JP2009277601A - 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009277601A JP2009277601A JP2008130031A JP2008130031A JP2009277601A JP 2009277601 A JP2009277601 A JP 2009277601A JP 2008130031 A JP2008130031 A JP 2008130031A JP 2008130031 A JP2008130031 A JP 2008130031A JP 2009277601 A JP2009277601 A JP 2009277601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- hole injecting
- region
- transporting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 276
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 261
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 247
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 215
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 215
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 251
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 177
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 150
- 230000002940 repellent Effects 0.000 claims description 113
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 83
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 76
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 70
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 68
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 62
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 claims description 45
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 36
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 36
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 34
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 30
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 30
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 16
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 938
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 187
- 230000008569 process Effects 0.000 description 55
- -1 ether organic acids Chemical class 0.000 description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 32
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 24
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 15
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 15
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 11
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 10
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 9
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 8
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 7
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 6
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 6
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 6
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 6
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Natural products CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 5
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002751 molybdenum Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 3
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000011817 metal compound particle Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 3
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- HUBWRAMPQVYBRS-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenebis(dimethylarsane) Chemical compound C[As](C)C1=CC=CC=C1[As](C)C HUBWRAMPQVYBRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXSFECAJUBPPFE-UHFFFAOYSA-N 2,2':5',2''-terthiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC(=CC=2)C=2SC=CC=2)=C1 KXSFECAJUBPPFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LUEYUHCBBXWTQT-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-2h-triazole Chemical compound C1=NNN=C1C1=CC=CC=C1 LUEYUHCBBXWTQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTDLSAGEOYDVSJ-UHFFFAOYSA-N 4-phenyloxadiazole Chemical compound O1N=NC(C=2C=CC=CC=2)=C1 HTDLSAGEOYDVSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUXBNNVWBUTOQZ-UHFFFAOYSA-N 4-phenyltriazine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NN=N1 YUXBNNVWBUTOQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUBXDAMWVRMLOG-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-2-n,7-n-bis(3-methylphenyl)-2-n,7-n-diphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C)(C)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 YUBXDAMWVRMLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 9-n,9-n,10-n,10-n-tetrakis(4-methylphenyl)anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C(N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical class OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MMVYPOCJESWGTC-UHFFFAOYSA-N Molybdenum(2+) Chemical class [Mo+2] MMVYPOCJESWGTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920000557 Nafion® Polymers 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960002885 histidine Drugs 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 description 2
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical group [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 2
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- PZWQOGNTADJZGH-SNAWJCMRSA-N (2e)-2-methylpenta-2,4-dienoic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C=C PZWQOGNTADJZGH-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJGUAQKOHAABLK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-2-(1,1,2,2,2-pentafluoroethoxy)ethanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)OC(F)(F)C(F)(F)F RJGUAQKOHAABLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2OC=NC2=C1 RETDKIXQRINZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCFAKBRKTKVJPO-UHFFFAOYSA-N 1-anthroic acid Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C(=O)O)=CC=CC3=CC2=C1 CCFAKBRKTKVJPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylanthracene Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12 BRSRUYVJULRMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(O)=CC=C3C=CC2=C1 UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 2,2'-bithiophene Chemical compound C1=CSC(C=2SC=CC=2)=C1 OHZAHWOAMVVGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 2-furoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CO1 SMNDYUVBFMFKNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-olate Chemical compound CC(C)(C)[O-] SDTMFDGELKWGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-dinaphthalen-1-yl-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 4-butyl-n,n-diphenylaniline Polymers C1=CC(CCCC)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LGDCSNDMFFFSHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTPXFGUCAUTOEL-UHFFFAOYSA-N 9h-fluorene-1-carboxylic acid Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(C(=O)O)=CC=C2 HTPXFGUCAUTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100069231 Caenorhabditis elegans gkow-1 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical group [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N Laurolactam Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCCN1 JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000003978 Tissue Plasminogen Activator Human genes 0.000 description 1
- 108090000373 Tissue Plasminogen Activator Proteins 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical class ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJCQKXPYXRYZQM-UHFFFAOYSA-N [Mo+] Chemical compound [Mo+] XJCQKXPYXRYZQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000573 alkali metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Chemical group BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- WRMFBHHNOHZECA-UHFFFAOYSA-N butan-2-olate Chemical compound CCC(C)[O-] WRMFBHHNOHZECA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical group O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- PJWNIOJGDLTZPK-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone;methanol Chemical compound OC.O=C1CCCCC1 PJWNIOJGDLTZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SINKOGOPEQSHQD-UHFFFAOYSA-N cyclopentadienide Chemical compound C=1C=C[CH-]C=1 SINKOGOPEQSHQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N diphosphane Chemical compound PP VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanedithioic acid Chemical compound CCOC(S)=S ZOOODBUHSVUZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPGCWEMNNLXISK-UHFFFAOYSA-N hydratropic acid Chemical compound OC(=O)C(C)C1=CC=CC=C1 YPGCWEMNNLXISK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical group II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N methoxide Chemical compound [O-]C NBTOZLQBSIZIKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WKEZHBQACHILEC-UHFFFAOYSA-N molybdenum(3+) Chemical compound [Mo+3] WKEZHBQACHILEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKKVZAYJJZBGE-UHFFFAOYSA-N molybdenum(4+) Chemical compound [Mo+4] ZIKKVZAYJJZBGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMOJXGMTIHBUTN-UHFFFAOYSA-N molybdenum(5+) Chemical compound [Mo+5] UMOJXGMTIHBUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GINQYTLDMNFGQP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylformamide;methylsulfinylmethane Chemical compound CS(C)=O.CN(C)C=O GINQYTLDMNFGQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKPMSRGLGBBULD-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=2C3(C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C3=CC=CC=C3C=2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 OKPMSRGLGBBULD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical group O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005499 phosphonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005670 poly(ethylene-vinyl chloride) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-] OGHBATFHNDZKSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- QERYCTSHXKAMIS-UHFFFAOYSA-N thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CS1 QERYCTSHXKAMIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002366 time-of-flight method Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940005605 valeric acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上に形成され、撥液性を有する第1正孔注入輸送層と、上記第1正孔注入輸送層上に形成され、親液性を有する第2正孔注入輸送層と、上記第2正孔注入輸送層側の表面に配置され、上記第2正孔注入輸送層の構成材料が分解された撥液性領域、および、上記撥液性領域以外の領域である親液性領域からなるパターンとを有することを特徴とする有機EL素子用基板を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
さらに、上記の場合、上記金属酸化物が、金属含有ナノ粒子の少なくとも一部が酸化されたものであってもよい。
この場合、上記金属含有ナノ粒子が、モリブデン含有ナノ粒子、チタン含有ナノ粒子、またはモリブデン含有ナノ粒子およびチタン含有ナノ粒子の混合物であることが好ましい。モリブデン含有ナノ粒子およびチタン含有ナノ粒子は、反応性が比較的高く、電荷移動錯体を形成しやすいと考えられる。そのため、素子寿命をさらに向上させることが可能である。
まず、本発明の有機EL素子用基板について説明する。本発明の有機EL素子用基板は、基板と、上記基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上に形成され、撥液性を有する第1正孔注入輸送層と、上記第1正孔注入輸送層上に形成され、親液性を有する第2正孔注入輸送層と、上記第2正孔注入輸送層側の表面に配置され、上記第2正孔注入輸送層の構成材料が分解された撥液性領域、および、上記撥液性領域以外の領域である親液性領域からなるパターンとを有することを特徴とするものである。
図1は、本発明の有機EL素子用基板の一例を示す概略断面図である。図1に例示する有機EL素子用基板1においては、基板2上に第1電極層3がパターン状に形成され、この第1電極層3上に第1正孔注入輸送層4が形成され、この第1正孔注入輸送層4上に第2正孔注入輸送層5が形成され、第2正孔注入輸送層5側の表面に親液性領域11および撥液性領域12からなるパターンが形成されている。第1正孔注入輸送層4は撥液性を有し、第2正孔注入輸送層5は親液性を有している。また、撥液性領域12は、第2正孔注入輸送層5の構成材料が分解された領域である。
また、第2正孔注入輸送層に含有される材料が、エネルギー照射に伴う光触媒の作用または真空紫外光の照射等により変性されることも考えられる。この場合、第2正孔注入輸送層のエネルギー照射に伴う光触媒の作用が及んだ部分または真空紫外光が照射された部分は、例えば、第2正孔注入輸送層の構成材料の変性物等を含有する部分となる。これによっても、エネルギー照射に伴う光触媒の作用が及んだ部分または真空紫外光が照射された部分では、第1正孔注入輸送層が部分的に露出する、または、第2正孔注入輸送層の厚みが非常に薄くなるものと思料される。
以下、本発明の有機EL素子用基板の各構成について説明する。
本発明における第1正孔注入輸送層は、第1電極層上に形成され、撥液性を有するものである。
なお、表面張力が28.5mN/mの液体としては、22℃におけるm−キシレンを例示することができる。
また、発光層形成用塗工液は、溶剤の種類を変えたり、温度を変化させたりすることにより、表面張力を10mN/m〜100mN/mの範囲内で調整することができる。よって、表面張力が28.5mN/mの液体を用いた場合に限定されるものではなく、表面張力が10mN/m〜100mN/mの範囲内のいずれの液体を用いた場合であっても、その液体を用いた場合に、上記のような液体の接触角に相対的な差が得られればよい。
上記導電性ポリマーは、ホモポリマーであってもよく、2つ以上のそれぞれのモノマーの共重合体であってもよい。
正孔輸送性高分子化合物がフッ素化された高分子材料としては、例えば、アリールアミン誘導体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フルオレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スピロ化合物等を繰り返し単位に含む重合体がフッ素化された材料を挙げることができる。なお、上記重合体については、後述の第2正孔注入輸送層の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。
また、第1正孔注入輸送層として、一般的に用いられる正孔輸送性高分子化合物からなる膜をフッ素プラズマ処理したものを用いることも可能である。
また、第1正孔注入輸送層は、上記の高分子材料に加えて、後述の第2正孔注入輸送層に用いられる低分子材料を含有していてもよい。
ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンとしては、例えば、特表2007−532758号公報に記載のものを用いることができる。
上記導電性ポリマーは、ホモポリマーであってもよく、2つ以上のそれぞれのモノマーの共重合体であってもよい。
なお、「非ポリマー」とは、約2000未満の分子量を有する化合物を意味する。また、「フッ素化有機酸」とは、少なくとも1つの酸基と炭素原子に結合した少なくとも1つのフッ素とを有する有機化合物を意味する。
R7−(O−CF2CFRf)a−O−CF2CFR´fSO3H
(上記式中、R7はフルオロアルキル基であり、RfおよびR´fは独立してF、Clまたは1〜10個の炭素原子を有する過フッ素化アルキル基から選択され、a=0、1または2である。)
で表されるフルオロエーテルスルホン酸を挙げることができる。R7は、過フッ素化アルキル基であってもよく、ジフルオロメチル、1,1,2,2−テトラフルオロエチル等が例示される。
なお、光触媒機能をもつ材料については、後述の第2正孔注入輸送層の項に詳しく記載するので、ここでの説明は省略する。
本発明における第2正孔注入輸送層は、上記第1正孔注入輸送層上に形成され、親液性を有するものである。
なお、本明細書において、高分子材料とは、重量平均分子量が2000以上であるものをいう。また、低分子材料とは、分子量が2000未満であるものをいう。
カルバゾール類を繰り返し単位に含む重合体の具体例としては、ポリビニルカルバゾール(PVK)等を挙げることができる。チオフェン誘導体類を繰り返し単位に含む重合体の具体例としては、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(ビチオフェン)]等を挙げることができる。
フルオレン誘導体を繰り返し単位に含む重合体の具体例としては、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−co−(4,4’−(N−(4−sec−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)](TFB)等を挙げることができる。
スピロ化合物を繰り返し単位に含む重合体の具体例としては、ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレニル−2,7−ジイル)−alt−co−(9,9’−スピロ−ビフルオレン−2,7−ジイル)]等を挙げることができる。これらの正孔輸送性高分子化合物は単独で用いてもよく2種以上を併用してもよい。
カルバゾール誘導体の具体例としては、4,4−N,N’−ジカルバゾール−ビフェニル(CBP)などが挙げられる。
フルオレン誘導体の具体例としては、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)−9,9−ジメチルフルオレン(DMFL−TPD)などが挙げられる。
ジスチリルベンゼン誘導体の具体例としては、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−[(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン(DPAVB)などが挙げられる。
スピロ化合物の具体例としては、2,7−ビス(N−ナフタレン−1−イル−N−フェニルアミノ)−9,9−スピロビフルオレン(Spiro−NPB)、2,2’,7,7’−テトラキス(N,N−ジフェニルアミノ)−9,9’−スピロビフルオレン(Spiro−TAD)などが挙げられる。
なお、ナノ粒子とは、直径がnm(ナノメートル)オーダー、すなわち1μm未満の粒子をいう。
金属および/または金属化合物の粒子は、単一構造であっても複合構造であってもよく、コア・シェル構造、合金、島構造等であってもよい。
例えば、モリブデン含有ナノ粒子に含まれるモリブデン化合物としては、モリブデン酸化物(MoO2、MoO3)、MoS2、MoB2、MoSe2,MoClx(x=3,4,5)等が挙げられる。ただし、ここで例示した価数のモリブデン化合物のみが含まれるわけではなく、ナノ粒子内には処理条件によって様々な価数のMo原子や化合物、例えば酸化物とホウ化物が混在していてもよい。
また、本発明の効果を損なわない限り、芳香族炭化水素および/または複素環を含む構造に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキル基の中では、炭素数1〜12の直鎖または分岐のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が好ましい。
なお、平均粒径は、動的光散乱法により測定される体積平均粒径または個数平均粒径であるが、第2正孔注入輸送層に分散された状態においては、平均粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)または透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて得られた画像から、金属含有ナノ粒子が20個以上存在していることが確認される領域を選択し、この領域中の全ての金属含有ナノ粒子について粒径を測定し、平均値を求めることにより得られる値とする。
なお、第2正孔注入輸送層に含まれていてもよい有機金属錯体の反応物とは、第2正孔注入輸送層を形成する過程、例えば、第2正孔注入輸送層形成用塗工液中、加熱時、エネルギー照射時、素子駆動時等に行われる、有機金属錯体の反応によって生成される反応生成物のことをいう。
また、本発明の効果を損なわない限り、芳香環および/または複素環を含む構造に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数1〜20のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられる。炭素数1〜20の直鎖または分岐のアルキル基の中では、炭素数1〜12の直鎖または分岐のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が好ましい。
酸化数0以下のモリブデン錯体としては、例えば、金属カルボニル[Mo-II(CO)5]2-、[(CO)5Mo-IMo-I(CO)5]2-、[Mo(CO)6]等が挙げられる。
また、酸化数が+1のモリブデン(I)錯体としては、ジホスファンやη5−シクロペンタジエニドを含む非ウェルナー型錯体が挙げられ、具体的には、MoI(η6-C6H6)2]+,[MoCl(N2)(diphos)2](diphosは、2座配位子(C6H5)2PCH2CH2P(C6H5)2)が挙げられる。
酸化数が+2のモリブデン(II)錯体としては、その他、[MoII 2X4L4]、[MoIIX2L4]などのハロゲン錯体を用いることができ、例えば、[MoIIBr4(P(n−C4H9)3)4]や[MoIII2(diars)2](diarsは、ジアルシン(CH3)2As−C6H4−As(CH3)2)などが挙げられる。
また、酸化数が+4のモリブデン(IV)錯体としては、例えば、[Mo{N(CH3)2}4]、[Mo(CN)8]4-、それにオキソ配位子をもつMoO2+の錯体や、O2-で2重架橋したMo2O2 4+の錯体が挙げられる。
また、酸化数が+6のモリブデン(VI)錯体としては、例えば、MoO2(acetylacetonate)2]が挙げられる。なお、2核以上の錯体の場合には、混合原子価錯体もある。
無機半導体が、無機半導体ナノ粒子である場合、無機半導体ナノ粒子の平均粒径、製造方法、含有量等については、上記金属含有ナノ粒子と同様とすることができる。
本発明の有機EL素子用基板は、上記第2正孔注入輸送層側の表面に、上記第2正孔注入輸送層の構成材料が分解された撥液性領域と、この撥液性領域以外の領域である親液性領域とからなるパターンを有している。
また、親液性領域および撥液性領域の全体において、液体の接触角が仕切部の側部側から頂部側に向かって高くなっていてもよく、親液性領域の一部分および撥液性領域において、液体の接触角が仕切部の側部側から頂部側に向かって高くなっていてもよい。液体の接触角が仕切部の側部側から頂部側に向かって高くなる場合、通常、少なくとも親液性領域および撥液性領域の境界付近において、液体の接触角が仕切部の側部側から頂部側に向かって高くなることになる。
なお、「撥液性領域が、第2正孔注入輸送層の構成材料が分解されたものである」とは、撥液性領域に第2正孔注入輸送層の構成材料が含有されていない、または、第2正孔注入輸送層に含有される材料の量と比較して、撥液性領域にその材料が少ない量含有されている、または、撥液性領域に第2正孔注入輸送層の構成材料の分解物等が含有されていることをいう。例えば、エネルギー照射に伴う光触媒の作用または真空紫外光の照射等により、第2正孔注入輸送層のエネルギー照射に伴う光触媒の作用が及んだ部分または真空紫外光が照射された部分が完全または部分的に分解除去されて、第1正孔注入輸送層が完全にまたは部分的に露出すること等となる。
さらに、従来のような撥液性材料を用いた隔壁や撥液化処理された隔壁では、隔壁の頂部だけでなく側部も撥液性を有するものとなるため、仕切り部の側部から発光層が物理的に剥離したり、発光層等の厚みの薄い箇所や発光層等が形成されない箇所が発生したりするという不具合があった。これに対し、本発明においては、隔壁の側部上には親液性領域が配置されているので、仕切り部の側部から発光層が物理的に剥離したり、発光層等の厚みの薄い箇所や発光層等が形成されない箇所が発生したりするのを抑制することができる。
本発明においては、図4および図5に例示するように、第1電極層3が形成された基板2上に、親液性を有する仕切部(隔壁6aまたは絶縁層6b)がパターン状に形成されていてもよい。親液性を有する仕切部が形成されていることにより、仕切部が形成された基板上に第1正孔注入輸送層を均一に形成しやすくなるからである。
本発明においては、図4に例示するように、第1電極層3が形成された基板2上に、親液性を有する隔壁6aがパターン状に形成されていてもよい。通常、第1電極層がパターン状に形成されている場合には、隔壁6aは第1電極層3のパターンの開口部に形成される。
有機材料としては、例えば、親液性を有する樹脂を挙げることができ、具体的には、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニル共重合体、エチレン−ビニル共重合体、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ABS樹脂、ポリメタクリル酸樹脂、エチレン−メタクリル酸樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩素化塩化ビニル、ポリビニルアルコール、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、ナイロン6、ナイロン66、ナイロン12、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリビニルブチラール、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミック酸樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂等が挙げられる。
無機材料としては、例えば、SiO2などを挙げることができる。
また、絶縁層上に隔壁が形成されている場合、隔壁の幅としては、図7(a)に例示するように、隔壁6aの幅が第1電極層3のパターン間の幅よりも狭くてもよく、図7(b)に例示するように、隔壁6aの幅が第1電極層3のパターン間の幅よりも広くてもよい。
本発明においては、図5に例示するように、第1電極層3が形成された基板2上に、親液性を有する絶縁層6bがパターン状に形成されていてもよい。通常、第1電極層がパターン状に形成されている場合には、絶縁層6bは第1電極層3のパターンの開口部に形成され、かつ、第1電極層のパターンの端部を覆うように形成される。
絶縁層の膜厚としては、10nm〜50μm程度とすることができる。
本発明に用いられる第1電極層は、陽極であり、基板上に形成されるものである。
また、第1電極層を形成する材料としては、透明性を有していてもよく、有さなくてもよい。例えば、本発明の有機EL素子用基板を用いた有機EL素子において、基板側から光を取り出す場合や、本発明の有機EL素子用基板を用いて有機EL素子を作製する過程において、親液性領域および撥液性領域からなるパターンを形成する際に基板側からエネルギーを照射する場合には、第1電極層は透明性を有することが好ましい。導電性および透明性を有する材料としては、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O等を好ましいものとして例示することができる。一方、例えば、本発明の有機EL素子用基板を用いた有機EL素子において、基板の反対側から光を取り出す場合には、第1電極層に透明性は要求されない。この場合、導電性を有する材料として、金属を用いることができ、具体的には、Au、Ta、W、Pt、Ni、Pd、Cr、あるいは、Al合金、Ni合金、Cr合金等を挙げることができる。
第1電極層の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等を挙げることができる。また、第1電極層のパターニング方法としては、フォトリソグラフィー法を挙げることができる。
本発明における基板は、第1電極層、第1正孔注入輸送層、第2正孔注入輸送層等を支持するものである。
基板は、透明であってもよく、透明でなくてもよい。例えば、本発明の有機EL素子用基板を用いた有機EL素子において、基板側から光を取り出す場合や、本発明の有機EL素子用基板を用いて有機EL素子を作製する過程において、親液性領域および撥液性領域からなるパターンを形成する際に基板側からエネルギーを照射する場合には、基板は透明であることが好ましい。透明な基板としては、例えば、石英、ガラス等を挙げることができる。一方、例えば、本発明の有機EL素子用基板を用いた有機EL素子において、基板の反対側から光を取り出す場合には、基板に透明性は要求されない。この場合、基板には、上記材料の他にも、アルミニウムおよびその合金等の金属、プラスチック、織物、不織布等を用いることができる。
本発明の有機EL素子用基板は、基板、第1電極層、第1正孔注入輸送層、第2正孔注入輸送層、ならびに、親液性領域および撥液性領域からなるパターンを有するものであればよく、必要に応じて、隔壁、絶縁層、その他の構成を有していてもよい。
第3正孔注入輸送層は、親液性を有していてもよく、撥液性を有していてもよいが、通常は、親液性を有するものとされる。
第3正孔注入輸送層が親液性を有する場合、この第3正孔注入輸送層の有する親液性としては、上記第2正孔注入輸送層の有する親液性と同程度であることが好ましい。
なお、第3正孔注入輸送層の形成材料、膜厚、形成方法等については、上記第2正孔注入輸送層と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
本発明においては、上記第2正孔注入輸送層が光触媒機能をもつ材料を含有する場合、第3正孔注入輸送層も、光触媒機能をもつ材料を含有していてもよい。本発明の有機EL素子用基板を製造する過程において、撥液性領域および親液性領域からなるパターンを形成する際に、第2正孔注入輸送層および第3正孔注入輸送層に光触媒機能をもつ材料が含有されていることにより、撥液性領域では第2正孔注入輸送層および第3正孔注入輸送層の構成材料の分解を促進できるからである。これにより、第2正孔注入輸送層および第3正孔注入輸送層の2層でも、容易にそれらの構成材料を分解することが可能である。
次に、本発明の有機EL素子について説明する。本発明の有機EL素子は、上述の有機EL素子用基板と、上記有機EL素子用基板の親液性領域上に形成され、少なくとも発光層を含むEL層と、上記EL層上に形成された第2電極層とを有することを特徴とするものである。
図8は、本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図である。図8に例示する有機EL素子41は、基板2上に第1電極層3がパターン状に形成され、この第1電極層3上に第1正孔注入輸送層4が形成され、この第1正孔注入輸送層4上に第2正孔注入輸送層5が形成され、第2正孔注入輸送層5側の表面に親液性領域11および撥液性領域12からなるパターンが形成された有機EL素子用基板を有するものであり、さらに、親液性領域11上に形成された発光層42と、この発光層42上に形成された電子注入輸送層43と、電子注入輸送層43上に形成された第2電極層44とを有している。第1正孔注入輸送層4は撥液性を有し、第2正孔注入輸送層5は親液性を有している。また、撥液性領域12は、第2正孔注入輸送層の構成材料が分解された領域である。
本発明に用いられるEL層は、上記有機EL素子用基板の親液性領域上に形成され、少なくとも発光層を含むものである。
以下、EL層の各構成について説明する。
本発明における発光層は、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を有するものである。
発光層に用いられる発光材料としては、蛍光または燐光を発するものであれば特に限定されるものではない。また、発光材料は、正孔輸送性や電子輸送性を有していていもよい。発光材料としては、色素系材料、金属錯体系材料、および高分子系材料を挙げることができる。
なお、発光層の形成方法については、後述する「D.有機EL素子の製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
本発明における電子注入輸送層は、陰極(第2電極層)から注入された電子を安定に発光層内へ注入する電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、陰極(第2電極層)から注入された電子を発光層内へ輸送する電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両方を有する単一の層であってもよい。
上記の中でも、アルカリ土類金属のフッ化物が好ましい。アルカリ土類金属のフッ化物は、融点が高く耐熱性を向上させることができるからである。
また、電子輸送層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される膜厚であれば特に限定されるものではないが、具体的には1nm〜200nmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは1nm〜100nmの範囲内である。
さらに、電子注入機能および電子輸送機能の両方を有する単一の層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される膜厚であれば特に限定されるものではないが、具体的には0.1nm〜200nmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは0.1nm〜100nmの範囲内である。
なお、電子注入輸送層の形成方法については、後述する「D.有機EL素子の製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
本発明においては、図10に例示するように、有機EL素子用基板1の親液性領域11上に第4正孔注入輸送層45が形成され、この第4正孔注入輸送層45上に発光層42が形成されていてもよい。
第4正孔注入輸送層の有する親液性としては、上記第2正孔注入輸送層の有する親液性と同程度であることが好ましい。
なお、第4正孔注入輸送層の形成方法については、後述する「D.有機EL素子の製造方法」の項に記載するので、ここでの説明は省略する。
本発明に用いられる第2電極層は、陰極であり、EL層上に形成されるものである。
次に、本発明の有機EL素子用基板の製造方法について説明する。本発明の有機EL素子用基板の製造方法は、第1電極層が形成された基板上に、撥液性を有する第1正孔注入輸送層を形成する第1正孔注入輸送層形成工程と、上記第1正孔注入輸送層上に、親液性を有する第2正孔注入輸送層を形成する第2正孔注入輸送層形成工程と、上記第2正孔注入輸送層にマスクを用いてエネルギーを照射し、上記第2正孔注入輸送層に含有される材料が分解された撥液性領域、および、上記撥液性領域以外の領域である親液性領域からなるパターンを形成するパターン形成工程とを有することを特徴とする有機EL素子用基板の製造方法を提供する。
図2は、本発明の有機EL素子用基板の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図2(a)に示すように、基板2上に第1電極層3をパターン状に形成し、この第1電極層3上に撥液性を有する第1正孔注入輸送層4を形成する(第1正孔注入輸送層形成工程)。次に、図2(b)に示すように、第1正孔注入輸送層4上に親液性を有する第2正孔注入輸送層5aを形成する(第2正孔注入輸送層形成工程)。
次いで、図2(c)に示すように、基体22と、この基体22上にパターン状に形成された遮光部23と、遮光部23を覆うように基体22上に形成され、光触媒を含有する光触媒含有層24とを有する光触媒含有層基板21を準備する。次いで、光触媒含有層基板21を、光触媒含有層24と第2正孔注入輸送層5aとが向かい合うように配置し、光触媒含有層基板21を介して第2正孔注入輸送層5aに対して紫外光27を照射する。紫外光27の照射により、図2(d)に示すように、光触媒含有層24に含有される光触媒の作用から、第2正孔注入輸送層5aの露光部では、第2正孔注入輸送層5aに含有される材料が分解され、撥液性領域12が形成される。一方、第2正孔注入輸送層5aの未露光部では、第2正孔注入輸送層5bがそのまま残り、親液性領域11となる(図2(c)〜(d)、パターン形成工程)。
次いで、図3(c)に示すように、メタルマスク31を第2正孔注入輸送層5aの表面に配置し、メタルマスク31を介して第2正孔注入輸送層5aに対して真空紫外光37を照射する。真空紫外光37の照射により、図3(d)に示すように、第2正孔注入輸送層5aの露光部では、第2正孔注入輸送層5aに含有される材料が分解され、撥液性領域12が形成される。一方、第2正孔注入輸送層5aの未露光部では、第2正孔注入輸送層5bがそのまま残り、親液性領域11となる(図3(c)〜(d)、パターン形成工程)。
以下、本発明の有機EL素子用基板の製造方法における各工程について説明する。
本発明における第1正孔注入輸送層形成工程は、第1電極層が形成された基板上に、撥液性を有する第1正孔注入輸送層を形成する工程である。
本発明における第2正孔注入輸送層形成工程は、上記第1正孔注入輸送層上に、親液性を有する第2正孔注入輸送層を形成する工程である。
本発明におけるパターン形成工程は、上記第2正孔注入輸送層にマスクを用いてエネルギーを照射し、上記第2正孔注入輸送層に含有される材料が分解された撥液性領域、および、上記撥液性領域以外の領域である親液性領域からなるパターンを形成する工程である。
第2正孔注入輸送層にマスクを用いてエネルギーを照射する方法としては、第2正孔注入輸送層に含有される材料を分解できる方法であれば特に限定されるものではないが、通常、エネルギー照射によって、酸素ラジカルなどの活性酸素種を発生させることができる方法が用いられる。この活性酸素種の強力な酸化・還元力により、第2正孔注入輸送層に含有される材料、特に有機物を分解することができるからである。
以下、上記(i)〜(v)の方法に分けて説明する。
エネルギー照射に伴う光触媒の作用を利用する方法は、マスクとして、基体上に少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層が形成されている光触媒含有層基板を用い、上記光触媒含有層基板を、上記第2正孔注入輸送層に対して、エネルギーの照射に伴う光触媒の作用がおよび得る間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射する方法である。
本発明に用いられる光触媒含有層基板は、基体上に少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層が形成されているものである。
光触媒含有層がパターン状に形成されている場合には、光触媒含有層を第2正孔注入輸送層に対して所定の間隙をおいて配置し、エネルギーを照射する際に、フォトマスク等を用いてパターン照射する必要がなく、全面に照射することにより、第2正孔注入輸送層に含有される材料が分解された撥液性領域をパターン状に形成することができる。また、この場合、エネルギーの照射方向としては、光触媒含有層と第2正孔注入輸送層とが面する部分にエネルギーが照射されれば、いかなる方向であってもよい。さらには、照射されるエネルギーも、平行光等の平行なものに限定されない。
本発明においては、光触媒含有層基板を、第2正孔注入輸送層に対して、エネルギー照射に伴う光触媒の作用がおよび得る間隙をおいて配置する。なお、間隙とは、光触媒含有層および第2正孔注入輸送層が接触している状態も含むものとする。
真空紫外光を照射する方法は、マスクとして真空紫外光用マスクを用い、エネルギーとして真空紫外光を照射する方法である。
一方、隔壁や絶縁層等の仕切部が形成されている場合には、真空紫外光用マスクを第2正孔注入輸送層にできるだけ接近させ、かつ、真空紫外光用マスクが第2正孔注入輸送層に接触するように、真空紫外光用マスクを配置してもよく、また真空紫外光用マスクを第2正孔注入輸送層にできるだけ接近させ、かつ、真空紫外光用マスクが第2正孔注入輸送層に接触しないように、真空紫外光用マスクを配置してもよい。隔壁や絶縁層等の仕切部が形成されている場合であって、透明基材上に遮光部がパターン状に形成された真空紫外光用マスクを用いる場合には、真空紫外光用マスクを第2正孔注入輸送層に密着するように固定することができる。
エネルギー照射に伴う光触媒機能をもつ材料の作用を利用する方法は、第2正孔注入輸送層、または、第2正孔注入輸送層および第1正孔注入輸送層を光触媒機能をもつ材料を含有するものとし、マスクを介して第2正孔注入輸送層に対してエネルギーを照射する方法である。
有機金属錯体または金属含有ナノ粒子の少なくとも一部を金属酸化物とするには、例えば、上記のエネルギーを照射するだけでもよく、上記のエネルギーを照射することに加えて、加熱してもよい。
エネルギー照射に伴う光触媒の作用を利用する方法とエネルギー照射に伴う光触媒機能をもつ材料の作用を利用する方法とを組み合わせた方法は、第2正孔注入輸送層、または、第2正孔注入輸送層および第1正孔注入輸送層を光触媒機能をもつ材料を含有するものとし、マスクとして、基体上に少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層が形成されている光触媒含有層基板を用い、上記光触媒含有層基板を、上記第2正孔注入輸送層に対して、エネルギーの照射に伴う光触媒の作用がおよび得る間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射する方法である。
なお、エネルギー照射に伴う光触媒の作用を利用する方法およびエネルギー照射に伴う光触媒機能をもつ材料の作用を利用する方法については、それぞれ上記(i)、(iii)に記載したので、ここでの説明は省略する。
真空紫外光を照射する方法とエネルギー照射に伴う光触媒機能をもつ材料の作用を利用する方法とを組み合わせた方法は、マスクとして真空紫外光用マスクを用い、第2正孔注入輸送層、または、第2正孔注入輸送層および第1正孔注入輸送層を光触媒機能をもつ材料を含有するものとし、エネルギーとして真空紫外光を照射する方法である。
なお、真空紫外光を照射する方法およびエネルギー照射に伴う光触媒機能をもつ材料の作用を利用する方法については、それぞれ上記(ii)、(iii)に記載したので、ここでの説明は省略する。
本発明において、後述の仕切部形成工程を行う場合、本工程にて、仕切部の頂部上に位置する第2正孔注入輸送層の部分にエネルギーを照射してもよい。
また、隔壁のように膜厚が比較的厚い仕切部の場合、仕切部の頂部側から側部側に向かって、第2正孔注入輸送層とマスクとの距離が徐々に広くなることから、この第2正孔注入輸送層とマスクとの距離に応じて、液体の接触角に傾斜をもたせることもできる。
なお、この場合、基体上に光触媒含有層が設けられている領域を、上記でいう透過領域とし、基体が露出している領域を、上記でいう遮光領域ということとする。
さらに、上記の場合、第2正孔注入輸送層および第3正孔注入輸送層にメタルマスクを介して真空紫外光を照射することにより、第2正孔注入輸送層に含有される材料が分解されるとともに、第3正孔注入輸送層に含有される材料も分解され、第1正孔注入輸送層が露出すると考えられる。
本発明においては、上記パターン形成工程後に、第2正孔注入輸送層側の表面を洗浄する洗浄工程を行うことができる。洗浄工程により、パターン形成工程後に残存する第2正孔注入輸送層に含有される材料の分解物等を除去することができる。なお、第2正孔注入輸送層に含有される材料は、分解される際に気化等されることもあることから、洗浄工程は行わなくてもかまわない。
本発明においては、必要に応じて、第1正孔注入輸送層形成工程前に、隔壁や絶縁層を形成する仕切部形成工程等を行ってもよい。
なお、隔壁および絶縁層の形成方法については、上記「A.有機EL素子用基板」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
次に、本発明の有機EL素子の製造方法について説明する。本発明の有機EL素子の製造方法は、上述の有機EL素子用基板の製造方法により、有機EL素子用基板を調製する有機EL素子用基板調製工程と、上記有機EL素子用基板の親液性領域上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する発光層形成工程と、上記発光層上に、第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とするものである。
以下、本発明の有機EL素子の製造方法における各工程について説明する。
本発明における有機EL素子用基板調製工程は、上述の有機EL素子用基板の製造方法により、有機EL素子用基板を調製する工程である。
有機EL素子用基板を調製する方法については、上記「C.有機EL素子用基板の製造方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
本発明における発光層形成工程は、上記有機EL素子用基板の親液性領域上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する工程である。
また、正孔注入輸送層形成用塗工液や電子注入輸送層形成用塗工液は、上記「A.有機EL素子」の電荷注入輸送層の項に記載した各材料を溶剤に分散もしくは溶解させることにより調製することができる。
本発明における第2電極層形成工程は、上記発光層上に、第2電極層を形成する工程である。
なお、第2電極層の形成方法等については、上記「B.有機EL素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
本発明においては、上記の有機EL素子用基板調製工程、発光層形成工程および第2電極層形成工程のほかに、必要に応じて、他の工程を有していてもよい。
なお、第4正孔注入輸送層については、上記「B.有機EL素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
電子注入輸送層の形成方法としては、上記の第1正孔注入輸送層や第2正孔注入輸送層の形成方法と同様とすることができる。
なお、電子注入輸送層については、上記「B.有機EL素子」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
[実施例1]
図17(a)〜(b)に示すように、ITO透明電極(陽極)(3)が形成されたガラス基板(2)の上に、第1正孔注入輸送層4および第2正孔注入輸送層5aを順に形成し、基体22上に遮光部23と光触媒含有層24とが形成された光触媒含有層基板21(光触媒含有層付きフォトマスク)を用いてパターン露光し、露光部と非露光部の濡れ性を接触角測定により調べた。
次に、上記基板の上に第1正孔注入輸送層として、PEDOT:PSSとナフィオンの混合膜をスピンコート法により塗布形成した。第1正孔注入輸送層形成用塗工液は、PEDOT:PSS溶液(スタルク製)とナフィオン分散液(関東化学製)とを固形分比が10:1になるように混合して調製した。塗膜形成後はホットプレート上で乾燥させた。乾燥後の膜厚は60nmであった。キシレンに対する第1正孔注入輸送層表面の接触角は45°であった。
次に、上記第1正孔注入輸送層の上に第2正孔注入輸送層として、コポリ[3,3’−ヒドロキシ−テトラフェニルベンジジン/ジエチレングリコール]カーボネート(PC−TPD−DEG)膜をスピンコート法により塗布形成した。第2正孔注入輸送層形成用塗工液は、PC−TPD−DEGを、ジクロロエタンとトルエンの混合溶媒(重量比9:1)中に溶解させて調製した。塗膜形成後はホットプレート上で乾燥させた。乾燥後の膜厚は7nmであった。キシレンに対する第2正孔注入輸送層表面の接触角は5°以下であった。
・二酸化チタン(石原産業(株)製、ST−K01) 2重量部
・オルガノアルコキシシラン(東芝シリコーン(株)製、TSL8113) 0.4重量部
・フルオロアルキルシラン(トーケムプロダクツ(株)製、MF−160E) 0.3重量部
・イソプロピルアルコール 3重量部
続いて、第2正孔注入輸送層上の露光部と非露光部との液体の接触角を接触角計(協和界面科学社製)により測定した。液体にはキシレン(表面張力:28.5mN/m)を使用した。
実施例1において、露光用光源として253nmの紫外光の代わりに、真空紫外光を用いて2分間露光した以外は、実施例1と同様にパターンを形成し、濡れ性の評価を行った。この際、光触媒含有層付きフォトマスク側から波長172nmの真空紫外光を、10mW/cm2の照度で照射することにより、撥液性領域および親液性領域からなるパターンを形成した。
実施例1において、第2正孔注入輸送層として、PC−TPD−DEG膜の代わりに、PC−TPD−DEGとモリブデン錯体1の混合膜(膜厚:10nm)を形成した以外は、実施例1と同様にパターンを形成し、濡れ性の評価を行った。
実施例3において、第2正孔注入輸送層として、PC−TPD−DEGとモリブデン錯体の混合膜(膜厚:10nm)の代わりに、PC−TPD−DEGとモリブデン含有ナノ粒子の混合膜(膜厚:10nm)を形成した以外は、実施例1と同様にパターンを形成し、濡れ性の評価を行った。
すなわち、沈殿物をクロロホルム3gと混合して分散液とし、この分散液にエタノール6gを滴下することにより精製された沈殿物を得た。
このようにして得られた再沈殿液を遠心分離し沈殿物を反応液から分離した後、乾燥することにより、モリブデン含有ナノ粒子の精製物を得た。
実施例1において、第2正孔注入輸送層を形成しない以外は、実施例1と同様にパターン露光し、濡れ性の評価を行った。
実施例1〜4および比較例1について、図17(a)および(b)に示す領域I〜IVにおける液体の接触角を下記表1に示す。
実施例1において、ITO基板上に高さ1.5μm、ライン/スペースが70μm/70μmのライン状の隔壁を形成した基板を用い、開口部が50μmになるようにライン状の遮光領域が形成されたフォトマスクを用い、開口部がライン状の隔壁上に位置するように調整して露光した以外は、実施例1と同様にパターンを形成した。
・2-メチル-9、10-ビス(ナフタレン-2-イル)アントラセン(MADN) 0.99重量部
・9,10-ビス[N,N-ジ-(p-トリル)-アミノ]アントラセン(TTPA) 0.01重量部
・2-メチル-9、10-ビス(ナフタレン-2-イル)アントラセン 1重量部
・キシレン 99重量部
実施例5において、開口部が90μmになるようにライン状の遮光領域が形成されたフォトマスクを用いて露光した以外は、実施例1と同様にパターンを形成した。
2 … 基板
3 … 第1電極層
4 … 第1正孔注入輸送層
5、5a、5b … 第2正孔注入輸送層
6a … 隔壁
6b … 絶縁層
11 … 親液性領域
12 … 撥液性領域
41 … 有機EL素子
42、42b … 発光層
43 … 電子注入輸送層
44 … 第2電極層
Claims (19)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1電極層と、
前記第1電極層上に形成され、撥液性を有する第1正孔注入輸送層と、
前記第1正孔注入輸送層上に形成され、親液性を有する第2正孔注入輸送層と、
前記第2正孔注入輸送層側の表面に配置され、前記第2正孔注入輸送層の構成材料が分解された撥液性領域、および、前記撥液性領域以外の領域である親液性領域からなるパターンと
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。 - 前記第2正孔注入輸送層が、光触媒機能をもつ材料を含有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記第1正孔注入輸送層が、前記光触媒機能をもつ材料を含有することを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記光触媒機能をもつ材料が、金属酸化物または無機半導体であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記金属酸化物が、有機金属錯体の少なくとも一部が酸化されたものであることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記有機金属錯体が、モリブデン錯体、チタン錯体、またはモリブデン錯体およびチタン錯体の混合物であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記金属酸化物または無機半導体が、ナノ粒子であることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記金属酸化物が、金属含有ナノ粒子の少なくとも一部が酸化されたものであることを特徴とする請求項4または請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記金属含有ナノ粒子が、モリブデン含有ナノ粒子、チタン含有ナノ粒子、またはモリブデン含有ナノ粒子およびチタン含有ナノ粒子の混合物であることを特徴とする請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記第1電極層が形成された基板上に、親液性を有する仕切部がパターン状に形成されており、前記仕切部の頂部上に前記撥液性領域が配置され、前記仕切部の側部上および前記仕切部の開口部上に前記親液性領域が配置されていることを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれかの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 前記親液性領域および前記撥液性領域での液体の接触角が、前記仕切部の側部側から頂部側に向かって高くなることを特徴とする請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板。
- 請求項1から請求項11までのいずれかの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の親液性領域上に形成され、少なくとも発光層を含むエレクトロルミネッセンス層と、
前記エレクトロルミネッセンス層上に形成された第2電極層と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 第1電極層が形成された基板上に、撥液性を有する第1正孔注入輸送層を形成する第1正孔注入輸送層形成工程と、
前記第1正孔注入輸送層上に、親液性を有する第2正孔注入輸送層を形成する第2正孔注入輸送層形成工程と、
前記第2正孔注入輸送層にマスクを用いてエネルギーを照射し、前記第2正孔注入輸送層に含有される材料が分解された撥液性領域、および、前記撥液性領域以外の領域である親液性領域からなるパターンを形成するパターン形成工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法。 - 前記第2正孔注入輸送層、または、前記第1正孔注入輸送層および前記第2正孔注入輸送層が、有機金属錯体または金属含有ナノ粒子を含有しており、
前記パターン形成工程にて、前記有機金属錯体または金属含有ナノ粒子の少なくとも一部を金属酸化物とすることを特徴とする請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法。 - 前記パターン形成工程にて、前記マスクとして、基体上に少なくとも光触媒を含有する光触媒含有層が形成されている光触媒含有層基板を用い、前記光触媒含有層基板を、前記第2正孔注入輸送層に対して、エネルギーの照射に伴う光触媒の作用がおよび得る間隙をおいて配置した後、エネルギーを照射することを特徴とする請求項13または請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法。
- 前記パターン形成工程にて、前記エネルギーとして真空紫外光を照射することを特徴とする請求項13または請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法。
- 前記第1正孔注入輸送層形成工程前に、前記第1電極層が形成された基板上に、親液性を有する仕切部をパターン状に形成する仕切部形成工程を有し、
前記パターン形成工程にて、前記仕切部の頂部上に位置する前記第2正孔注入輸送層の部分にエネルギーを照射することを特徴とする請求項13から請求項16までのいずれかの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法。 - 前記マスクが透過領域と遮光領域とを有するものであり、前記パターン形成工程にてエネルギーを照射する際に、前記仕切部の頂部の面積に対する前記マスクの透過領域の面積の比率、および、前記第2正孔注入輸送層および前記マスク間の距離の少なくともいずれか一方を調整して、前記第2正孔注入輸送層側の表面での液体の接触角が前記仕切部の側部側から頂部側に向かって高くなるように、前記撥液性領域を形成することを特徴とする請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法。
- 請求項13から請求項18までのいずれかの請求項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の製造方法により、有機エレクトロルミネッセンス素子用基板を調製する有機エレクトロルミネッセンス素子用基板調製工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の親液性領域上に、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層上に、第2電極層を形成する第2電極層形成工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008130031A JP5104538B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008130031A JP5104538B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277601A true JP2009277601A (ja) | 2009-11-26 |
JP5104538B2 JP5104538B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=41442826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008130031A Expired - Fee Related JP5104538B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5104538B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011043210A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | 昭和電工株式会社 | 電界発光素子、電界発光素子の製造方法、表示装置および照明装置 |
JP2011113982A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置 |
WO2012029750A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置 |
JP2015517198A (ja) * | 2012-02-22 | 2015-06-18 | ナノグラデ アクチェンゲゼルシャフト | 溶液処理可能な酸化タングステン緩衝層及びこれを含む電子機器 |
JP2020068383A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 北京夏禾科技有限公司 | ケイ素含有電子輸送材料およびその使用 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999048339A1 (fr) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface |
JPH11329741A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Seiko Epson Corp | 機能性薄膜デバイス |
JP2000249821A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
JP2000302442A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 酸化チタン薄膜光触媒の製造方法 |
JP2002274077A (ja) * | 1997-08-08 | 2002-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびパターン形成方法 |
JP2002319494A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 光触媒含有層を有するel素子とその製造方法 |
JP2003332080A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
JP2004071286A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2004111220A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2006313652A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2007178783A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法、および、パターン形成体製造装置 |
JP2007287623A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2008046306A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 表示素子用基板とその製造方法、及び液晶表示素子 |
-
2008
- 2008-05-16 JP JP2008130031A patent/JP5104538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002274077A (ja) * | 1997-08-08 | 2002-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびパターン形成方法 |
WO1999048339A1 (fr) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface |
JPH11329741A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Seiko Epson Corp | 機能性薄膜デバイス |
JP2000249821A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
JP2000302442A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-10-31 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 酸化チタン薄膜光触媒の製造方法 |
JP2002319494A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 光触媒含有層を有するel素子とその製造方法 |
JP2003332080A (ja) * | 2002-05-07 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
JP2004071286A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2004111220A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2006313652A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
JP2007178783A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法、および、パターン形成体製造装置 |
JP2007287623A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2008046306A (ja) * | 2006-08-14 | 2008-02-28 | Sharp Corp | 表示素子用基板とその製造方法、及び液晶表示素子 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011043210A1 (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-14 | 昭和電工株式会社 | 電界発光素子、電界発光素子の製造方法、表示装置および照明装置 |
JP2011113982A (ja) * | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置の製造方法、有機発光表示装置用の表面処理装置及び有機発光表示装置 |
US8389323B2 (en) | 2009-11-27 | 2013-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, surface treatment device for organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus |
WO2012029750A1 (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置 |
JP2015517198A (ja) * | 2012-02-22 | 2015-06-18 | ナノグラデ アクチェンゲゼルシャフト | 溶液処理可能な酸化タングステン緩衝層及びこれを含む電子機器 |
US9683111B2 (en) | 2012-02-22 | 2017-06-20 | Avantama Ag | Solution-processable tungsten oxide buffer layers and electronics comprising same |
JP2020068383A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | 北京夏禾科技有限公司 | ケイ素含有電子輸送材料およびその使用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5104538B2 (ja) | 2012-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5560996B2 (ja) | 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法 | |
JP5572920B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 | |
JP5531843B2 (ja) | 正孔注入輸送層用デバイス材料、正孔注入輸送層形成用インク、正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法 | |
JP4712904B2 (ja) | 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法、並びに正孔注入輸送層形成用インク | |
JP4807468B2 (ja) | 正孔注入輸送層を有するデバイス、及びその製造方法 | |
JP5151111B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6796065B2 (ja) | 有機薄膜積層体及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP6153703B2 (ja) | 有機発光デバイス用の複合有機/無機層 | |
JP5104538B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 | |
JP2008078373A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP6015103B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2011171243A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP6015087B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2016207750A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP6492565B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置の製造方法 | |
JP2016207352A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP6503699B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2017098172A (ja) | 電荷輸送層形成用インクの製造方法、デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110310 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5104538 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |