JP2009212498A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】小型化が可能でかつ安定した動作でマスクレス露光が可能な露光装置を提供する。また、被露光面に段差のある被露光物に対しマスクレス露光により高精度な露光が可能な露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】この露光装置10は、光源12と、ミラーMを繰り返し傾斜させるMEMS光スキャナと、光源からの光をミラーを介して被露光物上に露光する露光光学系と、を備え、光源からの光をMEMS光スキャナで傾斜するミラーにより走査して被露光物上に照射することで被露光物を露光する。被露光面に対する垂直方向における被露光物に対する照射位置を鏡筒アクチュエータにより調整する。
【選択図】図1
【解決手段】この露光装置10は、光源12と、ミラーMを繰り返し傾斜させるMEMS光スキャナと、光源からの光をミラーを介して被露光物上に露光する露光光学系と、を備え、光源からの光をMEMS光スキャナで傾斜するミラーにより走査して被露光物上に照射することで被露光物を露光する。被露光面に対する垂直方向における被露光物に対する照射位置を鏡筒アクチュエータにより調整する。
【選択図】図1
Description
本発明は、マスクレス露光が可能な露光装置及び露光方法に関する。
従来、半導体集積回路や液晶デバイス等の製造工程では回路パターン形成のためにフォトリソグラフィ工程が多用されている。フォトリソグラフィは、所定のパターンが形成されたフォトマスクを用い、このフォトマスクを介してフォトレジストの塗布されたシリコンなどの基板上に露光することで、フォトマスクのパターンを基板上に転写してから、現像工程、エッチング工程等を経ることにより基板上にパターンを形成するものである。
上述のようなフォトリソグラフィ工程の代わりに、フォトマスクを用いずに所望のパターンを基板等に直接形成するマスクレス露光(直接露光)装置が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。かかるマスクレス露光によれば、フォトマスクが不要でありコスト的に有利であり、また、高精度露光が可能であるとされている。
特許文献1に記載のマスクレス露光装置は、露光ヘッドの結像光学系で結像される所望の露光パターンと被露光物の表面とを相対的に走査する走査手段を備え、かかる走査手段としてXYステージを用いている。また、光走査手段としては、ポリゴンミラーやガルバノミラーとレンズ光学系を用いた光走査光学系が知られている。また、かかる光走査光学系の代わりに2次元光変調素子を用いることが提案されている(例えば、下記特許文献2参照)。
特許文献3は、フォトマスク、位相シフトマスクを用いて、表面に凹凸のある立体サンプルにパターニングを行うに際して、サンプル内の場所に応じて部分的に、入射角度、偏光方向、露光量などの条件の最適化可能な露光方法及び露光装置を開示する。特許文献4は、空間光変調素子を2次元的に多数配列してなる空間光変調器を使用し、光源から発せられた光で空間光変調器により露光パターンを形成する露光方法を開示する。
上述の光走査手段としてポリゴンミラーやガルバノミラーとレンズ光学系を用いた光走査光学系を用いると、装置の全体構成が大きくなってしまい、装置の小型化の障害となり、また、高価であり、応答性もよくない。また、2次元光変調素子は短寿命化や誤動作発生の問題があるといわれており、誤動作対策に特別な構成やコストが必要となってしまい(特許文献1参照)、好ましくない。
また、特許文献3はマスクを用いて凹凸面に露光をするものであり、マスクレス露光ではない。特許文献4は、マスクレス露光であるが、平面露光であり、立体的に露光を行うものではない。
例えば、図7のような段差を有する被露光物Aに、開口NUを有するフォトマスクMAを利用して光Lにより露光を行う場合、フォトマスクMAと段差底面A2との距離間隔が大きいと、段差底面A2での露光精度が低下する問題がある。段差底部A2での解像度を高めるために、焦点深度を大きくした露光装置(例えば、ウシオ電機製の投影露光機「USC−2000ST」)を用いることで焦点深度の深さ程度であれば段差底面でのパターン露光が可能である。しかし、段差が焦点深度よりも深い場合は段差底面での高精度な露光は不可能である。また、段差の傾斜面に対しても露光が不可能である。
本発明は、上述のような従来技術の問題に鑑み、小型化が可能でかつ安定した動作でマスクレス露光が可能な露光装置を提供することを目的とする。
また、被露光面に段差などのある被露光物に対しマスクレス露光により高精度な露光が可能な露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本実施形態による第1の露光装置は、光源と、ミラーを繰り返し傾斜させるMEMS光スキャナと、前記光源からの光を前記ミラーを介して被露光物上に露光する露光光学系と、を備え、前記光源からの光を前記MEMS光スキャナで傾斜するミラーにより走査して前記被露光物上に照射することで前記被露光物を露光するものである。
この露光装置によれば、MEMS(メムス)光スキャナによりミラーを所定範囲内で繰り返し傾斜させて光源からの光を走査して走査光を得て、被露光物上に直接露光することができる。MEMS(メムス)とは、微小電気機械システム(Micro Electro Mechanical Systems)の略で、機械要素部品を極小サイズで作製した小型デバイスである。MEMS光スキャナは、アクチュエータによりミラーを駆動して光を走査するMEMS(メムス)光デバイスであり、小型に構成され信頼性が高く動作が安定している。このように、MEMS光スキャナを光走査に用いることによって、装置を小型化できかつ安定した動作でマスクレス露光が可能な露光装置を実現できる。
上記露光装置において前記被露光物を移動可能なステージを備え、前記ステージの移動を制御することで前記被露光物上にパターンを露光することにより、被露光物上に所望のパターンを露光できる。なお、この場合、前記ステージを移動させながら走査光により露光してもよく、また、前記ステージを移動させ所定位置で停止させて走査光により露光してもよい。
また、前記MEMS光スキャナによる光走査方向と略直交する方向に前記ステージを移動させることが好ましい。
また、前記ステージの位置を検出する位置検出部を備え、前記ステージが駆動源としてモータを有し、前記位置検出部の検出信号に基づいて前記モータを駆動し前記ステージの位置を制御することで、フィードバック制御を行い、ステージの位置を高精度に制御できる。
また、前記光源からの光のオンオフを制御することで前記被露光物上にパターンを露光することにより、例えば、走査方向に断続的なパターンや走査方向と直交する方向に間欠的なパターン等の所望のパターンを露光できる。
また、前記露光光学系が対物レンズを含み、前記対物レンズを前記被露光物に対し駆動し自動的に合焦させるオートフォーカス機構を備えることで、露光中に自動的に合焦させることができるので、被露光物の表面に凹凸があっても高精度な露光が可能となる。
本実施形態による第2の露光装置は、第1の露光装置の構成に加えて、前記露光光学系と前記被露光物とを前記被露光物の被露光面に対し垂直な方向に相対的に移動させる駆動手段を備え、前記被露光物に対する前記垂直方向における照射位置を前記駆動手段により調整可能である。
この露光装置によれば、被露光面に対する垂直方向における被露光物に対する照射位置を駆動手段により調整可能であるので、被露光物が被露光面に段差や傾斜を有する場合でも、マスクレス露光により高精度な露光が可能となる。これにより、段差などの傾斜面や底面に対して精度のよい露光が可能となる。
上記露光装置において前記露光光学系の対物レンズと一体に移動する鏡筒部を備え、前記駆動手段はアクチュエータにより前記鏡筒部を移動させるように構成されることが好ましい。
また、前記鏡筒部の前記垂直方向の垂直位置を検出する位置検出手段と、前記垂直位置を制御する垂直位置制御手段と、を備えることが好ましい。
また、前記鏡筒部の前記垂直方向の垂直位置を手動で調整可能な垂直位置手動調整手段を備えることが好ましい。
また、前記被露光物の被露光面の三次元形状を測定する形状測定手段を備え、前記測定結果に基づいて前記駆動手段により前記垂直方向における照射位置を調整し、前記被露光物の被露光面の三次元形状に対応した露光を行うように構成可能である。
本実施形態による露光方法は、上述の第2の露光装置を用いて被露光物に露光を行う露光方法であって、前記被露光物に対する露光操作を、前記被露光物の被露光面の三次元形状に応じて前記被露光物の面に対し垂直な方向における照射位置を調整して実行するものである。
この露光方法によれば、被露光物の被露光面の三次元形状に応じて被露光物の面に対し垂直な方向における照射位置を調整して露光操作を実行するので、被露光物が被露光面に段差を有する場合でも、マスクレス露光により高精度な露光が可能となる。これにより、段差などの傾斜面や底面に対して精度のよい露光が可能となる。
上記露光方法において前記被露光物を保持したステージを前記MEMS光スキャナによる光走査方向と略直交する方向に一定速度で移動させるとともに、前記光源からの光のオンオフを制御することで前記被露光物上にパターンを露光することができる。
また、前記被露光物を保持したステージを移動させ停止させることを繰り返すことで前記被露光物上にパターンを露光することができる。
また、上記露光方法では、前記被露光物の被露光面は、平面とその平面から傾斜した傾斜面とを含む場合に、前記被露光物の平面及び傾斜面に対し前記露光操作を行うようにできる。
本発明の露光装置によれば、小型化が可能でかつ安定した動作でマスクレス露光が可能となる。
本発明の露光装置及び露光方法によれば、被露光面に段差や傾斜のある被露光物に対しマスクレス露光により高精度な露光が可能となる。
以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。
〈第1の実施の形態〉
図1は第1の実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す図である。図2は図1の露光光学系を説明するための図である。図3は図2の露光光学系のMEMS光スキャナのミラーとレンズとの関係を説明するための模式図である。
図1は第1の実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す図である。図2は図1の露光光学系を説明するための図である。図3は図2の露光光学系のMEMS光スキャナのミラーとレンズとの関係を説明するための模式図である。
図1に示すように、露光装置10は、被露光物Aを載置し保持してXY方向に移動可能なXYステージ11と、半導体レーザからなる光源12と、光源12から光ファイバFIで導かれた光により被露光物Aに対し露光する露光光学系と、露光を行う際に露光光学系の鏡筒31内の対物レンズをXYステージ11上の被露光物Aに対し図の上下方向に駆動し自動的に合焦させるオートフォーカス機構と、XYステージ11上の被露光物Aを観察するための観察光学系と、XYステージ11及び光源12等を制御する制御装置13と、を備えている。
露光光学系は、図1〜図3のように、光源12からの光が光ファイバFIを介して導入されてコリメートレンズCで平行化されてMEMS光スキャナのミラーMで反射し、レンズL2,ミラー19,レンズL1,ビームスプリッタ29を介して鏡筒31内の対物レンズJでステージ11上の被露光物Aの表面A1に集光されて結像しスポット照射するようになっている。
上述の露光光学系の内のコリメートレンズCからレンズL1までの各光学要素はハウジング20内に配置され収容されている。
オートフォーカス機構は、図1のように、オートフォーカス用レーザ光源22からの光がビームスプリッタ27,28,29を介して鏡筒31内の対物レンズJ(図2)でXYステージ11上の被露光物Aの表面A1に集光され、その反射光が対物レンズJ、ビームスプリッタ29,28,27,チューブレンズ32,ビームスプリッタ26を介してフォトダイオード(PD)からなる受光素子21に入射し、その入射光信号に基づいて公知のピエゾ素子からなるアクチュエータ23で鏡筒31を光軸方向に駆動して鏡筒31内の対物レンズJ(図2)を移動させて合焦させるようになっている。
上述のビームスプリッタ26,27,28,29及びチューブレンズ32はハウジング30内に配置され収容されている。
観察光学系は、照明光を光導入部25から導入してXYステージ11上の被露光物Aに照射してその反射光をCCDカメラ24で撮像して被露光物Aを観察できるようになっている。
図1のように、ハウジング30には、受光素子21,オートフォーカス用レーザ光源22,CCDカメラ24及び光導入部25が取り付けられており、ハウジング30の下端にアクチュエータ23が配置され、さらにアクチュエータ23の下方に鏡筒31が配置されている。
XYステージ11には、図1のステッピングモータ15a,15bとステッピングモータ15a,15bによる各回転運動をX方向及びY方向への直線運動に変換する公知のボールねじ等から構成された直動機構とが内蔵されている。ステッピングモータ15a,15bの各等速回転によりXYステージ11は図1の横方向(X方向)及び図1の紙面垂直方向(Y方向)に等速で移動可能になっている。
制御装置13は、モータドライバ16を介してステッピングモータ15a,15bを制御する。また、露光装置10はXYステージ11のX方向及びY方向の各位置を検出するエンコーダ等から構成された位置検出部14を備えている。
制御装置13は、XYステージ11のX方向及びY方向の各移動量を制御するが、このとき、位置検出部14から入力した位置検出信号に基づいてステッピングモータ15a,15bをフィードバック制御することで、XYステージ11を高精度に制御できる。
また、制御装置13は、ドライバ17を介して光源12をオンオフ制御し、光源12からの光をオンオフするようになっている。なお、光源12に対し公知の電動シャッタを後置し、この電動シャッタを制御装置13が制御することにより、光源12からの光をオンオフするようにしてもよい。
また、制御装置13は、CPU(中央演算処理装置)を備え、CPUにより光源12及びXYステージ11を所定のシーケンスで制御し、所定パターンの露光が可能となっている。
図1〜図3に示すミラーMは、MEMS光スキャナの一部を構成するものであるが、かかるMEMS光スキャナについて図4、図5を参照して説明する。
図4は図1〜図3の露光装置で使用可能なMEMS光スキャナの基本構造及び動作原理を説明するための概略図である。図5は図1〜図3の露光装置で使用可能なMEMS光スキャナの具体例を示す上面図(a)、b-b線方向に切断してみた断面図(b)及び下面図(c)である。
図4に示すMEMS光スキャナは、矩形状のヨークY内に矩形平面状のミラーMを一対のねじり棒T,TでヨークYと連結するように形成し、ミラーMの外周に沿って駆動コイルDを形成し、ヨークYの外側に対向するように一対の永久磁石P1,P2を配置するものであり、電磁駆動アクチュエータによりミラーを駆動する電磁駆動式の共振型である。
MEMS光スキャナは、図4のように、永久磁石P1,P2により磁束密度Bの磁界がねじり棒T,Tに直交する方向に生じ、駆動コイルDに電流iを流すと、ローレンツ力Fによる回転トルクでねじり棒T,Tがその弾性復元力に抗して回動してミラーMが傾く。電流iを交流電流とすることにより、ねじり棒T,Tが回転方向rとその逆方向r’に共振して回動することでミラーMが共振して傾斜を繰り返す。ここで、F∝i・Bであるので、電流量を変化させることで、ミラーMの傾きを変えることができる。ミラーMは回転方向r,r’に傾斜し、ミラーMに入射して反射する光の方向を一方向において変えるので、図4のMEMS光スキャナは1次元可動タイプである。
MEMS光スキャナ1は、具体的には、図5(a)〜(c)のように、基板6の基準面6a側にヨーク4を設け、ヨーク4の内側に永久磁石2,3を対向させて配置し、永久磁石2,3の間にシリコンチップ7を設け、ミラー5をシリコンチップ7で包囲するようにして配置し、図4のように駆動コイルを形成し、この駆動コイルにコネクタ8を介して外部から交流電流を流すことで、図5(b)、(c)のようにミラー5が回転中心軸pを中心にして回転方向r、その逆方向r’に共振して傾斜を繰り返すようになっており、1次元可動タイプの電磁駆動式共振型に構成されている。
図5(a)〜(c)のMEMS光スキャナ1では、基板6の基準面6aの反対面6b側において入射光nがミラーMで反射するとき、その反射光n’の基準面6aに対する反射角度がミラー5の傾斜角に応じて変化する。なお、MEMS光スキャナ1には、図4のねじり棒Tと同様のねじり棒が回転中心軸p上に設けられている。
図5(a)〜(c)のMEMS光スキャナ1は、各部品が微小に構成されており、その全体寸法が、例えば、30mm×22mm×5mm(厚さ)であり、ミラー5の平面寸法が4mm×4mmである。このようなMEMS光スキャナは、例えば、日本信号株式会社から商品名「ECO SCAN:ESS115B」として販売されている。
MEMS光スキャナ1は、図1〜図3のミラーMの位置に配置される。すなわち、MEMS光スキャナ1は、基板6の四隅に取付孔6cを有し、基準面6aを基準にして図1の露光装置10のハウジング20内の所定位置にミラー5がミラーMの機能を発揮するように取付孔6cで取り付けられる。また、MEMS光スキャナ1は、図1のように、制御装置13により制御される。
次に、図1〜図3の露光装置10の露光動作について図1〜図6を参照して説明する。図6は図1の被露光物の表面に露光されるパターンの一例を説明するための模式図である。
最初に、露光装置10による露光について説明する。まず、光源12からの光がコリメートレンズCで平行光mになって図2,図3のようにミラーMに入射する。ミラーMは、図5(a)〜(c)のMEMS光スキャナ1のミラー5に相当し、MEMS光スキャナ1に図4の駆動コイルDのように交流電流を流すことで、図4のねじり棒Tを中心に回動を繰り返し、図2,図3の光軸bに対し傾斜を繰り返す。すなわち、ミラーMは、図2,図3のように光軸bを中心にしてX方向に傾斜角α2で傾く。
ここで、図3のように、X方向に傾斜するミラーMで反射した光m’に関し、ミラーMとレンズL2との間で次式が成立する。
tan(α2)=x2/f2
tan(α2)=x2/f2
次に、ミラーMで反射した光m’は、焦点距離f2のレンズL2,ミラー19(図1),焦点距離f1のレンズL1,ビームスプリッタ29(図1)を介して焦点距離f0の対物レンズJにより図1の被露光物Aの表面A1に集光される。
MEMS光スキャナ1によりミラーMは光源12からの平行光mを図3のX方向に走査し、図2の表面A1上における光軸cからのX方向への走査光の走査長さx0は、次式(1)により表すことができる。
x0=f0・(f2/f1)・tan(α2) ・・・(1)
ただし、α2:ミラーMの光軸bに対するX方向への傾斜角(振れ角)
x0=f0・(f2/f1)・tan(α2) ・・・(1)
ただし、α2:ミラーMの光軸bに対するX方向への傾斜角(振れ角)
上述のようにして、図1のXYステージ11に載置されて保持された被露光物Aの表面A1に対し、光源12からの光をミラーMでX方向に走査長さx0で走査しながらライン照射し露光することができる。
次に、上述の露光装置10による所定パターンの露光について説明する。XYステージ11上に被露光物Aを載せて保持し、MEMS光スキャナ1を駆動し、ミラーMを振動させることで、図6のように、走査光は被露光物Aの表面A1上において走査方向Xに走査される。また、XYステージ11による被露光物Aの移動方向をY方向とし、XYステージ11のステッピングモータ15bを駆動することでXYステージ11を移動方向(走査方向Xと直交する方向)Yに等速で移動させる。
共振周波数で駆動されるMEMS光スキャナ1を安定して駆動するためには一定周波数でミラーMを振動させることが必要である。そこで、かかる共振型のミラーを用いて露光を行う場合は、露光のタイミング基準がMEMS光スキャナ1になるようにステージ11を移動させて露光を行う。
すなわち、XYステージ11の移動をMEMS光スキャナ1によるミラーMの振動と同期させることで、XYステージ11を等速で移動させながらミラーMの角度と露光位置とを同期(一致)させて光源12からの光をオンオフして露光を行う。
例えば、XYステージ11を等速で移動させながら、図6のように、被露光物Aの表面A1上にX方向に走査長さx0に対応する長さのラインパターンPA1を露光し、所定幅に対応する時間だけ光源12からの光をオフとしてから、次のラインパターンPA2を露光することで、Y方向に間欠的なパターンを露光できる。ラインパターンPA2は、光源12からの光をオンオフすることで、断続的なラインパターンとなっている。同様にして、ラインパターンPA3〜PA6を露光する。
また、XYステージ11を移動させ所定の露光位置で停止して図6のラインパターンPA1を露光するようにして、ラインパターンPA2〜PA6を露光してもよい。
また、上記露光の際に、図1のオートフォーカス機構を作動させると、レーザ光源22から光が対物レンズJ(図2)を介して被露光物Aの表面A1に集光され、その反射光が受光素子21に入射し、その入射光信号に基づいてアクチュエータ23で鏡筒31内の対物レンズJを光軸方向に駆動して自動的に合焦させる。オートフォーカス機構は、露光の間に継続して作動させることで、被露光物Aの表面A1に凹凸があっても高精度に露光を行うことができる。また、必要に応じて、CCDカメラ24で被露光物Aの表面A1を観察する。
以上のように、MEMS光スキャナは、電磁駆動アクチュエータによりミラーを共振させ光を走査するMEMS(メムス)光デバイスであり、小型に構成されて信頼性が高く動作が安定しているので、MEMS光スキャナを露光装置10の光走査に用いることによって、装置を小型化できかつ安定した動作でマスクレス露光が可能な露光装置を実現できる。
従来の光走査手段であるポリゴンミラーやガルバノミラーとレンズ光学系を用いた光走査光学系によれば、装置の全体構成が大きく、高価であり、応答性もよくなかったのに対し、本実施の形態のようにMEMS光スキャナを用いることで、安価でかつ小型化が可能となり、応答性のよい露光装置10の光走査が可能となり、さらに従来構成よりも省電力になる。また、従来の別の光走査手段である2次元光変調素子には短寿命化や誤動作発生の問題があったのに対し、MEMS光スキャナを用いることで、信頼性が高く安定した露光が可能となる。
また、本実施の形態において、露光可能なパターンに関し、図6はほんの一例であり、XYステージ11の移動及び光源12からの光のオンオフを制御することで、光源12からの光により任意のパターンを被露光物Aの表面A1上に露光できる。例えば、制御装置13は、装置内部または外部のハードディスク記憶装置等の記憶装置から、所望のパターンで露光するプログラムをCPUに読み取らせ、そのプログラムに従って光源12及びXYステージ11を制御することで、露光装置10は所望のパターンによる自動露光が可能である。
〈第2の実施の形態〉
図8は第2の実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す側面図である。図8の露光装置50は、基本的に図1の露光装置10に鏡筒アクチュエータ51を追加した構成であるので、以下、鏡筒アクチュエータ51について主に説明する。
図8は第2の実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す側面図である。図8の露光装置50は、基本的に図1の露光装置10に鏡筒アクチュエータ51を追加した構成であるので、以下、鏡筒アクチュエータ51について主に説明する。
図8のように、露光装置50は鏡筒アクチュエータ51を備え、鏡筒アクチュエータ51は、対物レンズ部31a(図2の対物レンズJを内蔵する)を含む鏡筒31をXYステージ11のXY平面に対し垂直な方向であるZ方向(図8の上下方向)に移動させるようになっている。
図8の破線で示す鏡筒アクチュエータ51は、本体部57と、モータ52と、エンコーダ53と、スケール54と、スライダ55と、本体部57に内蔵されたボールねじ等からなる直動機構(図示省略)と、を有し、本体部57がXYステージ11とともに露光装置50のベース65に取り付けられて固定されている。なお、XYステージ11の代わりに、X方向とY方向と水平面内の角度θ(水平面に鉛直な軸周りの回転角)の方向とに移動可能なXYθステージを用いるようにしてもよく、これにより、被露光物Aの移動方向を調整することができる。
モータ52は、公知のステッピングモータやサーボモータなどを用いることができるが、モータの励磁により鏡筒を静止するように制御可能であるためステッピングモータが好ましい。
スライダ55は、モータ52によって回転するボールねじの回転で直動機構により図8の上下方向(Z方向)に直線的に移動する。
鏡筒31の垂直位置を検出するためのエンコーダ53が本体部57の側面に設けられるとともに、スライダ55の側面にエンコーダ53用のリニアスケール54が設けられ、スライダ55のZ方向の変位をエンコーダ53によって参照し測定する。なお、エンコーダ53は、公知のアブソリュートエンコーダやインクリメンタルエンコーダを利用できる。
スライダ55にはブラケット56が取り付けられ、手動ステージ58,手動移動板59,鏡筒保持具60等を介して鏡筒31の全体が固定されることで、モータ52の回転駆動によるスライダ55の上下動に応じて鏡筒31の全体がz方向に移動し変位可能になっている。
また、ブラケット56に固定された手動ステージ58は、手動位置調整部61を手動で回動させることで手動移動板59をZ方向に上下動させることができるようになっている。手動位置調整部61を手動操作することにより、鏡筒保持具60等を介して鏡筒31の全体をZ方向に移動させ、鏡筒31の垂直位置を調整可能である。
図8のように、制御装置13は、図1と同様の制御を行うとともに、モータドライバ52aを介して鏡筒アクチュエータ51のモータ52の駆動をエンコーダ53の測定結果に基づいて制御することで、鏡筒31を対物レンズ部31aとともにZ方向に駆動して変位させて位置決めることができる。かかる鏡筒31の位置決め制御は、クローズループ制御またはオープンループ制御により行うことができる。
図8の露光装置50によれば、鏡筒アクチュエータ51により鏡筒31を対物レンズ部31a内の対物レンズJ(図3)とともにZ方向に移動させ変位できるので、図1〜図3の露光光学系による光源12からの走査光の鏡筒31内の対物レンズJによるZ方向のスポット照射位置を調整できる。このため、被露光物Aの表面A1の段差等の凹凸があっても精度よく露光を行うことができる。
図8の露光装置50の露光動作について図9を参照して説明する。図9は、図8のXYステージ11に保持された被露光物Aの表面A1が凹部を有する場合の露光制御を説明するための概略的な斜視図(a)及びbb-bb線方向に切断してみた図(b)である。
図9(a)、(b)のように、被露光物Aの表面(被露光面)A1に凹部A9による段差が存在し、凹部A9が表面A1から凹んだ底面A2と、表面A1から底面A2へと傾斜する傾斜面A3,A4と、を有し、凹部A9を含めて表面A1に露光する場合、傾斜面に関しては、傾斜面A3の露光位置に対し鏡筒アクチュエータ51により鏡筒31をZ方向に移動させて走査光のZ方向のスポット照射位置を調整してから、傾斜面A3の等高線方向(図9(a)のX方向と一致する)に光を走査しラインパターンPA7を露光する。
次に、光の走査方向と垂直な方向(図9(a)のY方向と一致する)にステージ11により被露光物Aを移動させ、底面A2の露光位置に対し鏡筒アクチュエータ51により走査光のZ方向のスポット照射位置を調整してから、底面A2においてX方向に光を走査しラインパターンPA8を露光する。さらに、被露光物Aを移動させて、同様にして表面A1の露光位置に対し鏡筒アクチュエータ51により走査光のZ方向のスポット照射位置を調整してから、表面A1に光を走査し露光しラインパターンPA9を露光する。
上述のように、対物レンズJを含む鏡筒全体をZ方向(上下方向)に移動させる鏡筒アクチュエータ51により、被露光物Aに凹部A9のような段差がある場合でも、図9(b)のように傾斜面A3や底面A2のようなZ方向位置が異なる露光位置に対して走査光のZ方向のスポット照射位置を調整できるので、段差のある被露光物にも高解像度で高精度に露光することが可能となる。
また、通常の対物レンズピエゾアクチュエータでは、100μm程度が可動範囲であり、被露光物に段差があると解像度が低下してしまうのに対し、鏡筒アクチュエータ51により対物レンズが大きく移動可能であるので、被露光物Aに凹部A9が100μm以上、更には10mm以上の深い段差であっても、Z方向のスポット照射位置を調整することで高解像度で露光が可能となる。
図1の露光装置によれば、MEMSスキャナによる光走査とレーザ光源のオンオフとステージの移動とによって任意のパターンを被露光物の表面上に露光することができ、これを用いることで、半導体微細プロセス、周辺配線、MEMS製造、フォトマスク作製が可能であるが、被露光面が図7のような段差を有する場合、対物レンズアクチュエータの可動範囲内でしか、露光光であるレーザスポット収束光を追従させて照射することができないのに対し、図8の露光装置によれば、鏡筒全体を移動させる鏡筒アクチュエータ51を設置することでレーザスポット収束光のZ方法の照射位置を調整できるので、比較的深さのある段差面をもつ被露光物に対しても高解像度で露光できるのである。
また、マスクレス露光であり、マスク不要のため、サンプルの形状に応じて露光パターンの補正が容易である。また、被露光面の等高線方向に光を走査し、光の走査方向と垂直な方向にステージを移動することによって、段差面や傾斜面への効率的な露光が可能となる。
上述の図9(a)、(b)のラインパターンPA7,PA8,PA9の露光は、制御部13の制御によりXYステージ11を一定速度で移動させながら行うことができる(定速露光)。
また、制御部13の制御によりXYステージ11の位置を位置検出部14で検出し、XYステージ11が所定位置で停止し、その停止位置で被露光物Aに対して露光を行ってから、次の所定位置まで移動し停止して露光を行うことを繰り返す(ステップリピート露光)ようにしてもよい。
次に、上述の定速露光の制御について図18,図19を参照して説明する。図18は、本実施の形態における図8の制御装置13による定速露光制御を説明するためのブロック線図である。図19は、図18の定速露光制御における各信号(a)〜(f)のタイミングチャートである。
図18に示すように、XYステージ11の速度制御に関する設定値Vを入力し、XYステージ11を一定速度で移動させるとき、XYステージ11の周期的な位置の通過に伴って論理が反転する図19(f)のような一定周波数のブレークポイント信号(周期BP出力信号)が出力し、この周期BP出力信号がサンプラ630に入力し、そのサンプリング信号Yout(i)が積分器650に入力し、また、基準信号発生器610から図19(d)のような基準ブレークポイント周期信号(基準BP周期信号)が-1/2オフセット回路620を介してサンプラ640に入力し、そのサンプリング信号Yo(i)が積分器650に入力し、これらの周期信号の位相差に基づいて積分器650で所定のサンプル数i分だけ積分された位相差信号がImaxで規格化されて目標値eが出力する一方、ΔVmaxに変換されてeΔVmaxがフィードバックされて(V−eΔVmax)による制御がなされる。このようなPLL制御は、比例制御となっており、目標値e=0で、図19(g)のように周期BP出力信号の位相がロックされ、位相差がゼロとなる。
なお、ブレークポイント(BP)とは登録位置によって信号論理が反転する位置をいう。また、基準BP周期信号は、図19(c)のようなスキャナゼロクロス信号を逓倍または分周させて得ることができる。
図1のMEMS光スキャナ(スキャナ)1のミラーMは、図19(a)の時間間隔(角度)で振動し、図8の制御装置13は図19(b)のスキャナ1の逆起電力信号から図19(c)のようなスキャナゼロクロス信号を得て露光タイミング信号とする。
図6と同様に、XYステージ11の移動方向YをMEMS光スキャナによるミラーMの光走査方向Xと直交させてXYステージ11を一定速度で移動させる。このとき、図19(f)のように、XYステージ11の周期的な移動により周期BP出力信号が出力する。
図19(c)のようなスキャナゼロクロス信号を逓倍または分周させて基準BP周期信号を得て、この基準BP周期信号と図19(f)の周期BP出力信号とにより、上述のようにPLL制御(位相ロック制御)を行うことで、図19(g)のように位相が一致した周期BP出力信号を得る。
上述のようなPLL制御により、XYステージ11の速度制御を行うとともに、MEMS光スキャナ1のミラーMの振動と、XYステージ11上の被露光物Aの被露光面における露光位置とを同期させることができる。
XYステージ11が一定速度で移動し、被露光物Aの被露光面上の所定の露光位置に達すると、ミラーMの図19(c)のゼロクロス信号をトリガとして露光指令値にしたがって、所定のクロック数で光照射をオンオフすることで、露光を行う。
次に、上記定速度露光制御における各制御パラメータについて説明する。
図6のY方向における露光最小間隔:Δxex(mm)
周期的BP間隔:ΔxBP(mm)
露光ステージ速度:Vex(mm/s)
周期的BP出力周波数:fBP(Hz)
MEMS光スキャナ1の振動数:fscan(Hz)
周期的BP間隔ΔxBPと露光最小間隔Δxexとの比:Δxex/ΔxBP≧1
図6のY方向における露光最小間隔:Δxex(mm)
周期的BP間隔:ΔxBP(mm)
露光ステージ速度:Vex(mm/s)
周期的BP出力周波数:fBP(Hz)
MEMS光スキャナ1の振動数:fscan(Hz)
周期的BP間隔ΔxBPと露光最小間隔Δxexとの比:Δxex/ΔxBP≧1
各制御パラメータの計算式は次のとおりである。ただし、Δxex/ΔxBP≧2(整数)
Vex(mm/s)=fscan(Hz)×Δxex(mm)
ΔxBP(mm)=Δxex(mm)×(Δxex/ΔxBP)
ステージ速度v=fscan・Δxex=fBP(2ΔxBP)から
fBP=fscan・Δxex/(2ΔxBP)
Vex(mm/s)=fscan(Hz)×Δxex(mm)
ΔxBP(mm)=Δxex(mm)×(Δxex/ΔxBP)
ステージ速度v=fscan・Δxex=fBP(2ΔxBP)から
fBP=fscan・Δxex/(2ΔxBP)
以上のような定速露光制御により、XYステージ11で被露光物Aを一定速度で移動させながらMEMS光スキャナ1のミラーMの角度と露光位置とを一致(同期)させて光源12から光照射を行い、かかる光照射をオンオフ制御することで、図6のようなラインパターンPA1〜PA6や図9(a)のようなラインパターンPA7,PA8,PA9を露光することができる。また、XYステージ11を移動させ続けながら被露光物Aに露光を行うので、従来の静止露光(ステップリピート露光)方式と比べて、露光時間を短縮化でき、生産性を向上できる。
なお、MEMS光スキャナ1のミラーMの振動周波数は、XYステージ11の速度よりもかなり大きいので、XYステージ11を一定速度で移動させながらミラーMによる走査光で露光をしても、ラインパターンPA1〜PA9の直線性に影響はない。
また、本実施の形態において、露光可能なパターンに関し、図6、図9はほんの一例であり、光源12からの光のオンオフを制御することで、光源12からの光により任意のパターンを被露光物Aの被露光面上に露光できる。例えば、制御装置13は、装置内部または外部のハードディスク記憶装置等の記憶装置から、所望のパターンで露光するプログラムをCPUに読み取らせ、そのプログラムに従って光源12を制御することで、露光装置10,50は所望のパターンによる自動露光が可能である。
〈第3の実施の形態〉
図10は第3の実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す図である。図11は第3の実施の形態における被露光物の平面図(a)及びS-S線方向に切断してみた断面図(b)である。図12は図11の被露光物に露光を行う際の形状測定を説明するためのフローチャートである。
図10は第3の実施の形態による露光装置の全体の概略的構成を示す図である。図11は第3の実施の形態における被露光物の平面図(a)及びS-S線方向に切断してみた断面図(b)である。図12は図11の被露光物に露光を行う際の形状測定を説明するためのフローチャートである。
図10の露光装置70は、基本的に図1,図8の露光装置と同様の構成を有し、被露光面の3次元形状を測定し、その測定結果に基づいて露光を行うことが可能に構成されている。また、被露光物Aの移動手段として上述のXYθステージ11’を有し、水平面内の角度(水平面に鉛直な軸周りの回転角)が制御部13の制御の下でモータ15cの駆動により調整される。
露光装置70は、CCDカメラ24が被露光面のX、Y、Z方向の座標位置を自動測定する。被露光面のZ方向の座標位置に関しては、測定位置において図8の鏡筒アクチュエータ51の作動により鏡筒31をZ方向に移動させて焦点を合わせてから、Z方向の位置をCCDカメラ24により測定する。これらの測定結果はRAMやハードディスク等から構成されるメモリ66に保存され、演算部67で必要な演算を行う。
なお、手動位置調整部61の操作で鏡筒31を移動させて合焦させてからZ方向の位置を測定するようにしてもよい。また、Z方向の位置を詳細に測定するために、図10のオートフォーカス機構のA/F信号を参照するようにしてもよい。
図11(a)、(b)の被露光物Sは、(100)Si基板をウェットエッチングして得たものであり、ウェットエッチングによりSi基板に形成された凹部S0は、上面S1から傾斜面S3,S5で底面S2まで傾斜し、上面S1と底面S2とが平行になっている。上面S1及び底面S2はともに(100)面となり、傾斜面S3,S5は(111)面となり、結晶面が露出しており面の法線が既知であるため、少ない測定点で被露光面の空間的な境界位置を把握できる。例えば、被露光物Sの上面S1及び底面S2の(100)面が水平になるように配置すれば、図11(a)、(b)の上面S1と凹部S0との境界の交点の1つであるG点のxyz座標と、G点の対角位置にある境界の交点であるH点のxyz座標と、G点とH点との中点であるI点のz位置と、を測定すれば、すべての面の境界位置を算出できる。
図12を参照して露光装置70における被露光物Sの形状測定について説明する。図12のように、被露光物Sの被露光面上の図11(a)の点G、H(平面内の点)のxyz座標をCCDカメラ24により測定する(S11)。z座標は、CCDカメラ24で被露光面上を観察しながら、ステージ11および鏡筒31を移動させ、測定点において合焦した位置をz位置として取得する。測定した点Gのxyz座標(xG,yG,zG)及び点Hのxyz座標(xH,yH,zH)がメモリ66に保存される。
次に、図11(b)の上面S1の高さ位置Ztopを式(1)により求め、I点のx、y位置の座標xI,yIを式(2)より算出する(S12)。これらの演算はメモリ66に保存されたxyz座標データに基づいて図10の演算部67で行われる。
次に、点Iのz位置を測定する(S13)。点Iは点G、Hと深さが異なるが、鏡筒31をZ方向へ移動させ焦点を合わせた後、CCDカメラ24によりその深さ(底面S2の高さ)を測定する。この底面S2の高さ位置Zbottomを点Iの座標zIとする。上述のようにして得られた点Iのxyz座標(xI,yI,zI)がメモリ66に保存される。
上述のように、上面S1及び底面S2の(100)面が水平に位置し、点G,Hのxyz座標及び点G,Hの中点Iのz座標を測定することで、被露光面の全面の境界位置が算出可能となり、必要な境界位置を求めることができる(S14)。
次に、図10の露光装置による図11の被露光物に対する露光動作について図13〜図15を参照して説明する。
図13は図10の露光装置により実行可能な露光動作を説明するためのフローチャートである。図14は図13の露光動作により被露光物Sの露光面に形成する露光パターンを示す平面図である。図15は図14の露光パターンを露光のために分割したパターン(a)〜(d)を示す平面図である。
図14の被露光物Sは、図11(a)、(b)に示すものと同様で凹部S0を有し、太線で示す線状のパターンが露光パターンである。まず、図12のような方法により被露光物Sの各被露光面S1〜S4の形状を測定する(S21)。
次に、各被露光面S3,S4の法線方向(例えば、図11(b)の傾斜面S3の法線hのような傾斜面鉛直方向)を算出する(S22)。法線方向の算出に基づいて傾斜面の等高線方向を算出することができ、後の露光ステップで被露光物Sの傾斜面の被露光面S3,S4で図9(a)、bのように等高線に沿った光走査が可能となる。傾斜面を等高線に沿って露光するのは、Z方向の露光位置が露光中に変化しないようにするためである。Z方向の露光位置が変化すると、鏡筒アクチュエータ51により鏡筒31をZ方向に移動させ、再び焦点合わせる必要がある。
次に、図14の露光面を図15(a)〜(d)の被露光面S1,S2,S3,S4に分割し、ステップS21の形状測定に基づいて各被露光面S1〜S4の境界位置を算出する(S23)。このとき、図14の露光パターンが分割され、図15(a)〜(d)の太線で示す露光パターンが分割生成される。
次に、光源12に対する露光指令値の演算を行う(S24)。すなわち、図15(a)〜(d)の各露光パターンの形状に合わせて走査光をオンオフするためのデータ列を各被露光面S1〜S4ごとに演算部67で演算する。
次に、各被露光面S1〜S4ごとに上記露光指令値により、光走査を行いつつ、その走査光のオンオフを実行して、露光パターンの露光を行う(S25)。このとき、各被露光面S1〜S4の高さ位置に応じて鏡筒アクチュエータ51により走査光のZ方向のスポット照射位置を自動的に調整してから露光を行う。
上記露光動作は、図9(a)、(b)と同様に、一次元的な光走査と、光走査方向と垂直な方向にXYステージ11を移動させる露光方式であり、各被露光面S1〜S4の高さ位置に応じて走査光のZ方向のスポット照射位置を自動的に調整することで、被露光物Aの各被露光面S1〜S4の形状に追従した露光を実施することができる。これにより、深い段差のある被露光物に対しても高い解像度で露光することができる。
次に、図16を参照して被露光物が通常の断面形状を有する場合の形状測定について説明する。図16は図10の露光装置により露光可能な通常の断面形状を有する被露光物の平面図(a)及びX方向の線SS-SSで切断してみた断面図(b)である。図16(a)、(b)のように、被露光物AのX方向断面における各被露光面S1,S3,S2,S5の境界位置の境界点J、K、L、Mのxyz位置座標を上述の図11(a)、(b)の場合と同様にして求めることで、各被露光面の形状を測定することができる。
〈第4の実施の形態〉
第4の実施の形態は図10の露光装置を用いて各種の段差形状のある被露光物に露光する場合のXYステージの移動制御に関するものであり、図17を参照しながら説明する。図17は、第4の実施の形態において露光可能な各種の形状(a)〜(c)を有する被露光物の断面形状を示す図である。
図17(a)の被露光物Aは、図9と同様に、表面A1の凹部A9が表面A1から凹んだ底面A2と、表面A1から底面A2へと傾斜する傾斜面A3,A4と、を有する。平面である表面A1と底面A2とに対しては上述の定速露光を、XYステージ11を実線に示すようにY方向に一定速で移動させながら行い、傾斜面A3,A4に対しては上述のステップリピート露光を、XYステージ11を破線に示すようにY方向に移動させて停止させてから露光することを繰り返すことで行うことが好ましい。
上述のようにXYステージ11を定速で移動させながら露光する定速露光は、スループットがよいが、XYステージ移動に対して鏡筒31のz方向変位を追従させる必要があるために、z方向変位が小さい平面露光に有利であり、また、XYステージ11を移動させ静定後に露光するステップリピート露光は、スループットが低いが鏡筒31の位置を静定後に露光できるために、傾斜面の露光に有利であると考えられる。
なお、平面露光では、対物レンズアクチュエータを用いたオートフォーカス機能はオンでもオフでもよいが、傾斜面露光では、オートフォーカス機能はオフにする。
図17(b)の被露光物AAは、高さの異なる平面AA1,AA2,AA3がステップ形状(階段形状)になっており、各平面AA1〜AA3に対しては定速露光し、各平面AA1〜AA3の境界で露光停止とする。
図17(c)の被露光物ABは、傾斜面AB1,AB2からV字状溝に構成され、各傾斜面AB1,AB2に対してステップリピート露光とする。
以上のように、本実施形態によれば、定速露光とステップリピート露光とによって平面及び傾斜面を露光する露光方法を採用することでスループットを向上できるという効果がある。
また、第2〜第4の実施形態によれば、被露光物が深い立体的な段差形状を有する場合でも高い解像度で露光することが可能になるため、微細な配線パターンや、実装用のバンプ、位置決め用のマーカーパターンのプロセスに有効である。
例えば、図17(a)、(b)のような段差形状やステップ形状を有する被露光面に対し、上述のようにして露光を行うことで立体的な配線のプロセスが可能となり、電子回路に対するフォトダイオードチップやレーザチップやレンズなどの微小光学部品の実装、MEMSをパッケージングする実装基板として応用できる。また、図17(c)のV字状溝は光ファイバなどのガイドとして利用できる。
次に、第2〜第4の実施形態において、被露光物が被露光面に図9,図11,図16,図17(a)、(c)のような傾斜面を有する場合に、かかる傾斜面を露光する例について図20,図21を参照して説明する。図20は図9(b)と同様の図であり段差形状を有する被露光物の断面形状を示す図(a)及び図20(a)の被露光物を傾斜させて露光を行う状態を概略的に示す図(b)である。図21は図20(b)のように被露光物を傾斜させるための回転ステージの概略的構成を示す図(a)及び回転ステージにおける傾斜角度βと回転角度ψの定義を示す図(b)である。図21(a)の回転ステージ110により図21(b)のように水平面に対する傾斜角度βと回転角度ψ(ステージ面に鉛直な軸周りの回転角)との制御を実現できる。
図20(a)のように、露光時に被露光物Aの凹部A9の傾斜面A3に対しては対物レンズJにより集光される走査光が斜めに照射されるため傾斜面における露光強度が平面A1やA2と比べて異なってしまう。そこで、図20(b)のように被露光物Aの全体を傾斜させることで傾斜面A3が水平に位置するようにしてから露光を行うようにすることで、傾斜面A3における露光強度が平面A1やA2と同じになる。
なお、図8(図1),図10の制御装置13は、光源12を制御する際に、被露光面の傾斜方向・角度に応じて光源12から出射するレーザ光の光強度を変えるように制御するようにしてもよい。
図20(b)のような被露光物の傾斜露光を可能とするために、図21(a)に示すように、XYZθステージ111またはXYZステージ112に回転ステージ110を取り付ける。回転ステージ110はβ傾斜ステージ11Aとψ回転ステージ11Bとを備え、β傾斜ステージ11A及びψ回転ステージ11Bは、図21(a)、(b)のようにβ傾斜ステージ11Aが傾斜角度βで傾き、ψ回転ステージ11Bが回転角度ψで回転する公知の傾斜回転機構(図示省略)を有する。傾斜回転機構は各モータにより駆動され、図8(図1),図10の制御装置13が各モータの駆動を制御することで、β傾斜ステージ11Aによる傾斜角度β及びψ回転ステージ11Bによる回転角度ψが制御される。図21(a)のように、ψ回転ステージ11Bに被露光物Aが取り付けられて、その傾斜角や回転角が調整可能となる。
以上のように本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で各種の変形が可能である。例えば、被露光物Aの表面A1上における走査光のX方向の走査長さx0は、ミラーMのMEMS光スキャナ1への駆動電流を変えることによりミラー傾斜角を変えることができ、所定範囲内で調整可能である。
また、MEMS光スキャナは交流電流により変位する共振タイプから構成したが、直流電流で変位するMEMS光スキャナであってもよい。
また、図8の露光装置50では、鏡筒アクチュエータ51が露光光学系を被露光物に対し垂直方向に移動させる構成であるが、本発明はこれに限定されず、XYステージ11をZ方向(XY平面に直交する方向)にも移動するように構成してもよい。すなわち、Z方向移動のためのステッピングモータと、このステッピングモータによる回転運動をZ方向への直線運動に変換する公知のボールねじ等から構成された直動機構とをさらに備えるXYZステージとすることで、被露光物を露光光学系に対しZ方向に移動させる構成としてもよい。
また、図10では、CCDカメラにより被露光物の形状測定を行うようにしたが、本発明はこれに限定されず、電子線や二次電子やレーザ光や白色干渉などを利用した表面形状測定装置を用いるようにしてもよい。
また、傾斜面を含む被露光面に露光を行う際に、傾斜面で傾斜角に応じて反射した光が別の面に照射されてしまう影響を防止するために光源からの光を偏光させるようにしてもよい。
本発明による露光装置及び露光方法によれば、パッケージング基板、MEMS実装、LED実装基板、微小光学素子実装基板、太陽電池用実装基板、μTAS用流路周辺配線、光ファイバのガイド基板などの微細加工プロセスに適用して好ましく、マスクレス露光により高精度な露光を低コストで行うことができる。
1 MEMS光スキャナ
5 ミラー
10 露光装置
11 XYステージ
11’ XYθステージ
110 回転ステージ
12 光源
13 制御装置
14 位置検出部
15a,15b ステッピングモータ
21 受光素子
22 オートフォーカス用レーザ光源
23 アクチュエータ
24 CCDカメラ
25 光導入部
26〜29 ビームスプリッタ
20,30 ハウジング
31 鏡筒
32 チューブレンズ
A 被露光物
A1 表面、平面、被露光面
B 磁束密度
C コリメートレンズ
D 駆動コイル
F ローレンツ力
FI 光ファイバ
J 対物レンズ
L1,L2 レンズ
M MEMS光スキャナのミラー
P1,P2 永久磁石
PA1〜PA6 ラインパターン
T ねじり棒
Y ヨーク
b 光軸
c 光軸
i 電流
m 平行光
m’ 反射光
p 回転中心軸
r 回転方向
r’回転方向rの逆方向
50,70 露光装置
51 鏡筒アクチュエータ、駆動手段
3 エンコーダ
A2 底面
A3,A4 傾斜面
S 被露光物
5 ミラー
10 露光装置
11 XYステージ
11’ XYθステージ
110 回転ステージ
12 光源
13 制御装置
14 位置検出部
15a,15b ステッピングモータ
21 受光素子
22 オートフォーカス用レーザ光源
23 アクチュエータ
24 CCDカメラ
25 光導入部
26〜29 ビームスプリッタ
20,30 ハウジング
31 鏡筒
32 チューブレンズ
A 被露光物
A1 表面、平面、被露光面
B 磁束密度
C コリメートレンズ
D 駆動コイル
F ローレンツ力
FI 光ファイバ
J 対物レンズ
L1,L2 レンズ
M MEMS光スキャナのミラー
P1,P2 永久磁石
PA1〜PA6 ラインパターン
T ねじり棒
Y ヨーク
b 光軸
c 光軸
i 電流
m 平行光
m’ 反射光
p 回転中心軸
r 回転方向
r’回転方向rの逆方向
50,70 露光装置
51 鏡筒アクチュエータ、駆動手段
3 エンコーダ
A2 底面
A3,A4 傾斜面
S 被露光物
Claims (15)
- 光源と、ミラーを繰り返し傾斜させるMEMS光スキャナと、前記光源からの光を前記ミラーを介して被露光物上に露光する露光光学系と、を備え、
前記光源からの光を前記MEMS光スキャナで傾斜するミラーにより走査して前記被露光物上に照射することで前記被露光物を露光する露光装置。 - 前記被露光物を移動可能なステージを備え、前記ステージの移動を制御することで前記被露光物上にパターンを露光する請求項1に記載の露光装置。
- 前記MEMS光スキャナによる光走査方向と略直交する方向に前記ステージを移動させる請求項2に記載の露光装置。
- 前記ステージの位置を検出する位置検出部を備え、
前記ステージが駆動源としてモータを有し、
前記位置検出部の検出信号に基づいて前記モータを駆動し前記ステージの位置を制御する請求項2または3に記載の露光装置。 - 前記光源からの光のオンオフを制御することで前記被露光物上にパターンを露光する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記露光光学系が対物レンズを含み、
前記対物レンズを前記被露光物に対し駆動し自動的に合焦させるオートフォーカス機構を備える請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記露光光学系と前記被露光物とを前記被露光物の被露光面に対し垂直な方向に相対的に移動させる駆動手段を備え、
前記被露光物に対する前記垂直方向における照射位置を前記駆動手段により調整可能である請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記露光光学系の対物レンズと一体に移動する鏡筒部を備え、前記駆動手段はアクチュエータにより前記鏡筒部を移動させるように構成された請求項7に記載の露光装置。
- 前記鏡筒部の前記垂直方向の垂直位置を検出する位置検出手段と、前記垂直位置を制御する垂直位置制御手段と、を備える請求項8に記載の露光装置。
- 前記鏡筒部の前記垂直方向の垂直位置を手動で調整可能な垂直位置手動調整手段を備える請求項8または9に記載の露光装置。
- 前記被露光物の被露光面の三次元形状を測定する形状測定手段を備え、
前記測定結果に基づいて前記駆動手段により前記垂直方向における照射位置を調整し、前記被露光物の被露光面の三次元形状に対応した露光を行う請求項7乃至10のいずれか1項に記載の露光装置。 - 請求項7乃至11のいずれか1項に記載の露光装置を用いて被露光物に露光を行う露光方法であって、
前記被露光物に対する露光操作を、前記被露光物の被露光面の三次元形状に応じて前記被露光物の面に対し垂直な方向における照射位置を調整して実行する露光方法。 - 前記被露光物を保持したステージを前記MEMS光スキャナによる光走査方向と略直交する方向に一定速度で移動させるとともに、前記光源からの光のオンオフを制御することで前記被露光物上にパターンを露光する請求項12に記載の露光方法。
- 前記被露光物を保持したステージを移動させ停止させることを繰り返すことで前記被露光物上にパターンを露光する請求項12または13に記載の露光方法。
- 前記被露光物の被露光面は、平面とその平面から傾斜した傾斜面とを含み、
前記被露光物の平面及び傾斜面に対し前記露光操作を行う請求項12乃至14のいずれか1項に記載の露光方法。
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