JP7088686B2 - イメージセンサ及びイメージセンサの駆動方法 - Google Patents
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- 光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたスイッチング素子と、を含む画素、がマトリクス状に配置された画素マトリクスと、
前記画素マトリクスの画素行を選択し、選択中の画素行の画素に出力信号を出力してスイッチング素子を導通状態にする、選択処理を各画素行について順次実行する走査部と、
前記選択中の画素行の画素の光電変換素子からの信号を検出する、検出処理を実行する検出部と、を含むイメージセンサであって、
前記画素マトリクス及び前記走査部が、同一基板上に形成され、
前記走査部に含まれるトランジスタは、単一の導電型であり、
前記走査部は、複数の制御信号の入力を受け付け、前記複数の制御信号に基づいて、各画素行について前記選択処理を実行し、
前記複数の制御信号のうち、全ての画素行について前記選択処理及び前記検出処理が行われる第1期間より短い周期、を有する制御信号である短周期制御信号の周期は、1画素行について前記選択処理及び前記検出処理が行われる第2期間に等しい、イメージセンサ。 - 請求項1に記載のイメージセンサであって、
前記走査部は、それぞれが、異なる画素行に接続され、接続された画素行に対して前記選択処理を実行する複数の転送部を含み、
前記複数の転送部それぞれは、
第1短周期制御信号と、第2短周期制御信号の入力を受け付け、
当該転送部に接続された画素行と、当該転送部に隣接する一方の転送部と、に前記出力信号を出力し、
第1ノード、第2ノード、第3ノード、及び第4ノードを含み、
初回の前記選択処理を開始するための第1制御信号、又は他の転送部からの前記出力信号に基づいて、第1ノード及び第2ノードの電位を変化させ、
前記第1ノード及び前記第2ノードの電位と、前記第1短周期制御信号と、に基づいて前記第3ノード及び前記第4ノードの電位を変化させ、
前記第2短周期制御信号を、前記第3ノード及び前記第4ノードの電位に基づいて、前記出力信号として出力する、イメージセンサ。 - 請求項2に記載のイメージセンサであって、
前記複数の転送部それぞれは、
前記第1短周期制御信号を、前記第1ノード及び前記第2ノードの電位に基づいて、当該転送部に隣接する他方の転送部に、内部出力信号として出力し、
他の転送部からの内部出力信号に基づいて、前記第3ノード及び前記第4ノードの電位を変化させる、イメージセンサ。 - 請求項2に記載のイメージセンサであって、
前記複数の転送部それぞれは、当該転送部に対応する前記第2期間において、前記第1ノード、前記第2ノード、前記第3ノード、及び前記第4ノードを再充電する、イメージセンサ。 - 請求項2又は4に記載のイメージセンサであって、
前記複数の転送部は、
前記選択処理における画素行の選択順序を決定するための第2制御信号の入力を受け付け、
前記第2制御信号が示す選択順序に従って前記選択処理を実行する、イメージセンサ。 - 請求項1に記載のイメージセンサであって、
前記走査部は、それぞれが、異なる画素行に接続され、接続された画素行に対して前記選択処理を実行する複数の転送部を含む、イメージセンサ。 - 請求項1に記載のイメージセンサであって、
前記走査部に含まれるトランジスタは、酸化物半導体トランジスタである、イメージセンサ。 - イメージセンサの駆動方法であって、
前記イメージセンサは、
光電変換素子と、前記光電変換素子に接続されたスイッチング素子と、を含む画素、がマトリクス状に配置された画素マトリクスと、
検出部と、
走査部と、を含み、
前記画素マトリクス及び前記走査部が、同一基板上に形成され、
前記走査部に含まれるトランジスタは、単一の導電型であり、
前記方法は、
前記走査部が、前記画素マトリクスの画素行を選択し、選択中の画素行の画素に出力信号を出力してスイッチング素子を導通状態にする、選択処理を各画素行について順次実行し、
前記検出部が、前記選択中の画素行の画素の光電変換素子からの信号を検出する検出処理を実行し、
前記走査部が、複数の制御信号の入力を受け付け、前記複数の制御信号に基づいて、各画素行について前記選択処理を実行する、ことを含み、
前記複数の制御信号のうち、全ての画素行について前記選択処理及び前記検出処理が行われる第1期間より短い周期、を有する制御信号である短周期制御信号の周期は、1画素行について前記選択処理及び前記検出処理が行われる第2期間に等しい、方法。
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Citations (2)
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JP2004112742A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 画像歪みを抑制したイメージセンサ |
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