キャビティ長Lを増大する効果を有し得る。
次いで、可動アセンブリ762を調整し、そして、レーザシステム700のチューニング範囲にわたってモードホップ数を最小にする可動アセンブリ762の場所が決定されるまで、例えば、反復プロセスによってモードホップ数を測定し得る。可動アセンブリ762は、次いで、例えば、可動アセンブリをこの場所に固定するのに役立ち得るねじ締めによって、この決定された場所に固定され得る。可動アセンブリ762の位置を決定するこのプロセスは、例えば、レーザシステム700を顧客に出荷する前に行われ得る。次いで、可動アセンブリは、例えば、レーザシステム700の耐用年数の間、所定の位置に設置されたままであり得、または、例えば、この位置は、例えばレーザシステム700でエラーまたは問題が見出された場合に、調整され得る。
図8Aおよび8Bは、本発明の方法およびシステムの実施態様による、透過格子を取り付けた代表的なピボットアームを示す。図8Aに示すように、ピボットアーム800は、第1の部分812および第2の部分814および3つの旋回軸822、824および826を含み得る。透過格子808は、ピボットアーム800の第1の部分812に取り付けられたマウント816(図8B参照)上に実装され得る。図8Bはまた、ピボットアーム800がどのようにレーザシステム100などのレーザシステムに設置され得るかを示す目的で、レーザダイオード102およびレンズ104を示す。図8Bはまた、ピボットアーム800についての効果的なピボットアーム長Pも示す。
図9Aおよび9Bは、本発明の方法およびシステムの実施態様による、代表的なマウント816、透過格子808および第1の部分812を示す。図示するように、透過格子808は、第1の部分812上に実装され得るマウント816に設置され得る。マウント816は、第1の部分812のピン904に合わせた穴902を含み得る。ピン904は、第3の回転軸826として機能し得、そのためマウント816は第1の部分812上で回転され得る。一旦、第1の部分812上のマウント816の所望の回転角度が決定されると、マウント816は、第1の部分812の対応するメカニズムに取り付けられ、例えば、ねじ908またはマウント816上の他の固定メカニズムを用いた場所に固定され得る。
第1の軸822を用いて、透過格子808を旋回させ、図1のレーザシステム100を参照して上述のようなレーザシステムをチューニングさせ得る。例えば、ピボットアーム800は、レーザシステムのチューニングされた波長を減少させるために、透過格子808を反時計回りの方向に回転させ得、そして、チューニングされた波長を増加させるために、透過格子808を時計回りの様式で回転させ得る。第2の軸824および第3の軸826は、レーザシステムのアセンブリの間、レーザシステムのチューニングをさらに改良するために用いられ得、そして次いで、軸824および826は、レーザシステムの通常の操作の間、固定され得る。例えば、第2の軸824を用いて、透過格子808の面を回転させ、コヒーレント光線120の反射を改良して、透過格子808が所望の波長を回転軸822に対してちょうど直角に反射することを確実にし得る。第3の軸826を用いて、例えば、透過格子808を回転させて、透過格子の格子線を第1の軸822の方向に方向付けし得る。ピボットアーム800の一部が第2および第3の軸824および826の周囲を回転する角度は、これらの軸について異なる回転でレーザシステムの性能を測定することによって決定され得、そして、一旦最適な位置が決定されると、第2および第3の軸824および826は、レーザシステムの通常の操作の間、これらの軸が移動しないように、例えば対応するねじを締めることによって、固定され得る。
例えば、第2の軸824の回転の最適位置は、回転の角度位置を反復して調整し、そして出力レーザ光線122の光強度を測定することによって決定され得る。これらの測定は、例えば、レーザシステムがその中心波長にチューニングされるように中心位置に設置された第1の回転軸822で実施され得る。第2の軸824の回転の最適な角度位置は、出力レーザ光線122が最大出力であるように決定され得る。
第3の軸826の回転の最適角度位置は、同様に、例えば、回転の角度位置を反復して調整し、そしてレーザシステムのチューニング範囲にわたって出力レーザ光線122の光強度を測定することによって決定され得る。第3の軸826の回転の最適な角度位置は、出力レーザ光線122が、レーザシステムの全チューニング範囲にわたって最大出力であるように決定され得る。
上記のように、ピボットアーム800のようなピボットアームを用いるレーザシステムは、例えば、まず第3の軸826を回転させて、透過格子808の格子線を第1の回転軸822と平行になるようにアラインすることによって、最初にチューニングされ得る。次いで、第1の軸822を回転させて、レーザシステムをその中心波長にチューニングさせ得る。次いで、例えば、第2の軸824の回転は、出力レーザ光線122の出力を測定するためにパワーメータを用いて、最大出力の位置で回転を固定することによって、上述のように決定され得る。次いで、レーザシステムは、そのチューニング範囲にわたってチューニングされ得、そして、出力レーザ光線122は、全チューニング範囲にわたって最適な性能を確実にするために分析され得、そして、第2および第3の軸824および826は、全チューニング範囲にわたってレーザシステムの最適な性能を確実にするために調整され得る。
本出願において引用した文献、特許、学術論文および他の資料はすべて、参照として本明細書に援用される。
本発明は、添付の図面を参照してそのいくつかの実施態様と併せて十分に記載されているが、種々の変更および改変が当業者にとって明らかであり得ることが理解されるべきである。このような変更および改変は、そこから逸脱しない限りは、添付の請求の範囲に定義される、本発明の範囲内に含まれることが理解されるべきである。
本発明の方法およびシステムの実施態様による、代表的なレーザシステムを示す。 図2Aおよび2Bは、本発明の方法およびシステムの実施態様による、リトロー角を示す簡略図である。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、ピボットポイントが透過格子上の遮断ポイントの直下に配置された、簡略化した代表的なレーザシステムを示す。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、種々の長さのピボットアームについて、代表的なレーザシステムのチューニング範囲にわたる、モード数M対波長を示す代表的なプロットである。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、PminとPmaxとの間の種々の長さのピボットアームについて、代表的なレーザシステムのチューニング範囲にわたる、モード数M対波長を示す代表的なプロットである。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、ピボットアームのピボットポイントを配置するための種々の位置を示す、簡略化した代表的なレーザシステムを示す。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、レーザシステムの構成要素のアライメントが調整され得る、代表的なレーザシステムを示す。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、透過格子を取り付けた、代表的なピボットアームを示す。 本発明の方法およびシステムの実施態様による、透過格子を取り付けた、代表的なピボットアームを示す。 図9Aおよび9Bは、本発明の方法およびシステムの実施態様による、ピボットアームの代表的なマウント、透過格子および第1の部分を示す。

Claims (21)

  1. レーザシステムであって:
    高反射面;
    光を供給する光源;
    平行化されたコヒーレント光線を供給するために該光を平行化するレンズ;
    該平行化されたコヒーレント光線の光の波長の少なくとも一部を該光源へ反射する回折格子;および
    該回折格子に接続されたピボットアームであって、該ピボットアームが該回折格子を旋回させるように構成され、それによって、該回折格子によって該光源へ反射される光の波長を調整し、そして該レーザシステムの光路長を調整する、ピボットアーム、
    を備える、レーザシステム。
  2. 前記ピボットアームが、前記回折格子から間隔をあけたピボット長で配置された回転軸の周囲を回転して、該回折格子が旋回する場合に、該回折格子と前記光源との間の長さが調整されるように、前記反射される光の波長を調整する、請求項1に記載のレーザシステム。
  3. 前記ピボット長が、前記レーザシステムのチューニング範囲にわたってモードホップ数を最小にするように選択される、請求項2に記載のレーザシステム。
  4. 前記ピボット長が、算出された最小ピボット長と最大ピボット長との間であるように選択され、該最小ピボット長が、前記レーザシステムの中心波長から最長波長までの前記回折格子の回転についてのリトロー角の変化を用いて算出され、該最大ピボット長が、該レーザシステムの中心波長から最短波長までの該回折格子の回転についてのリトロー角の変化を用いて算出される、請求項2に記載のレーザシステム。
  5. 前記回転軸が、前記コヒーレント光線が前記回折格子を遮断する該回折格子上の地点の直下に配置された算出された地点を通過するように決定されたライン上に配置され、そして該ラインが、前記レーザシステムが中心波長にチューニングされる場合に、該回折格子のリトロー角に対応する角度である、請求項2に記載のレーザシステム。
  6. 前記コヒーレント光源および前記レンズが、回折格子に対して該コヒーレント光源および該レンズの位置を調整する可動アセンブリ上に配置される、請求項1に記載のレーザシステム。
  7. 前記ピボットアームが、少なくとも第1、第2および第3の回転軸を備え、該回転軸の周囲を該ピボットアームの少なくとも一部が旋回し得る、請求項1に記載のレーザシステム。
  8. コヒーレント光線を生成する方法であって、該方法は、以下の工程:
    (a)平行化されたコヒーレント光線を供給する工程;および
    (b)回折格子に接続されたピボットアームを、該回折格子の位置を調整するために旋回させ、それによって、該回折格子によって反射される該平行化されたコヒーレント光線の光の波長を調整し、そしてレーザシステムの光路長を調整する工程、
    を含む、方法。
  9. 前記ピボットアームが、前記回折格子から間隔をあけたピボット長で配置された回転軸の周囲を回転して、該回折格子が旋回する場合に、光学キャビティの長さが調整されるように、前記反射される光の波長を調整する、請求項8に記載の方法。
  10. 前記ピボットアームが、前記回折格子の位置を第1の位置から第2の位置までの位置の範囲内で調整し、該第1の位置および該第2の位置が、該回折格子によって反射される光の最小波長および光の最大波長に対応し、そして前記ピボット長が、チューニング範囲にわたるモードホップ数を最小にするように選択される、請求項9に記載の方法。
  11. 前記ピボット長が、算出された最小ピボット長と最大ピボット長との間であるように選択され、該最小ピボット長が、前記レーザシステムの中心波長から最長波長までの前記回折格子の回転についてのリトロー角の変化を用いて算出され、該最大ピボット長が、該レーザシステムの中心波長から最短波長までの該回折格子の回転についてのリトロー角の変化を用いて算出される、請求項9に記載の方法。
  12. 前記回転軸が、前記コヒーレント光線が前記回折格子を遮断する該回折格子上の地点の直下に配置された算出された地点を通過するように決定されたライン上に配置され、そして該ラインが、中心波長での該回折格子のリトロー角に対応する角度である、請求項9に記載の方法。
  13. 前記供給された平行化されたコヒーレント光線が、コヒーレント光源およびレンズを用いて供給され、そして該コヒーレント光源および該レンズが、可動アセンブリ上に配置され、該方法がさらに以下の工程:
    前記回折格子に対して該コヒーレント光源および該レンズの位置を調整するように、該可動アセンブリの位置を調整する工程、
    を含む、請求項8に記載の方法。
  14. 前記ピボットアームが、少なくとも第1、第2および第3の回転軸を備え、該回転軸の周囲を該ピボットアームの少なくとも一部が旋回し得る、請求項8に記載の方法。
  15. コヒーレント光線を生成するためのレーザシステムであって、
    平行化されたコヒーレント光線を供給する手段;
    該平行化されたコヒーレント光線の光の波長の少なくとも一部を反射する手段;および
    該反射手段の位置を調整し、それによって、該反射手段によって反射される該平行化されたコヒーレント光線の光の波長を調整し、そして該レーザシステムの光路長を調整する手段、
    を備える、レーザシステム。
  16. 前記調整手段が、前記反射手段を該反射手段から間隔をあけたピボット長で配置された回転軸の周囲を回転させて、該反射手段が該回転軸の周囲を回転する場合に、光学キャビティの長さが調整されるように、前記反射される光の波長を調整するための手段を備える、請求項15に記載のシステム。
  17. 前記調整手段が、前記反射手段の位置を第1の位置から第2の位置までの位置の範囲内で調整し、該第1の位置および該第2の位置が、該反射手段によって反射される光の最小波長および光の最大波長に対応し、そして前記ピボット長が、前記レーザシステムのチューニング範囲にわたるモードホップ数を最小にするように選択される、請求項16に記載のシステム。
  18. 前記ピボット長が、算出された最小ピボット長と最大ピボット長との間であるように選択され、該最小ピボット長が、前記レーザシステムの中心波長から最長波長までの前記反射手段の回転についてのリトロー角の変化を用いて算出され、該最大ピボット長が、該レーザシステムの中心波長から最短波長までの該反射手段の回転についてのリトロー角の変化を用いて算出される、請求項16に記載のシステム。
  19. 前記回転軸が、前記コヒーレント光線が前記反射手段を遮断する該反射手段上の地点の直下に配置された算出された地点を通過するように決定されたライン上に配置され、そして該ラインが、中心波長での該反射手段についてのリトロー角に対応する角度である、請求項16に記載のシステム。
  20. 前記反射手段に対して、前記平行化されたコヒーレント光線を供給する手段の位置を調整するための手段をさらに備える、請求項15に記載のシステム。
  21. 前記調整手段が、少なくとも第1、第2および第3の回転軸を備え、該回転軸の周囲を前記旋回手段の少なくとも一部が旋回し得る、請求項15に記載のシステム。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056469A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 昭和オプトロニクス株式会社 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール
JP2017216371A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 日亜化学工業株式会社 光源装置
WO2018051450A1 (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社島津製作所 レーザ装置
JP2020145459A (ja) * 2016-05-31 2020-09-10 日亜化学工業株式会社 光源装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112006000934T5 (de) * 2005-04-13 2008-06-05 Corning Inc. Mode-Matching bzw. Modenanpassungssystem für Laser mit durchstimmbarem externen Resonator
EP2300859B1 (en) * 2008-05-05 2016-01-13 Nanocomp Oy Ltd. Light manipulation arrangement
US8311067B2 (en) * 2008-06-12 2012-11-13 Akonia Holographics, Llc System and devices for improving external cavity diode lasers using wavelength and mode sensors and compact optical paths
CN101609959B (zh) * 2008-06-18 2013-01-16 中国计量科学研究院 利特罗结构光栅外腔半导体激光器和准同步调谐方法
US8681825B2 (en) 2008-06-18 2014-03-25 National Institute of Metrology Peoples Republic of China Grating external-cavity laser and quasi-synchronous tuning method thereof
WO2009152690A1 (zh) * 2008-06-18 2009-12-23 中国计量科学研究院 光栅外腔半导体激光器及其准同步调谐方法
US7733925B2 (en) * 2008-07-07 2010-06-08 Daylight Solutions, Inc. Continuous wavelength tunable laser source with optimum positioning of pivot axis for grating
US8254418B2 (en) 2008-09-19 2012-08-28 Inphase Technologies, Inc. Method for finding and tracking single-mode operation point of external cavity diode lasers
US8284234B2 (en) 2009-03-20 2012-10-09 Absolute Imaging LLC Endoscopic imaging using reflection holographic optical element for autostereoscopic 3-D viewing
WO2011000153A1 (zh) * 2009-06-30 2011-01-06 山东远普光学股份有限公司 连续无跳模可调谐光栅外腔半导体激光器
US9042422B2 (en) * 2009-12-30 2015-05-26 National University Corporation Chiba University Tunable external resonator laser
CN101826701A (zh) * 2010-05-06 2010-09-08 山东远普光学股份有限公司 一种无跳模连续调谐半导体激光器
US9147995B2 (en) * 2013-03-15 2015-09-29 Daylight Solutions, Inc. Rapidly tunable laser source assembly with long stroke grating mover
US20180307051A1 (en) * 2015-08-28 2018-10-25 Everready Precision Ind. Corp. Lighting apparatus for generating structured light
JP2017142465A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 古河電気工業株式会社 光操作装置および光源装置
JP7053993B2 (ja) 2018-03-28 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 光源装置
IT201900002013A1 (it) * 2019-02-12 2020-08-12 Laboratorio Europeo Di Spettroscopie Non Lineari Lens Dispositivo laser a cavita' esterna, sistema e procedimento corrispondenti
CN116183019B (zh) * 2022-12-23 2024-03-29 安徽创谱仪器科技有限公司 分光装置及光谱仪

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03241883A (ja) * 1990-02-20 1991-10-29 Seiko Epson Corp 波長可変半導体レーザー装置
JPH03279821A (ja) * 1990-03-29 1991-12-11 Anritsu Corp 可変波長光源装置
JPH10107377A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Central Res Inst Of Electric Power Ind 波長可変レーザ光発生方法およびその装置
JP2003324227A (ja) * 2002-05-02 2003-11-14 Fujitsu Ltd 波長可変光源装置およびそれを用いた光増幅器
JP2005175049A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Sony Corp 外部共振器型半導体レーザ

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3603690A (en) * 1969-10-22 1971-09-07 Nasa Optical systems having spatially invariant outputs
US3744871A (en) * 1970-02-25 1973-07-10 Hitachi Ltd Holographic memory system for recording digital information
US3854791A (en) * 1971-02-25 1974-12-17 Hitachi Ltd Holographic memory with random phase illumination hologram
US3829193A (en) * 1972-09-18 1974-08-13 Hitachi Ltd Improved random phase plate for fourier transform holography
FR2211714B1 (ja) * 1972-12-25 1977-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd
GB1523165A (en) * 1974-08-03 1978-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Fourier-transform holography by pseudo-random phase shifting
FR2284889A1 (fr) * 1974-09-14 1976-04-09 Nippon Telegraph & Telephone Dephaseur pour enregistrement par hologramme
GB8807385D0 (en) * 1988-03-29 1988-05-05 British Telecomm Semiconductor device assembly
US5510912A (en) * 1993-08-09 1996-04-23 International Business Machines Corporation Method and apparatus for modulation of multi-dimensional data in holographic storage
US5956302A (en) * 1993-08-17 1999-09-21 Ricoh Company, Ltd. Optical pick-up device and method using a high-density double diffraction grating
US5627664A (en) * 1994-06-29 1997-05-06 Tamarack Storage Devices, Inc. Holographic storage with combined orthogonal phase codes and random phase codes
JPH1168248A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変半導体レーザ光源
JP3766738B2 (ja) 1997-08-22 2006-04-19 日本オプネクスト株式会社 半導体レーザ装置の製造方法
JPH11163450A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Ando Electric Co Ltd 波長可変光源
US6482551B1 (en) * 1998-03-24 2002-11-19 Inphase Technologies Optical article and process for forming article
US6018402A (en) * 1998-03-24 2000-01-25 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for phase-encoding off-axis spatial light modulators within holographic data systems
US6103454A (en) * 1998-03-24 2000-08-15 Lucent Technologies Inc. Recording medium and process for forming medium
US6281993B1 (en) * 1998-03-30 2001-08-28 International Business Machines Corporation Phase shifting element for optical information processing storing systems
US6163391A (en) * 1998-07-10 2000-12-19 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for holographic data storage
US6414763B1 (en) * 1998-08-28 2002-07-02 Siros Technology, Inc. Digital holographic camera system and method having removable media
US6310850B1 (en) * 1999-07-29 2001-10-30 Siros Technologies, Inc. Method and apparatus for optical data storage and/or retrieval by selective alteration of a holographic storage medium
US6449627B1 (en) * 2000-01-21 2002-09-10 International Business Machines Corp. Volume management method and system for a compilation of content
US6614566B1 (en) * 2000-06-07 2003-09-02 Lucent Technologies Inc. Process for holography involving skip-sorted hologram storage
US6348983B1 (en) * 2000-06-08 2002-02-19 Lucent Technologies Inc. Holographic storage medium having enhanced temperature operating range and method of manufacturing the same
JP2002237063A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Pioneer Electronic Corp 情報記録再生装置
US6856461B2 (en) * 2001-06-08 2005-02-15 Inphase Technologies, Inc. Tunable optical filter
US6721076B2 (en) * 2001-08-03 2004-04-13 Inphase Technologies, Inc. System and method for reflective holographic storage with associated multiplexing techniques
US6743552B2 (en) * 2001-08-07 2004-06-01 Inphase Technologies, Inc. Process and composition for rapid mass production of holographic recording article
US6780546B2 (en) * 2001-08-30 2004-08-24 Inphase Technologies, Inc. Blue-sensitized holographic media
US6765061B2 (en) * 2001-09-13 2004-07-20 Inphase Technologies, Inc. Environmentally durable, self-sealing optical articles
US6798547B2 (en) * 2001-10-09 2004-09-28 Inphase Technologies, Inc. Process for holographic multiplexing
US6700686B2 (en) * 2001-10-17 2004-03-02 Inphase Technologies, Inc. System and method for holographic storage
JP2003174221A (ja) 2001-12-04 2003-06-20 Gigaphoton Inc グレーティング固定装置及び狭帯域化レーザ装置
ATE443911T1 (de) * 2002-04-11 2009-10-15 Inphase Tech Inc Holographische speichermedien
US20030206320A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-06 Inphase Technologies, Inc. Holographic media with a photo-active material for media protection and inhibitor removal
US6690690B2 (en) 2002-05-29 2004-02-10 Lightgage, Inc. Tunable laser system having an adjustable external cavity
US6697180B1 (en) * 2002-08-09 2004-02-24 Inphase Technologies, Inc. Rotation correlation multiplex holography
US6731661B2 (en) * 2002-10-01 2004-05-04 Agilent Technologies, Inc. Tuning mechanism for a tunable external-cavity laser
US7177340B2 (en) 2002-11-05 2007-02-13 Jds Uniphase Corporation Extended cavity laser device with bulk transmission grating
US7092133B2 (en) * 2003-03-10 2006-08-15 Inphase Technologies, Inc. Polytopic multiplex holography
JP4148866B2 (ja) * 2003-09-30 2008-09-10 三洋電機株式会社 光ディスク装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03241883A (ja) * 1990-02-20 1991-10-29 Seiko Epson Corp 波長可変半導体レーザー装置
JPH03279821A (ja) * 1990-03-29 1991-12-11 Anritsu Corp 可変波長光源装置
JPH10107377A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Central Res Inst Of Electric Power Ind 波長可変レーザ光発生方法およびその装置
JP2003324227A (ja) * 2002-05-02 2003-11-14 Fujitsu Ltd 波長可変光源装置およびそれを用いた光増幅器
JP2005175049A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Sony Corp 外部共振器型半導体レーザ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012050899; W. R. Trutna, Jr., and L. F. Stokes: 'Continuously Tuned ExternalCavity Semiconductor Laser' JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY Vol.11, No.8, 199308, pp.1279-1286 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056469A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 昭和オプトロニクス株式会社 外部共振器により波長制御されたダイオードレーザモジュール
JP2017216371A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 日亜化学工業株式会社 光源装置
JP2020145459A (ja) * 2016-05-31 2020-09-10 日亜化学工業株式会社 光源装置
WO2018051450A1 (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 株式会社島津製作所 レーザ装置
CN109716189A (zh) * 2016-09-15 2019-05-03 株式会社岛津制作所 激光装置
JPWO2018051450A1 (ja) * 2016-09-15 2019-06-27 株式会社島津製作所 レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
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