JP2009289913A - 露光装置とその製造方法及び露光装置のメンテナンス方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】露光装置構成体の搬送に伴う生産性の低下を抑制する。
【解決手段】露光装置構成体1と、露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間15を形成する収容体6とを有する。収容体は、収容体本体7に対して分離可能、且つ露光装置構成体と一体化可能に設けられた分離体16を備える。分離体と露光装置構成体とを一体的に案内して搬送可能とする案内装置70を備える。
【選択図】図1
【解決手段】露光装置構成体1と、露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間15を形成する収容体6とを有する。収容体は、収容体本体7に対して分離可能、且つ露光装置構成体と一体化可能に設けられた分離体16を備える。分離体と露光装置構成体とを一体的に案内して搬送可能とする案内装置70を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光装置とその製造方法及び露光装置のメンテナンス方法に関するものである。
半導体素子等を製造する際に、マスクとしてのレチクルのパターンの像を、投影光学系を介して基板としてのレジストが塗布されたウエハ(又はガラスプレート等)上の各ショット領域に転写する投影露光装置が使用されている。従来は、投影露光装置として、ステップ・アンド・リピート方式(一括露光型)の投影露光装置(ステッパー)が多用されていたが、最近ではレチクルとウエハとを、投影光学系(光学部材)に対して同期走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方式のような走査露光型の投影露光装置(走査型露光装置)も注目されている。
上記の如く従来の露光装置では、ウエハステージ等の駆動部と投影光学系とが同一の構造体に固定されていたため、ステージの駆動反力により生じる振動が構造体に伝達し、更に投影光学系にも振動が伝達していた。そして、全ての機械構造物は所定の周波数の振動に対して機械共振するため、このような振動がその構造体に伝達すると、構造体の変形や共振現象が引き起こされ、転写パターン像の位置ずれやコントラストの低下が生じるという不都合があった。
そこで、特許文献1には、投影光学系を支持する支持部材と、柔構造を有する支持部材を介して投影光学系をフレームに吊り下げ支持する連結部材とを備えることにより、比較的簡単な機構で投影光学系に伝わる振動を抑える技術が開示されている。
国際公開第06/038952号パンフレット
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
メンテナンス処理を行うために、レチクルステージやウエハステージ等の露光装置構成体を露光装置から取り外す場合、これらのステージはいずれも大きな重量を有しているため、多大な手間と時間を要し、生産性の低下を招きかねない。
特に、縮小系の投影光学系を用いる場合、レチクルステージはウエハステージと比較して、縮小倍率に応じた数倍の移動ストロークを有することから、数トンもの重量を有し、メンテナンス処理に要する手間と時間は膨大なものとなってしまう。
さらに、上記露光装置では、露光装置構成体はチャンバ(収容体)に収容されているため、予めチャンバを取り外して搬出する必要があり、やはり露光装置構成体の取り外しに伴う作業量の増加を招いてしまう。
上記の問題は、メンテナンス処理を実行するときに限られず、露光装置を組立・製造する際にも同様に生じる。
メンテナンス処理を行うために、レチクルステージやウエハステージ等の露光装置構成体を露光装置から取り外す場合、これらのステージはいずれも大きな重量を有しているため、多大な手間と時間を要し、生産性の低下を招きかねない。
特に、縮小系の投影光学系を用いる場合、レチクルステージはウエハステージと比較して、縮小倍率に応じた数倍の移動ストロークを有することから、数トンもの重量を有し、メンテナンス処理に要する手間と時間は膨大なものとなってしまう。
さらに、上記露光装置では、露光装置構成体はチャンバ(収容体)に収容されているため、予めチャンバを取り外して搬出する必要があり、やはり露光装置構成体の取り外しに伴う作業量の増加を招いてしまう。
上記の問題は、メンテナンス処理を実行するときに限られず、露光装置を組立・製造する際にも同様に生じる。
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、露光装置構成体の搬送に伴う生産性の低下を抑制できる露光装置とその製造方法及び露光装置のメンテナンス方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図1ないし図8に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の露光装置は、露光装置構成体(1)と、露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間(15)を形成する収容体(6)とを有する露光装置であって、収容体は、収容体本体(7)に対して分離可能、且つ露光装置構成体と一体化可能に設けられた分離体(16)を備え、分離体と露光装置構成体とを一体的に案内して搬送可能とする案内装置(70)を備えるものである。
本発明の露光装置は、露光装置構成体(1)と、露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間(15)を形成する収容体(6)とを有する露光装置であって、収容体は、収容体本体(7)に対して分離可能、且つ露光装置構成体と一体化可能に設けられた分離体(16)を備え、分離体と露光装置構成体とを一体的に案内して搬送可能とする案内装置(70)を備えるものである。
また、本発明の露光装置の製造方法は、露光装置構成体(1)と、露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間(15)を形成する収容体(6)とを有する露光装置の製造方法であって、収容体に、収容体本体(7)に対して分離可能、且つ露光装置構成体と一体化可能に分離体(16)を設け、分離体と露光装置構成体とを一体的に案内して搬送して設置する工程を有するものである。
さらに、本発明の露光装置のメンテナンス方法は、露光装置構成体(1)と、露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間(15)を形成する収容体(6)とを有する露光装置(EX)のメンテナンス方法であって、収容体に、収容体本体(7)に対して分離可能、且つ露光装置構成体と一体化可能に分離体(16)を設け、分離体と露光装置構成体とを一体的に案内して搬出する工程を有するものである。
従って、本発明の露光装置およびその製造方法並びに露光装置のメンテナンス方法では、露光装置構成体(1)を搬送する際には、収容体本体(7)に対して分離させた分離体(16)と露光装置構成体とを一体化し、これら一体化された分離体と露光装置構成体とを案内装置(70)により案内して搬送することが可能となる。そのため、本発明では、ステージ等、大きな重量を有する露光装置構成体であっても、予め収容体の一部を取り外して搬出することなく、容易に搬送することができ、搬送に伴う生産性及び組立性の低下を抑制することができる。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
なお、本発明をわかりやすく説明するために、一実施例を示す図面の符号に対応付けて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
本発明では、露光装置構成体の搬送に伴う生産性の低下を抑制することができる。
以下、本発明の露光装置とその製造方法及び露光装置のメンテナンス方法の実施の形態を、図1ないし図8を参照して説明する。
本実施形態では、マスクのパターンを基板に露光装置において、マスクの温度を調整する場合の例を用いて説明する。
なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
本実施形態では、マスクのパターンを基板に露光装置において、マスクの温度を調整する場合の例を用いて説明する。
なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
図1は、本実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置EXが、極端紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光で基板Pを露光するEUV露光装置である場合を例にして説明する。極端紫外光は、例えば波長5〜50nm程度の軟X線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、EUV光、と称する。一例として、本実施形態では、波長13.5nmのEUV光を露光光ELとして用いる。
まず、本実施形態に係る露光装置EXの概略について説明する。
図1において、露光装置EXは、パターンが形成された平板状部材としてのマスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ(ステージ装置)1と、基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ2と、露光光ELを発生する光源装置3と、光源装置3からの露光光ELでマスクMを照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置4とを備えている。基板Pは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材(レジスト)等の膜が形成されたものを含む。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
図1において、露光装置EXは、パターンが形成された平板状部材としてのマスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ(ステージ装置)1と、基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ2と、露光光ELを発生する光源装置3と、光源装置3からの露光光ELでマスクMを照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置4とを備えている。基板Pは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材(レジスト)等の膜が形成されたものを含む。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
マスクMは、EUV光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置EXは、多層膜でパターンが形成されたマスクMの表面(反射面)を照明光(EUV光)で照明し、そのマスクMで反射した露光光ELによって感光性を有する基板Pを露光する。
本実施形態の露光装置EXは、照明光及び露光光ELが進行する第1空間5を所定状態の環境に設定可能なチャンバ装置(収容体)6を備えている。チャンバ装置6は、主として、露光光ELが進行する第1空間5を形成する第1空間形成部材(収容体本体)7と、第1空間5の環境を調整する第1調整装置8と、第1空間形成部材と分離可能に設けられ、主として、第1空間形成部材7の外面との間で、マスクステージ1を収容する第2空間15を形成する第2空間形成部材(分離体)16と、第2空間15の環境を調整する第2調整装置17とを備えている。
本実施形態において、第1調整装置8は、真空システムを含み、第1空間5を真空状態に調整する。制御装置4は、第1調整装置8を用いて、照明光及び露光光ELが進行する第1空間5をほぼ真空状態に調整する。真空状態の一例として、本実施形態においては、第1空間5の圧力は、1×10−4〔Pa〕程度の減圧雰囲気に調整される。なお、この第1空間5で設定される圧力の値を、適宜、第1の圧力値として説明する。
第2空間15は、マスクステージ1の少なくとも一部(例えば、後述する第1ステージ13等)を収容する。本実施形態において、第1空間5及び第2空間15の外側は、大気空間であり、その圧力は、大気圧である。第2調整装置17は、第2空間15を、第1空間5の圧力よりも高く、大気圧よりも低い圧力に調整する。一例として、本実施形態においては、第2空間15の圧力は、1×10−1〔Pa〕程度の減圧雰囲気に調整される。なお、この第2の空間で設定される圧力の値を、適宜、第2の圧力値として説明する。
第1空間形成部材7は、上方側(+Z側)に向けて開口しており、開口端にはフランジ部7aが形成されている。フランジ部7aには、図2(a)に示すように、雌ネジ部7bが複数箇所に亘って形成されている。
第2空間形成部材16は、上記フランジ部7aに載置して設けられる載置部16aと、両端の載置部16a間に跨り、中央部が膨出して設けられたドーム部16d、マスクステージ1をガイドするガイド部材18とを有している。載置部16aは、中央部が開口して第1空間5と連通する開口部16bを有している。載置部16aの開口部16bの近傍には、ガイド部材18との間に所定量の隙間をあけて+Z側に突出する支持部16cが設けられている。また、載置部16aの外周部には、図2に示すように、フランジ部7aに形成された雌ネジ部7bと対向する位置に、雌ネジ部7bよりも大径の雌ネジ部16fが形成されている。雌ネジ部16fは、雌ネジ部7bに螺着する締結ネジBTのヘッド部Hよりも小径で、且つネジ部よりも大径に形成されている。この締結ネジBTが雌ネジ部16fに挿通され、雌ネジ部7bに螺着することにより、載置部16aとフランジ部7a(すなわち第2空間形成部材16と第1空間形成部材7)とは、解除自在に一体的に締結固定される。
図1に戻り、露光装置EXには、第2空間形成部材16とマスクステージ(露光装置構成体)1とを一体的に案内して搬送可能とする案内装置70が露光装置EXのY方向両側に設けられている。
案内装置70は、案内レール71、ローラ体(走行部)72、連結部材73、上述した支持部16cで構成されている。案内レール71は、第1空間形成部材7のY軸方向両側に配設され、図4に示すように、X軸方向に延在する円柱体で形成されている。ローラ体72は、Y軸周りに回転して案内レール71の外周面上を転動して走行するものであり、案内レール71のZ方向両側にそれぞれ設けられている。
連結部材73は、断面視L字形状に形成されており、一端側でローラ体72を回転自在に支持し、他端側で第2空間形成部材16の側面に、可動部材74を介して連結されている。可動部材74は、第2空間形成部材16に固定されており、図1に示す常態(第1空間形成部材7と第2空間形成部材16とが連結されている状態)では、連結部材73に対して+Z方向に所定量相対移動自在に連結されている。連結部材73と可動部材74との相対移動量としては、後述するように、支持部16cが常態からガイド部材18に当接して、図3に示すように、ガイド部材18が第2支持部材27から所定距離、離間するまでの値に設定されている。
図4に示すように、これらローラ体72、連結部材73、可動部材74(図4では不図示)は、組をなしてX方向に間隔をあけて設けられている。
図4に示すように、これらローラ体72、連結部材73、可動部材74(図4では不図示)は、組をなしてX方向に間隔をあけて設けられている。
光源装置3から射出された照明光は、第1空間5を進行する。本実施形態においては、第1空間5に、照明光学系ILの少なくとも一部、及び投影光学系PLが配置される。光源装置3から射出された照明光は、第1空間5に配置されている照明光学系ILを通ってマスクMを照明する。そして、マスクMのパターンの像の情報を含む露光光ELとなって投影光学系PLを通る。また、本実施形態においては、第1空間5に基板ステージ2が配置される。
なお、本実施の形態での説明では、光源装置3からマスクMを照明するまでのEUV光を照明光、マスクMで反射して基板Pに投影されるまでのEUV光を露光光ELとして説明するが、説明の都合上名称を使い分けたものであり、両者を露光光ELとして扱ってもよい。
なお、本実施の形態での説明では、光源装置3からマスクMを照明するまでのEUV光を照明光、マスクMで反射して基板Pに投影されるまでのEUV光を露光光ELとして説明するが、説明の都合上名称を使い分けたものであり、両者を露光光ELとして扱ってもよい。
マスクステージ1は、マスクMを保持しつつ、このマスク1を移動させるように構成されており、ガイド部材18により形成される第1開口9を覆うように配置される。マスクステージ1は、ガイド部材18に設けられた第1面11と対向する第2面12を有し、この第2面12は第1面11にガイドされつつ第1開口9との間で相対運動が可能である。ガイド部材18は、マスクステージ1の移動をガイドする。マスクステージ1は、ガイド部材18の第1面11にガイドされつつ、第1開口9に対して移動する。
本実施形態において、ガイド部材の第1面11とマスクステージ1の第2面12との間にガスシール機構10が形成される。このとき、第1面11と第2面12との間に所定のギャップG1が形成される。ギャップG1は、所定量(例えば0.1〜1μm程度)に調整されており、ギャップG1を介して第1空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。本実施形態においては、第1開口9がマスクステージ1によって覆われ、前述のように、第1面11と第2面12との間にガスシール機構10が形成されることによって、第1空間5は、ほぼ密閉された状態となる。これにより、チャンバ装置6は、第1空間5を所定状態(真空状態)に制御することができる。
マスクステージ1は、第1開口9を介して、マスクMが第1空間5に配置されるように、そのマスクMを保持する。本実施形態においては、マスクステージ1は、第1空間5の+Z側に配置され、マスクMの反射面が−Z側(第1空間5側)を向くように、マスクMを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ1は、マスクMの反射面とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。照明光学系ILから射出された照明光は、マスクステージ1に保持されているマスクMの反射面に照射される。
本実施形態において、マスクステージ1は、第1開口9より大きく、第2面12が形成された第1ステージ13と、第1開口9より小さく、マスクMを保持しながら第1ステージ13に対して移動可能な第2ステージ14とを含む。第1ステージ13は、第1開口9を覆うように配置され、その第1ステージ13の第2面12とガイド部材18の第1面11との間にガスシール機構10が形成される。第1ステージ13は、第1面11にガイドされつつ、第1開口9に対して移動可能である。第2ステージ14は、第1ステージ13の−Z側(第1空間5側)に配置されている。第2ステージ14に保持されたマスクMは、第1開口9を介して第1空間5に配置される。第2ステージ14は、マスクMを保持した状態で、第1ステージ13に対して移動可能である。
以上のような構成により、マスクステージ1の少なくとも一部は第2空間15に配置され、マスクステージ1に保持されたマスクMは、第1空間5に配置される。
露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、マスクMの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、基板Pの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。露光装置EXは、基板Pのショット領域を投影光学系PLの投影領域に対してY軸方向に移動するとともに、その基板Pのショット領域のY軸方向への移動と同期して、照明光学系ILの照明領域に対してマスクMのパターン形成領域をY軸方向に移動しつつ、マスクMを露光光ELで照明し、そのマスクMからの露光光ELを基板Pに照射して、その基板Pを露光する。
マスクステージ1の第1ステージ13は、基板P上の1つのショット領域の走査露光中に、マスクMのパターン形成領域全体が照明光学系ILの照明領域を通過するように、Y軸方向(走査方向)に、比較的大きなストロークを有している。第1ステージ13がY軸方向に移動することによって、第1ステージ13に支持されている第2ステージ14も、第1ステージ13とともにY軸方向に移動する。したがって、第1ステージ13がY軸方向に移動することによって、第2ステージ14に保持されているマスクMも、第1ステージ13とともにY軸方向に移動する。第2ステージ14は、第1ステージ13に対して、微かに移動可能であり、第1ステージ13のストロークよりも小さなストロークで移動するようになっている。また、第2ステージ14が第1ステージ13に対してX方向にも小さなストロークで移動できるようにしてもよい。
また、第1空間形成部材7の第1面11と第1ステージ13の第2面12との間にガスシール機構10が形成されており、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動した場合においても、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制される。また、本実施形態においては、第1面11と第2面12とのギャップG1を調整するギャップ調整機構が設けられており、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動している状態においても、第1面11と第2面12とのギャップG1は所定量に維持される。
これにより、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動した場合においても、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制される。
これにより、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動した場合においても、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制される。
チャンバ装置6は、第1空間形成部材7と第1調整装置8の他に、ガイド部材18と載置部16aとを接続するベローズ部材20を有する。ベローズ部材20は、ガイド部材18の下面18Bと載置部16aの上面16eとを接続するように配置されている。また、べローズ部材20は、可撓性を有し、弾性変形可能である。本実施形態において、ベローズ部材20はステンレス製である。ステンレスは、脱ガス(アウトガス)が少ない。そのため、ベローズ部材20が第1空間5に与える影響を抑制することができる。なお、ベローズ部材20を用いたのは一例であり、脱ガス等の影響が少なければ、ステンレス以外の材料を用いることも可能である。
本実施形態においては、第1空間形成部材7、載置部16a、ベローズ部材20、ガイド部材18、及びマスクステージ1によって、ほぼ密閉された第1空間5が形成される。同様に、本実施形態においては、第2空間形成部材16のドーム部16d、載置部16a、ベローズ部材20、ガイド部材18、及びマスクステージ1によって、ほぼ密閉された第2空間15が形成される。
露光装置EXは、ベース部材21と、ベース部材21上に第1防振システム22を介して支持された第1支持部材23とを備えている。第1空間形成部材7は、第1支持部材23に支持されている。また、ベース部材21上には、第1フレーム部材24が配置されている。第1フレーム部材24は、支柱部25と、支柱部25の上端に接続された支持部26とを含む。支持部26上には、ガイド部材18の下面を支持する第2支持部材27が接続されており、ガイド部材18は第2支持部材27を介して第1フレーム部材24に支持されている。第1空間形成部材7と第2支持部材27とは、互いが離れた位置に配されており、互いが直接接触し合わないようになっている。また、第1空間形成部材7と第1フレーム部材24とは、互いに離れて配されており、互いが直接し合わないようになっている。第1空間形成部材7と第1フレーム部材24との間には、ベローズ部材等の可撓性(弾性)を有するシール機構が配置される。
光源装置3は、例えばキセノン(Xe)等のターゲット材料にレーザー光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、EUV光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂LPP(Laser Produced Plasma)方式の光源装置である。なお、光源装置3としては、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、EUV光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂DPP(Discharge Produced Plasma)方式の光源装置であってもよい。光源装置3で発生したEUV光(照明光)は、波長選択フィルタ(不図示)を介して、照明光学系ILに入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源装置3が供給する光から、所定波長(たとえば13.4nm)のEUV光だけを選択的に透過させ、他の波長の光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したEUV光は、照明光学系ILを介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク(レチクル)Mを照明する。
照明光学系ILは、光源装置3からの露光光ELでマスクMを照明する。照明光学系ILは、複数の光学素子を含み、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明光学系ILの光学素子は、EUV光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばMo/Si多層膜を含む。
マスクステージ1の第1ステージ13は、第2ステージ14を介してマスクMを保持した状態で、不図示の駆動機構によりX軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。マスクステージ1の第2ステージ14は、マスクM保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。
図1に戻り、投影光学系PLは、複数の光学素子を含み、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影する。投影光学系PLの光学素子は、EUV光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばMo/Si多層膜を含む。
投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒28に保持されている。鏡筒28は、フランジ29を有する。フランジ29には、第2フレーム部材30の下端が接続されている。第2フレーム部材30の上端は、第2防振システム31を介して、第1フレーム部材24の支持部26と接続されている。これら第2フレーム部材30及び第2防振システム31は、柔構造を有する支持部材32として、周方向に等間隔で例えば3ヶ所に配置され、鏡筒28(投影光学系PL)を上方から吊り下げ支持する。なお、支持部材32が鏡筒28(投影光学系PL)に対して配置される位置は、3ヶ所で等間隔にする必要はない。例えば、鏡等28(投影光学系PL)の重心位置に基づいて、実質的にこの重心位置で鏡等28を支持できるように、前記3ヶ所の配置を決めてもよい。
本実施形態では支持部材32としては、ワイヤが使用されているが、その代わりにチェーンや上下端にフレキシャ構造が形成されたロッド等を使用することもできる。また、支持部材32と支持部26との間には、投影光学系PLの光軸方向であるZ方向の振動を軽減するための第2防振システム31(防振部)が設けられている。支持部26、支持部材32、及び第2防振システム31を含んで、投影光学系PLを吊り下げ支持する吊り下げ支持部材が構成されている。
本実施形態では支持部材32としては、ワイヤが使用されているが、その代わりにチェーンや上下端にフレキシャ構造が形成されたロッド等を使用することもできる。また、支持部材32と支持部26との間には、投影光学系PLの光軸方向であるZ方向の振動を軽減するための第2防振システム31(防振部)が設けられている。支持部26、支持部材32、及び第2防振システム31を含んで、投影光学系PLを吊り下げ支持する吊り下げ支持部材が構成されている。
基板ステージ2は、基板Pの表面(露光面)とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。また、本実施形態においては、基板ステージ2は、基板Pの表面が+Z方向を向くように、基板Pを保持する。投影光学系PLから射出された露光光ELは、基板ステージ2に保持されている基板Pに照射される。
基板ステージ2は、基板Pを保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つ方向に移動可能である。本実施形態においては、基板ステージ2(基板P)の位置情報を計測可能なレーザ干渉計(不図示)、及び基板Pの表面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム(不図示)が設けられており、制御装置4は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ2に保持されている基板Pの位置を制御する。
次に、上述の構成を有する露光装置EXの動作の一例について説明する。
第1空間5が、第1調整装置8によって、真空状態(第1の圧力値)に調整される。また、第2空間15が、第2調整装置17によって、第1空間5の圧力とほぼ同じか、または第1空間5の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力(第2の圧力値)に調整される。あるいは、第2空間15が第1空間5よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第1面11と第2面12とのギャップG1は、ギャップ調整機構35によって所定量に調整されており、第1面11と第2面12との間に形成されたガスシール機構10によって、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第1空間5の真空状態、環境が維持される。
第1空間5が、第1調整装置8によって、真空状態(第1の圧力値)に調整される。また、第2空間15が、第2調整装置17によって、第1空間5の圧力とほぼ同じか、または第1空間5の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力(第2の圧力値)に調整される。あるいは、第2空間15が第1空間5よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第1面11と第2面12とのギャップG1は、ギャップ調整機構35によって所定量に調整されており、第1面11と第2面12との間に形成されたガスシール機構10によって、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第1空間5の真空状態、環境が維持される。
マスクMがマスクステージ1に保持されるとともに、基板Pが基板ステージ2に保持された後、制御装置4は、基板Pの露光処理を開始する。マスクMを照明光で照明するために、制御装置4は、光源装置3の発光動作を開始する。
光源装置3の発光動作により光源装置3から射出されたEUV光は、照明光学系ILに入射する。照明光学系ILに入射したEUV光は、その照明光学系ILを進行した後、第1開口9に供給される。第1開口9に供給されたEUV光は、照明光として、第1開口9を介してマスクステージ1に保持されているマスクMに入射する。つまり、マスクステージ1に保持されているマスクMは、光源装置3より射出され、照明光学系ILを介した照明光(EUV光)で照明される。マスクMの反射面に照射され、その反射面で反射した照明光は、マスクMのパターンの像の情報を含む露光光ELとして第1空間5に配置されている投影光学系PLに入射する。投影光学系PLに入射した露光光ELは、その投影光学系PLを進行した後、基板ステージ2に保持されている基板Pに照射される。
制御装置4は、マスクMのY軸方向への移動と同期して、基板PをY軸方向に移動しつつ、マスクMを露光光ELで照明する。これにより、基板Pは露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。
続いて、上記の露光装置EXにおいて、露光装置EXのメンテナンス時を例に、マスクステージ1を取り外して搬出する手順について、図4乃至図6を参照して説明する。
まず、マスクステージ1の搬送に用いる搬送工具80について説明する。
まず、マスクステージ1の搬送に用いる搬送工具80について説明する。
図4に示すように、搬送工具80は、走行装置81と、当該走行装置81に対して昇降部82を昇降させる昇降装置83と、昇降部82に設けられた案内レール(第2案内レール)84とを有している。案内レール84は、露光装置EXの案内レール71と同じ直径の円柱体に形成され、且つ案内レール71、71の配置間隔と同じ距離、隔てて対で配置されている。
そして、マスクステージ1を搬出するに際しては、まず第1調整装置8による第1空間5の減圧状態の解除、及び第2調整装置17による第2空間15の減圧状態の解除を行った後に、図2(a)に示した締結ネジBTを取り外して締結固定を解除して、載置部16aとフランジ部7a(すなわち第2空間形成部材16と第1空間形成部材7)を分離可能としておく。
次に、図2(b)に示すように、締結ネジBTよりも大径で雌ネジ部16fと螺合する締結ネジBT’を締結方向に回転して雌ネジ部16fに螺入させる。そして、締結ネジBT’の先端がフランジ部7aに当接し、さらに締結方向への回転が進むと、載置部16aがネジ部のピッチと締結ネジBT’の回転量に応じて、ドーム部16dとともに+Z側に移動する(上昇する)。
これにより、図3に示すように、載置部16aの支持部16cがガイド部材18の−Z側の面に当接し、さらに載置部16aの移動が進むことにより、支持部16cに支持されたガイド部材18が載置部16a、ドーム部16d(すなわち第2空間形成部材16)及びマスクステージ1とともに第2支持部材27(第1フレーム部材24)から一体的に離間して分離される。また、このとき、可動部材74は、連結部材73に対して載置部16aがドーム部16dを伴って移動する量、相対移動するため、案内レール71とローラ体72との間に、過度な荷重が加わることが回避される。
このように、マスクステージ1と第2空間形成部材16とが一体的となって第1空間形成部材7と分離されると、図4に示すように、搬送工具80を搬送して露光装置EXの+X側に設置する。そして、昇降装置83により昇降部82を上昇させて案内レール84を、案内装置70の案内レール71と、Z方向及びY方向について同じ位置となるように位置決めする。これにより、案内レール71、84は、X方向に一体的に延びる円柱体を形成する。
なお、上述したマスクステージ1と第2空間形成部材16とを第1空間形成部材7に対して分離させる動作と、搬送工具80を露光装置EXの側部に設置する動作とは逆であってもよい。
なお、上述したマスクステージ1と第2空間形成部材16とを第1空間形成部材7に対して分離させる動作と、搬送工具80を露光装置EXの側部に設置する動作とは逆であってもよい。
そして、一体化されたマスクステージ1と第2空間形成部材16とを+X方向に移動させる。このとき、ローラ体72が案内レール71の外周面上を転動するため、マスクステージ1及び第2空間形成部材16は、案内レール71に案内されて円滑に+X方向に移動して搬送される。マスクステージ1及び第2空間形成部材16の+X方向への搬送が進むと、図5に示すように、走行方向前方側のローラ体72が案内レール71から案内レール84に乗り移る。さらに+X方向への搬送が進むと、図6に示すように、走行方向後方側のローラ体72も案内レール71から案内レール84に乗り移ることにより、マスクステージ1及び第2空間形成部材16は、搬送工具80に移載される。
この後、搬送工具80を搬送して、メンテナンス処理位置まで搬送することにより、例えばマスクステージ1に対するメンテナンス処理を実行することができる。なお、マスクステージ1及び第2空間形成部材16の搬送時には、昇降装置83により昇降部82を下降させた状態で搬送してもよい。この場合、マスクステージ1及び第2空間形成部材16の重心位置を低くすることができ、より安定した搬送動作を実現することができる。
なお、メンテナンス処理後にマスクステージ1及び第2空間形成部材16を露光装置EXに搬入する際や、露光装置EXの製造に際してマスクステージ1及び第2空間形成部材16を露光装置EXに組み込む際には、上記と逆の手順を行えばよい。
すなわち、まず搬送工具80の案内レール84を、露光装置EXの案内レール71に搬送方向に接続し、次に案内レール84上に載置したマスクステージ1及び第2空間形成部材16を、案内レール84から案内レール71にローラ体72を転動させて走行させることにより、搬送工具80から露光装置EXに搬送する。そして、第2空間形成部材16を第1空間形成部材7に締結固定することにより、マスクステージ1及び第2空間形成部材16を露光装置EXに組み込むことができる。
すなわち、まず搬送工具80の案内レール84を、露光装置EXの案内レール71に搬送方向に接続し、次に案内レール84上に載置したマスクステージ1及び第2空間形成部材16を、案内レール84から案内レール71にローラ体72を転動させて走行させることにより、搬送工具80から露光装置EXに搬送する。そして、第2空間形成部材16を第1空間形成部材7に締結固定することにより、マスクステージ1及び第2空間形成部材16を露光装置EXに組み込むことができる。
以上説明したように、本実施の形態では、案内装置70に案内されてマスクステージ1及び第2空間形成部材16を一体的に搬送できるため、重量が大きいマスクステージ1を取り扱う場合でも、メンテナンス処理や、露光装置EXの組立・製造時にも容易に搬送することが可能であり、搬送に伴う生産性及び組立性の低下を抑制することができる。特に、本実施形態では、マスクステージ1及び第2空間形成部材16を水平方向に搬送するため、少ない力で搬送することが可能になり、また搬送時における安全性も高めることができる。
また、上記実施形態では、搬送時にマスクステージ1(ガイド部材18)を支持する支持部16cが常態である露光処理中には、マスクステージ1と離間しているため、第2空間形成部材16を介してマスクステージ1に振動や熱が伝わり、露光精度に悪影響を及ぼすことが防止できる。
さらに、本実施形態では、上記案内装置70が露光装置EXの両側に設けられているため、マスクステージ1及び第2空間形成部材16をより安定して搬送することが可能になる。
さらに、本実施形態では、上記案内装置70が露光装置EXの両側に設けられているため、マスクステージ1及び第2空間形成部材16をより安定して搬送することが可能になる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記実施形態では、露光装置構成体としてマスクステージ1を例示したが、これに限定されるものではなく、他の露光装置構成体、例えば基板ステージ2や、投影光学系PL、光源装置3、照明光学系ILさらには、これらの露光装置構成体の複数を空間形成部材(チャンバ)の一部と一体的に搬送する構成としてもよい。
なお、上記各実施形態の基板(物体)としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置としては、レチクルRとウエハWとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRのパターンを一括露光し、ウエハWを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。また、本発明はウエハW上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
露光装置の種類としては、ウエハWに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、本発明が適用される露光装置の光源には、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)等のみならず、g線(436nm)及びi線(365nm)を用いることができる。さらに、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸(レチクル中心)と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。
また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第99/49504号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平6−124873号公報、特開平10−303114号公報、米国特許第5,825,043号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
また、本発明は、基板ステージ(ウエハステージ)が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平10−163099号公報及び特開平10−214783号公報(対応米国特許6,341,007号、6,400,441号、6,549,269号及び6,590,634号)、特表2000−505958号(対応米国特許5,969,441号)或いは米国特許6,208,407号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願2004−168481号のウエハステージに適用してもよい。
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図7は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図8は、半導体デバイスの場合におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
EX…露光装置、 P…基板、 1…マスクステージ(露光装置構成体)、 6…チャンバ装置(収容体)、 7…第1空間形成部材(収容体本体)、 15…第2空間(所定空間)、 16…第2空間形成部材(分離体)、 70…案内装置、 71…案内レール、 16c…支持部、 72…ローラ体(走行部)、 80…搬送工具、 83…昇降装置、 84…案内レール(第2案内レール)
Claims (14)
- 露光装置構成体と、該露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間を形成する収容体とを有する露光装置であって、
前記収容体は、収容体本体に対して分離可能、且つ前記露光装置構成体と一体化可能に設けられた分離体を備え、
前記分離体と前記露光装置構成体とを一体的に案内して搬送可能とする案内装置を備える露光装置。 - 前記案内装置は、前記分離体と前記露光装置構成体とを略水平方向に案内する請求項1記載の露光装置。
- 前記案内装置は、略水平方向に延在して設けられた案内レールと、前記分離体に設けられ搬送時に前記露光装置構成体を支持する支持部と、前記分離体に設けられ前記案内レールに沿って走行する走行部とを有する請求項2記載の露光装置。
- 前記支持部は、前記分離体が上方に移動したときに該露光装置構成体を下方から支持し、
前記分離体は、前記収容体本体に対して上方に移動したときに分離される請求項3記載の露光装置。 - 前記案内装置は、前記分離体及び露光装置構成体の搬送方向と略直交する方向の両側に設けられている請求項1から4のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記露光装置構成体は、パターンを有するマスクを保持するマスクステージである請求項1から5のいずれか一項に記載の露光装置。
- 露光装置構成体と、該露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間を形成する収容体とを有する露光装置の製造方法であって、
前記収容体に、収容体本体に対して分離可能、且つ前記露光装置構成体と一体化可能に分離体を設け、
前記分離体と前記露光装置構成体とを一体的に案内して搬送して設置する工程を有する露光装置の製造方法。 - 前記分離体と前記露光装置構成体とを略水平方向に案内して搬送する請求項7記載の露光装置の製造方法。
- 前記露光装置は、略水平方向に延在して設けられた案内レールと、前記分離体に設けられ搬送時に前記露光装置構成体を支持する支持部と、前記分離体に設けられ前記案内レールに沿って走行する走行部とを有し、
前記支持部で前記露光装置構成体を支持する前記分離体を、前記案内レールに沿って前記走行部を走行させて、前記分離体と前記露光装置構成体とを搬送する請求項8記載の露光装置の製造方法。 - 前記案内レールと搬送方向に接続され、前記走行部が走行する第2案内レールと、該第2案内レールを昇降させる昇降装置とを有する搬送工具を配設し、
前記第2案内レールを昇降させて前記案内レールと前記搬送方向に接続する工程と、
前記走行部を前記第2案内レールから前記案内レールに走行させて、前記分離体と前記露光装置構成体とを前記搬送工具から前記露光装置に搬送する工程とを有する請求項9記載の露光装置の製造方法。 - 露光装置構成体と、該露光装置構成体の少なくとも一部を収容する所定空間を形成する収容体とを有する露光装置のメンテナンス方法であって、
前記収容体に、収容体本体に対して分離可能、且つ前記露光装置構成体と一体化可能に分離体を設け、
前記分離体と前記露光装置構成体とを一体的に案内して搬出する工程を有する露光装置のメンテナンス方法。 - 前記分離体と前記露光装置構成体とを略水平方向に案内して搬出する請求項11記載の露光装置のメンテナンス方法。
- 前記露光装置は、略水平方向に延在して設けられた案内レールと、前記分離体に設けられ搬送時に前記露光装置構成体を支持する支持部と、前記分離体に設けられ前記案内レールに沿って走行する走行部とを有し、
前記支持部で前記露光装置構成体を支持する前記分離体を、前記案内レールに沿って前記走行部を走行させて、前記分離体と前記露光装置構成体とを搬出する請求項12記載の露光装置のメンテナンス方法。 - 前記案内レールと搬送方向に接続され、前記走行部が走行する第2案内レールと、該第2案内レールを昇降させる昇降装置とを有する搬送工具を配設し、
前記第2案内レールを昇降させて前記案内レールと前記搬送方向に接続する工程と、
前記走行部を前記案内レールから前記第2案内レールに走行させて、前記分離体と前記露光装置構成体とを前記露光装置から前記搬送工具に搬送する工程とを有する請求項13記載の露光装置のメンテナンス方法。
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