JP2009267971A - 撮像センサ、撮像システム、及び撮像センサの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電荷電圧変換部207の電位の第1の電位と第2の電位との間である場合に選択状態になり、電荷電圧変換部207の電位が第3の電位である場合に非選択状態になる画素P211が行方向及び列方向に複数配列された画素配列と、第1の期間において、選択状態にされた画素の電荷電圧変換部207の電位が選択状態の電位になっている状態でMOSトランジスタ232がオフするように信号線8−1の電位を制御し、第1の期間に続く第2の期間において、選択状態にされた画素の電荷電圧変換部207の電位が選択状態の電位になっている状態でMOSトランジスタ232がオンするように信号線8−1の電位を制御する制御部220とを備える。
【選択図】図2
Description
タイミングT11〜T102の第4の期間TP41では、パルスPBSをLレベルにする。これにより、電圧供給部213は、第4の期間TP41において、スイッチ214がオフすることにより、設定電圧(VDD)を列信号線8−1へ供給しない。また、パルスPVLONをHレベルにする。これにより、第4の期間TP41において、選択状態にされた画素におけるFDの電位が選択状態の電位(第1の電位と第2の電位との間の電位)に保たれたまま、その画素における増幅MOSトランジスタがオンする。
SC1 静止画カメラ
VC1 動画ビデオカメラ
Claims (9)
- 光電変換部と、電荷電圧変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を前記電荷電圧変換部へ転送する転送部と、前記電荷電圧変換部の電圧に基づく信号を信号線へ出力するMOSトランジスタと、前記電荷電圧変換部の電位を第1の電位に設定して選択状態にし、前記電荷電圧変換部の電位を第3の電位に設定して非選択状態にする設定部とを含み、前記電荷電圧変換部の電位の前記第1の電位と第2の電位との間である場合に選択状態になり、前記電荷電圧変換部の電位が前記第3の電位である場合に非選択状態になる画素が行方向及び列方向に複数配列された画素配列と、
第1の期間において、選択状態にされた画素の前記電荷電圧変換部の電位が選択状態の電位になっている状態で前記MOSトランジスタがオフするように前記信号線の電位を制御し、前記第1の期間に続く第2の期間において、選択状態にされた画素の前記電荷電圧変換部の電位が選択状態の電位になっている状態で前記MOSトランジスタがオンするように前記信号線の電位を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする撮像センサ。 - 前記制御部は、
前記第1の期間において、定電流を前記信号線へ供給せず、前記第2の期間において、前記定電流を前記信号線へ供給する定電流源と、
前記第1の期間において、第4の電位を有する設定電圧を前記信号線へ供給し、前記第2の期間において、前記設定電圧を前記信号線へ供給しない電圧供給部と、
を含み、
前記第4の電位に対する前記第1の電位の電位差又は前記第2の電位の電位差は、選択状態にされた画素における前記MOSトランジスタの閾値電圧より小さい
ことを特徴とする請求項1に記載の撮像センサ。 - 前記制御部は、前記第1の期間において、選択状態にされた画素の前記設定部が前記電荷電圧変換部の電位を前記第1の電位に設定した状態で前記MOSトランジスタがオフするように前記信号線の電位を制御し、前記第2の期間において、選択状態にされた画素の前記設定部が前記電荷電圧変換部の電位を前記第1の電位に設定した状態で前記MOSトランジスタがオンするように前記信号線の電位を制御する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像センサ。 - 前記制御部は、前記第1の期間において、選択状態にされた画素の前記転送部が前記光電変換部の電荷を前記電荷電圧変換部へ転送した状態で前記MOSトランジスタがオフするように前記信号線の電位を制御し、前記第2の期間において、選択状態にされた画素の前記転送部が前記光電変換部の電荷を前記電荷電圧変換部へ転送した状態で前記MOSトランジスタがオンするように前記信号線の電位を制御する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像センサ。 - 前記画素配列における前記複数の画素のそれぞれは、
他の光電変換部と、
前記他の光電変換部で発生した電荷を前記電荷電圧変換部へ転送する他の転送部と、
をさらに含む、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の撮像センサ。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の撮像センサと、
前記撮像センサの撮像面へ像を形成する光学系と、
前記撮像センサから出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えことを特徴とする撮像システム。 - 前記撮像センサは、
前記電荷電圧変換部の電位が前記第1の電位に設定された状態で前記MOSトランジスタにより前記信号線へ出力された第1の信号と、前記転送部により前記光電変換部の電荷が前記電荷電圧変換部へ転送された状態で前記MOSトランジスタにより前記信号線へ出力された第2の信号との差分信号を画素ごとに生成する生成部をさらに備え、
前記信号処理部は、前記生成部から出力された前記差分信号を処理して画像データを生成する
ことを特徴とする請求項6に記載の撮像システム。 - 前記信号処理部は、
前記撮像センサから異なるタイミングで出力された第1の信号と第2の信号との差分信号を画素ごとに生成する生成部と、
前記生成部から出力された前記差分信号を処理して画像データを生成する処理部と、
を含む
ことを特徴とする請求項6に記載の撮像システム。 - 光電変換部と、電荷電圧変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を前記電荷電圧変換部へ転送する転送部と、前記電荷電圧変換部の電圧に基づく信号を信号線へ出力するMOSトランジスタと、前記電荷電圧変換部の電位を第1の電位に設定して選択状態にし、前記電荷電圧変換部の電位を第3の電位に設定して非選択状態にする設定部とを含み、前記電荷電圧変換部の電位の前記第1の電位と第2の電位との間である場合に選択状態になり、前記電荷電圧変換部の電位が前記第3の電位である場合に非選択状態になる画素が行方向及び列方向に複数配列された画素配列を有する撮像センサの制御方法であって、
選択状態にされた画素の前記電荷電圧変換部の電位が選択状態の電位になっている状態で前記MOSトランジスタがオフするように前記信号線の電位を制御する第1のステップと、
前記第1のステップの後に、選択状態にされた画素の前記電荷電圧変換部の電位が選択状態の電位になっている状態で前記MOSトランジスタがオンするように前記信号線の電位を制御する第2のステップと、
を備えたことを特徴とする撮像センサの制御方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105018A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びカメラシステム |
US9207065B2 (en) | 2010-09-08 | 2015-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Depth sensing apparatus and method |
WO2017038052A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、及び固体撮像装置 |
US9762826B2 (en) | 2014-10-16 | 2017-09-12 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element, image reading device, image forming apparatus, and photoelectric conversion method |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5448207B2 (ja) * | 2011-12-13 | 2014-03-19 | 国立大学法人東北大学 | 固体撮像装置 |
JP5448208B2 (ja) | 2011-12-13 | 2014-03-19 | 国立大学法人東北大学 | 固体撮像装置 |
JP7288296B2 (ja) | 2017-12-13 | 2023-06-07 | キヤノン株式会社 | テラヘルツ波カメラおよび検出モジュール |
CN110099229B (zh) * | 2018-01-30 | 2023-04-28 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP7088686B2 (ja) * | 2018-02-15 | 2022-06-21 | Tianma Japan株式会社 | イメージセンサ及びイメージセンサの駆動方法 |
US11503240B2 (en) * | 2018-04-04 | 2022-11-15 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state image pickup element, electronic apparatus, and method of controlling solid-state image pickup element |
US11074340B2 (en) * | 2019-11-06 | 2021-07-27 | Capital One Services, Llc | Systems and methods for distorting CAPTCHA images with generative adversarial networks |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003032551A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム |
JP2003032554A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2006262475A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-28 | Magnachip Semiconductor Ltd | パラメトリックリセットを用いる、低いリセットノイズを有し、低い暗電流を生成するcmosイメージセンサーのための3tピクセル |
JP2007116565A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2007123604A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7432968B2 (en) | 2004-05-10 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | CMOS image sensor with reduced 1/f noise |
JP2007060500A (ja) | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003032551A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム |
JP2003032554A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2006262475A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-28 | Magnachip Semiconductor Ltd | パラメトリックリセットを用いる、低いリセットノイズを有し、低い暗電流を生成するcmosイメージセンサーのための3tピクセル |
JP2007116565A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2007123604A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011105018A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びカメラシステム |
US9207065B2 (en) | 2010-09-08 | 2015-12-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Depth sensing apparatus and method |
US9762826B2 (en) | 2014-10-16 | 2017-09-12 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion element, image reading device, image forming apparatus, and photoelectric conversion method |
WO2017038052A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、及び固体撮像装置 |
JPWO2017038052A1 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-02-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置、及び固体撮像装置 |
US10129494B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-11-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Imaging device, and solid-state image sensor |
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