JP2009267027A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】寄生トランジスタによる異常リークの発生を抑制し、正常な電気特性を得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ボロンイオンが導入されたシリコン基板にLOCOS酸化膜2を形成し、この酸化膜2の内側に位置するアクティブ領域1aにおけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、アクティブ領域1aにおける前記端部にP型不純物拡散層3を形成し、シリコン基板のアクティブ領域1a上にゲート絶縁膜を形成し、P型不純物拡散層3及びアクティブ領域1aの上にゲート絶縁膜を介してゲート電極6を形成し、LOCOS酸化膜2及びゲート電極6をマスクとして不純物をイオン注入することにより、アクティブ領域にソース・ドレイン領域の拡散層7を形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ボロンイオンが導入されたシリコン基板にLOCOS酸化膜2を形成し、この酸化膜2の内側に位置するアクティブ領域1aにおけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、アクティブ領域1aにおける前記端部にP型不純物拡散層3を形成し、シリコン基板のアクティブ領域1a上にゲート絶縁膜を形成し、P型不純物拡散層3及びアクティブ領域1aの上にゲート絶縁膜を介してゲート電極6を形成し、LOCOS酸化膜2及びゲート電極6をマスクとして不純物をイオン注入することにより、アクティブ領域にソース・ドレイン領域の拡散層7を形成することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、寄生トランジスタによる異常リークの発生を抑制できる半導体装置及びその製造方法に関する。
LOCOS酸化膜又はSTIによって素子分離されたアクティブ領域の端部のゲート電極には寄生トランジスタが形成されることがある。これは、アクティブ領域に注入されているボロンイオンが、LOCOS酸化又はSTI形成によってLOCOS酸化膜等に吸い込まれ、その結果、アクティブ領域の端部のゲート電極下のボロンイオン濃度が低下することが原因である(例えば特許文献1参照)。この原因による寄生トランジスタが形成される従来の半導体装置には、P型シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板に形成されたLOCOS分離タイプ又はSTI分離タイプのNMOSトランジスタがある。
上述したように従来の半導体装置では、アクティブ領域の端部に存在するボロンイオンが熱酸化によってLOCOS酸化膜等に吸い込まれ、不純物再分布により、アクティブ領域の端部におけるゲート電極下のチャネル領域のボロン濃度が異常に低下することがある。その結果、アクティブ領域の端部で寄生MOSトランジスタが形成され、その寄生MOSトランジスタの閾値電圧がアクティブ領域のトランジスタの閾値電圧よりも低下し、アクティブ領域のトランジスタのオフ領域において寄生MOSトランジスタがオンしてしまうことがある。このことが原因となり、トランジスタのオフ領域で、ソース・ドレイン間において異常リークが発生することがある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、寄生トランジスタによる異常リークの発生を抑制し、正常な電気特性を得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ボロンイオンが導入された半導体基板に素子分離膜を形成する工程と、
前記素子分離膜の内側に位置するアクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、前記アクティブ領域における前記端部にP型不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板の前記アクティブ領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記P型不純物領域及び前記アクティブ領域の上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記素子分離膜及び前記ゲート電極をマスクとして不純物をイオン注入することにより、前記アクティブ領域にソース・ドレイン領域の拡散層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
前記素子分離膜の内側に位置するアクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、前記アクティブ領域における前記端部にP型不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板の前記アクティブ領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記P型不純物領域及び前記アクティブ領域の上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記素子分離膜及び前記ゲート電極をマスクとして不純物をイオン注入することにより、前記アクティブ領域にソース・ドレイン領域の拡散層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
上記半導体装置の製造方法によれば、アクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、前記アクティブ領域における前記端部にP型不純物領域を形成している。それにより、素子分離膜を形成する熱酸化によってボロン濃度が低下したアクティブ領域の端部のボロン濃度を、素子分離膜を形成する前の濃度まで高めることができる。従って、アクティブ領域の端部で発生する素子分離膜へのボロン吸い込みによるボロン濃度低下を抑制することが可能となる。その結果、アクティブ領域の端部で閾値電圧の低下した寄生MOSトランジスタが形成され、この寄生MOSトランジスタがオンしてしまうことに起因するトランジスタのオフ領域でのソース・ドレイン間の異常リークの発生を抑制することができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記アクティブ領域の平面形状が長方形の角部を切り欠いた形状であることも可能である。これにより、P型不純物領域の面積を縮小することができる。このため、実効チャネル部へのボロンイオンの拡散を抑制することができ、その結果、アクティブ領域のトランジスタの閾値電圧の増加や実効チャネル幅の減少を抑制することができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記P型不純物領域は前記ゲート電極によって完全に覆われていることも可能である。これにより、ソースとドレイン間の電流経路を制限することができ、実効チャネル幅Wをほぼ確定させることができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記アクティブ領域の平面形状が長方形であり、前記P型不純物領域は前記アクティブ領域の角部より内側に形成されていることも可能である。これにより、P型不純物領域の面積を縮小することができる。このため、実効チャネル部へのボロンイオンの拡散を抑制することができ、その結果、アクティブ領域のトランジスタの閾値電圧の増加や実効チャネル幅の減少を抑制することができる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体基板がSOI型半導体基板であることも可能である。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記素子分離膜はLOCOS酸化膜又はSTIであることも可能である。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記素子分離膜はLOCOS酸化膜又はSTIであることも可能である。
本発明に係る半導体装置は、ボロンイオンが導入された半導体基板に形成された素子分離膜と、
前記素子分離膜の内側に形成されたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより形成されたP型不純物領域と、
前記半導体基板の前記アクティブ領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記P型不純物領域及び前記アクティブ領域の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記アクティブ領域に形成されたソース・ドレイン領域の拡散層と、
を具備することを特徴とする。
前記素子分離膜の内側に形成されたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより形成されたP型不純物領域と、
前記半導体基板の前記アクティブ領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記P型不純物領域及び前記アクティブ領域の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記アクティブ領域に形成されたソース・ドレイン領域の拡散層と、
を具備することを特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1(a)〜(d)は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の平面図である。図2(a)〜(d)それぞれは図1(a)〜(d)に示すA−A'部の断面図である。
図1(a)〜(d)は本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の平面図である。図2(a)〜(d)それぞれは図1(a)〜(d)に示すA−A'部の断面図である。
まず、図1(a)及び図2(a)に示すように、シリコン基板1にボロンイオンを注入することにより、シリコン基板1にP型ウェル領域11を形成する。その後、シリコン基板1にLOCOS法により素子分離膜としてのLOCOS酸化膜2を形成する。それにより、シリコン基板1にはLOCOS酸化膜2の内側に位置するアクティブ領域1aが形成される。ここで、LOCOS酸化膜2を形成するためにシリコン基板1を熱酸化した際に、この熱酸化によってアクティブ領域1aの端部に存在するボロンイオンがLOCOS酸化膜2中へ吸い込まれ、その結果、アクティブ領域1aの端部のボロン濃度が低下する。
その後、図1(b)及び図2(b)に示すように、フォトリソグラフィー法によりシリコン基板1上にアクティブ領域1aの端部が開口するようにレジストパターン4を形成する。
次いで、レジストパターン4及びLOCOS酸化膜2をマスクとして、シリコン基板1にボロンイオンを注入し、その後、レジストパターン4を剥離する。次いで、シリコン基板1に注入されたボロンイオンを熱処理によって拡散させる。これにより、チャネル形成領域を含むアクティブ領域1aの端部にはP型不純物拡散層3が形成される。つまり、前述したLOCOS酸化膜2を形成する熱酸化によってボロン濃度が低下したアクティブ領域1aの端部に、図2(b)に示す工程でボロンイオンを注入したため、アクティブ領域1aの端部のボロン濃度を、LOCOS酸化膜2を形成する前の濃度まで高めることができる。なお、P型不純物拡散層3のボロン濃度は、LOCOS酸化膜2を形成する前の濃度以上であれば良い。
次いで、図1(c)及び図2(c)に示すように、シリコン基板1のアクティブ領域1aにゲート絶縁膜5となるゲート酸化膜を熱酸化法にて形成する。次いで、ゲート絶縁膜5及びLOCOS酸化膜2の上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法にてポリシリコン膜を成膜し、このポリシリコン膜をフォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて加工する。これにより、ゲート絶縁膜5上にはゲート電極6が形成される。
その後、図1(d)及び図2(d)に示すように、ゲート電極6及びLOCOS酸化膜2をマスクとして不純物イオンをイオン注入し、シリコン基板1に熱処理を施す。これにより、図2(d)に示すシリコン基板1にはソース・ドレイン領域の拡散層7が形成される。
以上、本発明の第1の実施形態によれば、図1(b)及び図2(b)に示す工程で、ゲート電極6下のチャネル領域を含むアクティブ領域1aの端部にボロンイオンを注入することにより、アクティブ領域1aの端部にP型不純物拡散層3を形成している。それにより、LOCOS酸化膜2を形成する熱酸化によってボロン濃度が低下したアクティブ領域1aの端部のボロン濃度を、LOCOS酸化膜2を形成する前の濃度まで高めることができる。従って、アクティブ領域1aの端部で発生するLOCOS酸化膜2へのボロン吸い込みによるボロン濃度低下を抑制することが可能となる。その結果、アクティブ領域の端部で閾値電圧の低下した寄生MOSトランジスタが形成され、この寄生MOSトランジスタがオンしてしまうことに起因するトランジスタのオフ領域でのソース・ドレイン間の異常リークの発生を抑制することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図3(a)〜(c)を参照しつつ説明する。
まず、図3(a)に示すように、シリコン基板にボロンイオンを注入することにより、シリコン基板にP型ウェル領域を形成する。その後、シリコン基板にLOCOS法により素子分離膜としてのLOCOS酸化膜2aを形成する。それにより、シリコン基板にはLOCOS酸化膜2aの内側に位置するアクティブ領域が形成される。この際、LOCOS酸化膜2aの内側に位置するアクティブ領域は、図1(a)に示すアクティブ領域1aの4角を切り欠いた形状となるように形成される。その後、フォトリソグラフィー法によりシリコン基板上にアクティブ領域の端部が開口するようにレジストパターン4aを形成する。
次いで、レジストパターン4a及びLOCOS酸化膜2aをマスクとして、シリコン基板にボロンイオンを注入し、その後、レジストパターン4aを剥離する。次いで、シリコン基板に注入されたボロンイオンを熱処理によって拡散させる。これにより、チャネル形成領域を含むアクティブ領域の端部にはP型不純物拡散層3aが形成され、このP型不純物拡散層3aは、図1(b)に示すP型不純物拡散層3に比べて面積が縮小されている。なお、P型不純物拡散層3aのボロン濃度は、LOCOS酸化膜2を形成する前の濃度以上であれば良い。
次いで、図3(b)に示すように、シリコン基板のアクティブ領域にゲート絶縁膜5aとなるゲート酸化膜を熱酸化法にて形成する。次いで、ゲート絶縁膜5a及びLOCOS酸化膜2aの上にCVD法にてポリシリコン膜を成膜し、このポリシリコン膜をフォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて加工する。これにより、ゲート絶縁膜5a上にはゲート電極6aが形成される。
その後、図3(c)に示すように、ゲート電極6a及びLOCOS酸化膜2aをマスクとして不純物イオンをイオン注入し、シリコン基板に熱処理を施す。これにより、シリコン基板にはソース・ドレイン領域の拡散層7aが形成される。
以上、本発明の第2の実施形態においても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、図3(a)に示すアクティブ領域を、図1(a)に示すアクティブ領域1aの4角を切り欠いた形状とし、この形状のアクティブ領域にボロンイオンの追加注入を行っているため、P型不純物拡散層3aの面積を縮小することができる。これにより、図1(c)に示すP型不純物拡散層3に比べて実効チャネル部へのボロンイオンの拡散を抑制することができる。その結果、アクティブ領域のトランジスタの閾値電圧の増加や実効チャネル幅の減少を抑制することができる。
次に、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図4(a)〜(c)を参照しつつ説明する。
まず、図4(a)に示すように、シリコン基板にボロンイオンを注入することにより、シリコン基板にP型ウェル領域を形成する。その後、シリコン基板にLOCOS法により素子分離膜としてのLOCOS酸化膜2bを形成する。それにより、シリコン基板にはLOCOS酸化膜2bの内側に位置するアクティブ領域が形成される。この際、LOCOS酸化膜2bの内側に位置するアクティブ領域は、図1(a)に示すアクティブ領域の4角を図3(a)よりさらに大きく切り欠いた形状となるように形成される。その後、フォトリソグラフィー法によりシリコン基板上にアクティブ領域の端部が開口するようにレジストパターン4bを形成する。
次いで、レジストパターン4b及びLOCOS酸化膜2bをマスクとして、シリコン基板にボロンイオンを注入し、その後、レジストパターン4bを剥離する。次いで、シリコン基板に注入されたボロンイオンを熱処理によって拡散させる。これにより、チャネル形成領域のゲート長Lより狭いアクティブ領域の端部にP型不純物拡散層3bが形成される。P型不純物拡散層3bの長さlはゲート長Lよりも小さく形成される(図4(b)参照)。なお、P型不純物拡散層3bのボロン濃度は、LOCOS酸化膜2を形成する前の濃度以上であれば良い。
次いで、図4(b)に示すように、シリコン基板のアクティブ領域にゲート絶縁膜5bとなるゲート酸化膜を熱酸化法にて形成する。次いで、ゲート絶縁膜5b及びLOCOS酸化膜2bの上にCVD法にてポリシリコン膜を成膜し、このポリシリコン膜をフォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて加工する。これにより、ゲート絶縁膜5b上にはゲート電極6bが形成される。このとき、ゲート電極6bはアクティブ領域の端部のP型不純物領域3bを覆うように形成される。
その後、図4(c)に示すように、ゲート電極6b及びLOCOS酸化膜2bをマスクとして不純物イオンをイオン注入し、シリコン基板に熱処理を施す。これにより、シリコン基板にはソース・ドレイン領域の拡散層7bが形成される。
以上、本発明の第3の実施形態においても第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、図4(a)に示すアクティブ領域の4角を、図3(a)よりさらに大きく切り欠いた形状とし、この形状のアクティブ領域にボロンイオンの追加注入を行い、この追加注入したP型不純物拡散層3bをゲート電極6bの内部に位置させ、P型不純物拡散層3bをゲート電極6bによって完全に覆っている。つまりP型不純物拡散層3bの長さlをゲート長Lよりも小さくしている。それにより、ソースとドレイン間の電流経路を制限することができ、実効チャネル幅Wをほぼ確定させることができる。
次に、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造について図5(a)〜(c)を参照しつつ説明する。
まず、図5(a)に示すように、シリコン基板にボロンイオンを注入することにより、シリコン基板にP型ウェル領域を形成する。その後、シリコン基板にLOCOS法により素子分離膜としてのLOCOS酸化膜2cを形成する。それにより、シリコン基板にはLOCOS酸化膜2cの内側に位置するアクティブ領域が形成される。その後、フォトリソグラフィー法によりシリコン基板にアクティブ領域の端部が開口するようにレジストパターン4cを形成する。
次いで、レジストパターン4c及びLOCOS酸化膜2cをマスクとして、シリコン基板にボロンイオンを注入し、その後、レジストパターン4cを剥離する。次いで、シリコン基板に注入されたボロンイオンを熱処理によって拡散させる。これにより、チャネル形成領域を含むアクティブ領域の端部にはP型不純物拡散層3cが形成され、このP型不純物拡散層3cは、図1(b)に示すP型不純物拡散層3に比べて面積が縮小されている。なお、P型不純物拡散層3cのボロン濃度は、LOCOS酸化膜2を形成する前の濃度以上であれば良い。
次いで、図5(b)に示すように、シリコン基板1のアクティブ領域にゲート絶縁膜5cとなるゲート酸化膜を熱酸化法にて形成する。次いで、ゲート絶縁膜5c及びLOCOS酸化膜2cの上にCVD法にてポリシリコン膜を成膜し、このポリシリコン膜をフォトリソグラフィー法及びドライエッチング法を用いて加工する。これにより、ゲート絶縁膜5c上にはゲート電極6cが形成される。このとき、ゲート電極6cはアクティブ領域の端部のP型不純物拡散層3c上に位置される。
その後、図5(c)に示すように、ゲート電極6c及びLOCOS酸化膜2cをマスクとして不純物イオンをイオン注入し、シリコン基板1に熱処理を施す。これにより、シリコン基板1にはソース・ドレイン領域の拡散層7cが形成される。
以上、本発明の第4の実施形態においても第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、P型不純物拡散層3cの面積を縮小することにより、図1(c)に示すP型不純物拡散層3に比べて実効チャネル部へのボロンイオンの拡散を抑制することができる。その結果、アクティブ領域のトランジスタの閾値電圧の増加や実効チャネル幅の減少を抑制することができる。
次に、本発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図6を参照しつつ説明する。
図6に示すように、支持基板10、BOX層9及びSOI層8が順に積層されたSOI型半導体基板のSOI層8上にLOCOS酸化膜2d、アクティブ領域の端部のP型不純物領域3d、ゲート絶縁膜5d、ゲート電極6d及びソース・ドレイン領域の拡散層を、第1乃至第4の実施形態のいずれかの方法で形成する。
以上、本発明の第5の実施形態においても第1乃至第4の実施形態のいずれかの効果と同様の効果を得ることができる。
また、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記第1乃至第5の実施形態では、素子分離領域の形態をLOCOS型分離としているが、素子分離領域の形態をSTI(Shallow Trench Isolation)型分離としても良い。
1・・・シリコン基板、2,2a,2b,2c,2d・・・LOCOS酸化膜、3,3a,3b,3c,3d・・・P型不純物拡散層、4,4a,4b,4c,4d・・・レジストパターン、5,5a,5b,5c,5d・・・ゲート絶縁膜、6,6a,6b,6c,6d・・・ゲート電極、7,7a,7b,7c,7d・・・ソース・ドレイン領域、8・・・SOI層、9・・・BOX層、10・・・支持基板、11・・・ウェル領域
Claims (7)
- ボロンイオンが導入された半導体基板に素子分離膜を形成する工程と、
前記素子分離膜の内側に位置するアクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより、前記アクティブ領域における前記端部にP型不純物領域を形成する工程と、
前記半導体基板の前記アクティブ領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記P型不純物領域及び前記アクティブ領域の上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記素子分離膜及び前記ゲート電極をマスクとして不純物をイオン注入することにより、前記アクティブ領域にソース・ドレイン領域の拡散層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1において、前記アクティブ領域の平面形状が長方形の角部を切り欠いた形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1又は2において、前記P型不純物領域は前記ゲート電極によって完全に覆われていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1において、前記アクティブ領域の平面形状が長方形であり、前記P型不純物領域は前記アクティブ領域の角部より内側に形成されていることを特徴とした半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一項において、前記半導体基板がSOI型半導体基板であることを特徴とした半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか一項において、前記素子分離膜はLOCOS酸化膜又はSTIであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- ボロンイオンが導入された半導体基板に形成された素子分離膜と、
前記素子分離膜の内側に形成されたアクティブ領域と、
前記アクティブ領域におけるチャネル形成領域を含む端部にボロンイオンを注入することにより形成されたP型不純物領域と、
前記半導体基板の前記アクティブ領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記P型不純物領域及び前記アクティブ領域の上に前記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記アクティブ領域に形成されたソース・ドレイン領域の拡散層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
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