JP2009211904A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】バンク内に機能液を良好に濡れ広がらせることにより、膜厚が均一な機能層を備えた電気光学装置および、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、基体８と、基体８上に配置された複数の画素２と、基体８上に設けられており、複数の画素２のそれぞれの領域２ａを区画するバンク部３０と、バンク部３０の側面に基体８の上面に沿う方向に形成されており、複数の画素２のそれぞれの領域２ａの周囲を囲む溝部３８と、バンク部３０により区画された領域に機能液を配置することにより、基体８上に形成された有機機能層４０と、を備え、溝部３８における上面３８ａと下面３８ｂとが親液性を有していることを特徴とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

有機ＥＬ方式の電気光学装置の製造方法として、有機機能層を液滴吐出法により形成する方法が知られている（例えば特許文献１）。液滴吐出法では、有機機能層の構成材料を溶媒に溶解または分散させた機能液を、バンクで区画された画素の領域に選択的に配置し、この機能液から溶媒を蒸発させて有機機能層を形成する。このため、プロセスを簡易にするとともに原材料の使用量を少なくすることができる。

一方で、液滴吐出法では、機能液が必ずしも画素の領域内の一定位置に着弾しない。このため、形成される有機機能層の膜厚が不均一になり、表示品位が低下する場合がある。有機機能層の膜厚を均一にする方法として、無機バンク層および有機バンク層の２層構造のバンクにおいて、下層の無機バンク層をオーバーエッチングすることによりバンクの側面に溝部を設け、この溝部による毛細管現象を利用して機能液をバンク内に濡れ広がらせる方法が提案されている（例えば特許文献２）。このような方法によれば、機能液が画素の領域よりも広い範囲に広がるので、膜厚の均一性を向上させることが可能である。

特許３３２８２９７号公報 特開２００７−８０７６５号公報

しかしながら、このような溝部において下面が親液性であっても、上面が上層の有機バンク層であり撥液性であると、溝部の全体に亘って機能液が均一に濡れ広がらない可能性がある。また、バンク部のうちの無機バンク層の基体側をウエットエッチングにより部分的に除去して、無機バンク層に所望の形状の溝部を形成することは容易でない。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基体と、前記基体上に配置された複数の画素と、前記基体上に設けられており、前記複数の画素のそれぞれの領域を区画するバンク部と、前記バンク部の側面に前記基体の上面に沿う方向に形成されており、前記複数の画素のそれぞれの領域の周囲を囲む溝部と、前記バンク部により区画された領域に機能液を配置することにより、前記基体上に形成された機能層と、を備え、前記溝部における上面と下面とが親液性を有していることを特徴とする。

この構成によれば、バンク部の側面に溝部が形成されている。このため、バンク部で囲まれた複数の画素のそれぞれの領域に機能液を配置すると、機能液は毛細管現象によって溝部に入り込む。このとき、溝部において上面と下面とがともに親液性を有しているので、機能液は上面と下面とに沿って良好に濡れ広がる。これにより、機能液が複数の画素のそれぞれの領域の周囲に良好に行き渡るので、複数の画素のそれぞれの領域内全体に機能液をより均一に配置することができる。したがって、機能層の膜厚の均一性を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記バンク部は、前記基体上に形成された第１のバンク層と、前記第１のバンク層上に積層された第２のバンク層と、を含み、前記第２のバンク層は、前記複数の画素のそれぞれの領域の周囲に重なる開口部を有しており、前記第１のバンク層は、前記複数の画素のそれぞれの領域の周囲よりも大きい開口部を有しており、前記第２のバンク層の前記第１のバンク層側の面のうち、前記第１のバンク層に重ならない部分が前記溝部における前記上面をなしていてもよい。

この構成によれば、第１のバンク層の開口部を第２のバンク層の開口部よりも大きく形成することにより、基体と第２のバンク層との間に溝部を容易に形成できる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第２のバンク層は、親液性を有する材料からなっていてもよい。

この構成によれば、第２のバンク層が親液性を有する材料で構成されるので、溝部における上面を親液性にできる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１のバンク層の材料と前記第２のバンク層の材料とをエッチング可能なエッチャントに対して、前記第１のバンク層の材料のエッチングレートは前記第２のバンク層の材料のエッチングレートよりも大きくてもよい。

この構成によれば、同じエッチャントに対して、第１のバンク層がエッチングされる量は第２のバンク層がエッチングされる量よりも多い。これにより、第２のバンク層を等方性エッチングして開口部を形成する際に、第１のバンク層もエッチングして、第１のバンク層の開口部を第２のバンク層の開口部よりも大きく形成できる。

［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記第１のバンク層は金属材料からなり、前記第２のバンク層は無機材料からなっていてもよい。

この構成によれば、第１のバンク層の金属材料に適したエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、第１のバンク層の開口部を所望の大きさに容易に形成できる。これにより、溝部において所望の奥行きが容易に得られる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記バンク部は、前記第２のバンク層上に積層された第３のバンク層をさらに含み、前記第３のバンク層は、前記第２のバンク層の前記開口部に重なる開口部を有しており、有機材料からなっていてもよい。

この構成によれば、第２のバンク層上に有機材料からなる第３のバンク層を積層することにより、バンク部を厚くできる。これにより、機能液がバンク部から溢れるのを防止できる。

［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記溝部における前記下面は、前記基体の表面に備えられた第１の電極であり、前記機能層は、有機発光層を含む有機機能層であり、前記有機機能層上に第２の電極を備えていてもよい。

この構成によれば、複数の画素のそれぞれの領域において有機機能層の膜厚の均一性が向上するので、表示ムラのない有機ＥＬ装置を提供できる。

［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置であって、前記溝部における前記下面は前記基体であり、前記機能層は、所定の色光を選択的に透過する着色層であってもよい。

この構成によれば、複数の画素のそれぞれの領域において着色層の膜厚の均一性が向上するので、色ムラのないカラーフィルタを備えた電気光学装置を提供できる。

［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は表示ムラのない有機エレクトロルミネセンス装置または色ムラのないカラーフィルタを備えているので、優れた表示品質を有する電子機器を提供できる。

以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の膜厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。

（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の回路構成図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の各画素の駆動部分を示す部分平面図である。図４は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の各画素のバンク部を示す部分平面図である。図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図３および図４のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図である。なお、それぞれの図面において、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

有機ＥＬ装置１００は、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された複数の画素２とを有している。画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、間隔を置いてマトリクス状に配置されている。画素２は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの表示に寄与し、それぞれの色に対応して画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂと呼ぶ（対応する色について区別しない場合には単に画素２と呼ぶ）。なお、Ｘ軸は画素２の行方向を示し、Ｙ軸は画素２の列方向を示している。

画素２は、有機エレクトロルミネセンス素子（以下有機ＥＬ素子と呼ぶ）６を表示素子として備えており、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに発光する有機ＥＬ素子６Ｒ，６Ｇ，６Ｂにより得られた光を表示光として出力するようになっている。画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから画素群４が構成されている。有機ＥＬ装置１００では、画素群４において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。

基板１０上には、バンク部３０が設けられている。バンク部３０は、平面視ほぼ格子状に形成されており、画素２のそれぞれの領域２ａを区画している。画素２の領域２ａは、例えば四隅が丸い四角形である。画素２の領域２ａは、円形、長円形、またはその他の形状であってもよい。

次に、図２を参照して、有機ＥＬ装置１００の回路構成を説明する。図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に画素２のそれぞれに対応して設けられた、スイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１と、駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、第１の電極としての画素電極２８と、第２の電極としての共通電極４６と、有機機能層４０と、を備えている。画素電極２８と、共通電極４６と、有機機能層４０と、によって有機ＥＬ素子６が構成される。有機ＥＬ素子６において、画素電極２８が陽極であり、共通電極４６が陰極である。

基板１０上には、さらに、データ線駆動回路１４と、走査線駆動回路１５と、Ｘ軸の方向に沿って延びる複数の走査線１６と、Ｙ軸の方向に沿って延びる複数の信号線１７と、信号線１７に並列に延びる複数の電源線１８と、が設けられている。なお、図１と同様に、Ｘ軸は画素２の行方向を示し、Ｙ軸は画素２の列方向を示している。走査線駆動回路１５には走査線１６が接続されており、走査線１６を介して走査信号がスイッチング用ＴＦＴ１１のゲート電極に供給される。

一方、データ線駆動回路１４には信号線１７が接続されており、スイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、この保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したとき、電源線１８から画素電極２８に駆動電流が流れ、さらに有機機能層４０を通じて共通電極４６に電流が流れる。有機機能層４０は、画素電極２８と共通電極４６との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。

次に、図３、図４、および図５を参照して、有機ＥＬ装置１００の構造を説明する。図３に示すように、画素電極２８は平面視略矩形状である。画素電極２８は、画素２のそれぞれに対応して設けられており、画素２の領域２ａよりも大きな領域を有している。画素電極２８の四辺は、信号線１７と、電源線１８と、走査線１６と、他の画素電極２８用の走査線（図示しない）によって囲まれている。駆動用ＴＦＴ１２は、画素２のそれぞれに対応して設けられており、画素２の領域２ａに重ならないように配置されている。

図５に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２５，２６と、画素電極２８と、バンク部３０と、有機機能層４０と、共通電極４６と、を備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層４０から発した光が基板１０側に射出されるボトムエミッション方式である。

本実施形態においては、基板１０と、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２５，２６と、画素電極２８とで基体８が構成される。基板１０は、透光性を有する材料からなる。透光性を有する材料としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えばＳｉＯ₂等からなる保護層に覆われていてもよい。

駆動用ＴＦＴ１２は、基板１０上に設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜２０と、ゲート絶縁層２１と、ゲート電極２２と、ドレイン電極２３と、ソース電極２４と、を備えている。半導体膜２０には、図示しないが、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、が形成されている。半導体膜２０は、ゲート絶縁層２１に覆われている。ゲート電極２２は、ゲート絶縁層２１を間に挟んで半導体膜２０のチャネル領域に重なるように位置している。

層間絶縁層２５は、ゲート絶縁層２１とゲート電極２２とを覆っている。ドレイン電極２３とソース電極２４とは、層間絶縁層２５上に配置されている。ドレイン電極２３は、層間絶縁層２５に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜２０のドレイン領域に導電接続されている。ソース電極２４は、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜２０のソース領域に導電接続されている。

層間絶縁層２６は、層間絶縁層２５上に配置され、ドレイン電極２３とソース電極２４とを覆っている。画素電極２８は、層間絶縁層２６上に位置している。画素電極２８は、透光性導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。画素電極２８は、層間絶縁層２６に設けられたコンタクトホールを介してドレイン電極２３に導電接続されている。これにより、画素電極２８は駆動用ＴＦＴ１２に電気的に接続されている。画素電極２８の表面には、Ｏ₂プラズマ処理等の親液化処理が施されていてもよい。

バンク部３０は、基体８上に設けられている。バンク部３０は、第１のバンク層としての無機バンク層３２と、第２のバンク層としての無機バンク層３４と、第３のバンク層としての有機バンク層３６との３層で構成される。バンク部３０の側面には、基体８の上面（画素電極２８の表面）に沿う方向に溝部３８が形成されている。

無機バンク層３２は、層間絶縁層２６と画素電極２８との上に形成されている。無機バンク層３２は、画素電極２８の周縁部に乗り上げており、画素電極２８上に位置する開口部３２ａを有している。無機バンク層３２は、ある同一のエッチャント（例えばフッ酸溶液）に対して、無機バンク層３４の材料よりもエッチングレートが大きい無機材料からなる。無機バンク層３２の材料は、例えばＳｉＮである。

無機バンク層３４は、無機バンク層３２上に積層されている。無機バンク層３４は、画素電極２８上に位置する開口部３４ａを有している。無機バンク層３４は、ある同一のエッチャント（例えばフッ酸溶液）に対して、無機バンク層３２の材料よりもエッチングレートが小さい無機材料からなる。無機バンク層３４の材料は、例えばＳｉＯ₂である。ＳｉＯ₂は液体材料に対する親和性（親液性）が高いので、無機バンク層３４の材料がＳｉＯ₂であると、バンク部３０内に配置された機能液を無機バンク層３４の表面に沿って良好に濡れ広がらせることができる。無機バンク層３４の表面には、Ｏ₂プラズマ処理等の親液化処理が施されていてもよい。

有機バンク層３６は、無機バンク層３４上に積層されている。有機バンク層３６は、画素電極２８上に位置し断面視テーパ状の開口部３６ａを有している。有機バンク層３６は、有機材料からなり、例えばアクリル樹脂からなる。有機バンク層３６の材料は、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料、ポリシラザン、ポリシロキサン等を含有した有機・無機ハイブリッド材料等であってもよい。有機バンク層３６の層厚は、例えば１μｍ〜２μｍ程度である。有機バンク層３６を積層することでバンク部３０が厚くなるので、バンク部３０内に配置された機能液がバンク部３０から溢れるのを防止できる。

また、有機バンク層３６の表面には、撥液化処理が施されていてもよい。有機バンク層３６の表面に撥液化処理が施されていると、バンク部３０内に配置された機能液に対して非親和性（撥液性）を示す。これにより、画素２の領域２ａを区画する仕切部材としての機能を良好に果たすことができる。撥液化処理に代えて、有機バンク層３６の材料自体に予めフッ素基等の撥液成分を充填しておいてもよい。

ここで、バンク部３０および溝部３８の平面構造を、図４を参照して説明する。無機バンク層３４の開口部３４ａと、有機バンク層３６の開口部３６ａの内周３６ｂとは、ともに画素２の領域２ａの周囲に重なっている。換言すれば、画素２の領域２ａは、開口部３６ａの内周３６ｂおよび開口部３４ａによって規定されている。無機バンク層３２の開口部３２ａは、画素２の領域２ａの周囲よりも大きく、画素電極２８の領域よりも小さい。溝部３８は、画素２の領域２ａの周囲を囲んでいる。溝部３８は、平面視で画素２の領域２ａの周囲と無機バンク層３２の開口部３２ａとの間の領域に配置されている。

図５に戻って、溝部３８は、画素電極２８の表面と、無機バンク層３２の開口部３２ａと、無機バンク層３４の無機バンク層３２側の面とで構成される。無機バンク層３４の無機バンク層３２側の面のうち無機バンク層３２に重ならない部分が、溝部３８における上面３８ａである。上面３８ａは、ＳｉＯ₂からなる無機バンク層３４の表面であるので、親液性を有している。画素電極２８の表面のうち平面視で上面３８ａに重なる部分が、溝部３８における下面３８ｂである。下面３８ｂは、ＩＴＯからなる画素電極２８の表面であるので、親液性を有している。下面３８ｂに対する上面３８ａの高さは、無機バンク層３２の層厚と同じである。

有機機能層４０は、バンク部３０により区画された画素２の領域２ａに形成され、画素電極２８上に位置している。有機機能層４０は、画素電極２８側において、溝部３８に入り込んで形成されている。有機機能層４０は、順に積層された正孔注入輸送層４２と発光層４４とで構成されている。有機機能層４０では、正孔注入輸送層４２から注入される正孔と、共通電極４６から注入される電子と、が発光層４４で再結合することにより発光が得られる。発光層４４は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかに発光する。

正孔注入輸送層４２の材料としては、ポリマー前駆体がポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム、ポリスチレンスルフォン酸、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。

発光層４４の材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料である、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）や、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系等を用いることができる。また、これらの発光材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いてもよい。

共通電極４６は、バンク部３０と有機機能層４０とを覆うように形成されている。共通電極４６は、図示しないが、例えば、ＬｉＦ層とＡｌ層とが順に積層され構成されている。この構成により、共通電極４６は電子注入層および反射層を兼ねている。共通電極４６上には、陰極保護層が形成されていてもよい。陰極保護層の材料としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等を用いることができる。陰極保護層が形成されていると、製造工程中で共通電極４６への酸素等の侵入を抑え、共通電極４６が腐食されるのを防止することができる。

共通電極４６は、封止層４８に覆われている。封止層４８は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等からなり、さらにガラス、金属、樹脂フィルム、プラスチック、その他の封止部材を積層接着してもよい。

本実施形態の有機ＥＬ装置１００においては、有機機能層４０から基板１０側に発した光が基板１０側に射出されるとともに、有機機能層４０から共通電極４６側に発した光が共通電極４６により反射されて、基板１０側に射出される。

なお、有機ＥＬ装置１００は、有機機能層４０から発した光が封止層４８側に射出されるトップエミッション方式の有機ＥＬ装置であってもよい。有機ＥＬ装置１００がトップエミッション方式である場合、基板１０は透明な材料および不透明な材料のいずれを用いてもよい。駆動用ＴＦＴ１２は、画素２の領域２ａに重なっていてもよい。また、トップエミッション方式である場合、共通電極４６には透光性を有する導電材料が用いられ、封止層４８には透光性を有する材料が用いられる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図６、図７、および図８は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。なお、以下の説明では、有機機能層４０を液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成する場合を例に説明する。ただし、以下に示す手順や機能液の材料構成は一例であってこれに限定されるものではない。

まず、図６（ａ）に示すように、基体８を形成する。基体８は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２５，２６と、画素電極２８とを、それぞれ公知の方法を用いて形成することにより得られる。

次に、図６（ｂ）に示すように、層間絶縁層２６と画素電極２８とを覆う無機材料層３２ｆを形成する。無機材料層３２ｆの材料としては、例えばＳｉＮを用いる。続いて、図６（ｃ）に示すように、無機材料層３２ｆを覆う無機材料層３４ｆを形成する。無機材料層３４ｆの材料としては、例えばＳｉＯ₂を用いる。次に、図６（ｄ）に示すように、無機材料層３４ｆを覆う有機材料層３６ｆを形成する。有機材料層３６ｆの材料としては、例えばアクリル樹脂を用いる。有機材料層３６ｆの層厚は、例えば１μｍ〜２μｍ程度にする。

次に、図７（ａ）に示すように、有機材料層３６ｆをフォトリソグラフィ法によりパターニングし、画素２の領域２ａの周囲に重なる部分を開口させる。このとき、有機材料層３６ｆの層厚が厚いため開口部３６ａがテーパ状に形成される。これにより、内周３６ｂが画素２の領域２ａの周囲に重なる開口部３６ａを有する有機バンク層３６が形成される。

ここで、必要に応じて、有機バンク層３６の表面に撥液化処理を施してもよい。撥液化処理の方法として、フッ素系化合物を含むガス（フッ素含有ガス）を処理ガスとしてプラズマ処理する方法を適用することができる。フッ素系化合物を用いることにより、有機バンク層３６の表面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。フッ素系化合物としては、例えばＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃等を用いることができる。

次に、有機バンク層３６をマスクとして、無機材料層３４ｆと無機材料層３２ｆとをパターニングし、それぞれの開口部３６ａに重なる部分を開口させる。ここで、無機材料層３４ｆと無機材料層３２ｆとのパターニングは、エッチャントとしてフッ酸溶液（ＨＦ）を用いたウエットエッチングにより行うことが好ましい。ウエットエッチングを用いることで、無機材料層３４ｆと無機材料層３２ｆとが等方性エッチングされる。なお、無機材料層３４ｆと無機材料層３２ｆとをパターニングする方法は、等方性エッチングであればウエットエッチングに限定されない。

このパターニングにおいては、無機材料層３４ｆに形成される開口部３４ａが開口部３６ａの内周３６ｂにちょうど重なるところでエッチングを停止させる。このとき、無機材料層３２ｆの材料は無機材料層３４ｆの材料よりもエッチングレートが大きいので、無機材料層３２ｆがエッチングされる量は無機材料層３４ｆがエッチングされる量よりも多い。したがって、無機バンク層３２の開口部３２ａは無機バンク層３４の開口部３４ａよりも大きく形成される。

これにより、図７（ｂ）に示すように、開口部３４ａを有する無機バンク層３４と開口部３２ａを有する無機バンク層３２とが形成され、画素電極２８のうち開口部３２ａ内の領域が露出される。また、この結果、画素電極２８の表面と、無機バンク層３２の開口部３２ａと、無機バンク層３４の無機バンク層３２側の面と、で構成される溝部３８が形成される。

溝部３８における奥行き（開口部３４ａに対する開口部３２ａの大きさ）および高さ（無機バンク層３２の層厚）は、後述する機能液４２ａの組成、粘度および配置後の挙動を観察した上で、実験的、理論的、シミュレーション的に設定すればよい。後の工程で、バンク部３０内に配置された機能液４２ａが溝部３８に入り込む際に、溝部３８内にあった空気の少なくとも一部は溝部３８内に押込まれる。したがって、溝部３８において、空気が押込まれても機能液４２ａが十分に入り込めるだけの奥行きを確保することが望ましい。本実施形態においては、無機バンク層３２と無機バンク層３４とのエッチングレートの差の大小により、溝部３８における奥行きを調整可能である。

なお、ウエットエッチングを用いることで、有機機能層４０の塗布むらの原因となる有機バンク層３６の現像残渣や、有機バンク層３６を撥液化処理した際に生じる堆積物等を除去することができる。また、画素電極２８がＩＴＯからなる場合には、その表面をフッ酸溶液で処理することで仕事関数（すなわち正孔注入輸送層４２への正孔注入効率）を調節することができる。

以上により、基体８上に、無機バンク層３２と無機バンク層３４と有機バンク層３６との３層構造からなるバンク部３０が形成される。また、バンク部３０の側面には、基体８の上面（画素電極２８の表面）に沿う方向に、画素２の領域２ａの周囲を囲む溝部３８が形成される。有機バンク層３６の開口部３６ａと無機バンク層３４の開口部３４ａと無機バンク層３２の開口部３２ａとは互いに連通し、画素電極２８は開口部３２ａ内において露出した状態となっている。

次に、図８（ａ）に示すように、正孔注入輸送層４２を形成するための機能液４２ａを液滴吐出ヘッド（図示しない）から吐出し、バンク部３０により区画された画素２の領域２ａに配置する。この機能液４２ａは、正孔注入輸送層４２の形成材料および溶媒を含む。機能液４２ａが基体８上のバンク部３０内に配置されると、機能液４２ａは流動性が高いため水平方向に広がろうとする。バンク部３０の最上層は有機バンク層３６であるので、機能液４２ａは有機バンク層３６を越えてその外側に広がらない。

一方、バンク部３０の側面に溝部３８が形成されているので、機能液４２ａは毛細管現象によって溝部３８に入り込む。このとき、溝部３８において上面３８ａと下面３８ｂとがともに親液性を有しているので、機能液は上面３８ａと下面３８ｂとに沿って良好に濡れ広がる。これにより、機能液４２ａが画素２の領域２ａの周囲に良好に行き渡るので、画素２の領域２ａ内全体に機能液４２ａをより均一に配置することができる。

続いて、加熱あるいは光照射により機能液４２ａの溶媒を蒸発させて、基体８上に正孔注入輸送層４２を形成する。機能液４２ａの溶媒を蒸発させる方法は、大気環境下または窒素ガス雰囲気下において所定温度および時間（例えば２００℃、１０分）焼成してもよいし、大気圧より低い圧力環境下（減圧環境下）に放置することで溶媒を除去してもよい。本実施形態では、機能液４２ａが画素２の領域２ａ内全体に均一に配置されているので、形成される正孔注入輸送層４２の膜厚の均一性を向上させることができる。正孔注入輸送層４２の膜厚の均一性が向上するので、正孔注入輸送層４２の表面の平坦性も向上する。

次に、図８（ｂ）に示すように、発光層４４を形成するための機能液４４ａを液滴吐出ヘッドから吐出し、バンク部３０内の正孔注入輸送層４２上に配置する。機能液４４ａは、発光層４４の形成材料および溶媒を含む。機能液４４ａは、赤色の発色光を発光する材料を含む機能液、緑色の発色光を発光する材料を含む機能液、青色の発色光を発光する材料を含む機能液のいずれかを、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ（図１参照）に対応して配置する。

続いて、図８（ｃ）に示すように、機能液４４ａの溶媒を蒸発させて、正孔注入輸送層４２上に発光層４４を形成する。正孔注入輸送層４２の表面が良好に平坦化されているので、その上に形成される発光層４４の膜厚の均一性を向上させることができる。以上により、基体８上に有機機能層４０が形成される。

次に、図５に示すように、バンク部３０と有機機能層４０とを覆うように共通電極４６を形成する。共通電極４６を形成する方法は、例えば蒸着法を適用する。次に、共通電極４６上に封止層４８を形成する。以上により、有機ＥＬ装置１００を製造することができる。

上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。

（１）バンク部３０の側面に、上面３８ａと下面３８ｂとがともに親液性を有する溝部３８が形成されている。このため、バンク部３０で囲まれた画素２の領域２ａに機能液４２ａを配置すると、機能液４２ａは毛細管現象によって溝部３８に入り込み上面３８ａと下面３８ｂとに沿って良好に濡れ広がる。機能液４２ａが画素２の領域２ａの周囲に良好に行き渡り領域２ａ内全体に均一に配置されるので、形成される正孔注入輸送層４２の膜厚の均一性が向上し、正孔注入輸送層４２の表面の平坦性も向上する。これにより、その上に形成される発光層４４の膜厚の均一性が向上する。したがって、画素２の領域２ａのそれぞれにおいて有機機能層４０の膜厚の均一性が向上するので、表示ムラのない有機ＥＬ装置１００を提供できる。

（２）無機材料層３２ｆの材料は無機材料層３４ｆの材料よりもエッチングレートが大きいので、同じエッチング工程において、無機バンク層３２の開口部３２ａが無機バンク層３４の開口部３４ａよりも大きく形成される。これにより、溝部３８を容易に形成できる。また、無機バンク層３４が親液性を有する無機材料で構成されるので、溝部３８における上面３８ａを親液性にできる。

（３）無機バンク層３４上に有機バンク層３６を積層することにより、バンク部３０を厚くでき、機能液４２ａ，４４ａがバンク部３０から溢れるのを防止できる。

（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図９は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、バンク部５０が無機バンク層３２の代わりに金属バンク層５２を備えている点が異なっているが、その他の構成は同じである。

バンク部５０は、基体８上に位置している。バンク部５０は、金属バンク層５２と、無機バンク層３４と、有機バンク層３６との３層で構成される。バンク部５０の側面には、溝部３８が形成されている。

金属バンク層５２は、層間絶縁層２６と画素電極２８との上に形成されている。金属バンク層５２は、画素電極２８の周縁部に乗り上げており、画素電極２８上に位置する開口部５２ａを有している。開口部５２ａは、画素２の領域２ａの周囲よりも大きく、画素電極２８の領域よりも小さい。金属バンク層５２は、図示しないが、画素２毎に分断されている。金属バンク層５２は、例えばアルミニウムからなる。金属バンク層５２の材料は、アルミニウムネオジウム合金、アルミニウム銅合金、モリブデン、クロム等であってもよい。

無機バンク層３４は、金属バンク層５２上に積層されている。溝部３８は、平面視で、画素２の領域２ａの周囲と金属バンク層５２の開口部５２ａとの間の領域に配置されている。溝部３８は、画素電極２８の表面と、金属バンク層５２の開口部５２ａと、無機バンク層３４の金属バンク層５２側の面とで構成される。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図１０は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。

図１０（ａ）に示すように、基体８上に、層間絶縁層２６と画素電極２８とを覆う金属材料層５２ｆを形成する。金属材料層５２ｆの材料としては、例えばアルミニウムを用いる。続いて、金属材料層５２ｆを覆う無機材料層３４ｆを形成する。次に、無機材料層３４ｆを覆う有機材料層を形成してパターニングし、開口部３６ａを有する有機バンク層３６を形成する。このパターニングにおいては、Ｘ軸方向およびＹ軸方向における互いに隣り合う画素２同士の間（図１参照）も開口させる。互いに隣り合う画素２同士の間を開口させるのは、金属バンク層５２を画素２毎に分断するためである。

次に、図１０（ｂ）に示すように、有機バンク層３６をマスクとして、例えばフッ酸溶液を用いたウエットエッチングにより無機材料層３４ｆをパターニングする。このパターニングにおいては、無機材料層３４ｆに形成される開口部３４ａが開口部３６ａの内周３６ｂにちょうど重なるところでエッチングを停止させる。これにより、開口部３４ａを有し、互いに隣り合う画素２同士の間が開口された（図示しない）無機バンク層３４が形成される。無機材料層３４ｆのパターニングは、ドライエッチングを用いてもよい。

次に、有機バンク層３６および無機バンク層３４をマスクとして、例えばウエットエッチングにより金属材料層５２ｆをパターニングする。金属材料層５２ｆの材料がアルミニウム、アルミニウムネオジウム合金、アルミニウム銅合金、またはモリブデンである場合は、エッチャントとしてリン酸、酢酸、硝酸水溶液の混合液を用いることができる。また、金属材料層５２ｆの材料がクロムである場合は、エッチャントとして硝酸、硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液の混合液を用いることができる。これにより、金属材料層５２ｆが選択的にエッチングされる。なお、金属材料層５２ｆをパターニングする方法は、等方性エッチングであればウエットエッチングに限定されない。

このパターニングにおいては、図１０（ｃ）に示すように、金属材料層５２ｆに形成される開口部５２ａが開口部３６ａの内周３６ｂに対して所望の大きさになるところ、すなわち溝部３８において所望の奥行きが得られるところでエッチングを停止させる。これにより、開口部５２ａを有する金属バンク層５２が形成され、画素電極２８のうち開口部５２ａ内の領域が露出される。金属バンク層５２は、互いに隣り合う画素２同士の間が開口され（図示しない）、画素２毎に分断される。また、この結果、画素電極２８の表面と、金属バンク層５２の開口部５２ａと、無機バンク層３４の金属バンク層５２側の面と、で構成される溝部３８が形成される。

上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。

（１）バンク部５０の側面に溝部３８が形成されているため、バンク部５０で囲まれた画素２の領域２ａに機能液４２ａを配置すると、機能液４２ａが画素２の領域２ａの周囲に良好に行き渡る。機能液４２ａが画素２の領域２ａ内全体に均一に配置されるので、形成される正孔注入輸送層４２の膜厚の均一性が向上し、正孔注入輸送層４２の表面の平坦性も向上する。これにより、その上に形成される発光層４４の膜厚の均一性が向上する。したがって、画素２の領域２ａのそれぞれにおいて有機機能層４０の膜厚の均一性が向上するので、表示ムラのない有機ＥＬ装置２００を提供できる。

（２）金属バンク層５２の金属材料に適したエッチャントを用いて選択的にエッチングすることにより、金属バンク層５２の開口部５２ａを所望の大きさに容易に形成できる。これにより、溝部３８において所望の奥行きが容易に得られる。

（第３の実施形態）
＜液晶装置＞
次に、第３の実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構成について図を参照して説明する。図１１は、第３の実施形態に係る液晶装置を示す平面図である。図１２は、第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図１１のＢ−Ｂ’線に沿った部分断面図である。なお、それぞれの図面において、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。

第３の実施形態に係る液晶装置３００は、図１２に示すように、素子基板９と、カラーフィルタ基板７０と、素子基板９とカラーフィルタ基板７０との間に位置する液晶層８０と、を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置である。本実施形態では、カラーフィルタ基板７０が、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００のバンク部３０と同様の構成を有するバンク部６０を備えている。

図１１に示すように、素子基板９およびカラーフィルタ基板７０上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの表示に寄与する画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ（対応する色について区別しない場合には単に画素３と呼ぶ）が複数配置されている。画素３は、液晶装置３００の表示の最小単位であり、間隔を置いてマトリクス状に配置されている。なお、Ｘ軸は画素３の行方向を示し、Ｙ軸は画素３の列方向を示している。画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂから画素群５が構成されている。液晶装置３００では、画素群５において画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂのそれぞれの表示の輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。

カラーフィルタ基板７０には、バンク部６０が設けられている。バンク部６０は、平面視ほぼ格子状に形成されており、画素３のそれぞれの領域を区画している。画素３の領域は、例えば四角形である。

次に、図１２を参照して、液晶装置３００の構造を説明する。素子基板９は、基板１０と駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２５，２６と画素電極２８とを備えている。基板１０は、透光性を有する材料からなる。基板１０上には、複数の駆動用ＴＦＴ１２を含む層間絶縁層２５，２６が設けられている。層間絶縁層２６上には、駆動用ＴＦＴ１２のそれぞれに接続された複数の画素電極２８が設けられている。画素電極２８は、例えばＩＴＯからなる。

カラーフィルタ基板７０は、基体としての基板７２と、バンク部６０と、着色層７４と、オーバーコート層７６と、を備えている。基板７２は、透光性を有する材料からなり、例えばガラスからなる。

バンク部６０は、基板７２の液晶層８０側に設けられている。バンク部６０は、第１のバンク層としての無機バンク層６２と、第２のバンク層としての無機バンク層６４と、第３のバンク層としての有機バンク層６６との３層で構成される。バンク部６０の側面には、基板７２の液晶層８０側の面に沿う方向に溝部６８が形成されている。基板７２とバンク部６０との間に、バンク部６０に重なるように遮光層が設けられていてもよい。

無機バンク層６２は、基板７２上に形成されている。無機バンク層６２は、無機バンク層６４の材料よりもエッチングレートが大きい材料からなる。無機バンク層６２の材料は、例えばＳｉＮである。無機バンク層６４は、無機バンク層６２上に積層されている。無機バンク層６４は、無機バンク層６２の材料よりもエッチングレートが小さい材料からなる。無機バンク層６４の材料は、例えばＳｉＯ₂である。有機バンク層６６は、無機バンク層６４上に積層されている。有機バンク層６６は、例えばアクリル樹脂からなる。

無機バンク層６２と無機バンク層６４と有機バンク層６６とは、画素３に対応する開口部を有している。無機バンク層６４の開口部と有機バンク層６６の開口部の内周とは、ともに画素３の領域の周囲に重なっている。無機バンク層６２の開口部は、画素３の領域の周囲よりも大きい。溝部６８は、画素３の領域の周囲を囲んでいる。溝部６８は、平面視で、画素３の領域の周囲と無機バンク層６２の開口部との間の領域に配置されている。

溝部６８は、基板７２の表面と、無機バンク層６２の開口部と、無機バンク層６４の無機バンク層６２側の面とで構成される。溝部６８において、基板７２側から見た上面６８ａは、ＳｉＯ₂からなる無機バンク層６４の表面であるので親液性を有している。溝部６８において、下面６８ｂはガラスからなる基板７２の表面であるので親液性を有している。

着色層７４は、バンク部６０により区画された画素３の領域に形成されている。着色層７４は、基板７２側において、溝部６８に入り込んで形成されている。Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色光を選択的に透過する着色層７４Ｒ，７４Ｇ，７４Ｂ（対応する色について区別しない場合には単に着色層７４と呼ぶ）と、３つの画素電極２８との組み合わせにより、３色の画素３Ｒ，３Ｇ，３Ｂがそれぞれ構成される。

オーバーコート層７６は、バンク部６０と着色層７４とを覆うように形成されている。オーバーコート層７６上には、共通電極７８が形成されている。共通電極７８は、例えばＩＴＯからなる。

液晶層８０は、素子基板９とカラーフィルタ基板７０との間に位置している。素子基板９の液晶層８０に接する側には、図示しないが、層間絶縁層２６と画素電極２８とを覆うように配向膜が形成されている。カラーフィルタ基板７０の液晶層８０に接する側には、図示しないが、共通電極７８を覆うように配向膜が形成されている。液晶層８０は、これらの配向膜に施された配向処理によって配向方向が規制されている。また、図示しないが、素子基板９の液晶層８０と反対側およびカラーフィルタ基板７０の液晶層８０と反対側には、それぞれ偏光板が配置されている。

本実施形態の液晶装置３００が備えるカラーフィルタ基板７０を形成する方法として、第１の実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を適用することができる。有機ＥＬ装置の製造方法を適用してカラーフィルタ基板７０を形成する場合は、バンク部３０および溝部３８を形成する方法と同様にして、バンク部６０と溝部６８を形成すればよい。また、機能液４２ａ，４４ａの代わりに、所定の色光（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のいずれか）の着色層形成材料を含む機能液を用いればよい。

上記第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。

（１）バンク部６０の側面に溝部６８が形成されているため、バンク部６０で囲まれた画素３の領域に着色層形成材料を配置すると、着色層形成材料が画素３の領域の周囲に良好に行き渡り、画素３の領域内全体に均一に配置されるので、形成される着色層７４の膜厚の均一性が向上する。画素３の領域に形成される着色層７４の膜厚の均一性が向上するので、色ムラのないカラーフィルタ基板７０を備えた液晶装置３００を提供できる。

なお、カラーフィルタ基板７０のバンク部６０は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００のバンク部５０と同様の構成を有していてもよい。このような構成によれば、カラーフィルタ基板７０において、第２の実施形態と同様の効果が得られる。

以上、電気光学装置について説明したが、本電気光学装置でいう画素とは、画素自体が直接画像を形成する場合の他、画素が間接的に画像を形成するための単位素子を含むものとする。これによれば、本電気光学装置は、例えば電子写真方式の画像形成装置等に用いる露光ヘッドも含まれる。

＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００、および液晶装置３００は、例えば、図１３に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００、または液晶装置３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は優れた表示品質を有している。

また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置等であってもよい。さらに、有機ＥＬ装置１００，２００は、電子機器としてのラインプリンタの露光手段として用いることも可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。

（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００、および液晶装置３００において、バンク部３０，５０，６０は３層のバンク層が積層され構成されていたが、この形態に限定されない。バンク部は、２層のバンク層で構成されていてもよいし、１層のバンク層で構成されていてもよい。バンク部に形成された溝部において、上面が撥液性を有する場合は、上面となるバンク層の基体側の面に親液化処理を施せばよい。

（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００において、有機機能層４０は正孔注入輸送層４２と発光層４４とで構成されていたが、この形態に限定されない。有機機能層は、発光層を含む３層以上の機能層で構成されていてもよい。

（変形例３）
上記実施形態の有機ＥＬ装置１００，２００において、発光層４４はＲ、Ｇ、Ｂのいずれかに発光する構成であったが、この形態に限定されない。発光層は、白色に発光する構成であってもよい。発光層が白色に発光する構成である場合、第３の実施形態のカラーフィルタ基板７０と組み合わせて、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色が得られる構成としてもよい。

（変形例４）
第３の実施形態の液晶装置３００は、ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置３００は、例えば、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式の液晶装置、ＶＡ（Vertical Alignment）方式の液晶装置であってもよい。

第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の回路構成図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の各画素の駆動部分を示す部分平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の各画素のバンク部を示す部分平面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。 第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。 第３の実施形態に係る液晶装置を示す平面図。 第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す断面図。 本実施の形態における電子機器を示す図。

符号の説明

２…画素、２ａ…領域、３…画素、４…画素群、５…画素群、６…有機ＥＬ素子、８…基体、９…素子基板、１０…基板、１１…スイッチング用ＴＦＴ、１２…駆動用ＴＦＴ、１３…保持容量、１４…データ線駆動回路、１５…走査線駆動回路、１６…走査線、１７…信号線、１８…電源線、２０…半導体膜、２１…ゲート絶縁層、２２…ゲート電極、２３…ドレイン電極、２４…ソース電極、２５，２６…層間絶縁層、２８…画素電極、３０…バンク部、３２…無機バンク層、３２ａ…開口部、３２ｆ…無機材料層、３４…無機バンク層、３４ａ…開口部、３４ｆ…無機材料層、３６…有機バンク層、３６ａ…開口部、３６ｂ…内周、３６ｆ…有機材料層、３８…溝部、３８ａ…上面、３８ｂ…下面、４０…有機機能層、４２…正孔注入輸送層、４２ａ…機能液、４４…発光層、４４ａ…機能液、４６…共通電極、４８…封止層、５０…バンク部、５２…金属バンク層、５２ａ…開口部、５２ｆ…金属材料層、６０…バンク部、６２…無機バンク層、６４…無機バンク層、６６…有機バンク層、６８…溝部、７０…カラーフィルタ基板、７２…基板、７４…着色層、７６…オーバーコート層、７８…共通電極、８０…液晶層、１００，２００…有機ＥＬ装置、３００…液晶装置、５００…携帯電話機、５０２…表示部。

Claims (9)

1. 基体と、
   前記基体上に配置された複数の画素と、
   前記基体上に設けられており、前記複数の画素のそれぞれの領域を区画するバンク部と、
   前記バンク部の側面に前記基体の上面に沿う方向に形成されており、前記複数の画素のそれぞれの領域の周囲を囲む溝部と、
   前記バンク部により区画された領域に機能液を配置することにより、前記基体上に形成された機能層と、を備え、
   前記溝部における上面と下面とが親液性を有していることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記バンク部は、前記基体上に形成された第１のバンク層と、前記第１のバンク層上に積層された第２のバンク層と、を含み、
   前記第２のバンク層は、前記複数の画素のそれぞれの領域の周囲に重なる開口部を有しており、
   前記第１のバンク層は、前記複数の画素のそれぞれの領域の周囲よりも大きい開口部を有しており、
   前記第２のバンク層の前記第１のバンク層側の面のうち、前記第１のバンク層に重ならない部分が前記溝部における前記上面をなしていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記第２のバンク層は、親液性を有する材料からなることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項２または３に記載の電気光学装置であって、
   前記第１のバンク層の材料と前記第２のバンク層の材料とをエッチング可能なエッチャントに対して、前記第１のバンク層の材料のエッチングレートは前記第２のバンク層の材料のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項２または３に記載の電気光学装置であって、
   前記第１のバンク層は金属材料からなり、
   前記第２のバンク層は無機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項２から５のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
   前記バンク部は、前記第２のバンク層上に積層された第３のバンク層をさらに含み、
   前記第３のバンク層は、前記第２のバンク層の前記開口部に重なる開口部を有しており、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
   前記溝部における前記下面は、前記基体の表面に備えられた第１の電極であり、
   前記機能層は、有機発光層を含む有機機能層であり、
   前記有機機能層上に第２の電極を備えていることを特徴とする電気光学装置。
8. 請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置であって、
   前記溝部における前記下面は前記基体であり、
   前記機能層は、所定の色光を選択的に透過する着色層であることを特徴とする電気光学装置。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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