JP2009289799A - スイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記式(I)で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。
【化1】
(I)
【選択図】なし
Description
有機磁性体を用いたスイッチング素子は特開2003−86813(特許文献1)に開示されているが、−200℃前後で磁性をもつメトキシアセトニトル重合体やデカメチルフェロセンのような化合物を用いているため、室温では動作しないことが大きな問題となっている。
(2)さらに、磁性体材料を含み、かつ所定の方向に磁化された陽極及び陰極と、磁場形成部と、を備え、前記磁性体膜は、前記陽極及び前記陰極の間に挟まれ、前記磁場形成部は、前記磁性体膜を所定の方向に磁化する、前記(1)に記載のスイッチング素子;
(3)前記陽極を構成する磁性体のフェルミ準位のスピン偏極の向きと、前記陰極を構成する磁性体のフェルミ準位のスピン偏極の向きと、が平行である、前記(2)に記載のスイッチング素子;
(4)前記陽極と前記陰極とは、同一方向又は反対方向に磁化されている、前記(2)又は(3)に記載のスイッチング素子;
(5)前記陽極と前記陰極とは、同一方向に磁化されており、前記磁場形成部は、前記磁性体膜の磁化の方向を、前記陽極及び陰極の磁化方向と同一方向及び反対方向に変えることにより、前記陽極及び陰極間を移動する電子のトンネル電流量を変える、前記(2)又は(3)に記載のスイッチング素子;
を提供する。
したがって、前記陽極及び陰極を所定の方向に磁化するとは、前記陽極及び陰極において、磁性体を構成する原子の磁気モーメントの方向が所定の方向に揃った状態にすることをいう。
また、前記磁性体膜を所定の方向に磁化するとは、前記磁性体膜において、磁性体を構成する原子の磁気モーメントの方向が所定の方向に揃った状態にすることをいう。
図1は、本発明の一実施形態に係るスイッチング素子を模式的に示す断面図である。
スイッチング素子10は、基板4と、その上に形成された陽極2と、その上に積層された磁性体膜3と、その上に積層された陰極1とを含む。陽極2と陰極1とは、一対の電極層を構成し、その間に磁性体膜3を挟持することにより、磁性体膜3にスピン偏極した電荷を注入する。
なお、磁性体膜3は、陽極2から陰極1へと電子が移動可能となるような膜厚に形成される。
一方、図示しないが、陽極及び陰極が−X方向に磁化されている場合には、陽極及び陰極において磁性体を構成する原子が上向きのスピンの電子を有する。
図2及び図3に示すように、磁場形成部5は、磁性体膜3の近傍に設けられる。磁場形成部5が磁性体膜3に磁場を与えて、磁性体膜3を陽極2及び陰極1の磁化の方向と同じ方向(図2)あるいは逆方向(図3)に磁化する。
なお、磁場形成部の設置場所は、磁性体膜を有効に磁化することが出来る場所であれば特に限定されない。
なお、磁場形成部は、コイルに限定されるわけではなく、コイルの代わりに磁気ヘッド等を用いることができる。
次に、スイッチング素子の動作及び作用について、図2及び図3を参照しながら具体的に説明する。
まず、図2に示すように、磁性体膜3を陽極2と陰極1の磁化の方向と同一方向に磁化する。この状態において、陽極2と陰極1との間に電圧を印加して、磁性体膜3に電流を注入すると、磁性体膜3は、陽極2及び陰極1の磁化方向と同一方向に磁化されているため、磁性体膜3のフェルミ準位の電子が下向きにスピン偏極し、陽極2及び陰極1のフェルミ準位の電子が下向きに偏曲する。このため、電子はスピン(下向きのスピン)の方向を維持したまま、陰極1から陽極2へと移動する。このため、電子がトンネルしやすくなる。したがって陰極1から陽極2へ電子のトンネル電流量が大きくなる。この状態を、スイッチング素子が「オン」した状態とする。
鉄サレン錯体の合成を、次のように行った。
得られた化合物は、シリカジェルを使ったフラッシュクロマトグラフィーを2回行うことで、10gのcompound 6(収率58%)が得られた。
ジエチルエーテルとパラフィンの溶液中で再結晶させ高速液化クロマトグラフィーで測定したところ、純度95%以上のcomplex A(鉄サレン錯体)5.7g(収率62%)を得た。
Claims (5)
- 下記式(I)で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。
- さらに、磁性体材料を含み、かつ所定の方向に磁化された陽極及び陰極と、磁場形成部と、を備え、
前記磁性体膜は、前記陽極及び前記陰極の間に挟まれ、
前記磁場形成部は、前記磁性体膜を所定の方向に磁化する、請求項1に記載のスイッチング素子。 - 前記陽極を構成する磁性体のフェルミ準位のスピン偏極の向きと、前記陰極を構成する磁性体のフェルミ準位のスピン偏極の向きと、が平行である、請求項2に記載のスイッチング素子。
- 前記陽極と前記陰極とは、同一方向又は反対方向に磁化されている、請求項2又は3に記載のスイッチング素子。
- 前記陽極と前記陰極とは、同一方向に磁化されており、
前記磁場形成部は、前記磁性体膜の磁化の方向を、前記陽極及び陰極の磁化方向と同一方向及び反対方向に変えることにより、前記陽極及び陰極間を移動する電子のトンネル電流量を変える、請求項2又は3に記載のスイッチング素子。
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