JP2009212377A - 撮像素子及び撮像素子の製造方法 - Google Patents
撮像素子及び撮像素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009212377A JP2009212377A JP2008055222A JP2008055222A JP2009212377A JP 2009212377 A JP2009212377 A JP 2009212377A JP 2008055222 A JP2008055222 A JP 2008055222A JP 2008055222 A JP2008055222 A JP 2008055222A JP 2009212377 A JP2009212377 A JP 2009212377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- imaging device
- lower electrode
- conversion layer
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
【解決手段】画素部を複数有する撮像素子であって、
下部電極2と、下部電極2上に形成され、可視光を吸収する光電変換層3と、光電変換層3上に形成された上部電極4と、上部電極4上に形成されたX線シンチレータ5と、光電変換層3で発生した電荷に応じた信号を外部に出力するCMOS回路が形成されたp型シリコン基板20とを備え、下部電極2が可視光及びX線を吸収する導電性材料(例えばタンタル、タングステン、鉛)で構成されており、且つ、CMOS回路のMOSトランジスタが下部電極2によって覆われるように配置されている。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の第一実施形態である撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。
図1に示す撮像素子は、複数の画素部を二次元状に配列した構成となっており、各画素部から出力される信号により、画像データの生成が可能となっている。
X線が入射すると、このX線がX線シンチレータ5によって可視光に変換される。但し、X線シンチレータ5の厚さには制限があるため、X線が充分に吸収されない。その結果、入射X線の数%がX線シンチレータ5を透過する。
X線が入射すると、このX線が上部電極4を透過して光電変換層3に入射し、ここで信号電荷に変換される。但し、全てのX線が信号電荷に変換されるわけではないので、光電変換層3に入射したX線の一部は、光電変換層3を透過する。又、入射光には可視光も含まれるため、この可視光も光電変換層3に入射され、ここを透過する。
尚、X線イメージセンサの画素サイズ(下部電極2のサイズに相当)は一般に100〜150μmであるため、下部電極2の50〜100μmといった厚みは製造上特に問題とならない。
図2は、本発明の第二実施形態である撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。図2において図1と同様の構成には同一符号を付してある。
図2に示す固体撮像素子は、図1に示す固体撮像素子の遮光層8を遮光層9に変更した構成となっている。
図3は、本発明の第三実施形態である撮像素子の概略構成を示す断面模式図である。図3において図2と同様の構成には同一符号を付してある。
図3に示す固体撮像素子は、図2に示す固体撮像素子の下部電極2と光電変換層3との間に電極10を追加した構成となっている。
第四実施形態では、図3に示した固体撮像素子の画素部の構成をより詳細に説明する。
図4は、本発明の第四実施形態である撮像素子の1画素部の概略構成を示す断面模式図である。図4において図3と同様の構成には同一符号を付してある。図5は、図4に示すCMOS6の等価回路図である。
図6〜図8は、図4に示す固体撮像素子の製造方法の各工程における断面模式図である。
まず、図6に示すように、信号出力層1内の構成要素を公知のCMOSプロセスにより形成する。このとき、平面視において下部電極2を形成すべき領域内に、CMOS回路6のMOSトランジスタを配置する。又、平面視において下部電極2同士の隙間を形成すべき領域を埋めるように配線M3を配置する。
2 下部電極
3 光電変換層
4 上部電極
6 信号出力部
Claims (15)
- X線に応じた電荷を発生する光電変換層を含む画素部を複数有する撮像素子であって、
前記画素部が、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を外部に出力する信号出力手段が形成された基板と、前記基板上方に形成された下部電極と、前記下部電極上方に形成された上部電極とを備え、
前記下部電極と前記上部電極の間に前記光電変換層が形成され、
前記信号出力手段が、単結晶の半導体を用いたトランジスタを含んで構成され、
前記下部電極が、少なくともX線を吸収する導電性材料で構成されている撮像素子。 - 請求項1記載の撮像素子であって、
前記トランジスタが、前記下部電極によって覆われるように配置されている撮像素子。 - 請求項1又は2記載の撮像素子であって、
前記下部電極が前記画素部毎に分離されており、
隣接する前記下部電極同士の隙間と前記基板との間に設けられた遮光層を備え、
前記遮光層が、前記隙間を透過してくる光のうち少なくともX線を吸収する材料で構成されている撮像素子。 - 請求項3記載の撮像素子であって、
前記材料が可視光も吸収する撮像素子。 - 請求項1〜4のいずれか1項記載の撮像素子であって、
前記画素部が、前記下部電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記下部電極とは仕事関数の異なる導電性材料からなる電極を備える撮像素子。 - 請求項1〜5のいずれか1項記載の撮像素子であって、
前記下部電極を構成する導電性材料が可視光も吸収する撮像素子。 - 請求項1〜6のいずれか1項記載の撮像素子であって、
前記下部電極を構成する導電性材料が原子番号73以上の重金属である撮像素子。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の撮像素子であって、
前記光電変換層が、X線を吸収してこれに応じた電荷を発生するものである撮像素子。 - 請求項8記載の撮像素子であって、
前記光電変換層がアモルファスセレンを含んで構成されている撮像素子。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の撮像素子であって、
前記上部電極の上方に設けられ、X線を可視光に変換するシンチレータを備え、
前記光電変換層が、可視光を吸収してこれに応じた電荷を発生するものである撮像素子。 - 請求項10記載の撮像素子であって、
前記光電変換層が有機材料を含んで構成されている撮像素子。 - 請求項10記載の撮像素子であって、
前記光電変換層が無機材料を含んで構成されている撮像素子。 - 請求項12記載の撮像素子であって、
前記無機材料がアモルファスシリコンである撮像素子。 - X線に応じた電荷を発生する光電変換層を含む画素部を複数有する撮像素子の製造方法であって、
単結晶の半導体を用いたトランジスタを含む、前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号を外部に出力する信号出力手段を前記画素部毎に基板に形成する第一のステップと、
前記基板上方に、少なくともX線を吸収する導電性材料で構成される下部電極を、前記画素部毎に絶縁層を介して分離して形成する第二のステップと、
前記下部電極上方に前記光電変換層を形成する第三のステップと、
前記光電変換層上方に上部電極を形成する第四のステップとを有する撮像素子の製造方法。 - 請求項14記載の撮像素子の製造方法であって、
前記第二のステップでは、前記絶縁層を、可視光を吸収する材料で構成する撮像素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008055222A JP5155696B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | 撮像素子 |
US12/397,945 US20090224162A1 (en) | 2008-03-05 | 2009-03-04 | Imaging device and production method of imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008055222A JP5155696B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | 撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009212377A true JP2009212377A (ja) | 2009-09-17 |
JP5155696B2 JP5155696B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=41052645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008055222A Expired - Fee Related JP5155696B2 (ja) | 2008-03-05 | 2008-03-05 | 撮像素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090224162A1 (ja) |
JP (1) | JP5155696B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011095042A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Fujifilm Corp | 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮影システム |
JP2011226817A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 接続基板 |
JP2011226816A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器モジュール |
WO2011141974A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
WO2012005014A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
WO2012165156A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
US8431902B2 (en) | 2010-05-31 | 2013-04-30 | Fujifilm Corporation | Radiographic imaging device |
US8447011B2 (en) | 2010-08-24 | 2013-05-21 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capturing system and radiographic image capturing method |
WO2014002420A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US8767919B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-07-01 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capturing system and radiographic image capturing method |
JP2014194410A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 撮像装置 |
US8867702B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-10-21 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capturing system and radiographic image capturing method |
JP2015115357A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
US9513379B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-12-06 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capture device, system, program storage medium and method |
JP2018146336A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
KR20210040336A (ko) * | 2010-06-18 | 2021-04-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
WO2024135561A1 (ja) * | 2022-12-20 | 2024-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110009960A1 (en) * | 2001-11-16 | 2011-01-13 | Allergan, Inc. | Prosthetic fabric structure |
US20100074396A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-03-25 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Medical imaging with black silicon photodetector |
TWI415283B (zh) * | 2009-02-18 | 2013-11-11 | Au Optronics Corp | X射線感測器及其製作方法 |
TW201119856A (en) | 2009-07-29 | 2011-06-16 | Bayer Materialscience Ag | Multi-layer products comprising acrylate-containing coatings |
JP5848047B2 (ja) | 2011-07-07 | 2016-01-27 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出素子、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム |
JP5766062B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2015-08-19 | キヤノン株式会社 | 軟x線検出装置、及び軟x線検出システム |
DE102012213814A1 (de) * | 2012-08-03 | 2014-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektor |
US9024269B2 (en) * | 2012-12-27 | 2015-05-05 | General Electric Company | High yield complementary metal-oxide semiconductor X-ray detector |
EP3137924A1 (en) * | 2014-04-30 | 2017-03-08 | Analogic Corporation | Detector array for imaging modality |
WO2016046685A1 (en) | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device |
US11728356B2 (en) | 2015-05-14 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and imaging device |
US9754980B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element and imaging device |
DE102016210935B4 (de) | 2016-06-20 | 2020-07-09 | Siemens Healthcare Gmbh | Röntgendetektor mit intransparenter Zwischenschicht |
CN106711272B (zh) * | 2016-11-29 | 2018-05-11 | 华中科技大学 | 基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法 |
WO2018202465A1 (en) * | 2017-05-01 | 2018-11-08 | Koninklijke Philips N.V. | Multi-layer radiation detector |
TWI675467B (zh) * | 2018-08-29 | 2019-10-21 | 力晶積成電子製造股份有限公司 | 影像感測器及其製造方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5728481A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate image sensor |
JPS6051376A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS61204967A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体カラ−撮像デバイス |
JPS6286857A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線用固体撮像素子 |
JPH0269978A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | 積層型固体撮像装置 |
JP2003179220A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2005033002A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Toshiba Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
JP2006332111A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Fujifilm Holdings Corp | 放射線画像検出器 |
JP2007005454A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Shimadzu Corp | 光または放射線検出器の製造方法および撮像装置 |
JP2008004899A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
JP2008228265A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4789888A (en) * | 1980-04-02 | 1988-12-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image sensor |
CN1316634C (zh) * | 2001-10-03 | 2007-05-16 | 株式会社东芝 | X光平面检测器 |
US7474045B2 (en) * | 2002-05-17 | 2009-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having TFT with radiation-absorbing film |
-
2008
- 2008-03-05 JP JP2008055222A patent/JP5155696B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-03-04 US US12/397,945 patent/US20090224162A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5728481A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solidstate image sensor |
JPS6051376A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JPS61204967A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体カラ−撮像デバイス |
JPS6286857A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線用固体撮像素子 |
JPH0269978A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | 積層型固体撮像装置 |
JP2003179220A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-06-27 | Toshiba Corp | X線平面検出器 |
JP2005033002A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Toshiba Corp | 放射線検出器およびその製造方法 |
JP2006332111A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Fujifilm Holdings Corp | 放射線画像検出器 |
JP2007005454A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Shimadzu Corp | 光または放射線検出器の製造方法および撮像装置 |
JP2008004899A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
JP2008228265A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011095042A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Fujifilm Corp | 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮影システム |
JP2011226817A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 接続基板 |
JP2011226816A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器モジュール |
US9000388B2 (en) | 2010-04-15 | 2015-04-07 | Hamamatsu Photonics K. K. | Connection substrate |
US8859975B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-10-14 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector module |
WO2011141974A1 (ja) * | 2010-05-11 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US8431902B2 (en) | 2010-05-31 | 2013-04-30 | Fujifilm Corporation | Radiographic imaging device |
KR102383187B1 (ko) * | 2010-06-18 | 2022-04-08 | 소니그룹주식회사 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
KR20210040336A (ko) * | 2010-06-18 | 2021-04-13 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 장치 및 전자 기기 |
JP2012019166A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Panasonic Corp | 固体撮像装置 |
WO2012005014A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
US9105544B2 (en) | 2010-07-09 | 2015-08-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
US8447011B2 (en) | 2010-08-24 | 2013-05-21 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capturing system and radiographic image capturing method |
US8767919B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-07-01 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capturing system and radiographic image capturing method |
US8867702B2 (en) | 2010-08-24 | 2014-10-21 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capturing system and radiographic image capturing method |
WO2012165156A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
US9513379B2 (en) | 2011-09-27 | 2016-12-06 | Fujifilm Corporation | Radiographic image capture device, system, program storage medium and method |
JPWO2014002420A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-05-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像装置 |
US9386248B2 (en) | 2012-06-26 | 2016-07-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device |
WO2014002420A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2014194410A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 撮像装置 |
JP2015115357A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線イメージセンサ |
JP2018146336A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
US10522773B2 (en) | 2017-03-03 | 2019-12-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector |
WO2024135561A1 (ja) * | 2022-12-20 | 2024-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5155696B2 (ja) | 2013-03-06 |
US20090224162A1 (en) | 2009-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5155696B2 (ja) | 撮像素子 | |
JP6028233B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換装置 | |
JP5978625B2 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像表示システムおよびトランジスタ | |
JP5439984B2 (ja) | 光電変換装置および放射線撮像装置 | |
US20100054418A1 (en) | X-ray detecting element | |
US7629564B2 (en) | Conversion apparatus, radiation detecting apparatus, and radiation detecting system | |
US9401382B2 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
JP5023808B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
US7468531B2 (en) | Imaging apparatus and radiation imaging apparatus | |
US9357143B2 (en) | Image pickup unit and image pickup display system | |
US20100051820A1 (en) | X-ray detecting element | |
JP2007157912A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5739359B2 (ja) | 撮像装置およびその製造方法ならびに撮像表示システム | |
JP5328169B2 (ja) | 撮像装置及び放射線撮像システム | |
US9299737B2 (en) | Image pickup device, method of manufacturing the same, and image pickup display system | |
JP5874201B2 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像表示システム | |
JP5167693B2 (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
KR102670831B1 (ko) | 광차단층을 구비한 디지털 엑스레이 검출장치 및 그 제조방법 | |
JP2013258315A (ja) | 撮像装置および撮像表示システム | |
JP4935046B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2010245078A (ja) | 光電変換装置、エックス線撮像装置 | |
JP2013157347A (ja) | 撮像装置およびその製造方法ならびに撮像表示システム | |
JP4419264B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4929981B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
WO2016027611A1 (ja) | 放射線検出器、撮像装置、および撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100707 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120814 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120911 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121004 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |