JP2009272339A

JP2009272339A - Organic electric field light-emitting element

Info

Publication number: JP2009272339A
Application number: JP2008119102A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Ise; 俊大伊勢; Ikuo Kinoshita; 郁雄木下; Takeshi Murakami; 健邑上; Kazunari Yagi; 一成八木; Rei Takeda; 玲武田
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2008-04-30
Filing date: 2008-04-30
Publication date: 2009-11-19

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electric field light-emitting element with high durability. <P>SOLUTION: An organic electric field light-emitting element having an organic layer including a light-emitting layer between a pair of electrodes contains a compound represented by general formula (I) in the organic layer. In the general formula (I), Q<SP>1</SP>and Q<SP>3</SP>represent an aromatic hetero five membered ring respectively and independently. Q<SP>2</SP>and Q<SP>4</SP>represent a benzene ring or an aromatic hetero six membered ring respectively and independently. M represents a bivalent metal ion. Z<SP>1</SP>-Z<SP>4</SP>represent any one of a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom respectively and independently. Y<SP>1</SP>and Y<SP>3</SP>represent a carbon atom or a nitrogen atom respectively and independently. X<SP>11</SP>-X<SP>13</SP>, X<SP>32</SP>and X<SP>33</SP>represent a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or the like, respectively and independently. X<SP>21</SP>-X<SP>23</SP>, X<SP>41</SP>-X<SP>44</SP>represent a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or the like, respectively and independently. L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom, a phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a bivalent linking group consisting of two or more atom groups. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は電気エネルギーを光に変換して発光する有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」または「素子」ともいう）に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescent element that emits light by converting electric energy into light (hereinafter also referred to as “organic EL element” or “element”).

有機電界発光素子は、低電圧駆動で高輝度の発光が得られることから活発に研究開発が行われている。有機電界発光素子は、一対の電極間に有機層を有し、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とが有機層において再結合し、生成した励起子のエネルギーを発光に利用するものである。 Organic electroluminescence devices have been actively researched and developed because they can emit light with high brightness when driven at a low voltage. An organic electroluminescent element has an organic layer between a pair of electrodes, and electrons injected from the cathode and holes injected from the anode recombine in the organic layer, and the generated exciton energy is used for light emission. To do.

近年、燐光発光材料を用いることによる高発光効率素子の研究開発が進んでおり、燐光発光材料としてイリジウム錯体や白金錯体などを用いた燐光発光素子に関する発明が開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。しかしながら、高効率と高耐久性を両立する素子の開発には至っていない。 In recent years, research and development of high luminous efficiency devices using phosphorescent light emitting materials have been advanced, and inventions related to phosphorescent light emitting devices using iridium complexes, platinum complexes, etc. as phosphorescent light emitting materials have been disclosed (for example, Patent Document 1). And 2). However, an element that achieves both high efficiency and high durability has not been developed yet.

錯体の耐久性や燐光量子収率を向上させる目的で、三座以上の配位子の錯体を用いた有機電界発光素子に関する発明が開示されている（例えば特許文献３〜８）。しかしながら、より一層高い効率と耐久性を実現する燐光材料が求められている。また保管条件によらず高性能を発現する、保存安定性に優れた材料が望まれていた。 For the purpose of improving the durability of the complex and the phosphorescent quantum yield, inventions relating to organic electroluminescent elements using a complex of a tridentate or higher ligand have been disclosed (for example, Patent Documents 3 to 8). However, there is a need for phosphorescent materials that achieve even higher efficiency and durability. In addition, a material excellent in storage stability that exhibits high performance regardless of storage conditions has been desired.

米国特許第６３０３２３８号明細書US Pat. No. 6,303,238 国際公開第００／５７６７６号パンフレットInternational Publication No. 00/57676 Pamphlet 特開２００５−３１０７３３号公報JP 2005-310733 A 特開２００５−３１７５１６号公報JP 2005-317516 A 特表２００６−５２６２７８号公報JP-T-2006-526278 特開２００６−２６１６２３号公報JP 2006-261623 A 特開２００６−９３５４２号公報JP 2006-93542 A 特開２００８−３７８４８号公報JP 2008-37848 A

本発明の目的は、耐久性が高い有機電界発光素子の提供にある。また、保存安定性に優れた有機電界発光素子用材料の提供にある。 An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having high durability. Another object is to provide a material for an organic electroluminescence device having excellent storage stability.

本発明者らは、上記課題を解決すべく検討した結果、一般式（I）で表される特定の構造を有する四座配位子の金属錯体を見出し、さらにこの金属錯体を有機層に添加することにより、公知の材料と比較して耐久性が向上することを見出した。また、材料を高温、高湿下に一定時間保存した後でも、有機電界発光素子の特性変化が小さいことを見出した。
更に、有機層に重水素原子を少なくとも１つ有する化合物を使用することにより、耐久性がより向上することを見出した。
すなわち、本発明は下記の手段により達成された。 As a result of studies to solve the above problems, the present inventors have found a metal complex of a tetradentate ligand having a specific structure represented by the general formula (I), and further adds this metal complex to the organic layer. As a result, it was found that the durability is improved as compared with known materials. In addition, the inventors have found that the change in characteristics of the organic electroluminescent device is small even after the material is stored at a high temperature and high humidity for a certain time.
Furthermore, it has been found that the durability is further improved by using a compound having at least one deuterium atom in the organic layer.
That is, the present invention has been achieved by the following means.

〔１〕
一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。 [1]
An organic electroluminescent device having an organic layer including at least a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the organic layer contains a compound represented by the following general formula (I): .

（一般式（I）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²及びQ⁴はそれぞれ独立にベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹〜Z⁴はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y¹、Y^３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。MとZ¹〜Z⁴との結合は配位結合または共有結合を表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In General Formula (I), Q ¹ and Q ³ each independently represent an aromatic hetero five-membered ring. Q ² and Q ⁴ each independently represent a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring. Z ¹ ˜Z ⁴ each independently represents a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom, Y ¹ and Y ³ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, and X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ represent Each independently represents a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, phosphorus atom, CRC ¹ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ are each independently nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, represents a CR ^C1 .R ^N1 is .R ^C1 a secondary solid and broken lines of the .Q ¹ and Q ³ .X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom represents a hydrogen atom or a substituent duplex representing a hydrogen atom or a substituent binding describing a line, a single bond, the bond between .M and Z ¹ to Z ⁴ .M is representative of a divalent metal ion represents either a double bond .L representing the position or covalent bond represents a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom, a phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a divalent linking group composed of two or more atomic group.)

〔２〕
一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物であることを特徴とする〔１〕に記載の有機電界発光素子。 [2]
[1] The organic electroluminescent device as described in [1], wherein the compound represented by the general formula (I) is a compound represented by the following general formula (Ia).

（一般式（Ｉ−ａ）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹、Z³はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y¹、Y^３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹またはQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ³の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ¹の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In General Formula (Ia), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents a benzene ring or aromatic hetero ring. Represents a six-membered ring, Z ¹ and Z ³ each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom, Y ¹ and Y ³ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or CRC ¹ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ are each independently a nitrogen atom, NR ^N ¹ represents an oxygen atom, a sulfur atom, or CR ^C1 , R ^N1 represents a hydrogen atom or a substituent, R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, Q ¹ or Q ³ bond, which describes a solid line and dashed double line in a single bond, the bond .M nitrogen atom and M and Z ³ represent either a double bond shown Dashed line represents a coordinate bond, M and .M is a divalent .L representing the metal ion is a substituted or unsubstituted carbon atom representing a solid line is a covalent bond showing binding of carbon atoms and M and Z ^1, silicon atoms , A phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.)

〔３〕
一般式（I-a）で表される化合物が、下記一般式（I-a-1）で表される化合物であることを特徴とする〔２〕に記載の有機電界発光素子。 [3]
[2] The organic electroluminescent element as described in [2], wherein the compound represented by the general formula (Ia) is a compound represented by the following general formula (Ia-1).

（一般式（Ｉ−ａ−１）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ¹の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Ｌは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In the general formula (Ia-1), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents a benzene ring or aromatic ring. Represents a hetero 6-membered ring, Z ¹ represents any ^one of a carbon atom, a nitrogen atom, and a phosphorus atom, and X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds A broken line representing a bond between M and a nitrogen atom represents a coordination bond, and a solid line representing a bond between M and a carbon atom and a bond between M and Z ¹ represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, and L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

〔４〕
Z¹が炭素原子であることを特徴とする〔３〕に記載の有機電界発光素子。
〔５〕
一般式（I-a）で表される化合物が、下記一般式（I-a-4）で表される化合物であることを特徴とする〔２〕に記載の有機電界発光素子。 [4]
The organic electroluminescent device having the constitution (3) that Z ¹ is a carbon atom.
[5]
[2] The organic electroluminescent device as described in [2], wherein the compound represented by the general formula (Ia) is a compound represented by the following general formula (Ia-4).

（一般式（Ｉ−ａ−４）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z³は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ³の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In the general formula (Ia-4), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents a benzene ring or aromatic ring. Z ³ represents a carbon atom, nitrogen atom, or phosphorus atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds It represents one of a double bond, a broken line indicating a bond between M and a nitrogen atom and a bond between M and Z ³ represents a coordination bond, and a solid line indicating a bond between M and a carbon atom represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

〔６〕
Z¹が窒素原子であることを特徴とする〔５〕に記載の有機電界発光素子。
〔７〕
一般式（I）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物であることを特徴とする、〔１〕に記載の有機電界発光素子。 [6]
The organic electroluminescence device as described in [5], wherein the Z ¹ is a nitrogen atom.
[7]
The compound represented by the general formula (I) is a compound represented by the following general formula (Ib), wherein the organic electroluminescent element according to [1].

（一般式（Ｉ−ｂ）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹、Z³はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y¹、Y^３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ¹の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ³の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In general formula (Ib), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents an aromatic hetero hetero ring. Represents a six-membered ring, Z ¹ and Z ³ each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom, Y ¹ and Y ³ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or CRC ¹ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ are each independently a nitrogen atom, NR ^N ¹ represents an oxygen atom, a sulfur atom or CRC ^1, R ^N1 represents a hydrogen atom or a substituent, R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, Q ¹ and Q binding which describes a solid line and dashed double line in ³ represents a single bond, the bond .M nitrogen atom and M and Z ¹ represent either a double bond Line represents a coordinate bond, M and carbon atoms and M and Z ³ are the solid lines depict bonds .L representing the .M divalent metal ion represents a covalent bond or a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom , A phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.)

〔８〕
一般式（I-b）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ−１）で表される化合物であることを特徴とする〔７〕に記載の有機電界発光素子。 [8]
[7] The organic electroluminescent element as described in [7], wherein the compound represented by the general formula (Ib) is a compound represented by the following general formula (Ib-1).

（一般式（Ｉ−ｂ−１）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z³は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ³の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In General Formula (Ib-1), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring, Q ² represents a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring, and Q ⁴ represents aromatic. Z ³ represents a carbon atom, nitrogen atom, or phosphorus atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds A broken line indicating a bond between M and a nitrogen atom represents a coordination bond, and a solid line indicating a bond between M and a carbon atom and a bond between M and Z ³ represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

〔９〕
Z³が炭素原子であることを特徴とする〔８〕に記載の有機電界発光素子。
〔１０〕一般式（I-b）で表される化合物が、下記一般式（I-b-4）で表される化合物であることを特徴とする〔７〕に記載の有機電界発光素子。 [9]
Z ³ is a carbon atom, The organic electroluminescent element as described in [8].
[10] The organic electroluminescent element as described in [7], wherein the compound represented by the general formula (Ib) is a compound represented by the following general formula (Ib-4).

（一般式（Ｉ−ｂ−４）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z³は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ³の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） (In General Formula (Ib-4), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring, Q ² represents a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring, and Q ⁴ represents aromatic. Z ³ represents a carbon atom, nitrogen atom, or phosphorus atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds It represents one of a double bond, a broken line indicating a bond between M and a nitrogen atom and a bond between M and Z ³ represents a coordination bond, and a solid line indicating a bond between M and a carbon atom represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

〔１１〕
Z¹が窒素原子であることを特徴とする〔１０〕有機電界発光素子。
〔１２〕
Mが二価の白金イオンを表すことを特徴とする〔１〕〜〔１１〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１３〕
Ｌが置換または無置換の炭素原子であることを特徴とする〔１〕〜〔１２〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１４〕
一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔１３〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１５〕
重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層に含有することを特徴とする〔１〕〜〔１４〕のいずれかに記載の有機電界発光素子。
〔１６〕
前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする〔１５〕に記載の有機電界発光素子。 [11]
[10] The organic electroluminescence device, wherein Z ¹ is a nitrogen atom.
[12]
M represents a divalent platinum ion, The organic electroluminescent element according to any one of [1] to [11].
[13]
L is a substituted or unsubstituted carbon atom, The organic electroluminescent element in any one of [1]-[12] characterized by the above-mentioned.
[14]
The organic electroluminescent element according to any one of [1] to [13], wherein the light-emitting layer contains a compound represented by the general formula (I).
[15]
The organic electroluminescent element according to any one of [1] to [14], wherein the organic layer contains a material having at least one deuterium atom.
[16]
[15] The organic electroluminescent element as described in [15], wherein the material having at least one deuterium atom is a material having either a carbazole skeleton or an indole skeleton having at least one deuterium atom.

本発明の発光素子は、耐久性が高く、また、本発明の化合物は保存安定性に優れているため、製造コストを低減することが可能である。 Since the light-emitting element of the present invention has high durability and the compound of the present invention is excellent in storage stability, the production cost can be reduced.

本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、一般式（I）で表される化合物を前記有機層に含有する。
有機層は、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、励起子ブロック層などを有していてもよい。またこれらの各層は、それぞれ他の機能を兼備していても良い。 The organic electroluminescent element of the present invention is an organic electroluminescent element having an organic layer including at least a light emitting layer between a pair of electrodes, and contains the compound represented by the general formula (I) in the organic layer.
In addition to the light emitting layer, the organic layer may have a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole block layer, an electron block layer, an exciton block layer, and the like. Each of these layers may have other functions.

本発明における有機層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の層から形成されていてもよい。 As an aspect of lamination of the organic layer in the present invention, an aspect in which a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the anode side is preferable. Further, a charge blocking layer or the like may be provided between the hole transport layer and the light-emitting layer, or between the light-emitting layer and the electron transport layer. A hole injection layer may be provided between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Each layer may be formed of a plurality of layers.

本発明の錯体は、有機層が複数の層からなる場合、いずれの層にも含有されていてもよい。本発明の錯体は、発光層に含有されることが好ましく、発光材料として発光層に含有されることがさらに好ましく、少なくとも一種のホスト材料と共に発光層に含有されることが特に好ましい。ここで、ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。 When the organic layer is composed of a plurality of layers, the complex of the present invention may be contained in any layer. The complex of the present invention is preferably contained in the light emitting layer, more preferably contained in the light emitting layer as a light emitting material, and particularly preferably contained in the light emitting layer together with at least one kind of host material. Here, the host material is a material other than the light emitting material among the materials constituting the light emitting layer, and functions to disperse the light emitting material and hold it in the layer, and receive holes from the anode, the hole transport layer, and the like. Function, function to receive electrons from cathode, electron transport layer, etc., function to transport holes and / or electrons, function to provide recombination field of holes and electrons, and emit energy of excitons generated by recombination It means a material having at least one of a function of transferring to a material and a function of transporting holes and / or electrons to a light emitting material.

本発明の錯体の含有量は、発光層に発光材料として含有される場合、該層の総質量に対して、０．１質量％以上５０質量％以下の範囲が好ましく、０．２質量％以上３０質量％以下の範囲がより好ましく、０．３質量％以上２０質量％以下の範囲がさらに好ましく、０．５質量％以上１５質量％以下の範囲が最も好ましい。
前記一般式（I）で表される金属錯体を発光層以外の層（例えば電荷輸送層等）に用いる場合には、その層中において１０質量％〜１００質量％含まれることが好ましく、３０質量％〜１００質量％含まれることがより好ましい。 The content of the complex of the present invention, when contained in the light emitting layer as a light emitting material, is preferably in the range of 0.1% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total mass of the layer, and 0.2% by mass or more A range of 30% by mass or less is more preferable, a range of 0.3% by mass or more and 20% by mass or less is further preferable, and a range of 0.5% by mass or more and 15% by mass or less is most preferable.
When the metal complex represented by the general formula (I) is used for a layer other than the light emitting layer (for example, a charge transport layer), the layer is preferably contained in an amount of 10% by mass to 100% by mass, and 30% by mass. More preferably, it is contained in an amount of 100% by mass to 100% by mass.

一般式（I）で表される化合物について説明する。 The compound represented by formula (I) will be described.

なお、前記一般式において、配位結合とは電荷をもたない中性の基と金属イオンとの結合を表し、共有結合とはアニオン性の基と金属イオンとの結合を表す。 In the above general formula, the coordinate bond represents a bond between a neutral group having no charge and a metal ion, and the covalent bond represents a bond between an anionic group and the metal ion.

X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³¹〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Y¹〜Y^４、Z¹〜Z⁴はQ¹〜Q⁴がベンゼン環または芳香族ヘテロ環になるように選ばれる。
Z¹〜Z⁴として好ましくは炭素原子または窒素原子である。
Y¹〜Y^４はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。
X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³¹〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。
なお、X¹¹〜X¹³、X⁴¹〜X⁴³、X²¹〜X²³、X³¹〜X³のうち複数がN-R^N1及び／又はC-R^C1である場合、可能であれば、複数のR^N1及び／又はR^C1同士が互いに結合して環を形成してもよい。
その場合、Q¹〜Q⁴は縮環体となる。Q¹〜Q⁴が縮環体となる場合の具体例を挙げると、Q¹及びQ⁴としては、インドール環、インダゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。Q²としては、イソキノリン環等が挙げられる。Q³としては、ナフタレン環、キノリン環等が挙げられる。
R^C1で表される基としては、水素原子の他、下記置換基群Aから選ばれる基が挙げられる。 X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{31 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Y ^{1 to} Y ⁴ , Z ^{1 to} Z ⁴ are Q ^{1 to} Q ⁴ being a benzene ring or an aromatic heterocycle Chosen to be.
Z ^{1 to} Z ⁴ are preferably a carbon atom or a nitrogen atom.
Y ^{1 to} Y ⁴ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom.
^{^{^{X 11 ~X 13, X 21 ~X}}} 23, X 31 ~X 33, X 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, represents a CR ^C1.
In addition, when a plurality of X ^{11 to} X ¹³ , X ^{41 to} X ⁴³ , X ^{21 to} X ²³ , and X ^{31 to} X ³ are NR ^N1 and / or CRC ¹ , if possible, a plurality of R ^N1 and / Or R ^C1 may be bonded to each other to form a ring.
In that case, Q ^{1 to} Q ⁴ are condensed rings. As specific examples in the case where Q ^{1 to} Q ⁴ are condensed rings, examples of Q ¹ and Q ⁴ include an indole ring, an indazole ring, an imidazole ring, and a triazole ring. Examples of Q ² include an isoquinoline ring. Examples of Q ³ include a naphthalene ring and a quinoline ring.
^Examples of the group represented by R ^C1 include a group selected from the following substituent group A in addition to a hydrogen atom.

Ｌは、好ましくはジ置換メチレン連結基である。ジ置換メチレン連結基としては、ジアルキルメチレン基、ジアリールメチレン基、ジヘテロアリールメチレン基が好ましく、ジメチルメチレン基、ジフェニルメチレン基がより好ましく、ジメチルメチレン基がさらに好ましい。
Mは二価の金属イオンを表す。Mとして好ましくは二価の白金イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、パラジウムイオンであり、さらに好ましくは白金イオンである。Mが白金イオンであることにより、発光量子収率の高い錯体が得られ、素子の量子効率も高くなるという効果が得られる。 L is preferably a disubstituted methylene linking group. The disubstituted methylene linking group is preferably a dialkylmethylene group, a diarylmethylene group or a diheteroarylmethylene group, more preferably a dimethylmethylene group or a diphenylmethylene group, and even more preferably a dimethylmethylene group.
M represents a divalent metal ion. M is preferably a divalent platinum ion, palladium ion, nickel ion, zinc ion or copper ion, more preferably a platinum ion or palladium ion, and still more preferably a platinum ion. When M is a platinum ion, a complex having a high emission quantum yield can be obtained, and the effect of increasing the quantum efficiency of the device can be obtained.

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。） (Substituent group A)
An alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, isopropyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl, etc.), alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon number). 2-10, for example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl group (preferably having 2-30 carbon atoms, more preferably 2-20 carbon atoms, particularly preferably carbon number). 2-10, for example, propargyl, 3-pentynyl, etc.), aryl groups (preferably Or 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl, and pentafluorophenyl. An amino group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, such as amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino; And alkoxy groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy) An aryloxy group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferred) Or having 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), a heterocyclic oxy group (preferably having 1 to 1 carbon atoms). 30, More preferably, it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy etc. are mentioned, An acyl group (preferably C1-C30, more). Preferably it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, acetyl, a benzoyl, a formyl, pivaloyl etc. are mentioned, An alkoxycarbonyl group (Preferably C2-C30, More preferably, it is carbon. 2 to 20, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl Bonyl and the like can be mentioned. ), An aryloxycarbonyl group (preferably having a carbon number of 7 to 30, more preferably a carbon number of 7 to 20, particularly preferably a carbon number of 7 to 12, such as phenyloxycarbonyl), an acyloxy group (preferably Has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetoxy and benzoyloxy.), An acylamino group (preferably 2 to 30 carbon atoms, More preferably, it has 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino, benzoylamino and the like, and an alkoxycarbonylamino group (preferably 2 to 30 carbon atoms, more preferably carbon atoms). 2 to 20, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino An aryloxycarbonylamino group (preferably having 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonylamino). A sulfonylamino group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino), a sulfamoyl group (Preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 0 to 12 carbon atoms. Examples thereof include sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, and phenylsulfamoyl. ), A carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably A prime number of 1-20, particularly preferably a carbon number of 1-12, such as carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenylcarbamoyl, etc., an alkylthio group (preferably having a carbon number of 1-30, more preferably a carbon number). 1 to 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, for example, methylthio, ethylthio, etc.), arylthio groups (preferably 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon atoms). And a heterocyclic thio group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). Pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio Etc. ), A sulfonyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms such as mesyl and tosyl), a sulfinyl group (preferably carbon). 1 to 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfinyl, benzenesulfinyl, etc.), ureido group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more Preferably it is C1-C20, Most preferably, it is C1-C12, for example, ureido, methylureido, phenylureido etc. are mentioned), phosphoric acid amide group (preferably C1-C30, more preferably It has 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. Examples thereof include diethyl phosphoric acid amide and phenyl phosphoric acid amide. Hydroxy group, mercapto group, fluoro group, chloro group, bromo group, iodo group, cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group (Preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, and the hetero atom is, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom, specifically, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl. , Piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, etc.), silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, such as trimethylsilyl, triphenylsilyl, etc. ), A silyloxy group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyloxy and triphenylsilyloxy). , Phosphoryl group (for example, diphenylphosphoryl group, dimethylphosphoryl group, etc.)

R^C1で表される基として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、クロロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基、シリルオキシ基、ホスホリル基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、ヘテロ環チオ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基、シリル基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、フルオロ基、シアノ基、ヘテロ環基である。 The group represented by R ^C1 is preferably a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, amino group, alkoxy group, aryloxy group, heterocyclic oxy group, alkylthio group, heterocyclic thio group, fluoro Group, chloro group, cyano group, heterocyclic group, silyl group, silyloxy group, phosphoryl group, more preferably hydrogen atom, alkyl group, aryl group, amino group, alkoxy group, aryloxy group, heterocyclic oxy group, An alkylthio group, a heterocyclic thio group, a fluoro group, a cyano group, a heterocyclic group, and a silyl group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, an amino group, an alkoxy group, a fluoro group, a cyano group, and a heterocyclic group A silyl group, more preferably a hydrogen atom, alkyl group, aryl group, fluoro group, cyano group, It is a bicyclic group.

R^N1で表される基としては、水素原子の他、下記置換基群Bから選ばれる基が挙げられる。 ^Examples of the group represented by R ^N1 include a group selected from the following substituent group B in addition to a hydrogen atom.

（置換基群B）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル、ペンタフルオロフェニルなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。） (Substituent group B)
An alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, isopropyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl, etc.), alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably carbon number). 2-10, for example, vinyl, allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl group (preferably having 2-30 carbon atoms, more preferably 2-20 carbon atoms, particularly preferably carbon number). 2-10, for example, propargyl, 3-pentynyl, etc.), aryl groups (preferably Or 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl, and pentafluorophenyl. An acyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as acetyl, benzoyl, formyl, pivaloyl, etc.), an alkoxycarbonyl group ( Preferably it has 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl and the like, and an aryloxycarbonyl group (preferably having a carbon number). 7 to 30, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms For example, phenyloxycarbonyl, etc.), acyloxy groups (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as acetoxy and benzoyloxy). A sulfamoyl group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, such as sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, And carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms. For example, carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, phenyl Carbamoyl, etc.), heterocyclic groups (preferably Or a hetero atom, for example, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom, specifically, imidazolyl, pyridyl, quinolyl, furyl, thienyl, Examples include piperidyl, morpholino, benzoxazolyl, benzimidazolyl, benzthiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group and the like. )

R^N1で表される基として好ましくは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基であり、さらに好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基ヘテロ環基である。 The group represented by R ^N1 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heterocyclic group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a heterocyclic group, More preferably, they are a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, and a heterocyclic group, More preferably, they are a hydrogen atom, an alkyl group, and an aryl group heterocyclic group.

Q¹は芳香族ヘテロ環を表す。Q¹で表される芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合するものが好ましい。炭素原子でMに結合するQ¹としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、共有結合でMと結合する環としてはフラン環、チオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、シロール環および、それらを含む縮環体（例えばインダゾール環、ベンゾチアゾール環など））が挙げられる。配位結合でMと結合する環としてはイミダゾールカルベン環が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ¹としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、配位結合でMと結合する環としてはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えばベンゾイミダゾール環など）が挙げられる。共有結合でMと結合する環としては、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えはインドール環、ベンゾイミダゾール環など））が挙げられる。Q¹で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体であり、より好ましくはチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q¹がチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が向上する点で好ましい。 Q ¹ represents an aromatic heterocycle. The aromatic hetero ring represented by Q ^1, preferred are those that bind carbon atoms, a nitrogen atom and M. Q ¹ bonded to M by a carbon atom may be a ring bonded to M by a covalent bond or a ring bonded to M by a coordination bond. Examples of the ring bonded to M by a covalent bond include a furan ring, a thiophene ring, and a thiazole. A ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, a silole ring, and a condensed ring containing them (for example, an indazole ring, a benzothiazole ring, etc.). Examples of the ring bonded to M by a coordinate bond include an imidazole carbene ring. Q ¹ bonded to M by a nitrogen atom may be a ring bonded to M by a covalent bond or a ring bonded to M by a coordinate bond, and the ring bonded to M by a coordinate bond is an imidazole ring, a pyrazole ring, Examples thereof include a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, and a condensed ring containing them (for example, a benzimidazole ring). Examples of the ring bonded to M by a covalent bond include a pyrazole ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a triazole ring, and a condensed ring containing them (for example, an indole ring, a benzimidazole ring, etc.). The aromatic heterocycle represented by Q ¹ is preferably a thiophene ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring and a condensed ring containing them, more preferably a thiophene ring, An imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, and a condensed ring containing them. When Q ¹ is a thiophene ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring or a condensed ring containing them, the complex itself is stable, and this is preferable in terms of improving the durability of an element using these.

Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ環を表す。Q²で表されるベンゼン環または芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合するものが好ましい。炭素原子でMに結合するQ²としては、共有結合でMと結合する環であり、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環、ナフタレン環など）が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ²としては、配位結合でMと結合する環であり、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環など）が挙げられる。Q²で表されるベンゼン環または芳香族ヘテロ環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体である。Q²がベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が高い点で好ましい。 Q ² represents a benzene ring or an aromatic heterocycle. The benzene ring or an aromatic heterocycle represented by Q ^2, preferably those that bind carbon atoms, a nitrogen atom and M. Q ² bonded to M by a carbon atom is a ring bonded to M by a covalent bond, and is a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, and a condensed ring containing them (for example, a quinoline ring, Naphthalene ring, etc.). Q ² bonded to M by a nitrogen atom is a ring bonded to M by a coordinate bond, such as a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a triazine ring, and a condensed ring containing them (for example, a quinoline ring, etc. ). The benzene ring or aromatic heterocycle represented by Q ² is preferably a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, or a condensed ring containing them. When Q ² is a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring or a condensed ring containing them, the complex itself is stable, and this is preferable in terms of high durability of an element using these.

Q³は芳香族ヘテロ環を表す。Q³で表される芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合する基が好ましい。炭素原子でMに結合するQ³としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、アニオン性の環としてはフラン環、チオフェン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、シロール環および、それらを含む縮環体（例えばインダゾール環、ベンゾチアゾール環など））が挙げられる。配位結合でMと結合する環としてはイミダゾールカルベン環が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ³としては、共有結合でMと結合する環でも配位結合でMと結合する環でもよく、配位結合でMと結合する環としてはイミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えばベンゾイミダゾール環など）が挙げられる。共有結合でMと結合する環としては、ピラゾール環、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体（例えはインドール環、ベンゾイミダゾール環など））が挙げられる。Q³で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは、チオフェン環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環およびそれらを含む縮環体であり、より好ましくはチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体である。Q³がチオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が高い点で好ましい。 Q ³ represents an aromatic heterocycle. The aromatic hetero ring represented by Q ^3, preferably a group bonded carbon atom, a nitrogen atom and M. Q ³ bonded to M at a carbon atom may be a ring bonded to M by a covalent bond or a ring bonded to M by a coordination bond. Examples of an anionic ring include a furan ring, a thiophene ring, a thiazole ring, and an oxazole ring. , A pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, a silole ring, and a condensed ring containing them (for example, an indazole ring, a benzothiazole ring). Examples of the ring bonded to M by a coordinate bond include an imidazole carbene ring. Q ³ bonded to M by a nitrogen atom may be a ring bonded to M by a covalent bond or a ring bonded to M by a coordinate bond, and as a ring bonded to M by a coordinate bond, an imidazole ring, a pyrazole ring, Examples thereof include a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, and a condensed ring containing them (for example, a benzimidazole ring). Examples of the ring bonded to M by a covalent bond include a pyrazole ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a triazole ring, and a condensed ring containing them (for example, an indole ring, a benzimidazole ring, etc.). The aromatic heterocycle represented by Q ³ is preferably a thiophene ring, a pyrrole ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring and a condensed ring containing them, more preferably a thiophene ring, An imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring, and a condensed ring containing them. When Q ³ is a thiophene ring, an imidazole ring, a pyrazole ring, a triazole ring or a condensed ring containing them, the complex itself is stable, which is preferable in terms of high durability of the device using these.

Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ環を表す。Q⁴で表されるベンゼン環または芳香族ヘテロ環としては、炭素原子、窒素原子でMと結合する基が好ましい。炭素原子でMに結合するQ²としては、共有結合でMと結合する環であり、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環、ナフタレン環など）が挙げられる。窒素原子でMに結合するQ⁴としては、配位結合でMと結合する環であり、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環およびそれらを含む縮環体（例えばキノリン環など）が挙げられる。Q⁴で表されるベンゼン環環または芳香族ヘテロ環環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体である。Q⁴がベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環およびそれらを含む縮環体であることにより、錯体自身が安定になり、これらを用いた素子の耐久性が高い点で好ましい。 Q ⁴ represents a benzene ring or an aromatic heterocycle. The benzene ring or aromatic heterocycle represented by Q ⁴ is preferably a group bonded to M through a carbon atom or a nitrogen atom. Q ² bonded to M by a carbon atom is a ring bonded to M by a covalent bond, and is a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, and a condensed ring containing them (for example, a quinoline ring, Naphthalene ring, etc.). Q ⁴ bonded to M by a nitrogen atom is a ring bonded to M by a coordinate bond, such as a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a triazine ring, and a condensed ring containing them (for example, a quinoline ring, etc. ). The benzene ring or aromatic heterocyclic ring represented by Q ⁴ is preferably a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, or a condensed ring containing them. When Q ⁴ is a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, or a condensed ring containing them, the complex itself is stable, which is preferable in terms of high durability of an element using these.

一般式（I）で表される化合物は、以下の六つの一般式に分類できる。 The compounds represented by the general formula (I) can be classified into the following six general formulas.

上記一般式(I-a)〜一般式(I-f)中、Z¹〜Z⁴、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³¹〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
一般式（I）で表される化合物として好ましくは、一般式(I-a)、一般式(I-b)、一般式(I-c)、一般式(I-d)で表される化合物であり、より好ましくは一般式(I-a)、一般式(I-b)で表される化合物である。一般式(I-a)、一般式(I-b)、一般式(I-c)、一般式(I-d)で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 In the general formula (Ia) to general formula (If), Z ^{1 to} Z ⁴ , X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{31 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , M and L are as defined in general formula (I).
The compound represented by the general formula (I) is preferably a compound represented by the general formula (Ia), the general formula (Ib), the general formula (Ic), or the general formula (Id), and more preferably the general formula (Ia). (Ia) is a compound represented by the general formula (Ib). The compound represented by the general formula (Ia), the general formula (Ib), the general formula (Ic), or the general formula (Id) has a viewpoint that the complex itself has high stability and a complex having a high emission quantum yield can be obtained. Is advantageous.

まず、一般式(I-a)について説明する。一般式（I-a）で表される化合物は、以下の四つの一般式に分類できる。 First, the general formula (I-a) will be described. The compounds represented by the general formula (I-a) can be classified into the following four general formulas.

上記一般式(I-a-1)〜一般式(I-a-4)中、Z¹、Z³、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³¹〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
一般式（I-a）で表される化合物として好ましくは、一般式(1-a-1)で表される化合物および一般式(1-a-4)で表される化合物である。一般式(1-a-1)で表される化合物および一般式(1-a-4)で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 In the above general formula (Ia-1) to general formula (Ia-4), Z ¹ , Z ³ , X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{31 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ¹ ~Q ^4, M, L have the same meanings as those in formula (I).
The compound represented by the general formula (Ia) is preferably a compound represented by the general formula (1-a-1) and a compound represented by the general formula (1-a-4). The compound represented by the general formula (1-a-1) and the compound represented by the general formula (1-a-4) have high stability of the complex itself, and a complex having a high emission quantum yield can be obtained. It is advantageous from the viewpoint.

一般式(1-a-1)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-a-1-1)で表される化合物である。一般式（1-a-1-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-a-1) is preferably a compound represented by the general formula (1-a-1-1). The compound represented by the general formula (1-a-1-1) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-a-1-1)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ia-1-1), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , M, and L are the general formula (I ) Synonymous with those in

一般式（1-a-1-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-a-1-2）で表される化合物である。一般式（1-a-1-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-a-1-1) is more preferably a compound represented by the general formula (1-a-1-2). The compound represented by the general formula (1-a-1-2) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-a-1-2)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ia-1-2), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , and L are in the general formula (I) Is synonymous with those of

一般式(1-a-4)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-a-4-1)で表される化合物である。一般式（1-a-4-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-a-4) is preferably a compound represented by the general formula (1-a-4-1). The compound represented by the general formula (1-a-4-1) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-a-4-1)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ia-4-1), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , M, and L are the general formula (I ) Synonymous with those in

一般式（1-a-4-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-a-4-2）で表される化合物である。一般式（1-a-4-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-a-4-1) is more preferably a compound represented by the general formula (1-a-4-2). The compound represented by the general formula (1-a-4-2) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-a-4-2)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ia-4-2), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , and L are in the general formula (I) Is synonymous with those of

次に一般式（I-b）について説明する。一般式（I-b）で表される化合物は、以下の四つの一般式に分類できる。 Next, the general formula (I-b) will be described. The compounds represented by the general formula (I-b) can be classified into the following four general formulas.

上記一般式(I-b-1)〜一般式(I-b-4)中、Z¹、Z³、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³¹〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。
一般式（I-b）で表される化合物として好ましくは、一般式(1-b-1)で表される化合物および一般式(1-b-4)で表される化合物である。一般式(1-b-1)で表される化合物および一般式(1-b-4)で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 In the above general formula (Ib-1) to general formula (Ib-4), Z ¹ , Z ³ , X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{31 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ¹ ~Q ^4, M, L have the same meanings as those in formula (I).
The compound represented by the general formula (Ib) is preferably a compound represented by the general formula (1-b-1) or a compound represented by the general formula (1-b-4). The compound represented by the general formula (1-b-1) and the compound represented by the general formula (1-b-4) have high stability of the complex itself, and a complex having a high emission quantum yield can be obtained. It is advantageous from the viewpoint.

一般式(1-b-1)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-b-1-1)で表される化合物である。一般式（1-b-1-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-b-1) is preferably a compound represented by the general formula (1-b-1-1). The compound represented by the general formula (1-b-1-1) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-b-1-1)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ib-1-1), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , M, and L are the general formula (I ) Synonymous with those in

一般式（1-b-1-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-b-1-2）で表される化合物である。一般式（1-b-1-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-b-1-1) is more preferably a compound represented by the general formula (1-b-1-2). The compound represented by the general formula (1-b-1-2) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-b-1-2)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ib-1-2), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , and L are in the general formula (I) Is synonymous with those of

一般式(1-b-4)で表される化合物として好ましくは、一般式(1-b-4-1)で表される化合物である。一般式（1-b-4-1）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-b-4) is preferably a compound represented by the general formula (1-b-4-1). The compound represented by the general formula (1-b-4-1) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-b-4-1)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、M、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ib-4-1), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , M, and L are the general formula (I ) Synonymous with those in

一般式（1-b-4-1）で表される化合物は、より好ましくは一般式（1-b-4-2）で表される化合物である。一般式（1-b-4-2）で表される化合物は、錯体自身の安定性が高く、また発光量子収率の高い錯体が得られる観点から有利である。 The compound represented by the general formula (1-b-4-1) is more preferably a compound represented by the general formula (1-b-4-2). The compound represented by the general formula (1-b-4-2) is advantageous from the viewpoint of obtaining a complex having a high stability of the complex itself and a high emission quantum yield.

上記一般式(I-b-4-2)中、X¹¹〜X¹³、X²¹〜X²³、X³²〜X³³、X⁴¹〜X⁴⁴、Q¹〜Q⁴、Lは一般式（I）中のそれらと同義である。 In the above general formula (Ib-4-2), X ^{11 to} X ¹³ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{32 to} X ³³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ , Q ^{1 to} Q ⁴ , and L are in the general formula (I) Is synonymous with those of

一般式（I）におけるQ¹、Q²、Q³、Q⁴で表される部分構造の例を以下に挙げるが、本発明がこれらに限定されることはない。式中、M、Lはそれぞれ一般式（Ｉ）のM、Lに対応し、Qは、それぞれの部分構造がQ¹の場合はQ²、Q²の場合はQ¹、Q³の場合はQ⁴、Q⁴の場合はQ³を表す。 Examples of the partial structures represented by Q ¹ , Q ² , Q ³ , and Q ⁴ in the general formula (I) are given below, but the present invention is not limited to these. Wherein, M, L corresponds M, the L of each formula (I), Q is the case if each of the partial structure for Q ¹ when the Q ^2, Q ² for Q ^1, Q ³ Q ⁴ and Q ⁴ represent Q ³ .

Q¹で表される構造 Structure represented by Q ¹

Q²で表される構造 Structure represented by Q ²

Q³で表される構造 Structure represented by Q ³

Q⁴で表される構造 Structure represented by Q ⁴

Mは二価の金属イオンを表す。MとZ¹〜Z⁴との結合は配位結合または共有結合を表す。Mとして好ましくは二価の白金イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオン、銅イオンであり、より好ましくは白金イオン、パラジウムイオンであり、さらに好ましくは白金イオンである。 M represents a divalent metal ion. The bond between M and Z ^{1 to} Z ⁴ represents a coordinate bond or a covalent bond. M is preferably a divalent platinum ion, palladium ion, nickel ion, zinc ion or copper ion, more preferably a platinum ion or palladium ion, and still more preferably a platinum ion.

Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。Lの具体例を以下に示すがこれらに限定されることはない。 L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom, a phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups. Specific examples of L are shown below, but are not limited thereto.

本発明の一般式（I）で表される化合物の具体例としては、前記Q¹、Q²、Q³、Q⁴およびLで表される部分構造として示したものの任意の組み合わせと金属イオン種Mとの組み合わせで表される化合物が挙げられるが、本発明がそれらの化合物に限定されることはない。 Specific examples of the compound represented by the general formula (I) of the present invention include any combination of those shown as the partial structures represented by Q ¹ , Q ² , Q ³ , Q ⁴ and L and metal ion species Although the compound represented by the combination with M is mentioned, this invention is not limited to those compounds.

一般式（Ｉ）で表される化合物は、種々の公知の合成法の組み合わせにて合成することができる。
一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば以下に示す工程により製造することができる。 The compound represented by the general formula (I) can be synthesized by a combination of various known synthesis methods.
The compound represented by the general formula (I) can be produced, for example, by the steps shown below.

一般式（Ｉ）で表される化合物は、パラジウム・イン・ヘテロサイクリック・ケミストリー（ＰａｌｌａｄｉｕｍｉｎＨｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ）、第２版、ジー・ジャック・リーら著（ＪｉｅＪａｃｋＬｉｅａｎｄＧｏｒｄｏｎＷ．Ｇｒｉｂｂｌｅ）、エルゼビア（ＥＬＳＥＶＩＥＲ）、（２００６）等に記載の鈴木−宮浦カップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング、根岸カップリング、園頭カップリングなどのパラジウム触媒を用いた炭素−炭素結合反応や銅触媒を用いた炭素−窒素結合生成反応や、塩基−アルキルハライドを用いたアルキル化反応、縮合反応、脱水反応、酸化反応、還元反応、脱離反応、求核置換反応、求電子置換反応、転位反応などの反応を組み合わせることにより、合成可能である。例えば特開２００５−３１０７３３号公報、特開２００７−９６２５５号公報に記載の方法等を利用して合成することができる。 The compound represented by the general formula (I) is a compound in Palladium in Heterocyclic Chemistry, 2nd edition, written by Jie Jack Lee and Gordon W. Gribble, Carbon-carbon bonding reaction using palladium catalyst such as Suzuki-Miyaura coupling, Stille coupling, Negishi coupling, Sonogashira coupling and carbon catalyst using copper catalyst as described in Elsevier (2006) Combining nitrogen bond formation reaction, alkylation reaction using base-alkyl halide, condensation reaction, dehydration reaction, oxidation reaction, reduction reaction, elimination reaction, nucleophilic substitution reaction, electrophilic substitution reaction, rearrangement reaction, etc. Can be synthesized . For example, it can synthesize | combine using the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-310733, Unexamined-Japanese-Patent No. 2007-96255, etc.

金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価の亜鉛を含むものとして、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンジアミン）亜鉛、酢酸亜鉛、銅アセチルアセトナート、臭化亜鉛、塩化亜鉛、フッ化亜鉛等が挙げられ、より好ましい銅塩としては、臭化亜鉛、塩化亜鉛等のハロゲン化亜鉛が挙げられる。 In the production of a metal complex, dichloro (N, N, N ′, N′-tetramethylenediamine) zinc, zinc acetate, copper acetylacetate is included as containing divalent zinc used in the complex formation reaction with the ligand. Examples thereof include narate, zinc bromide, zinc chloride, zinc fluoride, and more preferable copper salts include zinc halides such as zinc bromide and zinc chloride.

金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価の銅を含むものとして、酢酸銅、銅アセチルアセトナート、臭化銅、塩化銅、フッ化銅、炭酸銅、シアン化銅、水酸化銅、酸化銅、硫酸銅、トリフルオロ酢酸銅等が挙げられ、より好ましい銅塩としては、臭化銅、塩化銅、フッ化銅等のハロゲン化銅が挙げられる。 In the production of metal complexes, copper acetate, copper acetylacetonate, copper bromide, copper chloride, copper fluoride, copper carbonate, cyanide are used as those containing divalent copper used in the complex formation reaction with the ligand. Copper, copper hydroxide, copper oxide, copper sulfate, copper trifluoroacetate and the like can be mentioned, and more preferable copper salts include copper halides such as copper bromide, copper chloride and copper fluoride.

金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価のニッケルを含むものとしては、酢酸ニッケル、ニッケルアセチルアセトナート、塩化ニッケル、臭化ニッケル、フッ化ニッケル、ヨウ化ニッケル、硝酸ニッケル、硫酸ニッケル等が挙げられ、より好ましいニッケル塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル等のハロゲン化ニッケルが挙げられる。 In the production of a metal complex, those containing divalent nickel used in a complex formation reaction with a ligand include nickel acetate, nickel acetylacetonate, nickel chloride, nickel bromide, nickel fluoride, nickel iodide, Examples thereof include nickel nitrate and nickel sulfate, and more preferable nickel salts include nickel halides such as nickel chloride and nickel bromide.

金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に用いられる２価のパラジウムを含むものとして、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナート、パラジウムトリフルオロアセテート、アリルパラジウムクロライド−ダイマー、（２，２’−ビピリジン）ジクロロパラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム、（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）ジクロロパラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）パラジウム、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィンパラジウム）、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロパラジウム、ジアンミンジヨードパラジウム、ポタッシウムテトラブロモパラデート、ポタッシウムテトラクロロパラデート、ソジウムテトラクロロパラデート等、０価のパラジウムを含むものとしては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム等が挙げられる。 In the production of metal complexes, those containing divalent palladium used in the complex formation reaction with the ligand include palladium chloride, palladium bromide, palladium iodide, palladium acetate, palladium acetylacetonate, palladium hexafluoroacetylacetate. Narate, palladium trifluoroacetate, allyl palladium chloride-dimer, (2,2′-bipyridine) dichloropalladium, bis (benzonitrile) dichloropalladium, bis (acetonitrile) dichloropalladium, (bicyclo [2.2.1] hepta 2,5-diene) dichloropalladium, dichloro (1,5-cyclooctadiene) palladium, dibromobis (triphenylphosphine) palladium, dichloro (N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine) Radium, dichloro (1,10-phenanthroline) palladium, dichlorobis (triphenylphosphine palladium), ammonium tetrachloroparadate, diammine dibromopalladium, diammine dichloropalladium, diammine diiodopalladium, potassium tetrabromoparadate, potassium tetrachloro Examples of compounds containing zero-valent palladium such as paradate and sodium tetrachloroparadate include tetrakis (triphenylphosphine) palladium and tris (dibenzylideneacetone) dipalladium.

より好ましいパラジウム塩としては、塩化パラジウム、臭化パラジウム等のハロゲン化パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム等のニトリル錯体、（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）ジクロロパラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム等のオレフィン錯体が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム等のニトリル錯体が更に好ましい。 More preferable palladium salts include palladium halides such as palladium chloride and palladium bromide, nitrile complexes such as bis (benzonitrile) dichloropalladium and bis (acetonitrile) dichloropalladium, (bicyclo [2.2.1] hepta-2 Olefin complexes such as, 5-diene) dichloropalladium and dichloro (1,5-cyclooctadiene) palladium, among which palladium halides such as platinum chloride and platinum bromide, bis (benzonitrile) dichloropalladium, bis Nitrile complexes such as (acetonitrile) dichloropalladium are more preferred.

金属錯体の製造において、配位子との錯体形成反応時に、用いられる白金塩としては、２価の白金を含むものとして、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金、プラチナアセチルアセトナート、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ、ジブロモビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、ジクロロ（１，１０−フェナントロリン）プラチナ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）プラチナ、アンモニウムテトラクロロパラデート、ジアンミンジブロモパラジウム、ジアンミンジクロロプラチナ、ジアンミンジヨードプラチナ、ポタッシウムテトラブロモプラチナ−ト、ポタッシウムテトラクロロプラチナート、ソジウムテトラクロロプラチナート、ジメチルビス（ジメチルスルホキシド）白金、ジメチルビス（ジメチルスルフィド）白金、ジメチル（ビシクロ〔２．２．１〕ヘプタ−２，５−ジエン）白金等が挙げられる。 In the production of the metal complex, the platinum salt used in the complex formation reaction with the ligand includes platinum chloride, platinum bromide, platinum iodide, platinum acetylacetonate, bis ( Benzonitrile) dichloroplatinum, bis (acetonitrile) dichloroplatinum, dichloro (1,5-cyclooctadiene) platinum, dibromobis (triphenylphosphine) platinum, dichloro (1,10-phenanthroline) platinum, dichlorobis (triphenylphosphine) platinum , Ammonium tetrachloroparadate, diammine dibromopalladium, diammine dichloroplatinum, diammine diiodoplatinum, potassium tetrabromoplatinate, potassium tetrachloroplatinate, sodium tetrachloroplatinum DOO, dimethyl bis (dimethyl sulfoxide) platinum, dimethyl bis (dimethyl sulfide) platinum, dimethyl (bicyclo [2.2.1] hepta-2,5-diene) platinum, and the like.

より好ましい白金塩としては、塩化白金、臭化白金、ヨウ化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（ベンゾニトリル）、ジクロロプラチナビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）プラチナ等のオレフィン錯体、が挙げられ、この中でも塩化白金、臭化白金等のハロゲン化白金、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロプラチナ、ビス（アセトニトリル）ジクロロプラチナ等のニトリル錯体が更に好ましい。 More preferable platinum salts include platinum halides such as platinum chloride, platinum bromide and platinum iodide, nitrile complexes such as bis (benzonitrile) dichloroplatinum, bis (benzonitrile) and dichloroplatinumbis (acetonitrile) dichloroplatinum, Olefin complexes such as dichloro (1,5-cyclooctadiene) platinum, platinum halides such as platinum chloride and platinum bromide, bis (benzonitrile) dichloroplatinum, bis (acetonitrile) dichloroplatinum and the like. Nitrile complexes are more preferred.

金属錯体の製造において使用する金属塩は、結晶水、結晶溶媒、配位溶媒を含んでいても良い。金属の価数は、特に問わないが、金属が、２価と０価が好ましく、より好ましくは２価である。 The metal salt used in the production of the metal complex may contain crystal water, a crystal solvent, and a coordination solvent. The valence of the metal is not particularly limited, but the metal is preferably divalent or zero-valent, more preferably divalent.

金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に用いる金属塩の使用量は、該金属塩中に錯体を形成する金属原子が１つ含まれる場合は、通常、配位子１モルに対して０．１〜１０モル、好ましくは０．５〜５モル、更に好ましくは、１〜３モルである。なお、金属塩に錯体を形成する金属原子が、ｎ個含まれる場合は、その使用量は、１／ｎ倍で良い。 In the production of a metal complex, the amount of the metal salt used in the complex formation reaction between the metal salt and the ligand is usually the ligand 1 when the metal salt contains one metal atom forming the complex. It is 0.1-10 mol with respect to mol, Preferably it is 0.5-5 mol, More preferably, it is 1-3 mol. When n metal atoms forming a complex are contained in the metal salt, the amount used may be 1 / n times.

金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に使用される溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、４塩化炭素、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類、水等が挙げられる。 In the production of the metal complex, examples of the solvent used in the complex formation reaction between the metal salt and the ligand include amides such as N, N-dimethylformamide, formamide, N, N-dimethylacetamide, acetonitrile, propio Nitriles such as nitrile, butyronitrile, benzonitrile, halogenated hydrocarbons such as dichloromethane, 1,2-dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, chlorobenzene, o-dichlorobenzene, aliphatics such as pentane, hexane, octane, decane Hydrocarbons, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and mesitylene, ethers such as diethyl ether, diisopropyl ether, butyl ether, tert-butyl methyl ether, 1,2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran and 1,4-dioxane Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, tert-butyl alcohol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, ethylene glycol, glycerin, Water etc. are mentioned.

より好ましい溶媒としては、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール類が挙げられ、この中でもアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類が更に好ましい。 More preferable solvents include acetonitrile, propionitrile, butyronitrile, nitriles such as benzonitrile, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, tert- Examples include alcohols such as butyl alcohol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, ethylene glycol, and glycerin. Among these, nitriles such as acetonitrile, propionitrile, butyronitrile, and benzonitrile, benzene, toluene, xylene, mesitylene, and the like The aromatic hydrocarbons are more preferred.

これらの溶媒は、単独で使用しても、２種類以上混合して使用しても構わない。 These solvents may be used alone or in combination of two or more.

金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に用いられる溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限されないが、通常は使用する配位子に対して、１〜２００倍体積量、好ましくは５〜１００倍体積量が好ましい。 In the production of the metal complex, the amount of the solvent used in the complex formation reaction between the metal salt and the ligand is not particularly limited as long as the reaction can proceed sufficiently, but usually with respect to the ligand to be used. 1 to 200 times volume, preferably 5 to 100 times volume.

金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時に、ハロゲン化水素等の酸性物質が生成する場合、塩基性物質の存在下で反応を行っても構わない。塩基性物質としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８−ジメチルアミノナフタレン等の３級アミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基類が挙げられる。 In the production of a metal complex, when an acidic substance such as hydrogen halide is produced during the complex formation reaction between a metal salt and a ligand, the reaction may be performed in the presence of a basic substance. Basic substances include tertiary amines such as triethylamine, diisopropylethylamine, pyridine, 1,8-dimethylaminonaphthalene, metal alkoxides such as sodium methoxide and sodium ethoxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and potassium carbonate. And inorganic bases such as sodium hydrogen carbonate.

金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応は、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素、アルゴン等が挙げられる。 In the production of the metal complex, the complex formation reaction between the metal salt and the ligand is preferably performed in an inert gas atmosphere. Examples of the inert gas include nitrogen and argon.

金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時における反応温度、反応時間、反応圧力は、原料、溶媒などによって異なるが、通常、２０℃〜３００℃、好ましくは５０℃〜２５０℃、更に好ましくは８０℃〜２２０℃の範囲である。反応時間は、通常３０分〜２４時間であるが、好ましくは１〜１２時間、さらに好ましくは２〜１０時間であり、反応圧力に関しては、通常、常圧であるが、必要に応じて加圧下でも減圧下でも差し支えない。 In the production of the metal complex, the reaction temperature, reaction time, and reaction pressure during the complex formation reaction between the metal salt and the ligand vary depending on the raw materials, the solvent, etc., but are usually 20 ° C to 300 ° C, preferably 50 ° C to 250 ° C. ° C, more preferably in the range of 80 ° C to 220 ° C. The reaction time is usually 30 minutes to 24 hours, preferably 1 to 12 hours, more preferably 2 to 10 hours, and the reaction pressure is usually atmospheric pressure, but under pressure as necessary. But it can be under reduced pressure.

本発明の金属錯体の製造において、金属塩と配位子の錯体形成反応時の、加熱手段は特に限定されない。具体的には、オイルバス、マントルヒーターによる加熱や、マイクロ波照射による加熱を使用することができる。 In the production of the metal complex of the present invention, the heating means during the complex formation reaction between the metal salt and the ligand is not particularly limited. Specifically, heating by an oil bath or a mantle heater or heating by microwave irradiation can be used.

このようにして得られた本発明の金属錯体は、必要に応じて単離、精製を行うことができる。単離、精製の方法としては、カラムクロマトグラフィー、再結晶、再沈殿、昇華等が挙げられる。これらは単独で用いても併用しても構わない。 The metal complex of the present invention thus obtained can be isolated and purified as necessary. Examples of isolation and purification methods include column chromatography, recrystallization, reprecipitation, sublimation and the like. These may be used alone or in combination.

なお、上記に示した製造方法において、定義された置換基が、ある合成方法の条件下で変化するか、または該方法を実施するのに不適切な場合、官能基の保護、脱保護（例えば、プロテクティブ・グループス・イン・オーガニック・シンセシス（ＰｒｏｔｅｃｔｉｖｅＧｒｏｕｐｓｉｎＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｉｓ）、グリーン（Ｔ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ）著、ジョン・ワイリー・アンド・サンズ・インコーポレイテッド（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆ＳｏｎｓＩｎｃ．）（１９８１年）等）等の手段により容易に製造が可能である。また、必要に応じて適宜置換基導入等の反応工程の順序を変化させることも可能である。 In the production methods shown above, when the defined substituents change under the conditions of a certain synthesis method or are inappropriate for carrying out the method, the functional groups are protected and deprotected (for example, Protective Groups in Organic Synthesis, by TW Greene, John Wiley & Sons Inc. (198) ) Etc.) and the like can be easily manufactured. Moreover, it is also possible to change the order of reaction steps such as introduction of substituents as necessary.

前記有機層には、重水素原子を少なくともひとつ有する材料を用いることが好ましい。重水素原子を少なくともひとつ有する材料を用いることにより、耐久性をより向上させることができる。 It is preferable to use a material having at least one deuterium atom for the organic layer. The durability can be further improved by using a material having at least one deuterium atom.

重水素原子を少なくともひとつ有する材料とは、有機材料であっても、無機材料であっても、その両方であってもよいが、有機材料であることが好ましい。 The material having at least one deuterium atom may be an organic material, an inorganic material, or both, but is preferably an organic material.

重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料とは、水素原子または重水素原子が結合し得る位置において、重水素原子と水素原子の比率(重水素原子の原子数：水素原子の原子数)が、１００：０から１：９９の範囲に含まれていることを意味する。ここで、水素原子または重水素原子が結合し得る位置は、１分子中、少なくとも特定の１箇所から全部の範囲の何れでもよい。言い換えれば、上記比率は水素原子または重水素原子が結合し得る位置の総和において、重水素原子が占める割合（重水素化率）が１〜１００％であることと同義である。
従って、上記比率の状態は、当該位置に重水素を含む化合物と重水素を含まない化合物を、適当な比率で同時に使用することによって実現できる。 The organic material having at least one deuterium atom has a ratio of deuterium atoms to hydrogen atoms (the number of deuterium atoms: the number of hydrogen atoms) at a position where hydrogen atoms or deuterium atoms can be combined. : Means in the range of 0 to 1:99. Here, the position at which a hydrogen atom or deuterium atom can be bonded may be in any range from at least one specific position to the entire position in one molecule. In other words, the said ratio is synonymous with the ratio (deuteration rate) which a deuterium atom occupies in the sum total of the position where a hydrogen atom or a deuterium atom can couple | bond together.
Therefore, the state of the above ratio can be realized by simultaneously using a compound containing deuterium at the position and a compound not containing deuterium at an appropriate ratio.

重水素原子と水素原子の組成の範囲として、好ましくは１００：０から５：９５であり、より好ましくは１００：０から５０：５０であり、特に好ましくは１００：０から８０：２０である。 The composition range of deuterium atoms and hydrogen atoms is preferably 100: 0 to 5:95, more preferably 100: 0 to 50:50, and particularly preferably 100: 0 to 80:20.

重水素原子を少なくともひとつ有する材料は、有機電界発光素子のいずれの層に含まれていても良いが、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのが好ましく、発光層、励起子ブロック層、電荷ブロック層のいずれか、もしくは複数に含有されるのがより好ましく、発光層に含有されるのがさらに好ましく、特に発光層中のホスト材料として含有されるのが好ましい。有機層中における重水素原子を少なくともひとつ有する材料の割合は１０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、２０質量％以上１００質量％以下がさらに好ましく、３０質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。 The material having at least one deuterium atom may be contained in any layer of the organic electroluminescent device, but is not limited to a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an exciton. It is preferably contained in one or more of the block layer and the charge blocking layer, more preferably contained in one or more of the light emitting layer, exciton blocking layer and charge blocking layer, and contained in the light emitting layer. More preferably, it is preferably contained as a host material in the light emitting layer. The proportion of the material having at least one deuterium atom in the organic layer is more preferably 10% by mass to 100% by mass, further preferably 20% by mass to 100% by mass, and particularly preferably 30% by mass to 100% by mass. .

重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料としては、例えば、国際公開第０２／４７４４０号パンフレットに記載の化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。 Examples of the organic material having at least one deuterium atom include, but are not limited to, compounds described in International Publication No. 02/47440 pamphlet.

重水素原子を少なくともひとつ有する有機材料として、特に好ましいものの例としては、窒素原子を含む材料が好ましく、なかでも、三級アミン骨格、カルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料が好ましく、カルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料がより好ましく、カルバゾール骨格を含む材料が特に好ましい。 As an example of a particularly preferable organic material having at least one deuterium atom, a material including a nitrogen atom is preferable, and a material including a tertiary amine skeleton, a carbazole skeleton, or an indole skeleton is preferable, and a carbazole skeleton, Alternatively, a material including an indole skeleton is more preferable, and a material including a carbazole skeleton is particularly preferable.

重水素原子を少なくともひとつ有するカルバゾール骨格、もしくは、インドール骨格を含む材料としては、例えば、以下に示すものが挙げられる。 Examples of materials including a carbazole skeleton having at least one deuterium atom or an indole skeleton include the following.

重水素原子を少なくとも１つ有する材料は、種々の公知の合成法にて合成することが可能である。例えば、特開２００４−１１４００および特開２００４−４６０６６に記載の方法を用いることにより、対応する化合物の水素原子を重水素原子に変換することが出来る。また、重水素原子を含む原料を用いて、重水素原子を少なくとも１つ有する材料を合成することも出来る。重水素原子を含む原料として具体的には、重ブロモベンゼン-d5（CAS No. 4165-57-5）、重ヨウ化メチル-d3（CAS No. 865-50-9）や、J.Am.Chem.Soc. vol.126, No.40, 13033-03043項(2004年)に記載の方法で合成できるレゾルシノール-d6および、そのスルホン酸エステル誘導体などが挙げられる。 A material having at least one deuterium atom can be synthesized by various known synthesis methods. For example, by using the methods described in JP-A-2004-11400 and JP-A-2004-46066, hydrogen atoms of the corresponding compounds can be converted into deuterium atoms. In addition, a material having at least one deuterium atom can be synthesized using a raw material containing a deuterium atom. Specific examples of raw materials containing deuterium atoms include deuterated bromobenzene-d5 (CAS No. 4165-57-5), deuterated methyl iodide-d3 (CAS No. 865-50-9), and J. Am. Chem. Soc. Vol. 126, No. 40, 13033-03043 (2004), resorcinol-d6 that can be synthesized by the method described in 2004, and sulfonic acid ester derivatives thereof.

次に本発明の化合物を含有する有機電界発光素子について説明する。 Next, the organic electroluminescent element containing the compound of the present invention will be described.

［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は基板上に陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層（を含む有機化合物層を有する。発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明であることが好ましい。 [Organic electroluminescence device]
The organic electroluminescent device of the present invention has a cathode and an anode on a substrate, and has a light emitting layer (including an organic compound layer between both electrodes. Due to the nature of the light emitting device, at least one of the anode and the cathode is It is preferably transparent.

本発明における有機化合物層の積層の形態としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を有する。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けても良い。
尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。 In the present invention, the organic compound layer is preferably laminated in the order of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer from the anode side. Further, a hole injection layer is provided between the hole transport layer and the anode, and / or an electron transporting intermediate layer is provided between the light emitting layer and the electron transport layer. Further, a hole transporting intermediate layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer, and similarly, an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer.
Each layer may be divided into a plurality of secondary layers.

有機化合物層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、およびスプレー法等いずれによっても好適に形成することができる。 Each layer constituting the organic compound layer can be suitably formed by any of dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering, transfer methods, printing methods, coating methods, ink jet methods, and spray methods.

次に、本発明の発光素子を構成する要素について、詳細に説明する。 Next, elements constituting the light emitting device of the present invention will be described in detail.

（基板）
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、およびポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。 (substrate)
The substrate used in the present invention is preferably a substrate that does not scatter or attenuate light emitted from the organic compound layer. Specific examples include yttria-stabilized zirconia (YSZ), inorganic materials such as glass, polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, and polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, and polycycloolefin. , Norbornene resins, and organic materials such as poly (chlorotrifluoroethylene).
For example, when glass is used as the substrate, alkali-free glass is preferably used as the material in order to reduce ions eluted from the glass. Moreover, when using soda-lime glass, it is preferable to use what applied barrier coats, such as a silica. In the case of an organic material, it is preferable that it is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, and workability.

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。 There is no restriction | limiting in particular about the shape of a board | substrate, a structure, a magnitude | size, It can select suitably according to the use, purpose, etc. of a light emitting element. In general, the shape of the substrate is preferably a plate shape. The substrate structure may be a single layer structure, a laminated structure, may be formed of a single member, or may be formed of two or more members.

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。 The substrate may be colorless and transparent or colored and transparent, but is preferably colorless and transparent in that it does not scatter or attenuate light emitted from the organic light emitting layer.

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。 The substrate can be provided with a moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) on the front surface or the back surface.
As a material for the moisture permeation preventive layer (gas barrier layer), inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used. The moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
When a thermoplastic substrate is used, a hard coat layer, an undercoat layer, or the like may be further provided as necessary.

（陽極）
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。 (anode)
The anode usually has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element. , Can be appropriately selected from known electrode materials. As described above, the anode is usually provided as a transparent anode.

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。 Suitable examples of the material for the anode include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples of the anode material include conductive metals such as tin oxide doped with antimony and fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Metals such as oxides, gold, silver, chromium, nickel, and mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides, inorganic conductive materials such as copper iodide and copper sulfide, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, etc. Organic conductive materials, and a laminate of these and ITO. Among these, conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。 The anode is composed of, for example, a wet method such as a printing method and a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method, and a chemical method such as a CVD and a plasma CVD method. It can be formed on the substrate according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material to be processed. For example, when ITO is selected as the anode material, the anode can be formed according to a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like.

本発明の有機電界発光素子において、陽極の形成位置としては特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。 In the organic electroluminescent element of the present invention, the formation position of the anode is not particularly limited and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting element. Is preferably formed on the substrate. In this case, the anode may be formed on the entire one surface of the substrate, or may be formed on a part thereof.

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。 The patterning for forming the anode may be performed by chemical etching such as photolithography, or may be performed by physical etching such as laser, or vacuum deposition or sputtering with a mask overlapped. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。 The thickness of the anode can be appropriately selected depending on the material constituting the anode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 50 μm, and preferably 50 nm to 20 μm.

陽極の抵抗値としては、１０^３Ω／□以下が好ましく、１０^２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。 The resistance value of the anode is preferably 10 ³ Ω / □ or less, and more preferably 10 ² Ω / □ or less. When the anode is transparent, it may be colorless and transparent or colored and transparent. In order to take out light emission from the transparent anode side, the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。 The transparent anode is detailed in Yutaka Sawada's “New Development of Transparent Conductive Film” published by CMC (1999), and the matters described here can be applied to the present invention. In the case of using a plastic substrate having low heat resistance, a transparent anode formed using ITO or IZO at a low temperature of 150 ° C. or lower is preferable.

（陰極）
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。 (cathode)
The cathode usually has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer, and there is no particular limitation on the shape, structure, size, etc., depending on the use and purpose of the light-emitting element, It can select suitably from well-known electrode materials.

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（たとえば、ＬＩ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、およびイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。 Examples of the material constituting the cathode include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include alkali metals (eg, LI, Na, K, Cs, etc.), alkaline earth metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloys, lithium-aluminum alloys, magnesium. -Rare earth metals such as silver alloys, indium and ytterbium. These may be used alone, but two or more can be suitably used in combination from the viewpoint of achieving both stability and electron injection.

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。 Among these, as a material constituting the cathode, an alkali metal or an alkaline earth metal is preferable from the viewpoint of electron injecting property, and a material mainly composed of aluminum is preferable from the viewpoint of excellent storage stability.
The material mainly composed of aluminum is aluminum alone, an alloy of aluminum and 0.01% by mass to 10% by mass of alkali metal or alkaline earth metal, or a mixture thereof (for example, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy). Etc.).

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。 The materials for the cathode are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172, and the materials described in these public relations can also be applied in the present invention.

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。 There is no restriction | limiting in particular about the formation method of a cathode, According to a well-known method, it can carry out. For example, the cathode described above is configured from a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. It can be formed according to a method appropriately selected in consideration of suitability with the material. For example, when a metal or the like is selected as the cathode material, one or more of them can be simultaneously or sequentially performed according to a sputtering method or the like.

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。 Patterning when forming the cathode may be performed by chemical etching such as photolithography, physical etching by laser, or the like, or by vacuum deposition or sputtering with the mask overlaid. It may be performed by a lift-off method or a printing method.

本発明において、陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。 In the present invention, the cathode formation position is not particularly limited, and may be formed on the entire organic compound layer or a part thereof.
Further, a dielectric layer made of an alkali metal or alkaline earth metal fluoride or oxide may be inserted between the cathode and the organic compound layer with a thickness of 0.1 nm to 5 nm. This dielectric layer can also be regarded as a kind of electron injection layer. The dielectric layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。 The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode and cannot be generally defined, but is usually about 10 nm to 5 μm, and preferably 50 nm to 1 μm.
Further, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by depositing a thin cathode material to a thickness of 1 nm to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO.

（有機層）
本発明における有機層について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機層を有しており、発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。 (Organic layer)
The organic layer in the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention has at least one organic layer including a light emitting layer, and the organic compound layer other than the light emitting layer includes a hole transport layer, an electron transport layer, a charge block as described above. Each layer includes a layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.

−有機層の形成−
本発明の有機ＥＬ素子において、有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等いずれによっても好適に形成することができる。 -Formation of organic layer-
In the organic EL device of the present invention, each layer constituting the organic layer can be suitably formed by any of dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering, wet coating methods, transfer methods, printing methods, and ink jet methods. it can.

−発光層−
有機発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料と正孔輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいても良い。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。 -Light emitting layer-
The organic light emitting layer receives holes from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer when an electric field is applied, receives electrons from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer, and recombines holes and electrons. It is a layer having a function of providing a field to emit light.
The light emitting layer in the present invention may be composed of only a light emitting material, or may be a mixed layer of a host material and a light emitting material. The light emitting material may be a fluorescent light emitting material, a phosphorescent light emitting material, or two or more kinds. The host material is preferably a charge transport material. The host material may be one type or two or more types, and examples thereof include a configuration in which an electron transporting host material and a hole transporting host material are mixed. Further, the light emitting layer may include a material that does not have charge transporting properties and does not emit light.
Further, the light emitting layer may be a single layer or two or more layers, and each layer may emit light in different emission colors.

本発明における発光層は、色純度を向上させるためや発光波長領域を広げるために２種類以上の発光材料を含有することができる。本発明における発光材料は、更に前記ホスト化合物との間で、１．２ｅＶ＞△Ｉｐ＞０．２ｅＶ、及び／又は１．２ｅＶ＞△Ｅａ＞０．２ｅＶの関係を満たす発光材料であることが駆動耐久性の観点で好ましい。 The light emitting layer in the present invention can contain two or more kinds of light emitting materials in order to improve the color purity and widen the light emission wavelength region. The light emitting material in the present invention is a light emitting material satisfying the relationship of 1.2 eV> ΔIp> 0.2 eV and / or 1.2 eV> ΔEa> 0.2 eV with the host compound. This is preferable from the viewpoint of driving durability.

《燐光発光材料》
前記燐光発光材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体を挙げることができる。
例えば、該遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、金、銀、銅、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金であり、更に好ましくはイリジウム、白金である。
ランタノイド原子としては、例えばランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、およびルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。 <Phosphorescent material>
In general, examples of the phosphorescent material include complexes containing a transition metal atom or a lanthanoid atom.
For example, the transition metal atom is not particularly limited, but preferably includes ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium, gold, silver, copper, and platinum, and more preferably rhenium, iridium. And platinum, more preferably iridium and platinum.
Examples of the lanthanoid atom include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutetium. Among these lanthanoid atoms, neodymium, europium, and gadolinium are preferable.

錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，ＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＣｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＰｅｒｇａｍｏｎＰｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「ＰｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓｏｆＣｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、芳香族炭素環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、シクロペンタジエニルアニオン、ベンゼンアニオン、またはナフチルアニオンなど）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、好ましくは炭素数５〜３０、より好ましくは炭素数６〜３０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、またはフェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、さらに好ましくは炭素数２〜１６であり、酢酸配位子など）、アルコラト配位子（例えば、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０であり、フェノラト配位子など）、シリルオキシ配位子（例えば、好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０であり、例えば、トリメチルシリルオキシ配位子、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシ配位子、トリフェニルシリルオキシ配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子、リン配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、さらに好ましくは炭素数３〜２０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルホスフィン配位子など）、チオラト配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜２０、例えば、フェニルチオラト配位子など）、ホスフィンオキシド配位子（好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数８〜３０、さらに好ましくは炭素数１８〜３０、例えば、トリフェニルホスフィンオキシド配位子など）であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。
上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。 Examples of the ligand of the complex include G.I. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H.C. Examples include ligands described in Yersin's "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds" published by Springer-Verlag 1987, Akio Yamamoto "Organic Metal Chemistry-Fundamentals and Applications-" .
The specific ligand is preferably a halogen ligand (preferably a chlorine ligand) or an aromatic carbocyclic ligand (for example, preferably 5 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 6 carbon atoms). 30 and more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as cyclopentadienyl anion, benzene anion, or naphthyl anion), nitrogen-containing heterocyclic ligand (for example, preferably Has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 30 carbon atoms, still more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, and phenylpyridine, benzoquinoline, quinolinol, bipyridyl, or phenanthroline. Etc.), diketone ligand (for example, acetylacetone, etc.), carboxylic acid ligand (for example, preferably 2-30 carbon atoms, and more) Preferably, it has 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 16 carbon atoms, such as an acetic acid ligand), an alcoholate ligand (for example, preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms). More preferably, it has 6 to 20 carbon atoms, such as phenolate ligand), silyloxy ligand (for example, preferably 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, still more preferably 3 to 3 carbon atoms). 20 such as trimethylsilyloxy ligand, dimethyl-tert-butylsilyloxy ligand, triphenylsilyloxy ligand), carbon monoxide ligand, isonitrile ligand, cyano ligand, Phosphorus ligand (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, still more preferably 3 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 6 to 20 carbon atoms. A rephenylphosphine ligand), a thiolato ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, still more preferably 6 to 20 carbon atoms, such as a phenylthiolato ligand). A phosphine oxide ligand (preferably having 3 to 30 carbon atoms, more preferably 8 to 30 carbon atoms, still more preferably 18 to 30 carbon atoms, such as a triphenylphosphine oxide ligand), and more preferably , A nitrogen-containing heterocyclic ligand.
The complex may have one transition metal atom in the compound, or may be a so-called binuclear complex having two or more. Different metal atoms may be contained at the same time.

これらの中でも、発光材料の具体例としては、例えば、米国６３０３２３８号明細書、米国６０９７１４７号明細書、国際公開第００／５７６７６号パンフレット、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、国際公開第０１／０８２３０号パンフレット、国際公開第０１／３９２３４パンフレット、国際公開第０１／４１５１２号パンフレット、国際公開０２／０２７１４号パンフレット、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、国際公開第０２／４４１８９号パンフレット、国際公開第０５／１９３７３パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００３−１３３０７４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００３−１２３９８２号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、欧州特許出願公開第１２１１２５７明細書、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００１−２９８４７０号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−２０３６７８号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００４−３５７７９１号公報、特開２００６−２５６９９９号公報、特開２００７−１９４６２号公報、特開２００７−８４６３５号公報、特開２００７−９６２５９号公報等の特許文献に記載の燐光発光化合物などが挙げられ、中でも、更に好ましい発光材料としては、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、Ｃｕ錯体、Ｒｅ錯体、Ｗ錯体、Ｒｈ錯体、Ｒｕ錯体、Ｐｄ錯体、Ｏｓ錯体、Ｅｕ錯体、Ｔｂ錯体、Ｇｄ錯体、Ｄｙ錯体、およびＣｅ錯体が挙げられる。特に好ましくは、Ｉｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体であり、中でも金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が好ましい。更に、発光効率、駆動耐久性、色度等の観点で、３座以上の多座配位子を含むＩｒ錯体、Ｐｔ錯体、またはＲｅ錯体が特に好ましく、本発明の化合物が最も好ましい。 Among these, specific examples of the light emitting material include, for example, US Pat. No. 6,303,238, US Pat. No. 6,097,147, International Publication No. 00/57676, International Publication No. 00/70655, International Publication No. 01/08230. Pamphlet, International Publication No. 01/39234, International Publication No. 01/41512, International Publication No. 02/02714, International Publication No. 02/15645, International Publication No. 02/44189, International Publication No. 05 / 19373 pamphlet, JP-A No. 2001-247859, JP-A No. 2002-302671, JP-A No. 2002-117978, JP-A No. 2003-133074, JP-A No. 2002-235076, JP-A No. 2003-12 No. 982, JP 2002-170684 A, European Patent Application No. 121112257, JP 2002-226495 A, JP 2002-234894 A, JP 2001-247859 A, JP 2001-298470 A. JP, JP-A-2002-173684, JP-A-2002-203678, JP-A-2002-203679, JP-A-2004-357791, JP-A-2006-256999, JP-A-2007-19462 And phosphorescent compounds described in patent documents such as JP2007-84635A and JP2007-96259A, and more preferable examples of the light emitting material include Ir complex, Pt complex, Cu complex, Re Complex, W complex, Rh complex, Ru complex, Pd complex, Os complex, u complexes, Tb complexes, Gd complexes, Dy complexes, and Ce complexes. Particularly preferred is an Ir complex, a Pt complex, or a Re complex, among which an Ir complex or a Pt complex containing at least one coordination mode of a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond, and a metal-sulfur bond. Or a Re complex. Furthermore, from the viewpoints of luminous efficiency, driving durability, chromaticity, etc., an Ir complex, a Pt complex, or a Re complex containing a tridentate or higher polydentate ligand is particularly preferable, and the compound of the present invention is most preferable.

《蛍光発光材料》
前記蛍光性の発光材料としては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセンなど）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン、およびこれらの誘導体などを挙げることができる。 <Fluorescent material>
As the fluorescent light-emitting material, generally, benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine , Cyclopentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, condensed polycyclic aromatic compounds (such as anthracene, phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, or pentacene), 8-quinolinol Various metal complexes represented by metal complexes, pyromethene complexes and rare earth complexes, polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene and polyphenylene vinylene, organic sila , And the like, and their derivatives.

発光層中の発光材料は、発光層中に一般的に発光層を形成する全化合物質量に対して、０．１質量％〜５０質量％含有されるが、耐久性、外部量子効率の観点から１質量％〜５０質量％含有されることが好ましく、２質量％〜４０質量％含有されることがより好ましい。 The light emitting material in the light emitting layer is contained in an amount of 0.1% by mass to 50% by mass with respect to the total mass of the compound generally forming the light emitting layer in the light emitting layer, but from the viewpoint of durability and external quantum efficiency. The content is preferably 1% by mass to 50% by mass, and more preferably 2% by mass to 40% by mass.

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、２ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、中でも、外部量子効率の観点で、３ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。 Although the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, it is usually preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 3 nm to 200 nm, and more preferably 5 nm to 100 nm from the viewpoint of external quantum efficiency. More preferably.

＜ホスト材料＞
ホスト材料とは、発光層を構成する材料のうち、発光材料以外のものであり、発光材料を分散して層中に保持する機能、陽極や正孔輸送層等から正孔を受け取る機能、陰極や電子輸送層等から電子を受け取る機能、正孔及び／または電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合の場を提供する機能、再結合により生成した励起子のエネルギーを発光材料に移動させる機能、及び正孔及び／または電子を発光材料に輸送する機能のうち少なくとも一種の機能を有する材料を意味する。 <Host material>
The host material is a material other than the light emitting material among the materials constituting the light emitting layer, the function of dispersing the light emitting material and holding it in the layer, the function of receiving holes from the anode, the hole transport layer, etc., the cathode The function of receiving electrons from the electron transport layer, the function of transporting holes and / or electrons, the function of providing a recombination field of holes and electrons, and the exciton energy generated by the recombination transferred to the light emitting material It means a material having at least one of a function of transporting holes and / or electrons to a light-emitting material.

本発明に用いられるホスト材料としては、以下の材料を挙げることができる。
ピロール、インドール、カルバゾール、アザインドール、アザカルバゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ピラゾール、イミダゾール、チオフェン、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾ−ル、オキサゾ−ル、オキサジアゾ−ル、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、フッ素置換芳香族化合物、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノ−ル誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾ−ルやベンゾチアゾ−ルを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体およびそれらの誘導体（置換基や縮環を有していてもよい）等を挙げることができる。 Examples of the host material used in the present invention include the following materials.
Pyrrole, indole, carbazole, azaindole, azacarbazole, triazole, oxazole, oxadiazole, pyrazole, imidazole, thiophene, polyarylalkane, pyrazoline, pyrazolone, phenylenediamine, arylamine, amino-substituted chalcone, styrylanthracene, fluorenone, hydrazone , Stilbene, silazane, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, porphyrin compounds, polysilane compounds, poly (N-vinylcarbazole), aniline copolymers, thiophene oligomers, polythiophene and other conductive polymer oligomers , Organic silane, carbon film, pyridine, pyrimidine, triazine, imidazole, pyrazole, triazole, oxazole, oxadiazol, full Lenone, anthraquinodimethane, anthrone, diphenylquinone, thiopyran dioxide, carbodiimide, fluorenylidenemethane, distyrylpyrazine, fluorine-substituted aromatic compounds, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, phthalocyanine, 8- Various metal complexes typified by metal complexes of quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazoles and benzothiazol ligands and their derivatives (may have substituents and condensed rings) And the like.

本発明における発光層において、前記ホスト材料の三重項最低励起エネルギー（Ｔ_１）が、前記燐光発光材料のＴ_１より高いことが色純度、発光効率、駆動耐久性の点で好ましい。 In the light emitting layer of the present invention, it is preferable in terms of color purity, light emission efficiency, and driving durability that the triplet lowest excitation energy (T ₁ ) of the host material is higher than T _{1 of the} phosphorescent light emitting material.

発光層中のホスト材料の使用量は、特に限定されないが、発光層中において主成分（含有量が一番多い成分）であることが好ましく、５０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、７０質量％以上９９．８質量％以下がさらに好ましく、８０質量％以上９９．７質量％以下が特に好ましく、９０質量％以上９９．５質量％以下が最も好ましい。
ホスト材料のガラス転移点は、１００℃以上５００℃以下であることが好ましく、１１０℃以上３００℃以であることがより好ましく、１２０℃以上２５０℃以下であることがさらに好ましい。 The amount of the host material used in the light emitting layer is not particularly limited, but is preferably the main component (the component having the largest content) in the light emitting layer, and more preferably 50% by mass or more and 99.9% by mass or less. 70 mass% or more and 99.8 mass% or less are more preferable, 80 mass% or more and 99.7 mass% or less are especially preferable, and 90 mass% or more and 99.5 mass% or less are the most preferable.
The glass transition point of the host material is preferably 100 ° C. or higher and 500 ° C. or lower, more preferably 110 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, and further preferably 120 ° C. or higher and 250 ° C. or lower.

（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。 (Hole injection layer, hole transport layer)
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or the anode side and transporting them to the cathode side. The hole injection material and the hole transport material used for these layers may be a low molecular compound or a high molecular compound.
Specifically, pyrrole derivatives, carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styryl In a layer containing anthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organosilane derivatives, carbon, etc. Preferably there is.

本発明の有機ＥＬ素子の正孔注入層あるいは正孔輸送層には、電子受容性発光材料を含有させることができる。正孔注入層、あるいは正孔輸送層に導入する電子受容性発光材料としては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有すれば、無機化合物でも有機化合物でも使用できる。 An electron-accepting light-emitting material can be contained in the hole injection layer or the hole transport layer of the organic EL device of the present invention. As the electron-accepting light-emitting material introduced into the hole-injecting layer or the hole-transporting layer, an inorganic compound or an organic compound can be used as long as it has an electron-accepting property and oxidizes an organic compound.

具体的には、無機化合物は塩化第二鉄や塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモンなどのハロゲン化金属、五酸化バナジウム、および三酸化モリブデンなどの金属酸化物などが挙げられる。 Specifically, examples of the inorganic compound include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride, metal oxides such as vanadium pentoxide, and molybdenum trioxide.

有機化合物の場合は、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基などを有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレンなどを好適に用いることができる。
この他にも、特開平６−２１２１５３号公報、特開平１１−１１１４６３号公報、特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２０００−２８６０５４号公報、特開２０００−３１５５８０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、特開２００１−１６０４９３号公報、特開２００２−２５２０８５号公報、特開２００２−５６９８５号公報、特開２００３−１５７９８１号公報、特開２００３−２１７８６２号公報、特開２００３−２２９２７８号公報、特開２００４−３４２６１４号公報、特開２００５−７２０１２号公報、特開２００５−１６６６３７号公報、特開２００５−２０９６４３号公報等に記載の化合物を好適に用いることが出来る。 In the case of an organic compound, a compound having a nitro group, halogen, cyano group, trifluoromethyl group or the like as a substituent, a quinone compound, an acid anhydride compound, fullerene, or the like can be preferably used.
In addition, JP-A-6-212153, JP-A-11-111463, JP-A-11-251067, JP-A-2000-196140, JP-A-2000-286054, JP-A-2000-315580 JP, JP-A-2001-102175, JP-A-2001-160493, JP-A-2002-252085, JP-A-2002-56985, JP-A-2003-157981, JP-A-2003-217862 JP-A-2003-229278, JP-A-2004-342614, JP-A-2005-72012, JP-A-2005-166637, JP-A-2005-209643, and the like are preferably used. I can do it.

このうちヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、ｐ−ベンゾキノン、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、１，４−ジシアノテトラフルオロベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、ｐ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、ｏ−ジニトロベンゼン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，３−ジニトロナフタレン、１，５−ジニトロナフタレン、９，１０−アントラキノン、１，３，６，８−テトラニトロカルバゾール、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，３，５，６−テトラシアノピリジン、またはフラーレンＣ６０が好ましく、ヘキサシアノブタジエン、ヘキサシアノベンゼン、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ｐ−フルオラニル、ｐ−クロラニル、ｐ−ブロマニル、２，６−ジクロロベンゾキノン、２，５−ジクロロベンゾキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，２，４，５−テトラシアノベンゼン、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、または２，３，５，６−テトラシアノピリジンがより好ましく、テトラフルオロテトラシアノキノジメタンが特に好ましい。 Among these, hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, tetrafluorotetracyanoquinodimethane, p-fluoranyl, p-chloranil, p-bromanyl, p-benzoquinone, 2,6-dichlorobenzoquinone, 2 , 5-dichlorobenzoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, 1,4-dicyanotetrafluorobenzene, 2,3-dichloro-5,6-dicyanobenzoquinone, p-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, o-dinitrobenzene, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1,3-dinitronaphthalene, 1,5-dinitronaphthalene, 9,10-anthraquinone, 1,3,6,8-tetranitrocarbazole, 2,4,7-trinitro-9- Luenone, 2,3,5,6-tetracyanopyridine or fullerene C60 is preferred, and hexacyanobutadiene, hexacyanobenzene, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, tetrafluorotetracyanoquinodimethane, p-fluoranyl, p- Chloranil, p-bromanyl, 2,6-dichlorobenzoquinone, 2,5-dichlorobenzoquinone, 2,3-dichloronaphthoquinone, 1,2,4,5-tetracyanobenzene, 2,3-dichloro-5,6-dicyano Benzoquinone or 2,3,5,6-tetracyanopyridine is more preferred, and tetrafluorotetracyanoquinodimethane is particularly preferred.

これらの電子受容性発光材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子受容性発光材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、正孔輸送層材料に対して０．０１質量％〜５０質量％であることが好ましく、０．０５質量％〜２０質量％であることが更に好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。 These electron-accepting luminescent materials may be used alone or in combination of two or more. The amount of the electron-accepting light-emitting material used varies depending on the type of material, but is preferably 0.01% by mass to 50% by mass with respect to the hole transport layer material, and 0.05% by mass to 20% by mass. More preferably, it is particularly preferably 0.1% by mass to 10% by mass.

正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。 The thicknesses of the hole injection layer and the hole transport layer are each preferably 500 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.
The thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the thickness of the hole injection layer is preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.5 nm to 100 nm, and still more preferably 1 nm to 100 nm.
The hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .

（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料は低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。
具体的には、本発明の化合物の他、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。 (Electron injection layer, electron transport layer)
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. The electron injection material and the electron transport material used for these layers may be a low molecular compound or a high molecular compound.
Specifically, in addition to the compounds of the present invention, pyridine derivatives, quinoline derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, phthalazine derivatives, phenanthroline derivatives, triazine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, Anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyrandioxide derivatives, carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic tetracarboxylic anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, 8 -Various metal complexes represented by metal complexes of quinolinol derivatives, metal phthalocyanines, benzoxazole and benzothiazole ligands, siloles It is preferable that organic silane derivatives, etc. are.

本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層あるいは電子輸送層には、電子供与性発光材料を含有させることができる。電子注入層、あるいは電子輸送層に導入される電子供与性発光材料としては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉなどのアルカリ金属、Ｍｇなどのアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物などが好適に用いられる。金属としては、特に仕事関数が４．２ｅＶ以下の金属が好適に使用でき、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂなどが挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含リン化合物などが挙げられる。
この他にも、特開平６−２１２１５３、特開２０００−１９６１４０、特開２００３−６８４６８、特開２００３−２２９２７８、特開２００４−３４２６１４等に記載の材料を用いることが出来る。 The electron injection layer or the electron transport layer of the organic EL device of the present invention can contain an electron donating light-emitting material. The electron-donating light-emitting material introduced into the electron-injecting layer or the electron-transporting layer only needs to have an electron-donating property and have a property of reducing an organic compound. Alkali metals such as Li and alkaline earths such as Mg Metals, transition metals including rare earth metals, reducing organic compounds, and the like are preferably used. As the metal, a metal having a work function of 4.2 eV or less can be preferably used. Specifically, Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd , And Yb. Examples of the reducing organic compound include nitrogen-containing compounds, sulfur-containing compounds, and phosphorus-containing compounds.
In addition, materials described in JP-A-6-212153, JP-A-2000-196140, JP-A-2003-68468, JP-A-2003-229278, JP-A-2004-342614, and the like can be used.

これらの電子供与性発光材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。電子供与性発光材料の使用量は、材料の種類によって異なるが、電子輸送層材料に対して０．１質量％〜９９質量％であることが好ましく、１．０質量％〜８０質量％であることが更に好ましく、２．０質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。 These electron donating light-emitting materials may be used alone or in combination of two or more. The amount of the electron-donating light-emitting material used varies depending on the type of material, but is preferably 0.1% by mass to 99% by mass, and 1.0% by mass to 80% by mass with respect to the electron transport layer material. It is further more preferable, and it is especially preferable that it is 2.0 mass%-70 mass%.

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであるのが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであるのがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであるのが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。 The thicknesses of the electron injection layer and the electron transport layer are each preferably 500 nm or less from the viewpoint of lowering the driving voltage.
The thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm. In addition, the thickness of the electron injection layer is preferably 0.1 nm to 200 nm, more preferably 0.2 nm to 100 nm, and still more preferably 0.5 nm to 50 nm.
The electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

（正孔ブロック層）
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、アルミニウム(III)ビス(2-メチル-8-キノリナト)4-フェニルフェノラート（Aluminum (III)bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolate（ＢＡｌｑと略記する））等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰと略記する））等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。 (Hole blocking layer)
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light emitting layer from passing through to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side.
As an example of a compound constituting the hole blocking layer, aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate (Aluminum (III) bis (2-methyl-8-quinolinato) 4-phenylphenolate (Abbreviated as BAlq)) and the like, triazole derivatives, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthhroline) (Abbreviated as BCP)) and the like.
The thickness of the hole blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and still more preferably 10 nm to 100 nm.
The hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.

（電子ブロック層）
電子ブロック層は、陰極側から発光層に輸送された電子が、陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陽極側で隣接する有機化合物層として、電子ブロック層を設けることができる。
電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
電子ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（保護層）
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴＩ、ＮＩ等の金属、ＭｇＯ、ＳＩＯ、ＳＩＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＧｅＯ、ＮＩＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＴＩＯ_２等の金属酸化物、ＳＩＮ_ｘ、ＳＩＮ_ｘＯ_ｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ_２、ＬＩＦ、ＡｌＦ_３、ＣａＦ_２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。 (Electronic block layer)
The electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode side to the light emitting layer from passing through to the anode side. In the present invention, an electron blocking layer can be provided as the organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the anode side.
As examples of the compound constituting the electron blocking layer, for example, those mentioned as the hole transport material described above can be applied.
The thickness of the electron blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and even more preferably 10 nm to 100 nm.
The hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
(Protective layer)
In the present invention, the entire organic EL element may be protected by a protective layer.
As a material contained in the protective layer, any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
As specific examples, In, Sn, Pb, Au , Cu, Ag, Al, TI, metals NI _{_{_{like, MgO, SIO, SIO 2,}}} Al 2 O 3, GeO, NIO, CaO, BaO, Fe 2 O ₃ , metal oxides such as Y ₂ O ₃ , TIO ₂ , metal nitrides such as SIN _x , SIN _x O _y , metal fluorides such as MgF ₂ , LIF, AlF ₃ , CaF ₂ , polyethylene, polypropylene, polymethyl Monomer mixture containing methacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, copolymer of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene, tetrafluoroethylene and at least one comonomer Copolymer obtained by copolymerization, cyclic in the copolymer main chain Examples thereof include a fluorine-containing copolymer having a structure, a water-absorbing substance having a water absorption of 1% or more, and a moisture-proof substance having a water absorption of 0.1% or less.

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。 The method for forming the protective layer is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency) Excited ion plating method), plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method can be applied.

（電荷発生層）
本発明の有機ＥＬ素子は、発光効率を向上させるため、複数の発光層の間に電荷発生層が設けた構成をとることができる。
前記電荷発生層は、電界印加時に電荷（正孔及び電子）を発生する機能を有すると共に、発生した電荷を電荷発生層と隣接する層に注入させる機能を有する層である。 (Charge generation layer)
The organic EL device of the present invention can have a structure in which a charge generation layer is provided between a plurality of light emitting layers in order to improve luminous efficiency.
The charge generation layer is a layer having a function of generating charges (holes and electrons) when an electric field is applied and a function of injecting the generated charges into a layer adjacent to the charge generation layer.

前記電荷発生層を形成する材料は、上記の機能を有する材料であれば何でもよく、単一化合物で形成されていても、複数の化合物で形成されていてもよい。
具体的には、導電性を有するものであっても、ドープされた有機層のように半導電性を有するものであっても、また、電気絶縁性を有するものであってもよく、特開平１１−３２９７４８や、特開２００３−２７２８６０や、特開２００４−３９６１７に記載の材料が挙げられる。
更に具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電材料、Ｃ60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等などの導電性有機物、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ合金、Ａｌ：Ｌｉ合金、Ｍｇ：Ｌｉ合金などの金属材料、正孔伝導性材料、電子伝導性材料、及びそれらを混合させたものを用いてもよい。
前記正孔伝導性材料は、例えば２−ＴＮＡＴＡ、ＮＰＤなどの正孔輸送有機材料にＦ４−ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱ、ＦｅＣｌ_３などの電子求引性を有する酸化剤をドープさせたものや、Ｐ型導電性高分子、Ｐ型半導体などが挙げられ、前記電子伝導性材料は電子輸送有機材料に４．０ｅＶ未満の仕事関数を有する金属もしくは金属化合物をドープしたものや、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型半導体が挙げられる。Ｎ型半導体としては、Ｎ型Ｓｉ、Ｎ型ＣｄＳ、Ｎ型ＺｎＳなどが挙げられ、Ｐ型半導体としては、Ｐ型Ｓｉ、Ｐ型ＣｄＴｅ、Ｐ型ＣｕＯなどが挙げられる。
また、前記電荷発生層として、Ｖ_２Ｏ_５などの電気絶縁性材料を用いることもできる。 The material for forming the charge generation layer may be any material having the above functions, and may be formed of a single compound or a plurality of compounds.
Specifically, it may be a conductive material, a semiconductive material such as a doped organic layer, or an electrically insulating material. 11-329748, Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-272860, and the material of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-39617 are mentioned.
More specifically, transparent conductive materials such as ITO and IZO (indium zinc oxide), fullerenes such as C60, conductive organic materials such as oligothiophene, metal phthalocyanines, metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, metal-free Conductive organic materials such as porphyrins, metal materials such as Ca, Ag, Al, Mg: Ag alloy, Al: Li alloy, Mg: Li alloy, hole conductive material, electron conductive material, and a mixture thereof May be used.
The hole conductive material is, for example, a material in which a hole transporting organic material such as 2-TNATA or NPD is doped with an oxidant having an electron withdrawing property such as F4-TCNQ, TCNQ, or FeCl ₃ , or a P-type conductive material. The electron conductive material includes an electron transporting organic material doped with a metal or a metal compound having a work function of less than 4.0 eV, an N type conductive polymer, N type Type semiconductors. Examples of the N-type semiconductor include N-type Si, N-type CdS, and N-type ZnS. Examples of the P-type semiconductor include P-type Si, P-type CdTe, and P-type CuO.
Further, an electrically insulating material such as V ₂ O ₅ can be used for the charge generation layer.

前記電荷発生層は、単層でも複数積層させたものでもよい。複数積層させた構造としては、透明伝導材料や金属材料などの導電性を有する材料と正孔伝導性材料、または、電子伝導性材料を積層させた構造、上記の正孔伝導性材料と電子伝導性材料を積層させた構造の層などが挙げられる。 The charge generation layer may be a single layer or a stack of a plurality of layers. A structure in which a plurality of layers are stacked includes a conductive material such as a transparent conductive material and a metal material and a hole conductive material, or a structure in which an electron conductive material is stacked, and the above hole conductive material and electron conductive And a layer having a structure in which a functional material is laminated.

前記電荷発生層は、一般に、可視光の透過率が５０％以上になるよう、膜厚・材料を選択することが好ましい。また膜厚は、特に限定されるものではないが、０．５〜２００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、３〜５０ｎｍがさらに好ましく、５〜３０ｎｍが特に好ましい。
電荷発生層の形成方法は、特に限定されるものではなく、前述した有機化合物層の形成方法を用いることができる。 In general, it is preferable to select a film thickness and a material for the charge generation layer so that the visible light transmittance is 50% or more. The film thickness is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 200 nm, more preferably 1 to 100 nm, still more preferably 3 to 50 nm, and particularly preferably 5 to 30 nm.
The method for forming the charge generation layer is not particularly limited, and the above-described method for forming the organic compound layer can be used.

電荷発生層は前記二層以上の発光層間に形成するが、電荷発生層の陽極側および陰極側には、隣接する層に電荷を注入する機能を有する材料を含んでいても良い。陽極側に隣接する層への電子の注入性を上げるため、例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＣｌ、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２、ＭｇＯ、ＣａＦ_２などの電子注入性化合物を電荷発生層の陽極側に積層させてもよい。
以上で挙げられた内容以外にも、特開２００３−４５６７６号公報、米国特許第６３３７４９２号、同第６１０７７３４号、同第６８７２４７２号等に記載を元にして、電荷発生層の材料を選択することができる。 The charge generation layer is formed between the two or more light emitting layers. The charge generation layer may include a material having a function of injecting charges into adjacent layers on the anode side and the cathode side. In order to improve the electron injection property to the layer adjacent to the anode side, for example, an electron injection compound such as BaO, SrO, Li ₂ O, LiCl, LiF, MgF ₂ , MgO, and CaF _{2 is} added to the anode side of the charge generation layer. May be laminated.
In addition to the contents mentioned above, the material for the charge generation layer should be selected based on the descriptions in JP-A-2003-45676, US Pat. Nos. 6,337,492, 6,107,734, 6,872,472, and the like. Can do.

（封止容器）
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、および酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、およびシリコーンオイル類が挙げられる。 (Sealing container)
Furthermore, the organic electroluminescent element of this invention may seal the whole element using a sealing container.
Further, a moisture absorbent or an inert liquid may be sealed in a space between the sealing container and the light emitting element. Although it does not specifically limit as a moisture absorber, For example, barium oxide, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, phosphorus pentoxide, calcium chloride, magnesium chloride, copper chloride Cesium fluoride, niobium fluoride, calcium bromide, vanadium bromide, molecular sieve, zeolite, magnesium oxide, and the like. The inert liquid is not particularly limited, and examples thereof include paraffins, liquid paraffins, fluorinated solvents such as perfluoroalkane, perfluoroamine, and perfluoroether, chlorinated solvents, and silicone oils. Can be mentioned.

（駆動方法）
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号明細書、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。 (Driving method)
The organic electroluminescence device of the present invention emits light by applying a direct current (which may include an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 15 volts) or a direct current between the anode and the cathode. Obtainable.
The driving method of the organic electroluminescence device of the present invention is described in JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234658, and JP-A-8-2441047. The driving method described in each publication, Japanese Patent No. 2784615, US Pat. Nos. 5,828,429, 6023308, and the like can be applied.

本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。 The light-emitting element of the present invention can improve the light extraction efficiency by various known devices. For example, by processing the substrate surface shape (for example, forming a fine concavo-convex pattern), controlling the refractive index of the substrate / ITO layer / organic layer, controlling the film thickness of the substrate / ITO layer / organic layer, etc. It is possible to improve light extraction efficiency and external quantum efficiency.

本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。 The light-emitting element of the present invention may be a so-called top emission type in which light emission is extracted from the anode side.

本発明における有機ＥＬ素子は、共振器構造を有しても良い。例えば、透明基板上に、屈折率の異なる複数の積層膜よりなる多層膜ミラー、透明または半透明電極、発光層、および金属電極を重ね合わせて有する。発光層で生じた光は多層膜ミラーと金属電極を反射板としてその間で反射を繰り返し共振する。
別の好ましい態様では、透明基板上に、透明または半透明電極と金属電極がそれぞれ反射板として機能して、発光層で生じた光はその間で反射を繰り返し共振する。
共振構造を形成するためには、２つの反射板の有効屈折率、反射板間の各層の屈折率と厚みから決定される光路長を所望の共振波長の得るのに最適な値となるよう調整される。第一の態様の場合の計算式は特開平９−１８０８８３号公報に記載されている。第２の態様の場合の計算式は特開２００４−１２７７９５号公報に記載されている。 The organic EL element in the present invention may have a resonator structure. For example, a multilayer mirror made of a plurality of laminated films having different refractive indexes, a transparent or translucent electrode, a light emitting layer, and a metal electrode are superimposed on a transparent substrate. The light generated in the light emitting layer resonates repeatedly with the multilayer mirror and the metal electrode as a reflection plate.
In another preferred embodiment, a transparent or translucent electrode and a metal electrode each function as a reflector on a transparent substrate, and light generated in the light emitting layer repeats reflection and resonates between them.
In order to form a resonant structure, the optical path length determined from the effective refractive index of the two reflectors and the refractive index and thickness of each layer between the reflectors is adjusted to an optimum value to obtain the desired resonant wavelength. Is done. The calculation formula in the case of the first embodiment is described in JP-A-9-180883. The calculation formula in the case of the second aspect is described in JP-A-2004-127795.

（本発明の用途）
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。 (Use of the present invention)
The organic electroluminescence device of the present invention can be suitably used for display devices, displays, backlights, electrophotography, illumination light sources, recording light sources, exposure light sources, reading light sources, signs, signboards, interiors, optical communications, and the like.

有機ＥＬディスプレイをフルカラータイプのものとする方法としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３〜３７ページに記載されているように、色の３原色（青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））に対応する光をそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を基板上に配置する３色発光法、白色発光用の有機ＥＬ素子による白色発光をカラーフィルターを通して３原色に分ける白色法、青色発光用の有機ＥＬ素子による青色発光を蛍光色素層を通して赤色（Ｒ）及び緑色（Ｇ）に変換する色変換法、などが知られている。
また、上記方法により得られる異なる発光色の有機ＥＬ素子を複数組み合わせて用いることにより、所望の発光色の平面型光源を得ることができる。例えば、青色および黄色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、青色、緑色、赤色の発光素子を組み合わせた白色発光光源、等である。 For example, as described in “Monthly Display”, September 2000 issue, pages 33 to 37, the organic EL display can be a full color type, as described in the three primary colors (blue (B), green ( G), a three-color light emission method in which organic EL elements that emit light corresponding to red (R)) are arranged on a substrate, and a white method in which white light emission by an organic EL element for white light emission is divided into three primary colors through a color filter In addition, a color conversion method that converts blue light emission by an organic EL element for blue light emission into red (R) and green (G) through a fluorescent dye layer is known.
Moreover, the planar light source of a desired luminescent color can be obtained by using combining the organic EL element of the different luminescent color obtained by the said method. For example, a white light-emitting light source that combines blue and yellow light-emitting elements, a white light-emitting light source that combines blue, green, and red light-emitting elements.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜有機電界発光素子＞
実施例に用いる材料を以下に示す。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these.
<Organic electroluminescent device>
The materials used in the examples are shown below.

＜有機電界発光素子の評価＞
各素子は下記(a) (b)の項目について比較した。 <Evaluation of organic electroluminescence device>
Each element was compared for the following items (a) and (b).

(a)材料の保存安定性の比較
材料を昇華精製後直ちに素子作成に用いた場合（Ａ）と、昇華精製後フタ付ガラス瓶に移した後、湿度70％、温度60℃の恒温層に6日保管した後に素子を作成した場合（Ｂ）の最大外部量子効率の比（Ｂ）／（Ａ）を比較した。外部量子効率は、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００を用いて、直流電圧を各素子に印加し発光させる。その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定した。発光スペクトルと発光波長は浜松ホトニクス製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。これらを元に外部量子効率を輝度換算法により算出した。
(b)駆動耐久性の比較
各素子の発光初期輝度を発光ピーク波長に応じてそれぞれ規定し、該設定輝度になるように直流電圧を印加し、輝度が半減するまでの時間を測定した。この輝度半減時間を駆動耐久性評価の指標とした。 (a) Comparison of storage stability of materials When the material is used for device preparation immediately after sublimation purification (A), and after sublimation purification, it is transferred to a glass bottle with a lid, and then placed in a constant temperature layer at 70% humidity and 60 ° C. The ratio (B) / (A) of the maximum external quantum efficiency in the case where the device was prepared after storage for a day (B) was compared. The external quantum efficiency is generated by applying a DC voltage to each element using a source measure unit 2400 manufactured by Toyo Technica. The brightness was measured using a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation. The emission spectrum and emission wavelength were measured using a spectrum analyzer PMA-11 manufactured by Hamamatsu Photonics. Based on these, the external quantum efficiency was calculated by the brightness conversion method.
(b) Comparison of driving durability The initial luminance of each element was defined according to the emission peak wavelength, a DC voltage was applied so as to obtain the set luminance, and the time until the luminance was reduced by half was measured. This luminance half time was used as an index for evaluating driving durability.

＜実施例１＞
（比較素子１−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−１および比較化合物Ｔ−１（重量比９５：５）：５０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。 <Example 1>
(Preparation of Comparative Element 1-1)
A glass substrate having an ITO film of 0.5 mm thickness and 2.5 cm square (manufactured by Geomatek Co., Ltd., surface resistance 10 Ω / □) is placed in a cleaning container, ultrasonically cleaned in 2-propanol, and then treated with UV-ozone for 30 minutes. Went. The following organic compound layers were sequentially deposited on the transparent anode (ITO film) by vacuum deposition.
First layer: HI-4: 10 nm
Second layer: HT-1: 30 nm
Third layer: H-1 and comparative compound T-1 (weight ratio 95: 5): 50 nm
Fourth layer: HB-1: 40 nm
On top of this, 0.1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metallic aluminum were vapor-deposited in this order to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). And the organic electroluminescent element of the comparative element 1-1 was created.

（比較素子１−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−３にした以外は比較素子１−１と同様にして比較素子１−２を作成した。 (Preparation of comparison element 1-2)
Comparative element 1-2 was produced in the same manner as comparative element 1-1 except that comparative compound T-1 in the third layer was changed to comparative compound T-3.

（比較素子１−３の作成）
第３層のＨ−１をＨ−２にした以外は比較素子１−１と同様にして比較素子１−３を作成した。 (Preparation of comparison element 1-3)
Comparative element 1-3 was produced in the same manner as comparative element 1-1 except that H-1 in the third layer was changed to H-2.

（本発明の素子１−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−１を作成した。 (Preparation of element 1-1 of the present invention)
Element 1-1 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 1-1 except that compound J-1 was used as the third layer comparative compound T-1.

（本発明の素子１−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−３にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−１を作成した。 (Creation of element 1-2 of the present invention)
Element 1-1 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 1-1 except that compound J-3 was used as the third layer comparative compound T-1.

（本発明の素子１−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−５にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−３を作成した。 (Preparation of element 1-3 of the present invention)
Element 1-3 of the present invention was prepared in the same manner as Comparative element 1-1 except that compound J-5 was used as the third layer comparative compound T-1.

（本発明の素子１−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−６にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−４を作成した。 (Preparation of element 1-4 of the present invention)
A device 1-4 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 1-1 except that the compound J-6 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子１−５の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−５を作成した。 (Preparation of element 1-5 of the present invention)
Element 1-5 of the present invention was prepared in the same manner as Comparative element 1-1 except that compound J-8 was used as the third layer comparative compound T-1.

（本発明の素子１−６の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−９にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−６を作成した。 (Preparation of element 1-6 of the present invention)
A device 1-6 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 1-1 except that the compound T-9 of the third layer was changed to the compound J-9.

（本発明の素子１−７の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１２にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−７を作成した。 (Preparation of element 1-7 of the present invention)
A device 1-7 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 1-1 except that the compound T-12 of the third layer was changed to the compound J-12.

（本発明の素子１−８の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１３にした以外は比較素子１−１と同様にして本発明の素子１−８を作成した。 (Preparation of element 1-8 of the present invention)
A device 1-8 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 1-1 except that the third layer of the comparative compound T-1 was changed to the compound J-13.

（本発明の素子１−９の作成）
第３層のＨ−１をＨ−２にした以外は本発明の素子１−５と同様にして本発明の素子１−９を作成した。 (Preparation of element 1-9 of the present invention)
An element 1-9 of the present invention was produced in the same manner as the element 1-5 of the present invention except that H-1 in the third layer was changed to H-2.

（実施例１の素子の評価）

(Evaluation of the element of Example 1)

＜実施例２＞
（比較素子２−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−２：５ｎｍ
第２層：ＨＴ−４：２０ｎｍ
第３層：ＨＢ−１および比較化合物Ｔ−２（重量比９０：１０）：４０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：1０ｎｍ
第５層：ＥＴ−２：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。 <Example 2>
(Preparation of comparison element 2-1)
A glass substrate having an ITO film of 0.5 mm thickness and 2.5 cm square (manufactured by Geomatek Co., Ltd., surface resistance 10 Ω / □) is placed in a cleaning container, ultrasonically cleaned in 2-propanol, and then treated with UV-ozone for 30 minutes. Went. The following organic compound layers were sequentially deposited on the transparent anode (ITO film) by vacuum deposition.
First layer: HI-2: 5 nm
Second layer: HT-4: 20 nm
Third layer: HB-1 and comparative compound T-2 (weight ratio 90:10): 40 nm
Fourth layer: HB-1: 10 nm
5th layer: ET-2: 30 nm
On top of this, 0.1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metallic aluminum were vapor-deposited in this order to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). And the organic electroluminescent element of the comparative element 1-1 was created.

（本発明の素子２−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−１にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−１を作成した。 (Creation of element 2-1 of the present invention)
Element 2-1 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 2-1, except that compound J-1 was used as the third layer comparative compound T-2.

（本発明の素子２−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−２にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−２を作成した。 (Creation of element 2-2 of the present invention)
A device 2-2 of the present invention was prepared in the same manner as the comparative device 2-1, except that the compound T-2 in the third layer was changed to the compound J-2.

（本発明の素子２−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−５にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−３を作成した。 (Creation of element 2-3 of the present invention)
Element 2-3 of the present invention was prepared in the same manner as Comparative element 2-1, except that compound J-5 was used as the third layer comparative compound T-2.

（本発明の素子２−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−２を化合物Ｊ−３にした以外は比較素子２−１と同様にして本発明の素子２−４を作成した。 (Preparation of element 2-4 of the present invention)
A device 2-4 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 2-1, except that the compound T-3 in the third layer was changed to the compound J-3.

（実施例２の素子の評価）

(Evaluation of the element of Example 2)

＜実施例３＞
（比較素子３−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−３：８０ｎｍ
第２層：ＨＴ−５：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−５および比較化合物Ｔ−１（重量比85：15）：３０ｎｍ
第４層：ＥＴ−１：４０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。 <Example 3>
(Preparation of comparison element 3-1)
A glass substrate having an ITO film of 0.5 mm thickness and 2.5 cm square (manufactured by Geomatek Co., Ltd., surface resistance 10 Ω / □) is placed in a cleaning container, ultrasonically cleaned in 2-propanol, and then treated with UV-ozone for 30 minutes. Went. The following organic compound layers were sequentially deposited on the transparent anode (ITO film) by vacuum deposition.
First layer: HI-3: 80 nm
Second layer: HT-5: 30 nm
Third layer: H-5 and comparative compound T-1 (weight ratio 85:15): 30 nm
Fourth layer: ET-1: 40 nm
On top of this, 0.1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metallic aluminum were vapor-deposited in this order to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). And the organic electroluminescent element of the comparative element 1-1 was created.

（比較素子３−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を比較化合物Ｔ−2にした以外は比較素子３−１と同様にして比較素子３−２を作成した。 (Preparation of comparison element 3-2)
Comparative element 3-2 was prepared in the same manner as comparative element 3-1, except that comparative compound T-1 in the third layer was changed to comparative compound T-2.

（本発明の素子３−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−１を作成した。 (Creation of element 3-1 of the present invention)
A device 3-1 of the present invention was prepared in the same manner as the comparative device 3-1, except that the compound T-4 of the third layer was changed to the compound J-4.

（本発明の素子３−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−７にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−２を作成した。 (Creation of element 3-2 of the present invention)
Element 3-2 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 3-1, except that compound J-7 was used as the comparative compound T-1 in the third layer.

（本発明の素子３−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１０にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−３を作成した。 (Creation of element 3-3 of the present invention)
A device 3-3 of the present invention was prepared in the same manner as the comparative device 3-1, except that the compound T-10 of the third layer was changed to the compound J-10.

（本発明の素子３−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１１にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−４を作成した。 (Preparation of element 3-4 of the present invention)
Element 3-4 of the present invention was prepared in the same manner as Comparative element 3-1, except that compound J-11 in the third layer was changed to compound J-11.

（本発明の素子３−５の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１８にした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−５を作成した。
（本発明の素子３−６の作成）
３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−４にし、第四層をＥＴ−１Ｄにした以外は比較素子３−１と同様にして本発明の素子３−６を作成した。 (Creation of element 3-5 of the present invention)
Element 3-5 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 3-1, except that compound J-18 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.
(Preparation of element 3-6 of the present invention)
Element 3-6 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 3-1, except that the three-layer comparative compound T-1 was changed to compound J-4 and the fourth layer was changed to ET-1D.

（実施例３の素子の評価）

(Evaluation of the element of Example 3)

＜実施例４＞
（比較素子４−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−３および比較化合物Ｔ−１（重量比85：15）：３０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。 <Example 4>
(Preparation of comparison element 4-1)
A glass substrate having an ITO film of 0.5 mm thickness and 2.5 cm square (manufactured by Geomatek Co., Ltd., surface resistance 10 Ω / □) is placed in a cleaning container, ultrasonically cleaned in 2-propanol, and then treated with UV-ozone for 30 minutes. Went. The following organic compound layers were sequentially deposited on the transparent anode (ITO film) by vacuum deposition.
First layer: HI-4: 10 nm
Second layer: HT-1: 30 nm
Third layer: H-3 and comparative compound T-1 (weight ratio 85:15): 30 nm
Fourth layer: HB-1: 30 nm
On top of this, 0.1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metallic aluminum were vapor-deposited in this order to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). And the organic electroluminescent element of the comparative element 1-1 was created.

（本発明の素子４−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−８にした以外は比較素子４−１と同様にして本発明の素子４−１を作成した。 (Preparation of element 4-1 of the present invention)
Element 4-1 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 4-1, except that compound J-8 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子４−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−９にした以外は比較素子４−１と同様にして本発明の素子４−２を作成した。 (Preparation of element 4-2 of the present invention)
Element 4-2 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 4-1, except that compound J-9 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（実施例４の素子の評価）

(Evaluation of the element of Example 4)

＜実施例5＞
（比較素子６−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−２：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−６、ＥＭ−１、Ｔ−１（重量比90：9：1）：４０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。
（本発明の素子５−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１４にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−１を作成した。 <Example 5>
(Preparation of comparison element 6-1)
A glass substrate having an ITO film of 0.5 mm thickness and 2.5 cm square (manufactured by Geomatek Co., Ltd., surface resistance 10 Ω / □) is placed in a cleaning container, ultrasonically cleaned in 2-propanol, and then treated with UV-ozone for 30 minutes. Went. The following organic compound layers were sequentially deposited on the transparent anode (ITO film) by vacuum deposition.
First layer: HI-4: 10 nm
Second layer: HT-2: 30 nm
Third layer: H-6, EM-1, T-1 (weight ratio 90: 9: 1): 40 nm
Fourth layer: HB-1: 30 nm
On top of this, 0.1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metallic aluminum were vapor-deposited in this order to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). And the organic electroluminescent element of the comparative element 1-1 was created.
(Preparation of element 5-1 of the present invention)
A device 5-1 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 5-1, except that the compound T-14 of the third layer was changed to the compound J-14.

（本発明の素子５−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１５にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−２を作成した。 (Preparation of element 5-2 of the present invention)
Element 5-2 of the present invention was prepared in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-15 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子５−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２３にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−３を作成した。 (Preparation of element 5-3 of the present invention)
A device 5-3 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 5-1, except that the compound T-23 in the third layer was changed to the compound J-23.

（本発明の素子５−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２５にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−４を作成した。 (Preparation of element 5-4 of the present invention)
Element 5-4 of the present invention was prepared in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-25 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子５−5の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−16にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−5を作成した。 (Preparation of element 5-5 of the present invention)
Element 5-5 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-16 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子５−６の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１７にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−６を作成した。 (Preparation of element 5-6 of the present invention)
Element 5-6 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-17 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子５−７の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１９にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−７を作成した。 (Preparation of element 5-7 of the present invention)
Element 5-7 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-19 was used as the third layer comparative compound T-1.

（本発明の素子５−８の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２０にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−８を作成した。 (Preparation of element 5-8 of the present invention)
Element 5-8 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-20 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（本発明の素子５−９の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２１にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−９を作成した。 (Preparation of element 5-9 of the present invention)
Element 5-9 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-21 was used as the third layer comparative compound T-1.

（本発明の素子５−１０の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２６にした以外は比較素子５−１と同様にして本発明の素子５−１０を作成した。 (Preparation of element 5-10 of the present invention)
Element 5-10 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 5-1, except that compound J-26 was used as the third layer of comparative compound T-1.

（実施例５の素子の評価） (Evaluation of the element of Example 5)

＜実施例６＞
（比較素子６−１の作成）
０．５ｍｍ厚み、２．５ｃｍ角のＩＴＯ膜を有するガラス基板（ジオマテック社製、表面抵抗１０Ω／□）を洗浄容器に入れ、２−プロパノール中で超音波洗浄した後、３０分間ＵＶ−オゾン処理を行った。この透明陽極（ＩＴＯ膜）上に真空蒸着法にて以下の有機化合物層を順次蒸着した。
第１層：ＨＩ−４：１０ｎｍ
第２層：ＨＴ−１：３０ｎｍ
第３層：Ｈ−１、ＥＭ−１（重量比90：１０）：４０ｎｍ
第４層：ＨＢ−１、Ｔ−１（重量比９５：５）：３０ｎｍ
この上に、フッ化リチウム０．１ｎｍおよび金属アルミニウムを１００ｎｍをこの順に蒸着し陰極とした。
このものを、大気に触れさせること無く、アルゴンガスで置換したグローブボックス内に入れ、ステンレス製の封止缶及び紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ（株）製）を用いて封止し、比較素子１−１の有機電界発光素子を作成した。 <Example 6>
(Preparation of comparison element 6-1)
A glass substrate having an ITO film of 0.5 mm thickness and 2.5 cm square (manufactured by Geomatek Co., Ltd., surface resistance 10 Ω / □) is placed in a cleaning container, ultrasonically cleaned in 2-propanol, and then treated with UV-ozone for 30 minutes. Went. The following organic compound layers were sequentially deposited on the transparent anode (ITO film) by vacuum deposition.
First layer: HI-4: 10 nm
Second layer: HT-1: 30 nm
Third layer: H-1, EM-1 (weight ratio 90:10): 40 nm
Fourth layer: HB-1, T-1 (weight ratio 95: 5): 30 nm
On top of this, 0.1 nm of lithium fluoride and 100 nm of metallic aluminum were vapor-deposited in this order to form a cathode.
This is put in a glove box substituted with argon gas without being exposed to the atmosphere, and sealed with a stainless steel sealing can and an ultraviolet curable adhesive (XNR5516HV, manufactured by Nagase Ciba Co., Ltd.). And the organic electroluminescent element of the comparative element 1-1 was created.

（本発明の素子６−１の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−１１にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−１を作成した。 (Preparation of element 6-1 of the present invention)
A device 6-1 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 6-1, except that the compound J-11 of the third layer was changed to the compound J-11.

（本発明の素子５−２の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２２にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−２を作成した。 (Preparation of element 5-2 of the present invention)
A device 6-2 of the present invention was prepared in the same manner as the comparative device 6-1, except that the compound T-22 of the third layer was changed to the compound J-22.

（本発明の素子５−３の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２３にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−３を作成した。 (Preparation of element 5-3 of the present invention)
A device 6-3 of the present invention was produced in the same manner as the comparative device 6-1, except that the compound T-23 of the third layer was changed to the compound J-23.

（本発明の素子６−４の作成）
第３層の比較化合物Ｔ−１を化合物Ｊ−２４にした以外は比較素子６−１と同様にして本発明の素子６−４を作成した。 (Preparation of element 6-4 of the present invention)
Element 6-4 of the present invention was produced in the same manner as Comparative element 6-1, except that compound J-24 was used as the comparative compound T-1 for the third layer.

（実施例６の素子の評価） (Evaluation of the element of Example 6)

上記の結果から、一般式（I）で表される化合物を用いることにより耐久性が高く、高輝度時も高効率を維持できる有機電界発光素子を提供できることがわかった。 From the above results, it was found that by using the compound represented by the general formula (I), it is possible to provide an organic electroluminescence device that has high durability and can maintain high efficiency even at high luminance.

Claims

一対の電極間に、発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物を前記有機層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。

（一般式（I）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²及びQ⁴はそれぞれ独立にベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹〜Z⁴はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y¹、Y^３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mは二価の金属イオンを表す。MとZ¹〜Z⁴との結合は配位結合または共有結合を表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） An organic electroluminescent device having an organic layer including a light emitting layer between a pair of electrodes, wherein the organic layer contains a compound represented by the following general formula (I).

(In General Formula (I), Q ¹ and Q ³ each independently represent an aromatic hetero five-membered ring. Q ² and Q ⁴ each independently represent a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring. Z ¹ ˜Z ⁴ each independently represents a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom, Y ¹ and Y ³ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, and X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ represent Each independently represents a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, phosphorus atom, CRC ¹ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ are each independently nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, represents a CR ^C1 .R ^N1 is .R ^C1 a secondary solid and broken lines of the .Q ¹ and Q ³ .X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom represents a hydrogen atom or a substituent duplex representing a hydrogen atom or a substituent binding describing a line, a single bond, the bond between .M and Z ¹ to Z ⁴ .M is representative of a divalent metal ion represents either a double bond .L representing the position or covalent bond represents a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom, a phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a divalent linking group composed of two or more atomic group.)

一般式（I）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ−ａ）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹、Z³はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y¹、Y^３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹またはQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ³の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ¹の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula (I) is a compound represented by the following general formula (Ia).

(In General Formula (Ia), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents a benzene ring or aromatic hetero ring. Represents a six-membered ring, Z ¹ and Z ³ each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom, Y ¹ and Y ³ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or CRC ¹ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ are each independently a nitrogen atom, NR ^N ¹ represents an oxygen atom, a sulfur atom, or CR ^C1 , R ^N1 represents a hydrogen atom or a substituent, R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, Q ¹ or Q ³ bond, which describes a solid line and dashed double line in a single bond, the bond .M nitrogen atom and M and Z ³ represent either a double bond shown Dashed line represents a coordinate bond, M and .M is a divalent .L representing the metal ion is a substituted or unsubstituted carbon atom representing a solid line is a covalent bond showing binding of carbon atoms and M and Z ^1, silicon atoms , A phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.)

一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ−１）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ−ａ−１）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ¹の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Ｌは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the compound represented by the general formula (Ia) is a compound represented by the following general formula (Ia-1).

(In the general formula (Ia-1), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents a benzene ring or aromatic ring. Represents a hetero 6-membered ring, Z ¹ represents any ^one of a carbon atom, a nitrogen atom, and a phosphorus atom, and X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds A broken line representing a bond between M and a nitrogen atom represents a coordination bond, and a solid line representing a bond between M and a carbon atom and a bond between M and Z ¹ represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, and L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

Z¹が炭素原子であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 3, wherein Z ¹ is a carbon atom.

一般式（Ｉ−ａ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ−４）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ−ａ−４）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²は芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Z³は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ³の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） The organic electroluminescent device according to claim 2, wherein the compound represented by the general formula (Ia) is a compound represented by the following general formula (Ia-4).

(In the general formula (Ia-4), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents a benzene ring or aromatic ring. Z ³ represents a carbon atom, nitrogen atom, or phosphorus atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds It represents one of a double bond, a broken line indicating a bond between M and a nitrogen atom and a bond between M and Z ³ represents a coordination bond, and a solid line indicating a bond between M and a carbon atom represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

Z³が窒素原子であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 5, wherein Z ³ is a nitrogen atom.

一般式（I）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ−ｂ）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z¹、Z³はそれぞれ独立に炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。Y¹、Y^３はそれぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ¹の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ³の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula (I) is a compound represented by the following general formula (Ib).

(In general formula (Ib), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring. Q ² represents a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring. Q ⁴ represents an aromatic hetero hetero ring. Represents a six-membered ring, Z ¹ and Z ³ each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or a phosphorus atom, Y ¹ and Y ³ each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , an oxygen atom, a sulfur atom, a phosphorus atom, or CRC ¹ , X ^{21 to} X ²³ , X ^{41 to} X ⁴⁴ are each independently a nitrogen atom, NR ^N ¹ represents an oxygen atom, a sulfur atom or CRC ^1, R ^N1 represents a hydrogen atom or a substituent, R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, Q ¹ and Q binding which describes a solid line and dashed double line in ³ represents a single bond, the bond .M nitrogen atom and M and Z ¹ represent either a double bond Line represents a coordinate bond, M and carbon atoms and M and Z ³ are the solid lines depict bonds .L representing the .M divalent metal ion represents a covalent bond or a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom , A phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.)

一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ−１）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ−ｂ−１）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q^４は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z³は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子及びMとZ³の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） The organic electroluminescent element according to claim 7, wherein the compound represented by the general formula (Ib) is a compound represented by the following general formula (Ib-1).

(In General Formula (Ib-1), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring, Q ² represents a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring, and Q ⁴ represents aromatic. Z ³ represents a carbon atom, nitrogen atom, or phosphorus atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds dashed line representing a bond .M and nitrogen atoms represent either a double bond represents a coordinate bond, a solid line indicating the bond between M and the carbon atoms and M and Z ³ represents a covalent bond .M .L of a divalent metal ion represents a substituted or unsubstituted carbon atom, a silicon atom, a phosphorus atom, an oxygen atom, a sulfur atom or a divalent linking group composed of two or more atomic group.)

Z³が炭素原子であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 8, wherein Z ³ is a carbon atom.

一般式（Ｉ−ｂ）で表される化合物が、下記一般式（Ｉ−ｂ−４）で表される化合物であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。

（一般式（Ｉ−ｂ−４）中、Q¹及びQ³は、それぞれ独立に芳香族ヘテロ五員環を表す。Q²はベンゼン環または芳香族ヘテロ六員環を表す。Q⁴は芳香族ヘテロ六員環を表す。Z³は炭素原子、窒素原子、リン原子のいずれかを表す。X¹¹〜X¹³、X³²、X³³はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、燐原子、C-R^C1を表す。X²¹〜X²³、X⁴¹〜X⁴⁴はそれぞれ独立に窒素原子、N-R^N1、酸素原子、硫黄原子、C-R^C1を表す。R^N1は水素原子または置換基を表す。R^C1は水素原子または置換基を表す。X³¹は窒素原子または炭素原子を表す。Q¹及びQ³において実線と破線の二重線で記載している結合は、単結合、二重結合のいずれかを表す。Mと窒素原子及びMとZ³の結合を示す破線は配位結合を表し、Mと炭素原子の結合を示す実線は共有結合を表す。Mは二価の金属イオンを表す。Lは置換または無置換の炭素原子、ケイ素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、または二個以上の原子群からなる二価の連結基を表す。） The organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the compound represented by the general formula (Ib) is a compound represented by the following general formula (Ib-4).

(In General Formula (Ib-4), Q ¹ and Q ³ each independently represents an aromatic hetero five-membered ring, Q ² represents a benzene ring or an aromatic hetero six-membered ring, and Q ⁴ represents aromatic. Z ³ represents a carbon atom, nitrogen atom, or phosphorus atom, X ^{11 to} X ¹³ , X ³² , and X ³³ each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1 , oxygen atom, sulfur atom, a phosphorus atom or a ^{^{^{CR C1 .X 21 ~X 23, X}}} 41 ~X 44 each independently represent a nitrogen atom, NR ^N1, oxygen atom, sulfur atom, .R ^N1 representing the CR ^C1 is a hydrogen atom or a substituent R ^C1 represents a hydrogen atom or a substituent, X ³¹ represents a nitrogen atom or a carbon atom, and the bonds described by the solid and broken double lines in Q ¹ and Q ³ are single bonds, double bonds It represents one of a double bond, a broken line indicating a bond between M and a nitrogen atom and a bond between M and Z ³ represents a coordination bond, and a solid line indicating a bond between M and a carbon atom represents a covalent bond. L represents a divalent metal ion, L represents a substituted or unsubstituted carbon atom, silicon atom, phosphorus atom, oxygen atom, sulfur atom, or a divalent linking group composed of two or more atomic groups.

Z¹が窒素原子であることを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent device according to claim 10, wherein Z ¹ is a nitrogen atom.

Mが二価の白金イオンを表すことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の有機電界発光素子。 M represents the bivalent platinum ion, The organic electroluminescent element in any one of Claims 1-11 characterized by the above-mentioned.

Ｌが置換または無置換の炭素原子であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の有機電界発光素子。 L is a substituted or unsubstituted carbon atom, The organic electroluminescent element in any one of Claims 1-12 characterized by the above-mentioned.

一般式（Ｉ）で表される化合物を発光層に含有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 13, wherein the light-emitting layer contains a compound represented by the general formula (I).

重水素原子を少なくとも１つ有する材料を、前記有機層に含有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の有機電界発光素子。 The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic layer contains a material having at least one deuterium atom.

前記重水素原子を少なくとも１つ有する材料が、重水素原子を少なくとも１つ有する、カルバゾール骨格またはインドール骨格のいずれかを含む材料であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電界発光素子。 16. The organic electroluminescent device according to claim 15, wherein the material having at least one deuterium atom is a material containing either a carbazole skeleton or an indole skeleton having at least one deuterium atom.