JP2009515217A - 微細構造光ファイバとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
任意で個々のボイドの最大直径を意味する。例えば、ファイバは、光パワーの一部が80%以上、好ましくは光の力の一部が90%以上である領域において上記ボイドの全ての最大サイズが製造され、ボイドの最大サイズは、5ミクロン以下であり、好ましくは2ミクロン以下であり、さらに好ましくは1ミクロン以下であり、最も好ましくは0.5ミクロン以下である。
工程1−コア茎体の作成:8mmおよび15mm直径の純粋なシリカコア茎体は、標準的なOVD処理により製造された。二酸化ケイ素スート(0.5g/cc密度)は、まず、最初に、取り外し可能なバイトロッドの上に堆積された。次に、バイトロッドを取り除くことによって、得られたスートは、標準の固化(1000℃において、3%の塩素を加えたヘリウム中で二時間乾燥)を利用して、固化された。続いて、透明のボイドフリー固化ガラスブランク中でスートを焼結するためにヘリウム単独の雰囲気中で6mm/分の降下レイト(3℃/分の加熱率に相当する)で1500℃においてホットゾーンを通過して下方駆動された。その次に、ブランクは、中心線に対して、中心線空孔を閉じるために1900℃で500Torr以下(不完全真空)のもとで再線引きされ、8mmおよび15mmの直径を具備するボイドフリー固化シリカコア茎体が生成された。特に断りのない限り、以下の各々の実施例において、ファイバが線引きされる時、ファイバは従来の被覆(すなわちアクリル酸をベースとした第一および第二の被覆)を使用して被覆された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.48g/cc)スートは、取り外し可能な酸化アルミニウムバイトロッドに対して外付け蒸着法プロセスを利用することにより、二酸化ケイ素スートブランク(すなわち、全長1メートル×10mm直径の上に堆積することにより)から堆積された。アルミニウムバイトロッドは、取り外され、純粋な(ドープした)固化シリカから成る8mm直径のコアケイン(cane)が、二酸化ケイ素スートブランク中に挿入された。次に、スートアセンブリにおいて、このロッドは次のように焼結された。アセンブリは、初めに、1000℃において3%の塩素および97%のヘリウムの雰囲気中で2時間乾燥された。その次に、100%の窒素焼結雰囲気中で、1500℃で、ホットゾーンを通過して32mm/分(おおよそ16℃/分のプリフォームの温度において増加をもたらす)で下方駆動された。プリフォームアセンブリは、25mm/分(おおよそ12.5℃/分のプリフォームの加熱速度)でホットゾーンを通過して再下方駆動(すなわち、二回目)された。その次に、窒素が撒かれたオーバークラッドブランク中でスートを焼結するために、6mm/分(おおよそ3℃/分の加熱速度)で最終的に焼結された。第一の高降下レイトが、光ファイバプリフォームの外側をガラスで囲むために用いられた。それは、プリフォーム中のガスの閉じ込めを容易にする。次に、ブランクは、1000℃に設定されたでオーブンで加熱されながら、アルゴンパージ内で24時間静置された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.47g/cc)スートは、全長1m×8mm直径の純粋なシリカコア茎体の上にフレーム堆積された。次に、このアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、初め、1000℃でヘリウムおよび3%の塩素から成る雰囲気中で二時間乾燥された。その次に、70%の窒素および30%のヘリウム(容量で)雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分で下方駆動された。その次に、窒素およびヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結させるために、25mm/分でホットゾーンを通過し、6mm/分で最終的に焼結された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.46g/cc)スートは、ステップ1から全長1m×8mm直径の純粋なシリカコア茎体の上にフレーム堆積された。次にこのアセンブリは、次のように焼結された。アセンブリは、初め、3%の塩素ガス、ヘリウムの残留分からなる雰囲気中、1000℃で乾燥された。次に、50%窒素および50%ヘリウム(質量で)雰囲気下で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過して下方駆動された。その次に、アセンブリは、25mm/分で同じホットゾーンを通過して再下方駆動された。その後、アセンブリは、窒素およびヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために最終焼結として、6mm/分で同じホットゾーンを通過して再下方駆動された。ブランクは、プリフォームブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.40g/cc)は、ステップ1から全長1m×8mm直径の純粋なシリカコア茎体の上にフレーム堆積された。次に、このアセンブリは、次のように焼結された。アセンブリは、初めに、1000℃でヘリウムおよび3%の塩素の雰囲気中で2時間乾燥された。次に、30%の窒素および70%のヘリウム(質量で)からなる雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分でアセンブリを下方駆動した。アセンブリは、25mm/分で同じホットゾーンおよび雰囲気を通過して再下方駆動された。その後、アセンブリは再び、最終焼結のために、6mm/分で、窒素/ヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために、同じホットゾーンおよび雰囲気を通過し駆動された。次に、ブランクは、ブランクからヘリウムを脱ガスするために、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながら、パージアルゴン中で24時間静置された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.38g/cc)は、ステップ1から全長1m×8mm直径の純粋なコア茎体の上にフレーム堆積された。次に、このアセンブリは、次のように焼結された。アセンブリは、初めに、1000℃でヘリウムおよび3%の塩素の雰囲気中で2時間乾燥された。次に、15%の窒素および85%のヘリウム(質量で)からなる雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分でアセンブリを下方駆動された。アセンブリは、25mm/分で同じホットゾーンおよび雰囲気を通過して再下方駆動された。その後、アセンブリは再び、最終焼結のために、6mm/分で、窒素/ヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために、同じホットゾーンおよび雰囲気を通過し駆動された。次に、ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながら、パージアルゴン中で24時間静置された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.5g/cc)は、全長1m×10mm直径の取り外し可能な酸化アルミニウムのバイトロッドの上に堆積された。スート堆積後、酸化アルミニウムバイトロッドは取り外された。次に、アセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、初めに、1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えたものから成る雰囲気中で2時間乾燥された。次に、100%窒素雰囲気中で1500℃にセットされたホットゾーンを通過して、32mm/分で下方駆動された。次に、アセンブリは、25mm/分で同じホットゾーンおよび雰囲気を通過して再下方駆動された。その後、アセンブリは、再び、窒素/ヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために6mm/分で最終焼結のために同じホットゾーンおよび雰囲気を通過して再下方駆動された。その次に、ブランクはヘリウムを除くために1000℃にセットされたオーブンで加熱されながら、パージアルゴン中で、24時間静置された。ステップ1から得られる3mm純粋シリカコア茎体は、窒素が撒かれた二酸化ケイ素ガラスブランクの中心線の中へ挿入された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.5g/cc)は、全長1m×8mm直径の茎体上にフレーム堆積された。茎体は、小さいぺデスタルと共にステップインデックスを具備し、ぺデスタルは、0mmから1.3mm半径の0.39%デルタステップ、茎体の中央から1.3mmから2.3mm半径の0.06%デルタぺデスタルおよび茎体の中央から2.3mmから4mm半径の純粋なシリカである、二酸化炭素と共に二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コア‐ぺデスタルは、工程1から茎体が製造されるプロセスに類似した方法で製造された。次に、アセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、初めに、1000℃で100%大気雰囲気(質量で、〜78%窒素+〜21%酸素+〜1%アルゴン+〜0.03二酸化炭素)中で2時間保持された。次に、100%大気雰囲気(質量で、〜78%窒素+〜21%酸素+〜1%アルゴン+〜0.03二酸化炭素)中で、エアー‐シード(〜78%窒素+〜21%酸素+〜1%アルゴン+〜0.03二酸化炭素)オーバークラッドブランクにスートを焼結するために、1500℃に設定されたホットゾーンを通過して6mm/分でアセンブリを下方駆動する。ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながら、パージアルゴン中で24時間静置された。
実施例2において製造される固化ブランクは、再線引き加熱炉において1900℃で8mm茎体に再線引きされた。二酸化ケイ素(密度0.54g/cc)スートの750gのオーバークラッドは、全長1m×8mm直径クラッドコア茎体(すなわち、純粋なシリカコア、実施例2において70%の窒素と30%のヘリウムから成る大気を経て生成されるエアラインクラッド)の上に堆積された。次に、このアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、初めに、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えたガスから成る雰囲気中で二時間乾燥された。次に、100%ヘリウム雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して6mm/分で下方駆動された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながら、パージアルゴン中で24時間静置された。空孔含有クラッド領域の外側に配置されたオーバークラッドの一部は、空孔を含有しないボイドフリー固化ガラスであった。
7000gの二酸化ケイ素(密度0.5g/cc)は、ステップ1から茎体を製造するために使われるプロセスに類似して、全長1m×22mm直径ステップインデックス(0.35%デルタ、0.33コア/クラッド直径比)二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コア‐二酸化ケイ素クラッド茎体の上にフレーム堆積された。次に、このアセンブリは、次のように焼結された。アセンブリは、最初に、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えた雰囲気中で乾燥され、次に、2%の一酸化炭素および98%のヘリウム(質量で)から成る雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して、32mm/分でアセンブリを下方駆動した。次に、アセンブリは、25mm/分で同じホットゾーンおよび焼結雰囲気を通過して再線引きされる。その後、アセンブリは、一酸化炭素/ヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために6mm/分で最終焼結プロセスとして再び線引きされた。ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながら、パージアルゴン中で24時間静置された。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.4g/cc)は、全長1m×10mm直径の取り外し可能な酸化アルミニウムバイトロッドの上に堆積された。スート堆積後、酸化アルミニウムバイトロッドは取り外された。次に、このアセンブリは以下のように焼結された。アセンブリは、最初に、1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えたガスから成る雰囲気中で2時間乾燥され、次に、100%四フッ化炭素中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分で下方駆動された。次に、アセンブリは、25mm/分で同じホットゾーンおよび雰囲気を通過して再下方駆動された。その後、アセンブリは、四フッ化炭素(および一酸化炭素または二酸化炭素を含有するシリカと一体となった四フッ化炭素ガス反応物)が撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結する前に、6mm/分で最終焼結として、同じホットゾーンおよび雰囲気中を通過して、再び下方駆動された。次に、ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
実施例2において、製造された固化ブランクは、再線引き加熱炉内で、1900℃で8mmの茎体に線引きされた。750gの二酸化ケイ素(密度0.56g/cc)のオーバークラッドスートは、全長1m×8mm直径の純粋なシリカコア、エアラインクラッド(実施例17において100%窒素を経由して製造される)の上に堆積された。次に、アセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えたガスからなる雰囲気中で2時間乾燥され、次に、100%窒素(質量で)雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して、32mm/分で下方駆動された。次に、25mm/分でホットゾーンを通過して再下方駆動され、最終的に、窒素/ヘリウムが撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために、6mm/分で焼結された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で、24時間静置された。
500gの二酸化ケイ素(密度0.46g/cc)スートは、全長1m×15mm直径の純粋なシリカコア茎体の上に堆積された。次にこのアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、最初に、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えたガスからなる雰囲気中で2時間乾燥された。次に、70%窒素および30%の四フッ化ケイ素から成る雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過し32mm/分で下方駆動された。次に、同じ雰囲気中で25mm/分でホットゾーンを通過し再下方駆動された。最後に、ドープされたフッ素に窒素を加えた気体が撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために、6mm/分、100%窒素中で焼結された。ブランクは、1000℃にセットされたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
500gの二酸化ケイ素(密度0.53g/cc)スートは、二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素グレイデッド屈折率(放物形のピークにおいて2%デルタ(Δ)屈折率(対シリカ))の全長1m×15mm直径固体ガラス茎体の上にフレーム堆積された。次に、このアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、最初に、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えた気体から成る雰囲気中で二時間乾燥された。次に、100%窒素雰囲気中で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分で下方駆動された。次に、同じ雰囲気中で25mm/分でホットゾーンを通過し再下方駆動された。最後に、窒素が撒かれたオーバークラッドブランクへスートを焼結するために、6mm/分、100%窒素中で焼結された。ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
1200gの二酸化ケイ素(密度0.47g/cc)スートは、二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素グレイデッド屈折率(放物形のピークにおいて2%デルタ(Δ)屈折率(対シリカ)の上にフレーム堆積された。次に、アセンブリは以下のように焼結された。アセンブリは、まず、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えた気体からなる雰囲気中で2時間乾燥された。次に、100%酸素雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分で下方駆動された。次に、同じ雰囲気中で、25mm/分でホットゾーンを通過し再下方駆動された。最後に、酸素が撒かれたオーバークラッドブランクへスートを焼結するために、6mm/分、100%酸素中で焼結された。ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
実施例8に記載されている光ファイバプリフォームは、2000℃にセットされた8"ロングホットゾーンを具備する加熱炉内で、3m/秒で、125ミクロン直径のファイバに線引きされた。このファイバの端面のSEM解析は、0.03ミクロンにおける0.63ミクロン直径の平均空孔直径、最少直径空孔、1.9ミクロンの最大直径および0.32ミクロンの標準偏差を持つ8.5領域的ボイド領域比率(窒素充てん)を含有し、クラッド領域付近に含有する約18ミクロン半径エアラインを示した。それらは、125ミクロン(全半径範囲は、光ファイバの中心から測られる)の外径を具備するボイド‐フリーの純粋なシリカ内部クラッドによって囲まれている。実施例8において線引きされたファイバは、0.45ミクロンの平均直径を持つ2.9領域的ボイド領域比率(窒素)しか具備していない。このように、実施している線引き条件(より長いホットゾーンおよび、より早い線引きスピードの場合)は、空孔エア‐フィルフラクションおよび空孔直径を制御するための方法として使われ得る。クラッド領域を含有するエアラインの外側に配置されるオーバークラッド部分は、空孔を具備しないボイドフリー固化ガラスであった。
3000gの二酸化ケイ素(密度0.53g/cc)スートは、全長1m×8mm直径の純粋なシリカコア茎体の上にフレーム堆積された。このアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えた気体からなる雰囲気中で2時間乾燥された。次に、100%アルゴン(質量で)中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分で下方駆動された。次に、25mm/分でホットゾーンを通過し再下方駆動された。最後に、アルゴンが撒かれたオーバークラッドブランクへスートを焼結するために、6mm/分で、アルゴン中で焼結された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。ブランクは、実施例1と類似の方法で、125ミクロン直径ファイバに線引きされた。ファイバの端面のSEM解析は、約22ミクロン直径固体シリカコアおよび0.03ミクロンにおける0.35ミクロン直径の平均空孔直径、最少直径空孔、0.85ミクロンの最大直径および0.15ミクロンの最少直径を有する約8.0領域的ボイド領域比率(アルゴン)を含有するクラッドを示した。このファイバの光学特性は、マルチモード減衰で計測される時、1310nmおよび1550nmにおいてそれぞれ1.65 dB/kmおよび1.20dB/kmであった。
3000gの二酸化ケイ素(0.55g/cc)スートは、全長1m×8mm直径の純粋なシリカコア茎体の上にフレーム堆積された。次にこのアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、100%窒素(質量で)雰囲気中で1500℃に設定されたホットゾーンを通過して32mm/分で下方駆動された。次に、25mm/分でホットゾーンを通過し再下方駆動された。最後に、窒素が撒かれたオーバークラッドブランクにスートを焼結するために、6mm/分で焼結された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で、24時間静置された。ブランクは、実施例1と類似の方法で125ミクロン直径のファイバに線引きされた。ファイバの端面のSEM解析は、0.22ミクロンの平均直径、0.03ミクロンにおける最少直径および0.50ミクロンの最大直径および0.08ミクロンの標準偏差を持つ約22ミクロン直径固体シリカコアおよび2.0領域的ボイド領域比率(窒素)を含有するクラッドを示した。このファイバの光学特性は、シングルモードファイバにスプライスされこのファイバの基本モードを計測する時、1550nmにおいてマルチモード減衰および0.28dB/kmとして計測されるので、1310nmおよび1550nmにおいてそれぞれ1.28および0.87であった。
4600gの二酸化ケイ素(密度0.42g/cc)スートは、全長1m×10mm直径グレイデッド屈折率(0.35%デルタΔ、0.33コア/クラッド直径比)二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素‐コア二酸化ケイ素クラッド茎体の上にフレーム堆積された。ステップ1から茎体を製造するために使われるステップに類似している。次に、このアセンブリは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えた気体からなる雰囲気中で2時間乾燥された。次に、酸素が撒かれたオーバークラッドブランクへスートを焼結するために100%酸素(質量で)雰囲気中で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過し6mm/分で下方駆動された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。
290gの二酸化ケイ素(密度0.47g/cc)スートは、全長1m×10.4直径グレイデッド屈折率(0.35%デルタ(Δ)、0.33コア/クラッド直径比)二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コア二酸化ケイ素クラッドコア茎体の上にOVD法により堆積され、スートシリカ領域によって交互に囲まれている固化シリカクラッド領域により囲まれている固化コア領域を包含するプリフォーム中に生成された。次に、このアセンブリのスートクラッドは、以下のように焼結される。アセンブリは、まず、最初に1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えた気体から成る雰囲気中で2時間乾燥された。その次に、100%酸素焼結雰囲気中で1490℃に設定されたホットゾーンを通過し200mm/分(下方駆動プロセスの間の、スートプリフォームの外側に対する約100℃/分温度増加に相当する)で下方駆動された。プリフォームアセンブリは、100mm/分(下方駆動プロセスの間の、スートプリフォームの外側に対する約50℃/分温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過し再下方駆動(すなわち、2回目)された。プリフォームアセンブリは、次に、50mm/分(下方駆動プロセスの間の、スートプリフォームの外側に対する約25℃/分の温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過して再下方駆動(すなわち、3回目)された。プリフォームアセンブリは、次に、25mm/分(下方駆動の間の、スートプリフォームの外側に対する約12.5℃の温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過して再下方駆動(すなわち4回目)された。最後に、酸素が撒かれたオーバークラッドブランク中へスートを焼結するために、6mm/分(約3℃/分の加熱速度)で焼結された。ファーストシリーズの高い降下速度は、プリフォーム中でガスの封じ込めを促進する光ファイバプリフォームの外側をガラスで囲むために用いられた。次に、ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。次に、ブランクは、旋盤の後ろに置かれ、そこで、3600gの追加の二酸化ケイ素(密度0.42g/cc)が、OVD法により堆積された。次に、このアセンブリに使われるこのクラッドの(オーバークラッドと呼ばれるであろう)スートは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えた気体からなる雰囲気中で2時間乾燥された。次に、ゲルマニウム含有ボイド‐フリーコア、シリカボイド‐フリー内部クラッド、シリカ酸素‐シードリング(すなわち、酸素を含有する空孔を持つシリカ)およびボイド‐フリーオーバークラッドブランクにスートを焼結するために、100%ヘリウム(質量で)雰囲気中で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過し6mm/分で下方駆動された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。光学ファイバプリフォームは、2000℃に設定された8" ロングホットゾーンを具備する加熱炉中で20meters/秒で、約125ミクロン直径ファイバに線引きされた。ファイバの端面のSEM解析は、125ミクロン(光ファイバの中心から計測される全ての半径範囲)の外径を有するボイド‐フリーの純粋なシリカ外端クラッドにより囲まれ12ミクロン外半径ボイド‐フリー近接クラッド領域により囲まれる約4ミクロン半径の二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コアを示した。ボイド含有リング領域は、2.7%領域的領域比率空孔(質量で、100%酸素)を包含していた。その領域では、0.36ミクロンの平均直径、0.05ミクロンでの最少直径空孔および0.8ミクロンの最大径を有し、ファイバの断面において総数、約105個の空孔が生成された。総ファイバボイド領域比率(光ファイバ断面積×100の総領域により分配される空孔の領域)は、約0.1%であった。このファイバの光学特性は、1310nmおよび1550nmにおいてそれぞれ、0.33nmおよび0.19dB/km、また、ファイバのカットオフは、約1250nmであった。それにより、ファイバは、1250nmより上の波長においてシングルモードを形成する。このファイバの一部は、10mm直径回転軸付近の曲げ耐性が計測され、ファイバは、1550nmにおいて約0.2dB/kmの減衰増加を示した。このように、10mm直径回転軸付近での、1dB/km以下、好ましくは0.5dB/km以下の減衰増加を示している。このファイバの同じ部分は、20mm直径マンドレル付近での曲げ耐性が計測され、ファイバは、1550nmにおいて約0.02dB/ターンの減衰増加を示した。このように、20mm直径回転軸周囲の1dB/ターン以下、好ましくは、0.1dB//ターン以下、さらに好ましくは0.05dB/ターン以下減衰増加を示すことが可能である。
450gの二酸化ケイ素(密度0.37g/cc)スートは、完全に固化した全長1m×22mm直径グレイデッド屈折率(0.35%デルタ(Δ)、0.33コア/クラッド直径比)二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コア‐二酸化ケイ素クラッドコア茎体の上にOVD法によって堆積され、それにより、スートシリカ領域により交互に囲まれる固化シリカクラッド領域により囲まれた固化コア領域を包含するプリフォーム中に生成された。次に、このアセンブリのスートクラッドは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、1000℃においてヘリウムに3%の塩素を加えた気体からなる雰囲気中で2時間乾燥された。次に、200mm/分(下方駆動プロセスの間、100%窒素焼結雰囲気中で1490℃に設定されたホットゾーンを通過して、スートプリフォームの外端に対する約100℃/分の温度上昇に相当する)で下方駆動された。次に、プリフォームは、100mm/分(下方駆動プロセスの間、スートプリフォームの外端に対する50℃/分の温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過し再下方駆動(すなわち2回目)された。次に、プリフォームアセンブリは、25mm/分(下方駆動プロセスの間、スートプリフォームの外端に対する12.5℃/分の温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過し再下方駆動(すなわち、4回目)された。最後に、窒素が撒かれたオーバークラッド中へスートを焼結するために、6mm/分(約3℃/分の加熱速度)で焼結された。ファーストシリーズのより高い降下速度は、プリフォーム中でガスの封じ込めを促進する光ファイバプリフォームの外端をガラスで囲むために用いられた。次に、ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。ブランクは、次に、1900℃で、再び線引き加熱炉で13mm直径の茎体の中に再び線引きされた。前プロセスで得られた全長1m、13mm直径のケイン(cane)は、次に、旋盤の後ろに置かれ、そこでは、4700gの追加の二酸化ケイ素(密度0.37g/cc)スートが、OVD法により堆積された。次に、このアセンブリに対してこのクラッド(オーバークラッドと称される)のスートは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、ヘリウムに3%の塩素を加えた気体から成る雰囲気中で、2時間乾燥された。その次に、ゲルマニウム含有ボイド‐フリーコア、シリカボイド‐フリー内部クラッド、シリカ窒素‐シードリング(すなわち、窒素を含有するホールを持つシリカ)およびボイド‐フリーオーバークラッドブランクへスートを焼結するために、100%ヘリウム(質量で)中で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過し、6mm/分で下方駆動された。ブランクは、ブランクからヘリウムを除くために、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。光ファイバプリフォームは、2000℃に設定された8"ロングホットゾーンを有する加熱炉内で、10meters/秒で約125ミクロン直径のファイバに線引きされた。ファイバの端面の光学顕微鏡画像は、約125ミクロン(光ファイバの中心から計測された全半径範囲)の外径を有するボイド‐フリーの純粋なシリカ外端クラッド、クラッド領域(約3ミクロンのリングの厚さ)を含有する15ミクロン外半径および12ミクロン外半径ボイド‐フリー近接クラッド領域により囲まれた約4ミクロン半径二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コアを示した。ボイド含有リング領域は、約3%領域%ホール(質量で、100%窒素)を包含した。その領域は、約0.2ミクロンの平均径を有していた。総ファイバボイド領域比率(光ファイバの断面積の総領域×100で分配されるホールの領域)は、約0.1%であった。このファイバの光学特性は、1310nmおよび1550nmにおいてそれぞれ、0.34 dB/kmおよび0.196dB/kmであり、ファイバのカットオフは、1290nmであった。それにより、1290nmより上の波長においてファイバのシングルモードが形成された。このファイバの一部は、10mm直径回転軸周囲での曲げ性能が計測され、ファイバは、1550nmにおいて、約0.11の減衰増加を示した。このように、10mm直径回転軸周囲で、1dB/ターン以下、好ましくは0.5dB/ターンの減衰増加を示した。このファイバの同じ部分の20mm直径マンドレル周囲での曲げ性能として、1550nmにおいて0.016 dB/ターンの減衰増加が計測された。このように、20mm直径回転軸周囲において1 dB/ターン以下、好ましくは0.1dB/ターン以下、さらに好ましくは0.05dB/ターン以下の減衰増加を示した。
130gの二酸化ケイ素(密度0.37g/cc)スートは、完全に固化した全長1m×10.5mm直径のグレイデッド屈折率(0.35%デルタ(Δ)、0.33コア/クラッド直径比)二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コア‐二酸化ケイ素クラッドコア茎体の上にOVD法により堆積された。それにより、スートシリカ領域により交互に囲まれた固化シリカクラッド領域により囲まれた固化コア領域を包含したプリフォームが生成された。次に、このアセンブリのスートクラッドは、以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、1000℃でヘリウムに3%の塩素を加えた気体から成る雰囲気中で2時間乾燥された。次に、100%アルゴン焼結雰囲気中で1490℃に設定されたホットゾーンを通過して200mm/分(下方駆動プロセスの間、スートプリフォームの外端に対する約50℃/分の温度上昇に相当する)で下方駆動された。プリフォームアセンブリは、100mm/分(下方駆動プロセスの間、スートプリフォームの外端に対する約50℃/分の温度上昇に相当する)で再び下方駆動(すなわち、2回目)された。次に、プリフォームアセンブリは、50mm/分(下方駆動プロセスの間、スートプリフォームの外端に対する約25℃/分の温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過し再び下方駆動された(すなわち、3回目)。次に、プリフォームアセンブリは、25mm/分の下方駆動プロセスの間、スートプリフォームの外端に対する約12.5℃/分の温度上昇に相当する)でホットゾーンを通過し再び下方駆動された(すなわち、4回目)。最後に、アルゴン‐シードオーバークラッドブランクの中にスートを焼結するために、6mm/分(約3℃/分の加熱速度)で焼結された。ファーストシリーズのより高い降下レイトは、光ファイバプリフォームの外端をガラスで囲むために用いられ、それは、プリフォーム内でのガスの封じ込めを促進する。ブランクは、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながら24時間静置された。次に、プリフォームは、旋盤の後ろに置かれ、そこでは、500gの追加の二酸化ケイ素(密度0.44g/cc)スートがOVD法により堆積された。このアセンブリに対するクラッド(オーバークラッドと呼ばれるであろう)のスートは以下のように焼結された。アセンブリは、まず、最初に、ヘリウムに3%の塩素を加えた気体からなる雰囲気中で、1000℃で2時間乾燥された。次に、ゲルマニウム含有ボイドフリーコア、シリカボイド‐フリー内部クラッド、シリカアルゴン‐シードリング(すなわち、アルゴンを含有するホールを有するシリカ)およびボイド‐フリーオーバークラッドブランクにスートを焼結するために100%ヘリウム(質量で)中で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過して6mm/分で下方駆動された。ブランクは、ブランク中からヘリウムガスを除くために、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で24時間静置された。光ファイバプリフォームは、2000℃に設定された8"ロングホットゾーンを有する加熱炉内で20meters/秒で、約125ミクロン直径のファイバに線引きされた。ファイバの端面の光学顕微鏡画像は、約125ミクロン(光ファイバの中心から計測された全半径範囲)の外径を有するボイド‐フリーの純粋なシリカ外端クラッドにより囲まれている約4ミクロン半径二酸化ゲルマニウム‐二酸化ケイ素コアを示した。ボイド含有リング領域は、約0.3ミクロンの平均径を持つ領域を有するアルゴンを包含した。このファイバの特性は、1310nmおよび1550nmにおいてそれぞれ、0.37 dB/kmおよび0.226dB/kmであり、ファイバのカットオフは、約1270nmであった。このファイバの一部は、10mm直径回転軸周囲での曲げ性能として、1550nmにおいて約0.27dB/ターンの減衰増加が計測された。このように、ファイバは、10mm直径回転軸周囲において、1dB/ターン以下、好ましくは、0.5dB/ターン以下の減衰増加を示した。このファイバの同じ部分は、20mm直径マンドレル周囲における曲げ性能として、1550nmにおいて約0.026dB/ターンの減衰増加が計測された。このように、20mm直径周囲において、1dB/ターン以下、好ましくは、0.1dB/ターン以下、さらに好ましくは0.05dB/ターン以下の減衰増加を実証することが可能である。
比較実施例
ブランクは、実施例1と類似の方法で製造されるが、ヘリウムのみで焼結された。アセンブリは、まず、最初に、1000℃において、ヘリウムに3%の塩素を加えた雰囲気中で、2時間乾燥された。次に、100%ヘリウムからなる雰囲気中で、1500℃に設定されたホットゾーンを通過し、32mm/分でアセンブリは下方駆動された。アセンブリは、次に、25mm/分で同一のホットゾーンおよび雰囲気中を通過し、再び下方駆動された。その後、アセンブリは、再び、最終焼結のために6mm/分で駆動された。予期した通り、シードを含有しないクラッドガスが検出された。ブランクは、ヘリウムを脱ガスするために、1000℃に設定されたオーブンで加熱されながらパージアルゴン中で、24時間静置された。実施例1と類似の方法で、ブランクが125ミクロンのファイバに線引きされた時、空孔を含有しないファイバが発見された。(これは、想定していた通りである)2.4kmの長さのファイバは、カットバック法(100dB/kmより大きい減衰を示す)により、計測されるように光を伝達しなかった。コアとクラッドの間に、屈折率コントラストがないので、これは予測されていた。
Claims (41)
- 第一屈折率を具備するコア領域およびファイバを通して伝達することができる光が全体的にコア領域内部で保持されるようにコア領域の屈折率よりも低い第二屈折率を具備するクラッド領域を包含する微細構造光ファイバであって、クラッドはその中に、非周期的に配置された複数個のボイドから成る少なくとも1つの領域を包含し、95%以上のボイドが1550nmおよびそれ以下の最大径を具備し、前記ファイバが、600nmから1550nmの間で少なくとも1つの波長において500dB/km以下の減衰を示す微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバ内の95%以上のボイドが、775nmまたはそれ以下の最大直径を具備する請求項1記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが、1550nmにおいて200dB/km以下の減衰を示す請求項1記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバのクラッド内の完全なボイド含有領域が、約0.5%以上および約20%以下の領域的ボイド領域比率を示す請求項3記載の微細構造光ファイバ。
- 非周期的に分配された空孔を含有する前記領域が、直接コアに隣接していない請求項1記載の微細構造光ファイバ。
- 約10%以上の領域的ボイド領域比率を示す前記コアから10ミクロン以内の距離にある前記ファイバのクラッドの少なくとも一部である請求項3記載の微細構造光ファイバ。
- 前記コアが、ゲルマニウムを包含する請求項1記載の微細構造光ファイバ。
- 前記コアが、ゲルマニウムを包含する請求項3記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが、20dB/ターン以下である10mm直径回転軸周囲で曲げられる時、1550nmにおいて減衰増加を示す請求項7記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ボイドの最大径の各々が、375nm以下である請求項1記載の微細構造光ファイバ。
- 前記クラッドが、非周期的に配置された複数個のボイドから成るクラッド内にボイド含有領域を包含し、前記ボイド含有領域内で、少なくとも95%のボイドが1550nmまたはそれ以下の最大径を具備し、ファイバが、0.01%以上の総ファイバボイド領域比率を示す、第一屈折率を具備するコア領域およびファイバを通して伝達される光が一般的にコア領域内部で保持されるようなコア領域の屈折率よりも低い第二屈折率を具備するクラッド領域を包含する微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが、10%以下の総ファイバボイド領域比率を示す請求項11記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが1550nm以下の平均ファイバ直径を示し、前記ホールの標準偏差が1ミクロン以下である請求項11記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが、20dB/ターン以下である10mm直径回転軸周囲で曲げられる時、1550nmにおいて減衰増加を示す請求項11記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ボイド含有領域が、前記コアから離れ間隔をあけて配置される請求項12記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ボイド含有領域が、少なくとも25個の空孔を包含し、前記ボイド含有領域において空孔の平均直径が200nm以下である請求項11記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ボイド含有領域が、少なくとも25個の空孔を包含し、前記ボイド含有領域において、空孔の平均直径が、775nm以下である請求項11記載の微細構造光ファイバ。
- 前記クラッドが、コア領域を囲むクラッド内で1つの領域を包含し、約2000nm以下の平均直径および約750以下の標準偏差からなり、前記ボイド含有領域が、前記ファイバのコア領域から離れて配置され、第一屈折率を具備するコア領域およびファイバを通して伝達される光が一般的にコア領域内部で保持されるようなコア領域の屈折率よりも低い第二屈折率を具備するクラッド領域を包含する微細構造光ファイバ。
- 前記空孔含有領域が、約25から200個の空孔を包含する請求項18記載の微細構造光ファイバ。
- 前記空孔含有領域において、空孔の平均径が775nm以下である請求項18記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが、20dB/ターン以下である10mm直径回転軸周囲で曲げられる時1550nmにおいて減衰増加を示す請求項18記載の微細構造光ファイバ。
- 前記ファイバが15dB/ターン以下の10mm直径回転軸周囲で曲げられる時、1550nmにおいて減衰増加を示す請求項18記載の微細構造光ファイバ。
- CVD工程によってスート含有光ファイバプリフォームを形成することを包含する光ファイバの製造方法;前記固化ステップの間、前記プリフォーム内で前記ガス状雰囲気の一部を捉えるのに効果的である条件下、ガス状の雰囲気中でプリフォームを含有する前記スート内でスートを固化し、それにより、前記プリフォーム内にボイドを具備する固化プリフォームを形成し、第一屈折率を具備するコア領域およびコアの屈折率よりも低い第二屈折率を具備するクラッド領域を具備する光ファイバを製造するための製造工程において前記プリフォームが使用され、ファイバが断面から観測される時、前記クラッドが、総ファイバボイド領域比率を囲んでいる非周期的に配置されたボイドの領域を包含している。その割合は、0.05%以上である。
- 前記固化ステップが、1500℃よりも高い加熱炉温度で前記スート含有プリフォームを固化し、10℃以上の第1ランプ速度温度で前記プリフォームを加熱し、前記ガス状雰囲気は、窒素、アルゴン、二酸化炭素、酸素、塩素、四フッ化炭素、一酸化炭素、二酸化硫黄およびそれらの混合ガスから成る群から選択された少なくとも一つのガスを包含し、固化ステップにおいて形成される前記ボイドが、前記ファイバ内で保持されるような前記プリフォームから光ファイバを線引きすることを包含する製造プロセスにおいて、前記プリフォームを使用する請求項23記載の方法。
- 前記固化ステップにおいて前記スート含有プリフォームが、前記CVD工程によって堆積される追加のスートの上にある少なくとも一つのボイドフリーコア領域を包含し、前記固化ステップが、前記固化プリフォームのクラッド領域においてボイドを有する前記プリフォームを生成する請求項23記載の方法。
- 前記ボイドのそれぞれの最大断面直径は、1550nm以下である請求項23記載の方法。
- 前記スートプリフォームがチューブ状のプリフォームを包含しおよび前記固化プリフォームがチューブ状プリフォームを包含する請求項24記載の方法。
- ガラスコアロッドの外側にCVDによりスートを堆積することを包含および固化ステップは、前記形成ステップ後に実施される請求項23記載の方法。
- 前記プリフォームを使用する前記工程は、さらに、光ファイバの中へ前記固化プリフォームを線引きすることを包含し、前記固化ステップの間に形成された前記ボイドは、前記線引き工程の間、保持および脱泡され、前記線引き工程後、ファイバ内に留まっている請求項23記載の方法。
- ガス状雰囲気が、アルゴン、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、酸素、四フッ化炭素、六フッ化エタン、クリプトンおよびその混合物から成る群から選択された少なくとも一つのガスを包含する請求項23記載の方法。
- CVD工程によってスート含有光ファイバプリフォームを形成することを包含する光ファイバの製造方法;前記固化ステップの間、前記プリフォーム内で、前記ガス状雰囲気の一部を捉えるのに効果的な条件下で、アルゴン、二酸化炭素、酸素、塩素、四フッ化炭素、一酸化炭素、二酸化硫黄およびその混合ガスから成る群から選択された少なくとも1つのガスを包含するガス状雰囲気中で、スートプリフォームを固化し、それにより、前記固化プリフォーム内にボイドの形成をもたらし、第一屈折率を具備するコア領域およびファイバを通して伝達される光が、一般的にコア内部に保持されるようなコアの屈折率よりも低い第二屈折率を具備するクラッド領域を具備する光ファイバを形成する製造工程において前記固化プリフォームを使用する。
- 前記固化ステップは、約1500℃以上の温度に対する前記プリフォームの第一露光および約12℃/分以上の速度で温度上昇をしながら、前記プリフォームの少なくとも一部を生成するのに十分な固化加熱炉内のフィード率を包含する請求項31記載の方法。
- 約14℃/分以上の速度で温度上昇しながら前記プリフォームを生成するのに十分な固化加熱炉内の温度および降下レイトで前記プリフォームを、まず、最初に露光することを包含する請求項31記載の方法。
- 前記固化ステップが、1390℃と同等およびそれ以上の温度で保持される加熱炉内でプリフォームを露光することを包含する請求項33記載の方法。
- 前記固化ステップは、さらに前記第一露光ステップ後、前記第一露光ステップにおける速度よりも低い、少なくとも2℃/分の速度で温度上昇しながら、前記プリフォームを生成するのに十分な固化加熱炉の温度およびフィード率で前記プリフォームを露光することを包含する請求項32記載の方法。
- 前記固化ステップは、さらに前記第一露光ステップ後、前記プリフォーム工程における速度よりも低い少なくとも2℃/分の速度で温度上昇しながら前記プリフォームを生成するのに十分な固化加熱炉の温度およびフィード率で前記プリフォームを露光することを包含する請求項32記載の方法。
- 前記雰囲気が、質量で85%以上の量において、窒素、アルゴン、およびその組み合わせから成る群から選択された少なくとも1つのガスを包含し、前記雰囲気の残りが少なくとも実質的にヘリウムで構成されている請求項35記載の方法。
- 前記雰囲気は、質量で65%以上の量において窒素およびアルゴンを包含する請求項31記載の方法。
- 前記方法は、さらに、(1)ゲルマニウムでドープしたコア茎体の上に、前記スートを堆積することによりプリフォームを含有する前記スートを形成することあるいは、(2)前記固化工程により形成されたクラッド領域を含むボイド中へゲルマニウムでドープされたコア茎体を挿入することを包含する請求項31記載の方法。
- 非周期的に分配された空孔を含有する前記領域が直接、コアに近接していない請求項31記載の方法。
- 前記光ファイバは、第一屈折率を具備するコア領域およびファイバを通して伝達される光が、コア内部において一般に保持されるようなコア領域の屈折率よりも低い第二屈折率を具備するクラッド領域を具備するコア領域を包含し、クラッドは、非周期的に分配された複数個のボイドから成るクラッド内で少なくとも一つの領域を包含し、前記ファイバは、前記ファイバが1dB/ターン以下の5mm半径を具備する回転軸周囲で一回巻かれる時、1550nmにおいてマルチモードであり1550nmにおいて減衰増加を示す、1550nmにおいてマルチモードである微細構造光ファイバ。
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