JP2011109041A - 清掃装置、清掃方法及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】異物の飛散を低減化すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、基板保持部上の異物が清掃部材に付着するように当該清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、基板保持部上の異物が清掃部材に付着するように当該清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、清掃装置、清掃方法及び露光装置に関する。
半導体素子や液晶表示素子等の電子デバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際には、例えばパターンが形成されたマスクのパターン像を投影光学系を介して感光材(レジスト)が塗布された基板上の各投影(ショット)領域に投影する露光装置が用いられている。フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置は、例えばマスクを保持するマスクステージ装置や基板を保持する基板ステージ装置などを備えている(例えば、特許文献1参照)。
これらのステージ装置には、例えば異物などが付着する場合がある。このような異物が例えばマスクの保持部や基板の保持部などに付着すると、当該保持部を介してマスクや基板が汚染されてしまう可能性がある。このため、従来、例えば保持部などを研磨し当該保持部に付着した異物を剥離させ、当該異物を回収することにより、ステージ装置を定期的に清掃するようにしていた。
しかしながら、従来の手法においては、保持部から剥離された異物が当該保持部上に残留する場合があり、例えば基板交換時やステージ装置の移動時などに当該異物が飛散してしまうなど、周囲の環境を汚染してしまう虞があった。
上記のような事情に鑑み、本発明は、異物の飛散を低減化することができる清掃装置、清掃方法及び露光装置を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様に従えば、基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、基板保持部上の異物が清掃部材に付着するように当該清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置とを備える清掃装置が提供される。
本発明の第2の態様に従えば、基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材に静電力を付与する静電力付与工程と、基板保持部上の異物に静電力を作用させて異物を清掃部材に付着させる付着工程とを含む清掃方法が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、基板を露光する露光装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部を清掃する清掃装置とを備え、当該清掃装置として、本発明の清掃装置が用いられている露光装置が提供される。
本発明によれば、異物の飛散を低減化することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。以下の各図においては、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向については、それぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。
図1は、露光装置EXを示す概略構成図である。
本実施形態では、露光装置EXとして、極端紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光で基板Pを露光するEUV露光装置を用いる場合を例に挙げて説明する。極端紫外光は、例えば波長5〜50nm程度の軟X線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、EUV光、と表記する。一例として、本実施形態では、波長13.5nmのEUV光を露光光ELとして用いる。
本実施形態では、露光装置EXとして、極端紫外(EUV:Extreme Ultra-Violet)光で基板Pを露光するEUV露光装置を用いる場合を例に挙げて説明する。極端紫外光は、例えば波長5〜50nm程度の軟X線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、EUV光、と表記する。一例として、本実施形態では、波長13.5nmのEUV光を露光光ELとして用いる。
図1に示すように、露光装置EXは、パターンが形成されたマスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ1と、基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ2を含むステージ装置STと、露光光ELを発生する光源装置3と、光源装置3からの露光光ELでマスクMを照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置4とを備えている。基板Pは、半導体ウエハ等の基材の表面に感光材(レジスト)等の膜が形成されたものを含む。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。
本実施形態において、マスクMは、EUV光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。露光装置EXは、多層膜でパターンが形成されたマスクMの表面(反射面)を照明光EL(EUV光)で照明し、そのマスクMで反射した露光光ELで感光性を有する基板Pを露光する。
本実施形態の露光装置EXは、チャンバ装置6を有している。チャンバ装置6は、露光光ELが進行する第1空間5を覆うと共に、第1空間5を所定状態の環境に設定可能になっている。チャンバ装置6は、第1空間5を形成する第1空間形成部材7と、第1空間5の環境を調整する第1調整装置8とを備える。
第1調整装置8は、真空システムを含み、第1空間5を真空状態に調整する。制御装置4は、第1調整装置8を用いて、露光光ELが進行する第1空間5をほぼ真空状態に調整する。一例として、本実施形態においては、第1空間5の圧力は、1×10−7〔Pa〕程度の減圧雰囲気に調整される。
光源装置3から射出された照明光は、第1空間5を進行する。第1空間5には、照明光学系ILの少なくとも一部、及び投影光学系PLが配置される。光源装置3から射出された照明光は、第1空間5に配置されている照明光学系ILを通ってマスクMを照明する。
マスクMに照明された照明光は、マスクMのパターンの像の情報を含む露光光ELとなって投影光学系PLを通過する。本実施形態においては、第1空間5に基板ステージ2が配置される。
なお、本実施の形態での説明では、光源装置3からマスクMを照明するまでのEUV光を照明光、マスクMで反射して基板Pに投影されるまでのEUV光を露光光ELとして説明するが、説明の都合上名称を使い分けたものであり、両者を露光光ELとして扱ってもよい。
第1空間形成部材7は、第1開口9と、第1開口9の周囲に設けられた第1面11とを有する。第1開口9は、第1空間5を進行した照明光が入射可能な位置に形成されている。また、本実施形態においては、第1開口9は、照明光学系ILから射出された照明光が入射可能な位置に形成されている。
マスクステージ1は、マスクMを保持しつつ、このマスクMを移動させるように構成されており、第1開口9を覆うように配置される。マスクステージ1は、第1空間形成部材7(ガイド部材18)に設けられた第1面11と対向する第2面12を有し、この第2面12は第1面11にガイドされつつ第1開口9との間で相対運動が可能である。本実施形態において、第1空間形成部材7の第1面11とマスクステージ1の第2面12との間にガスシール機構10が形成される。このとき、第1面11と第2面12との間に所定のギャップG1が形成される。ギャップG1は、所定量(例えば0.1〜1μm程度)に調整されており、ギャップG1を介して第1空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。本実施形態においては、第1開口9がマスクステージ1によって覆われ、前述のように、第1面11と第2面12との間にガスシール機構10が形成されることによって、第1空間5は、ほぼ密閉された状態となる。これにより、チャンバ装置6は、第1空間5を所定状態(真空状態)に制御することができる。
マスクステージ1は、第1開口9を介して、マスクMが第1空間5に配置されるように、そのマスクMを保持する。本実施形態においては、マスクステージ1は、第1空間5の+Z側に配置され、マスクMの反射面が−Z側(第1空間5側)を向くように、マスクMを保持する。また、本実施形態においては、マスクステージ1は、マスクMの反射面とXY平面とがほぼ平行となるように、マスクMを保持する。照明光学系ILから射出された照明光は、マスクステージ1に保持されているマスクMの反射面に照射される。
マスクステージ1についてさらに詳述すると、マスクステージ1は、第1開口9より大きく、第2面12が形成されて、第1面11および第1開口に対して移動可能に構成された第1ステージ13と、第1開口9より小さく、マスクMを保持しながら第1ステージ13に対して移動可能に構成された第2ステージ14とを含む。第1ステージ13は、第1開口9を覆うように配置され、その第1ステージ13の第2面12と第1空間形成部材7の第1面11との間にガスシール機構10が形成される。第1ステージ13は、第1面11にガイドされつつ、第1面11および第1開口9に対して移動可能である。第2ステージ14は、第1ステージ13の−Z側(第1空間5側)に配置されている。第2ステージ14に保持されたマスクMは、第1開口9を介して第1空間5に配置される。第2ステージ14は、マスクMを保持した状態で、第1ステージ13に対して移動可能である。このような構成により、マスクMを移動させるための粗動ステージとして第1ステージ13を機能させ、マスクMを移動させるための微動ステージとして第2ステージを機能させることができる。なお、第1ステージ13、第2ステージ14は、図示されていないが、各ステージをそれぞれ移動させる駆動装置を有している。
また、チャンバ装置6は、第1空間形成部材7の外面との間で、第2空間15を形成する第2部材16と、第2空間15の環境を調整する第2調整装置17とを備えている。第2空間15は、マスクステージ1の少なくとも一部(例えば、第1ステージ13等)を収容する。本実施形態において、第1空間5及び第2空間15の外側は、大気空間であり、その圧力は、大気圧である。第2調整装置17は、第2空間15を、第1空間5の圧力よりも高く、大気圧よりも低い圧力に調整する。一例として、本実施形態においては、第2空間15の圧力は、1×10−1〔Pa〕程度の減圧雰囲気に調整される。
また、チャンバ装置6には、基板Pの搬入出を行う基板搬入出部LUが設けられている。基板搬入出部LUには、基板Pをチャンバ装置6の内外に基板Pを搬送する搬送機構TRが設けられている。
以上のような構成により、マスクステージ1の少なくとも一部は第2空間15に配置され、マスクステージ1に保持されたマスクMは、第1空間5に配置される。
露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。
本実施形態においては、マスクMの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、基板Pの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。露光装置EXは、基板Pのショット領域を投影光学系PLの投影領域に対してY軸方向に移動するとともに、その基板Pのショット領域のY軸方向への移動と同期して、照明光学系ILの照明領域に対してマスクMのパターン形成領域をY軸方向に移動しつつ、マスクMを露光光ELで照明し、そのマスクMからの露光光ELを基板Pに照射して、その基板Pを露光する。
マスクステージ1の第1ステージ13は、基板P上の1つのショット領域の走査露光中に、マスクMのパターン形成領域全体が照明光学系ILの照明領域を通過するように、Y軸方向(走査方向)に、比較的大きなストロークを有している。第1ステージ13がY軸方向に移動することによって、第1ステージ13に支持されている第2ステージ14も、第1ステージ13とともにY軸方向に移動する。したがって、第1ステージ13がY軸方向に移動することによって、第2ステージ14に保持されているマスクMも、第1ステージ13とともにY軸方向に移動する。第2ステージ14は、第1ステージ13に対して、微かに移動可能であり、第1ステージ13のストロークよりも小さなストロークで移動するようになっている。また、第2ステージ14が第1ステージ13に対してX方向にも小さなストロークで移動できるようにしてもよい。
また、第1空間形成部材7の第1面11と第1ステージ13の第2面12との間にガスシール機構10が形成されており、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動した場合においても、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制される。また、本実施形態においては、第1面11と第2面12とのギャップG1を調整するギャップ調整機構が設けられており、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動している状態においても、第1面11と第2面12とのギャップG1は所定量に維持される。これにより、第1空間形成部材7に対して第1ステージ13を移動した場合においても、第1空間5の内側にガスが流入することが抑制される。
第1空間形成部材7は、第1面11が形成されたガイド部材18と、ガイド部材18の少なくとも一部と対向するチャンバ部材19とを含む。ガイド部材18は、マスクステージ1の移動をガイドする。マスクステージ1(第1ステージ13)は、前述のように、ガイド部材18の第1面11にガイドされつつ、第1開口9に対して移動する。
チャンバ装置6は、第1空間形成部材7と第1調整装置8の他に、ガイド部材18とチャンバ部材19とを接続するベローズ部材20を有する。ベローズ部材20は、可撓性を有し、弾性変形可能である。本実施形態において、ベローズ部材20はステンレス製である。ステンレスは、脱ガス(アウトガス)が少ない。そのため、ベローズ部材20が第1空間5に与える影響を抑制することができる。なお、ベローズ部材20を用いたのは一例であり、脱ガス等の影響が少なければ、ステンレス以外の材料を用いることも可能である。
第1空間形成部材7は、第1の開口9、第1面11を有する共に、ガイド部材18、チャンバ部材19を含むように構成される。そして、ガイド部材18、チャンバ部材19、ベローズ部材20、マスクステージ1(主に第1ステージ13)、及びステージ装置STに設けられたチャンバ部材SC(収容体の一部、詳細は後述)によって、ほぼ密閉された第1空間5が形成される。チャンバ部材19は、ガイド部材18の下面18Bと対向する上面19Aを有し、ベローズ部材20は、ガイド部材18の下面18Bとチャンバ部材19の上面19Aとを接続するように配置されている。
本実施形態において、露光装置EXは、ベース部材21と、ベース部材21上に第1防振システム22を介して支持された第1支持部材23とを備えている。チャンバ部材19は、第1支持部材23に支持されている。また、ベース部材21上には、第1フレーム部材24が配置されている。第1フレーム部材24は、支柱部25と、支柱部25の上端に接続された支持部26とを含む。支持部26上には、ガイド部材18の下面を支持する第2支持部材27が接続されている。チャンバ部材19と第2支持部材27とは離れている。また、チャンバ部材19と第1フレーム部材24とは離れており、チャンバ部材19と第1フレーム部材24との間に、ベローズ部材等の可撓性(弾性)を有するシール機構が配置される。チャンバ部材19は、第2支持部材27に支持されたガイド部材18の下面18Bと対向する上面19Aを有する。ベローズ部材20は、ガイド部材18の下面18Bとチャンバ部材19の上面19Aとを接続するように配置されている。
光源装置3は、例えばキセノン(Xe)等のターゲット材料にレーザ光を照射して、そのターゲット材料をプラズマ化し、EUV光を発生させるレーザ生成プラズマ光源装置、所謂LPP(Laser Produced Plasma)方式の光源装置である。なお、光源装置3としては、所定ガス中で放電を発生させて、その所定ガスをプラズマ化し、EUV光を発生させる放電生成プラズマ光源装置、所謂DPP(Discharge Produced Plasma)方式の光源装置であってもよい。光源装置3で発生したEUV光(照明光)は、波長選択フィルタ(不図示)を介して、照明光学系ILに入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源装置3が供給する光から、所定波長(たとえば13.4nm)のEUV光だけを選択的に透過させ、他の波長の光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したEUV光は、照明光学系ILを介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク(レチクル)Mを照明する。
照明光学系ILは、光源装置3からの露光光ELでマスクMを照明する。照明光学系ILは、複数の光学素子を含み、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明光学系ILの光学素子は、EUV光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばMo/Si多層膜を含む。
マスクステージ1の第1ステージ13は、マスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。マスクステージ1の第2ステージ14は、マスクM保持した状態で、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。本実施形態においては、マスクステージ1(マスクM)の位置情報を計測可能なレーザ干渉計(不図示)、及びマスクMの反射面の面位置情報を検出可能なフォーカス・レベリング検出システム(不図示)が設けられており、制御装置4は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、マスクステージ1に保持されているマスクMの位置を制御する。
マスクステージ1の第1ステージ13及び第2ステージ14は、金属製である。一例として、本実施形態の第1ステージ13及び第2ステージ14は、脱ガス(アウトガス)が少ないステンレス製である。
図1に戻り、投影光学系PLは、複数の光学素子を含み、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影する。投影光学系PLの光学素子は、EUV光を反射可能な多層膜を備えた多層膜反射鏡を含む。光学素子の多層膜は、例えばMo/Si多層膜を含む。
投影光学系PLの複数の光学素子は、鏡筒28に保持されている。鏡筒28は、フランジ29を有する。フランジ29には、第2フレーム部材30の下端が接続されている。第2フレーム部材30の上端は、防振システム31を介して、第1フレーム部材24の支持部26と接続されている。鏡筒28(フランジ29)は、第2フレーム部材30に吊り下げられている。
図2は、ステージ装置STの外観斜視図である。
図2に示すステージ装置STは、定盤JBと、ウエハ等の基板を保持して6自由度方向に移動可能な基板ステージ2とを有している。基板ステージ2は、比較的大ストロークでX方向(第3方向とする)とY方向(第1方向とする)に移動可能で、比較的小ストロークでZ方向θx方向、θy方向、θz方向に移動可能となっている。基板ステージ2は、ウエハ等の基板を保持する基板保持部WHを有している。当該基板は、基板保持部WHの+Z側の面(保持面)WHaで保持されるようになっている。
図2に示すステージ装置STは、定盤JBと、ウエハ等の基板を保持して6自由度方向に移動可能な基板ステージ2とを有している。基板ステージ2は、比較的大ストロークでX方向(第3方向とする)とY方向(第1方向とする)に移動可能で、比較的小ストロークでZ方向θx方向、θy方向、θz方向に移動可能となっている。基板ステージ2は、ウエハ等の基板を保持する基板保持部WHを有している。当該基板は、基板保持部WHの+Z側の面(保持面)WHaで保持されるようになっている。
基板ステージ2を駆動する駆動装置は、基板ステージ2をX方向にロングストロークで駆動するとともに、Y方向、Z方向、θx、θy、θzに微小駆動する第1駆動系90と、基板ステージ2及び第1駆動系90をY方向にロングストロークで駆動する第2駆動系73A、73Bとを備えている。これら第1駆動系90、第2駆動系73A、73Bの駆動は、制御装置4に制御される。
第2駆動系73Aはリニアモータを有しており、このリニアモータはY方向に延びる固定子74Aと、当該固定子74Aに対して駆動される可動子75Aとから構成される。なお、可動子75Aは、本実施形態の構成においてはY粗動ステージということもできる。可動子75Aは、内部に磁石78を有している。磁石78は、Y軸方向に複数並んで取り付けられており、異なる磁極の磁石が交互に並んで配置されている。
図1に戻って、チャンバ装置6の内部には、清掃装置50が設けられている。清掃装置50は、例えばチャンバ装置6の内部の清掃を行う装置である。本実施形態では、清掃装置50は、例えばステージ装置ST(基板ステージ2)の基板保持部WHの保持面WHaなどの清掃に用いられる。なお、基板保持部WHの保持面WHaに限られず、上記露光装置EXのチャンバ装置6内の他の部位(例えば、マスクステージ1など)に対して清掃装置50を用いて清掃を行うようにしても勿論構わない。
図3は、清掃装置50の構成及び基板ステージ2の一部の構成を示す図である。
清掃装置50は、清掃部材51及び本体部52を有している。清掃部材51は、例えばアルカンサスなどの材料を用いて形成された板状部材である。清掃部材51は、例えばZ方向視で矩形に形成されており、X方向の寸法及びY方向の寸法が例えば基板保持部WHよりも小さく形成されている。清掃部材51は、接続部材53を介して本体部52に接続されている。清掃部材51のうち図3中−Z側に形成される面51aは、異物を付着させる付着面51aとなっている。付着面51aは、XY平面に平行になるように平坦に形成されている。清掃部材51は、内部に電極51bを有している。電極51bは、例えば清掃部材51の厚さ方向(Z方向)において付着面51aの近傍に設けられている。
清掃装置50は、清掃部材51及び本体部52を有している。清掃部材51は、例えばアルカンサスなどの材料を用いて形成された板状部材である。清掃部材51は、例えばZ方向視で矩形に形成されており、X方向の寸法及びY方向の寸法が例えば基板保持部WHよりも小さく形成されている。清掃部材51は、接続部材53を介して本体部52に接続されている。清掃部材51のうち図3中−Z側に形成される面51aは、異物を付着させる付着面51aとなっている。付着面51aは、XY平面に平行になるように平坦に形成されている。清掃部材51は、内部に電極51bを有している。電極51bは、例えば清掃部材51の厚さ方向(Z方向)において付着面51aの近傍に設けられている。
電極51bは、配線51cを介して電圧源51dに接続されている。電圧源51dは、図3では例えば接続部材53内部に設けられているが、これに限られることは無く、例えば接続部材53の表面上に設けられた構成としても構わないし、接続部材53から離れた位置に設けられた構成としても構わない。当該電圧源51dによって、電極51bに電圧が印加されるようになっている。また、電圧源51dは、印加した電圧値を調整する電圧調整機構51eを有している。電極51bに電圧を印加することにより、付着面51aに静電力が発生するようになっている。実際には、付着面51aのみならず清掃部材51の他の部位にも静電力が発生する場合もあるが、本実施形態においては少なくとも付着面51aに静電力を発生させることができれば良い。勿論、付着面51aとは異なる部位に静電力が発生することがあっても何ら差し支えはない。このように、電極51b、配線51c及び電圧源51dは、付着面51aに静電力を付与する静電力付与装置51fとして機能することとなる。
また、基板保持部WHの内部には、第2電極WHbが設けられている。第2電極WHbは、配線WHcを介して電圧源WHdに接続されている。電圧源WHdは、例えば上記の電圧源51dと同一の構成となっており、当該電圧源WHdによって、第2電極WHbに電圧が印加されるようになっている。また、電圧源WHdは、印加した電圧値を調整する電圧調整機構WHeを有している。電圧源WHdによって第2電極WHbに電圧を印加することにより、基板保持部WHの保持面WHaに静電力が発生するようになっている。清掃部材51に静電力を発生させる場合と同様、実際には、保持面WHaのみならず基板保持部WHの他の部位にも静電力が発生する場合もあるが、少なくとも保持面WHaに静電力を発生させることができれば良い。勿論、保持面WHaとは異なる部位に静電力が発生することがあっても何ら差し支えはない。このように、第2電極WHb、配線WHc及び電圧源WHdは、保持面WHaに静電力を付与する第2静電力付与装置WHfとして機能することとなる。
配線WHc及び電圧源WHdは、図3に示すように、本実施形態では例えば基板ステージ2の内部に設けられているが、勿論この配置に限られることは無く、基板ステージ2の外部に設けられる構成としても構わないし、電圧源WHdと上記の電圧源51dとを共通化させた構成としても構わない。
本体部52は、接続部材53、保持部材54、壁部材55、駆動機構57及び回転機構58を有している。接続部材53は、清掃部材51に対して+Z方向に延在する円柱状部材である。接続部材53の+Z側の端部には、拡径部53aが設けられている。拡径部53aの+Z側端面には、駆動機構57及び回転機構58が接続されている。
保持部材54は、例えば不図示のXY移動機構を介して露光装置EXの他の部位などに支持されている。壁部材55は、保持部材54に固定されており、駆動機構57及び回転機構58のほぼ全部と、接続部材53の一部とを囲うように設けられている。接続部材53と壁部材55との間には、例えばベアリング部材59が介挿されている。このため、保持部材54及び壁部材55と、接続部材53との間では、当該ベアリング部材59を介してZ方向及びθZ方向における相対移動が可能になっている。
駆動機構57は、保持部材54を基準として接続部材53及び清掃部材51をZ方向に駆動する。駆動機構57としては、例えばボイスコイルモータなどが用いられている。例えば本実施形態の駆動機構57は、接続部材53に設けられた固定子57bと、当該固定子57bの+Y側及び−Y側に配置された一対の移動子57aとを有している。固定子57bには例えばコイル部などが内蔵されており、移動子57aとしては例えば磁石が用いられている。駆動機構57は、例えば固定子57bのコイル部に電流を流すことにより、コイル部と移動子57aとの間でZ方向の駆動力を発生させるようになっている。図3においては、駆動機構57が拡径部53a上のうち+Y側端部及び−Y側端部に1つずつ配置された構成が示されているが、図3に示す構成に限られることは無く、例えば拡径部53aの外周に沿って複数配置された構成などとしても構わない。
回転機構58は、モータなどの駆動源58aと、当該駆動源58aによる駆動力を伝達する軸部材58bとを有している。駆動源58aは保持部材54に固定されており、当該保持部材54に対して軸部材58bをθZ方向に回転させる構成となっている。軸部材58bは、接続部材53に接続されている。このため、駆動源58aによる回転駆動力は、接続部材53に伝達され、接続部材53はこの回転駆動力によりθZ方向に回転するようになっている。また、上記の不図示のXY移動機構は、保持部材54をXY方向に移動させるようになっている。このため、XY方向には清掃装置50の全体が移動するようになっている。
次に、上述の構成を有する露光装置EXの動作の一例について説明する。
第3空間5は、第1調整装置8によって、真空状態(第1の圧力値)に調整される。
また、第4空間15が、第2調整装置17によって、第3空間5の圧力とほぼ同じか、または第3空間5の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力(第2の圧力値)に調整される。あるいは、第4空間15が第3空間5よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第1面11と第2面12とのギャップG1は、ギャップ調整機構35によって所定量に調整されており、第1面11と第2面12との間に形成されたガスシール機構10によって、第3空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第3空間5の真空状態、環境が維持される。
マスクMがマスクステージ1に保持されるとともに、基板Pが基板ステージ2に保持される。このとき、例えば制御装置4は、電圧源WHdを作動させ、基板保持部WH内の電極WHbに電圧を印加させる。この動作により、基板保持部WHには静電力が付与され、当該性電力によって基板Pが基板保持部WHに保持されることになる。その後、制御装置4は、基板Pの露光処理を開始する。マスクMを照明光で照明するために、制御装置4は、光源装置3の発光動作を開始する。
第3空間5は、第1調整装置8によって、真空状態(第1の圧力値)に調整される。
また、第4空間15が、第2調整装置17によって、第3空間5の圧力とほぼ同じか、または第3空間5の圧力より高く、かつ大気圧よりも低い圧力(第2の圧力値)に調整される。あるいは、第4空間15が第3空間5よりも低い圧力に設定されるようにしてもよい。第1面11と第2面12とのギャップG1は、ギャップ調整機構35によって所定量に調整されており、第1面11と第2面12との間に形成されたガスシール機構10によって、第3空間5の内側にガスが流入することが抑制されている。これにより、第3空間5の真空状態、環境が維持される。
マスクMがマスクステージ1に保持されるとともに、基板Pが基板ステージ2に保持される。このとき、例えば制御装置4は、電圧源WHdを作動させ、基板保持部WH内の電極WHbに電圧を印加させる。この動作により、基板保持部WHには静電力が付与され、当該性電力によって基板Pが基板保持部WHに保持されることになる。その後、制御装置4は、基板Pの露光処理を開始する。マスクMを照明光で照明するために、制御装置4は、光源装置3の発光動作を開始する。
光源装置3の発光動作により光源装置3から射出されたEUV光は、照明光学系ILに入射する。照明光学系ILに入射したEUV光は、その照明光学系ILを進行した後、第1開口9に供給される。第1開口9に供給されたEUV光は、照明光として、第1開口9を介してマスクステージ1に保持されているマスクMに入射する。つまり、マスクステージ1に保持されているマスクMは、光源装置3より射出され、照明光学系ILを介した照明光(EUV光)で照明される。マスクMの反射面に照射され、その反射面で反射した照明光は、マスクMのパターンの像の情報を含む露光光ELとして第3空間5に配置されている投影光学系PLに入射する。投影光学系PLに入射した露光光ELは、その投影光学系PLを進行した後、基板ステージ2に保持されている基板Pに照射される。
制御装置4は、マスクMのY軸方向への移動と同期して、第2駆動系73A、73Bの駆動により基板PをY軸方向に走査移動しつつ、マスクMを露光光ELで照明する。これにより、基板Pは露光光ELで露光され、マスクMのパターンの像が基板Pに投影される。そして、制御装置4は、第1駆動系90の駆動による基板PのX軸方向へのステップ移動と、上記第2駆動系73A、73Bの駆動による基板PのY軸方向への走査移動とを繰り返すことにより、基板PにマスクMのパターンを露光する。
1枚の基板Pについての露光が終了すると、制御装置4は、基板ステージ2を基板搬入出部LUへ移動させ、基板保持部WH内の電極WHbに印加されている電圧を解除させる。その後、搬送機構TRを介して処理後の基板Pを回収させると共に、当該搬送機構TRを介して新たな基板Pを基板ステージ2に搬入させる。以降、上記処理が繰り返され、複数枚の基板Pに対する露光処理が行われる。
上記露光処理を繰り返し行うにつれて、例えば基板ステージ2に異物などが付着する場合がある。このような異物が例えば基板保持部WHなどに付着すると、当該基板保持部WHを介して基板Pが汚染されてしまう可能性がある。このため、本実施形態では、清掃装置50を用いてステージ装置ST(基板ステージ2)を定期的に清掃する。
図4から図9は、清掃装置50を用いたステージ装置STの清掃の各工程を示す図である。
本実施形態では、清掃装置50の清掃部材51に静電力を付与し(静電力付与工程)、当該静電力によって異物を清掃部材51に付着させるようにする(付着工程)。
本実施形態では、清掃装置50の清掃部材51に静電力を付与し(静電力付与工程)、当該静電力によって異物を清掃部材51に付着させるようにする(付着工程)。
静電力付与工程では、まず制御装置4は、基板保持部WH内の電極WHbに電圧が印加されていない状態にしておく。この状態から、図4に示すように、清掃装置50に設けられた清掃部材51と基板保持部WHの保持面WHaとを当接させ、この状態で基板ステージ2を移動させる(移動工程)。この動作により、図5に示すように、清掃部材51によって保持面WHa上に付着した異物ASが当該保持面WHaから剥ぎ取られ、例えば保持面WHa上に残留する(剥離工程)。
次に、図6に示すように、制御装置4は、駆動機構57を作動させ、清掃部材51を+Z方向に移動させて保持面WHaと付着面51aとの間を空けるようにする。清掃部材51を移動させた後、制御装置4は、基板ステージ2を清掃部材51の−Z側に移動させ、基板保持部WHの保持面WHaと清掃部材51の付着面51aとを対向させる。この状態で、制御装置4は、電圧源51dを作動させ、清掃部材51の内部に設けられた電極51bに対して電圧を印加させる。電極51bに電圧が印加されることにより、清掃部材51の付着面51aの電荷が移動し、付着面51aには静電力が付与されることになる。
付着工程では、付着面51aに付与された静電力により、保持面WHa上に残留した異物ASは、清掃部材51側に引き寄せられ、清掃部材51の付着面51aに付着する。なお、静電力付与工程又は付着工程において、制御装置4は、例えば異物ASの付着の程度に応じて電極51bに印加される電圧を調整し、付与される静電力の強さを調整するようにしても構わない(調整工程)。
付着面51aに異物ASを付着させた後、当該異物ASを回収する工程(異物回収工程)に移る。異物回収工程では、上記の基板Pとは異なる回収用基板G(図7参照)を介して異物ASを回収する。この回収用基板Gとしては、例えばガラスなど、絶縁体を含んで構成された基板を用いることが好ましい。ガラスを用いることにより、回収用基板G内の電荷の移動を遅くすることができるため、静電力を長く維持することができる。
制御装置4は、まず基板ステージ2を図7に示す基板搬入出部LUに移動させ、搬送機構TRを介して基板保持部WHの保持面WHaに回収用基板Gを載置させる。その後、制御装置4は、基板保持部WH内の電極WHbに電圧を印加させ、発生する精電力によって回収用基板Gを吸着させて保持させる(保持工程)。
その後、図7に示すように、制御装置4は、基板ステージ2を清掃部材51の−Z側の保持位置HPまで移動させ、回収用基板Gの+Z側に清掃部材51が配置された状態にする(清掃部材配置工程)。回収用基板Gは、静電力によって保持されているため、基板ステージ2の移動によっても位置ずれを起こすことは無い。基板ステージ2を移動させた後、制御装置4は、電圧源51dを作動させて清掃部材51内の電極51bへの電圧の印加を解除する。電極51bへの電圧印加が解除されると、付着面51aに生じていた静電力が減衰あるいは消失する。このため、付着面51aに付着していた異物ASは、自重により、あるいは、基板保持部WH側の静電力が作用することにより、清掃部材51の−Z側に配置されている回収用基板G上に落下する(異物落下工程)。
基板保持部WHの保持面WHaには静電力が付与されており、回収用基板Gが保持面WHaに吸着されて保持されることで、回収用基板Gには、当該保持面WHaを介して静電力が付与された状態になっている(第2静電力付与工程)。この静電力により、付着面51aから落下した異物ASは回収用基板Gに吸着されることになる(第2付着工程)。
この状態で、制御装置4は、図8に示すように、基板ステージ2を保持位置HPから基板搬入出部LUに移動させる。回収用基板G及び当該回収用基板G上の異物ASはそれぞれ静電力によって吸着されているため、基板ステージ2の移動中であっても例えば回収用基板Gが位置ずれしたり、異物ASが落下したり巻き上げられたりすることは無い。
基板ステージ2を基板搬入出部LUに移動させた後、電圧調整機構WHeにより、第2電極WHbへ印加する電圧を低下させる。この場合に第2電極WHbに印加する電圧としては、例えば回収用基板Gの吸着状態が解除されれば十分であるが、これに加えて、回収用基板G上の異物ASが回収用基板Gへ吸着されたままとなるような電圧値であればより好ましい。
第2電極WHbに印加する電圧を調整した後、図9に示すように、例えば搬送機構TRによって、保持面WHaに保持された回収用基板Gを、基板搬入出部LUからチャンバ装置6の外部へ搬出する。このようにして回収用基板Gを搬出することにより、当該回収用基板Gごと異物ASがチャンバ装置6の外部に回収されることになる(基板回収工程)。
本実施形態では、異物回収工程における保持工程及び基板回収工程は、上記の基板Pの保持及び回収と同一の構成要素であるステージ装置ST(基板ステージ2)、基板搬入出部LU及び搬送機構TRを用いることができる。したがって、本実施形態では、これらステージ装置ST(基板ステージ2)、基板搬入出部LU及び搬送機構TRが、そのまま回収装置として機能することになる。勿論、回収用基板Gの専用の構成を別途設けても構わない。
以上のように、本実施形態によれば、基板Pを保持する基板保持部WH上を清掃する清掃部材51と、基板保持部WH上の異物ASが清掃部材51に付着するように当該清掃部材51に静電力を付与する静電力付与装置WHfとを備える清掃装置50を用いることにより、異物ASを清掃部材51に静電吸着させることができる。これにより、異物ASの飛散を回避することができる。
また、本実施形態によれば、基板Pを露光する露光装置EXが、基板Pを保持する基板保持部WHと、当該基板保持部WHを清掃する上記清掃装置50とを備えることとしたので、露光装置EX内の環境を清浄に保持しつつ基板ステージ2を清掃することができる。これにより、基板Pなどが異物によって汚染されるのを回避することができるため、露光不良の発生を防ぐことができる。
また、本実施形態の露光装置EXは、EUV光を用いて基板Pを露光する構成となっており、上記のようにチャンバ装置6内を大気圧に対して減圧した空間として用いられる。本実施形態に係る清掃装置50は、チャンバ装置6の内部に予め配置されており、しかもチャンバ装置6内の空間を減圧した状態においても基板ステージ2を清掃することができるため、例えば清掃時にはチャンバ装置6内の減圧環境を一旦解除しその後の露光動作の開始時に再びチャンバ装置6内に減圧環境を復帰させる、といった工程を省くことができる。
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態においては、静電力付与工程では剥離工程の後に清掃部材51に静電力を付与し、第2静電力付与工程では回収用基板Gの搬入時から回収用基板Gに静電力を付与する構成としたが、これに限られることは無い。
例えば、上記実施形態においては、静電力付与工程では剥離工程の後に清掃部材51に静電力を付与し、第2静電力付与工程では回収用基板Gの搬入時から回収用基板Gに静電力を付与する構成としたが、これに限られることは無い。
例えば静電力付与工程では、剥離工程の前に清掃部材51に静電力を付与し、この状態で剥離工程を行うようにしても構わない。この場合、保持面WHaから剥離した異物ASが静電力によって清掃部材51に付着することになるため、剥離工程と同時に付着工程を行うことができる。
また、第2静電力付与工程については、例えば清掃部材51が回収用基板Gの+Z側に配置された時に一旦回収用基板Gの静電力を解除し、清掃部材51から回収用基板Gに異物ASを自重によって落下させた後に、改めて回収用基板Gに静電力を付与させて異物ASを吸着させるようにしても構わない。この場合、異物ASが落下する間、第2電極WHbには電圧が印加されないため、その分の消費電力を抑えることができる。
また、上記実施形態においては、清掃装置50によって清掃する対象として、基板ステージ2を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばマスクステージ1を清掃の対象としても本発明の適用は可能である。この場合、清掃装置50を例えば基板ステージ2とマスクステージ1との間で移動可能にしておき、必要に応じていずれのステージ装置STに対してもアクセス可能な構成とすることもできる。
また、上記実施形態では、基板回収工程において、ガラスから構成された回収用基板Gを介して異物を回収する動作を行う説明をしたが、これに限られることは無く、他の回収用基板を用いても構わない。他の回収用基板としては、例えばガラスの他に樹脂材料から構成された回収用基板を用いても構わないし、例えば基板保持部WHを洗浄する際に用いる基板を回収用基板として用いても構わない。
なお、上記各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。また、本発明は基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
また、例えば米国特許第6,611,316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
また、本実施形態においては、露光光ELがEUV光である場合を例にして説明したが、露光光ELとして、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等を用いることもできる。その場合、第1空間5は必ずしも真空状態に調整される必要はなく、例えば第1空間5を第1のガスで満たすことができる。第1空間5を第1のガスで満たす場合、第1のガスが満たされた第1空間5の環境を維持するために、本実施形態のガスシール機構10を用いることができる。また、第2部材16で形成される第2空間15を第2のガスで満たすことができる。
また、本発明は、基板ステージ(ウエハステージ)が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平10−163099号公報及び特開平10−214783号公報(対応米国特許6,341,007号、6,400,441号、6,549,269号及び6,590,634号)、特表2000−505958号(対応米国特許5,969,441号)或いは米国特許6,208,407号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願2004−168481号のウエハステージに適用してもよい。
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図10は、マイクロデバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップS10(設計ステップ)において、マイクロデバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップS11(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一方、ステップS12(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
次に、ステップS13(ウエハ処理ステップ)において、ステップS10〜ステップS12で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップS14(デバイス組立ステップ)において、ステップS13で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップS14には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップS15(検査ステップ)において、ステップS14で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
図11は、半導体デバイスの場合におけるステップS13の詳細工程の一例を示す図である。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ステップS21(酸化ステップ)おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップS22(CVDステップ)においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップS23(電極形成ステップ)においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップS24(イオン打込みステップ)においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップS21〜ステップS24のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップS25(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップS26(露光ステップ)において、上で説明したリソグラフィシステム(露光装置)及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップS27(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップS28(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップS29(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、DUV(深紫外)やVUV(真空紫外)光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、WO99/34255号、WO99/50712号、WO99/66370号、特開平11−194479号、特開2000−12453号、特開2000−29202号等に開示されている。
EX…露光装置 P…基板 ST…ステージ装置 LU…基板搬入出部 TR…搬送機構 WH…基板保持部 G…回収用基板 2…基板ステージ 4…制御装置 6…チャンバ装置 50…清掃装置 51…清掃部材 51f…静電力付与装置 52…本体部
Claims (33)
- 基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材と、
前記基板保持部上の異物が前記清掃部材に付着するように前記清掃部材に静電力を付与する静電力付与装置と
を備える清掃装置。 - 前記清掃部材は、大気圧に対して減圧された空間内で用いられる
請求項1に記載の清掃装置。 - 前記清掃部材は、前記基板保持部に対向され前記異物を付着させる付着面を有し、
前記静電力付与装置は、少なくとも前記付着面に前記静電力を付与する
請求項1又は請求項2に記載の清掃装置。 - 前記静電力付与装置は、前記清掃部材に設けられた電極を有する
請求項1から請求項3のうちいずれか一項に記載の清掃装置。 - 前記静電力付与装置は、前記清掃部材に付与する前記静電力を調整する調整機構を有する
請求項1から請求項4のうちいずれか一項に記載の清掃装置。 - 前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる駆動機構を更に備える
請求項1から請求項5のうちいずれか一項に記載の清掃装置。 - 前記基板保持部は、前記基板を保持する保持面を有し、
前記駆動機構は、前記保持面に平行な方向及び前記保持面に直交する方向のうち少なくとも一方に前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる
請求項6に記載の清掃装置。 - 前記清掃部材に付着した前記異物を回収する回収装置を更に備える
請求項1から請求項7のうちいずれか一項に記載の清掃装置。 - 前記回収装置は、前記異物を付着させる回収用基板を介して前記異物を回収する
請求項8に記載の清掃装置。 - 前記回収装置は、所定の回収位置で前記回収用基板を回収すると共に、前記基板保持部による前記回収用基板の保持位置と前記回収位置との間で前記回収用基板を搬送する搬送機構を有する
請求項9に記載の清掃装置。 - 前記回収用基板は、絶縁体を含んで形成されている
請求項9又は請求項10に記載の清掃装置。 - 前記回収装置は、前記回収用基板に静電力を付与する第2静電力付与装置を有する
請求項9から請求項11のうちいずれか一項に記載の清掃装置。 - 前記第2静電力付与装置は、前記基板保持部に設けられた第2電極を有する
請求項12に記載の清掃装置。 - 前記基板は、露光光の照射によって感光する感光剤が表面に形成されたウエハであり、
前記基板保持部は、所定面に沿って移動可能なステージの一部である
請求項1から請求項13のうちいずれか一項に記載の清掃装置。 - 基板を保持する基板保持部上を清掃する清掃部材に静電力を付与する静電力付与工程と、
前記基板保持部上の異物に前記静電力を作用させて前記異物を前記清掃部材に付着させる付着工程と
を含む清掃方法。 - 少なくとも前記付着工程は、大気圧に対して減圧された空間内で行われる
請求項15に記載の清掃方法。 - 前記静電力付与工程は、前記清掃部材のうち少なくとも前記異物を付着させる所定の付着面に前記静電力を付与することを含み、
前記付着工程は、前記付着面を前記基板保持部に対向させて当該付着面に前記異物を付着させることを含む
請求項15又は請求項16に記載の清掃方法。 - 前記静電力付与工程は、前記清掃部材に設けられた電極を介して前記清掃部材に前記静電力を付与する
請求項15から請求項17のうちいずれか一項に記載の清掃方法。 - 前記静電力付与工程は、前記清掃部材に付与する前記静電力を調整する調整工程を含む
請求項15から請求項18のうちいずれか一項に記載の清掃方法。 - 前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる移動工程を更に含む
請求項15から請求項19のうちいずれか一項に記載の清掃方法。 - 前記移動工程は、前記基板保持部に設けられ前記基板を保持する保持面に平行な方向及び当該保持面に直交する方向のうち少なくとも一方に前記基板保持部と前記清掃部材とを相対的に移動させる
請求項20に記載の清掃方法。 - 前記移動工程は、前記基板保持部と前記清掃部材とを接触させて相対的に移動させることで前記基板保持部上の前記異物を剥離する剥離工程を含む
請求項20又は請求項21のうちいずれか一項に記載の清掃方法。 - 前記剥離工程は、前記清掃部材に前記静電力が付与された状態で行う
請求項22に記載の清掃方法。 - 前記剥離工程の後、前記清掃部材に前記静電力を付与させる
請求項22に記載の清掃方法。 - 前記清掃部材に付着された前記異物を回収する異物回収工程
を更に備える請求項15から請求項24のうちいずれか一項に記載の清掃方法。 - 前記異物回収工程は、回収用基板を介して前記異物を回収する
請求項25に記載の清掃方法。 - 前記異物回収工程は、
前記回収用基板を前記基板保持部に保持させる保持工程と、
前記清掃部材に付着された前記異物を前記回収用基板上に付着させる第2付着工程と、
前記異物が付着された前記回収用基板を回収する基板回収工程と
を含む
請求項26に記載の清掃方法。 - 前記第2付着工程は、
前記異物が付着した前記清掃部材を前記回収用基板上に配置する清掃部材配置工程と、
前記清掃部材の前記静電力を弱めることにより前記異物を前記回収用基板上に落下させる異物落下工程と
を含む
請求項27に記載の清掃方法。 - 前記基板回収工程は、前記回収用基板の保持位置と所定の異物回収部との間で前記回収用基板を搬送することを含む
請求項28に記載の清掃方法。 - 前記基板保持部は、所定面に沿って移動可能なステージの一部であり、
前記搬送は、前記ステージが前記保持位置と前記異物回収部との間を移動することを含む
請求項29に記載の清掃方法。 - 前記回収用基板に静電力を付与する第2静電力付与工程を更に含む
請求項26から請求項30のうちいずれか一項に記載の清掃方法。 - 前記第2静電力付与工程は、前記基板保持部に設けられた電極を介して前記回収用基板に前記静電力を付与する
請求項31に記載の清掃方法。 - 基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を清掃する清掃装置と
を備え、
前記清掃装置として、請求項1から請求項14のうちいずれか一項に記載の清掃装置が用いられている
露光装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009265516A JP2011109041A (ja) | 2009-11-20 | 2009-11-20 | 清掃装置、清掃方法及び露光装置 |
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JP (1) | JP2011109041A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2022128246A1 (en) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning apparatus and method |
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- 2009-11-20 JP JP2009265516A patent/JP2011109041A/ja active Pending
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