JP2009221079A - Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 - Google Patents
Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 Download PDFInfo
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 210
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 139
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 35
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 30
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 18
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】濃厚ドーパントガス供給手段24から供給された濃厚ドーパントガスをArガス供給手段22から供給されたArガスで希釈した混合ドーパントガスを混合ドーパントガス供給手段20によりチャンバー11内に供給するように構成され、さらに、結晶製造条件を制御する結晶製造条件制御手段26と、結晶成長状態を検出する検出手段27と、各制御手段に信号を与えるコントローラ28を備えたFZ法による半導体結晶製造装置1において、原料半導体棒14と晶出側半導体棒9との間に溶融帯域を形成し、直胴部を形成する工程中に、前記検出手段27により検出された結晶成長状態の変化に応じて、前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量を制御する。
【選択図】図1
Description
図6はFZシリコン単結晶の製造工程の一例を示す。すなわち、原料となる半導体棒54の下端部を溶融して種結晶55に融着させ((a)種付け工程)、さらにこの種付けの際に結晶に生じた転位を抜くための絞り(ネッキング)を行い((b)ネッキング工程)、その後に晶出側半導体棒59を所望の直径まで拡大させながら成長させる((c)コーン部形成工程)。さらに、晶出側半導体棒59を所望の直径に制御しつつ成長を行い((d)直胴部形成工程)、原料の供給を止め、晶出側半導体棒59の直径を縮小させて該晶出側半導体棒59を原料半導体棒54から切り離す((e)切り離し工程)。以上のような工程を経てFZシリコン単結晶を製造することができる。
結晶移動速度や結晶回転数のようなパラメータは機械精度を高める等で比較的一定条件にしやすいが、このような結晶直径や溶融帯域の長さ等は完全に一定にすることは困難である。
まず、図1は、本発明における半導体結晶の製造装置の一例を示す概略図である。
図1に示されるように、本発明における半導体結晶製造装置1は、混合ドーパントガスドープノズル20(混合ドーパントガス供給手段20)、Arガス供給菅22(Arガス供給手段22)と、濃厚ドーパントガス供給菅24(濃厚ドーパントガス供給手段24)を備えており、該濃厚ドーパントガス供給手段24から供給された濃厚ドーパントガスを前記Arガス供給手段22から供給されたArガスで希釈した混合ドーパントガスを混合ドーパントガス供給手段20により製造装置のチャンバー11内に供給することができるようになっている。また、それぞれのガス供給手段を制御するガス供給制御手段(混合ドーパントガス供給制御手段21、Arガス供給制御手段23、濃厚ドーパントガス供給制御手段25)を有している。
一方、例えばゾーン長Lが増加した場合はメルトダイアと同様に溶融シリコン量が増加する。しかし、ゾーン長Lの増加と同時に、高周波コイル下面131から原料溶融面132までの距離も増加する。ドーパントガスからドーパントが取り込まれるのは、主に原料が溶融してから溶融帯メルト中に流れ込むまでの間であるため、前記のような場合は滞留時間が長くなり、ドーパントが多く導入される。このため、溶融シリコン量の増加の影響に比べてドーパント導入量増加の影響が大きくなり、相対的にドーパント濃度が増大し、電気抵抗率は下降する。ゾーン長Lが減少した場合は、逆に電気抵抗率は上昇する。
例えば、ドーパントガス流量で調整するとすれば、濃厚ドーパントガス流量とArガス流量の調整は行わず一定として、混合ドーパントガス流量をメルトダイアDm及びゾーン長Lの変動に応じて混合ドーパントガス供給制御手段21によって調整することにより、ドーパント添加量を制御することができる。もしくは、混合ドーパントガス濃度で調整するとすれば、濃厚ドーパントガス流量とArガス流量の比を同様にメルトダイアDm及びゾーン長Lの変動に応じて、濃厚ドーパントガス供給制御手段25及びArガス供給制御手段23によって調整することにより、ドーパント添加量を制御することができる。
結晶直径150mm、導電型N型、狙い電気抵抗率60Ωcmのシリコン単結晶製造において、本発明のガスドープ制御方法を使用しない流量一定とした従来方法の場合(A:比較例)と、本発明のガスドープ制御方法を使用する場合(B:実施例)で、製造したシリコン単結晶の結晶成長軸方向での電気抵抗率を測定し、その変化の度合いを比較した。(B)は混合ドーパントガス濃度を一定とし、混合ドーパントガス流量を調整してドーパント添加量を制御する方法を採用した。
例えば、上記では、融液帯域の長さ(ゾーン長)および直径(メルトダイア)の変化に応じてドーパント添加量を制御するようにしたが、結晶温度変化や上軸速度変化、若しくは、これらの変化の他の組み合わせに応じてドーパント添加量を制御するようにしてもよい。
11…チャンバー、 12…上軸、 13…下軸、
14、54…原料半導体棒、 15、55…種結晶、 16…高周波コイル、
17…絞り、 18…溶融帯域、 19…直胴部、
20…混合ドーパントガスノズル(混合ドーパントガス供給手段)、
21…混合ドーパントガス供給制御手段、
22…Arガス供給菅(Arガス供給手段)、 23…Arガス供給制御手段、
24…濃厚ドーパントガス供給菅(濃厚ドーパントガス供給手段)、
25…濃厚ドーパントガス供給制御手段、 26…結晶製造条件制御手段、
27…検出手段、 28…コントローラ、 111…カメラ、
112…画像処理回路、 113…第2PID調節器、 114…第1PID調節器、
115…上軸速度調整・駆動回路、 116…発振器、 130…晶出界面、
131…高周波コイルの下面、 132…原料溶融面、 Ds…シングルダイア、
Dm…メルトダイア、 Dn…ネックダイア、 L…ゾーン長、
P…供給電力、 Vp…原料供給速度。
Claims (7)
- 少なくとも、原料半導体棒を溶融して種結晶に融着させる工程と、該種結晶から成長させる晶出側半導体棒を所望の直径まで拡径させながら成長させてコーン部を形成する工程と、前記原料半導体棒と前記晶出側半導体棒との間に溶融帯域を形成して、前記晶出側半導体棒を所望の直径に制御しつつ成長させて直胴部を形成する工程と、前記晶出側半導体棒の直径を縮径させて該晶出側半導体棒を前記原料半導体棒から切り離す工程を含むFZ法による半導体結晶の製造方法において、前記直胴部形成工程中に、結晶成長状態の変化に応じて前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量を制御することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
- 前記ドーパントは、前記溶融帯域にドーパントガスを吹き付けることにより添加されることを特徴とする請求項1に記載の半導体結晶の製造方法。
- 前記ドーパント添加量の制御を、供給されるドーパントガスの流量及び/又は濃度を変化させることにより行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体結晶の製造方法。
- 前記ドーパントガスは濃厚ドーパントガスとArガスの混合ドーパントガスとすることを特徴とする請求項2又は請求項3項に記載の半導体結晶の製造方法。
- 前記結晶成長状態の変化は、前記溶融帯域の長さ、該溶融帯域の直径、結晶温度、上軸速度のいずれか1つ以上の変化とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体結晶の製造方法。
- 前記製造する半導体結晶を、シリコン単結晶とすることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半導体結晶の製造方法。
- FZ法による半導体結晶の製造装置であって、少なくとも、Arガス供給手段と、濃厚ドーパントガス供給手段と、該濃厚ドーパントガス供給手段から供給された濃厚ドーパントガスを前記Arガス供給手段から供給されたArガスで希釈した混合ドーパントガスを製造装置に供給する手段と、それぞれのガス供給手段を制御するガス供給制御手段と、結晶製造条件を制御する結晶製造条件制御手段と、結晶成長状態を検出する検出手段と、各制御手段に信号を与えるコントローラを有しており、原料半導体棒が溶融して形成される溶融帯域から晶出する晶出側半導体棒の直胴部を形成する時に、前記検出手段により検出された結晶成長状態の変化に応じて、前記Arガス供給量、濃厚ドーパントガス供給量、混合ドーパントガス供給量のいずれか1つ以上を前記ガス供給制御手段で制御することにより、前記晶出側半導体棒へのドーパント添加量の制御を行うものであることを特徴とする半導体結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008069823A JP4957600B2 (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008069823A JP4957600B2 (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009221079A true JP2009221079A (ja) | 2009-10-01 |
JP4957600B2 JP4957600B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=41238273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008069823A Active JP4957600B2 (ja) | 2008-03-18 | 2008-03-18 | Fz法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4957600B2 (ja) |
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