JP6248816B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 147
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 79
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 22
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 14
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 102220353742 c.41G>A Human genes 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
RRG(%)=(ρmax−ρmin)/ρmin×100
1a テーパー部
1b 直胴部
1c テーパー部
1d テーパー部
2 種結晶
3 単結晶(インゴット)
3a 絞り部
3b コーン部
3c 直胴部
3d ボトム部
4 溶融帯域
10 単結晶製造装置
11 上軸
12 原料送り機構
13 下軸
14 結晶送り機構
15 誘導加熱コイル
16 パージノズル
17 CCDカメラ
18 画像処理部
19 制御部
Claims (6)
- 原料ロッドの一部を加熱して溶融帯域を形成し、前記溶融帯域の上方及び下方にそれぞれ位置する前記原料ロッド及び単結晶を下方に移動させて前記単結晶を成長させる浮遊帯域溶融法による単結晶の製造方法であって、
前記単結晶を回転させながら、前記溶融帯域にドーパントガスを供給して前記単結晶にドーパントを添加する工程を含み、
前記単結晶の回転では、前記単結晶をベース角度で回転させるベース回転と、前記単結晶を前記ベース回転とは逆方向に前記ベース角度よりも小さなカウンター角度で回転させるカウンター回転とを交互に繰り返すと共に、前記原料ロッドの直径に応じて、前記ベース角度と前記カウンター角度を定めることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 前記原料ロッドの直径と、前記ベース角度および前記カウンター角度の大きさとの関係を一対一で対応付けたテーブル、数式、図、あるいはプログラムを用いることにより、前記原料ロッドの直径に応じた、前記ベース角度と前記カウンター角度を定める、請求項1に記載の単結晶の製造方法。
- 前記溶融帯域に前記ドーパントガスを吹き付けながら前記単結晶を成長させる、請求項1又は2に記載の単結晶の製造方法。
- 前記原料ロッドは、先端部から後端部に向かって直径が徐々に太くなる第1のテーパー部と、前記第1のテーパー部よりも後端側に位置し、先端部から後端部に向かって直径が徐々に細くなる前記第2のテーパー部とを有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
- 前記原料ロッドは、前記第1のテーパー部と前記第2のテーパー部との間に位置し、直径が一定である直胴部をさらに有する、請求項4に記載の単結晶の製造方法。
- 原料ロッドの溶融した先端部に種結晶を融着させる融着工程と、
前記種結晶の上方に成長する単結晶の直径を増加させながら成長させるコーン部育成工程と、
前記単結晶の直径を一定に保ちながら成長させる直胴部育成工程とを有し、
前記直胴部育成工程において、前記単結晶を回転させながら、前記溶融帯域にドーパントガスを供給して前記単結晶にドーパントを添加する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014116391A JP6248816B2 (ja) | 2014-06-05 | 2014-06-05 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014116391A JP6248816B2 (ja) | 2014-06-05 | 2014-06-05 | 単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015229612A JP2015229612A (ja) | 2015-12-21 |
JP6248816B2 true JP6248816B2 (ja) | 2017-12-20 |
Family
ID=54886598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014116391A Active JP6248816B2 (ja) | 2014-06-05 | 2014-06-05 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6248816B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018030042A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法及び装置 |
JP6720841B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2020-07-08 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコン単結晶の製造方法 |
DE102018210317A1 (de) | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Halbleitermaterial gemäß der FZ-Methode, Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und Halbleiterscheibe aus Silizium |
JP7272239B2 (ja) * | 2019-11-08 | 2023-05-12 | 株式会社Sumco | 単結晶の製造方法 |
JP7259722B2 (ja) * | 2019-12-04 | 2023-04-18 | 株式会社Sumco | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0977588A (ja) * | 1995-09-13 | 1997-03-25 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 浮遊帯域溶融法における晶出結晶径の自動制御方法およびその装置 |
JP2002249393A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-09-06 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | Fz法半導体単結晶成長方法 |
JP5375889B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2013-12-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
JP5888264B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-03-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体単結晶の製造方法 |
-
2014
- 2014-06-05 JP JP2014116391A patent/JP6248816B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015229612A (ja) | 2015-12-21 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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