JP4241670B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents
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Description
の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数のダミー画素が配置され
たダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ダミー領域は
前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、前記複数の表示画素の各々は、表示に寄
与するTFTと電気的に接続されており、前記複数のダミー画素の各々は、前記TFTと
電気的に接続されておらず、前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々
は、マスクを用いた蒸着法によって形成された有機エレクトロルミネッセンス層を有する
ことを特徴とする。
る複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数のダミー画素が配
置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ダミー
領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、前記複数の表示画素の各々及び前
記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法によって形成された有機エレクトロ
ルミネッセンス層を有し、前記複数の表示画素は各々電極を有し、かつ前記表示画素の各
々は隔壁によって互いに仕切られ、前記複数の表示画素の各々が有する前記有機エレクト
ロルミネッセンス層は、前記電極上に形成され、前記複数のダミー画素の各々が有する前
記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記隔壁と同一材料が延設された層上に形成され
ていることを特徴とする。
る複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数のダミー画素が配
置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ダミー
領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、前記複数の表示画素の各々及び前
記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法によって形成された有機エレクトロ
ルミネッセンス層を有し、前記複数の表示画素は各々電極を有し、かつ前記表示画素の各
々は隔壁によって互いに仕切られ、前記隔壁は前記電極を露出する第1開口部を有する第
1隔壁と、前記第1隔壁上に形成され、前記電極及び前記第1隔壁の一部を露出する第2
開口部を有する第2隔壁とを有し、前記複数の表示画素の各々が有する前記有機エレクト
ロルミネッセンス層は、前記電極上に形成され、前記複数のダミー画素の各々が有する前
記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記第1隔壁と同一材料が延設された層上であっ
て、前記第2隔壁と同一材料が延設された層に形成された前記第2開口部と同一の形状を
有する第3開口部の内部に形成されていることを特徴とする。
る複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数のダミー画素が配
置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記ダミー
領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、前記複数の表示画素の各々及び前
記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法によって形成された有機エレクトロ
ルミネッセンス層を有し、基板と、前記基板上に形成された回路素子部とをさらに有し、
前記複数の表示画素は各々前記回路素子部上に形成された電極を有し、かつ前記表示 画
素の各々は隔壁によって互いに仕切られ、前記隔壁は前記電極を露出する第1開口部を有
する第1隔壁と、前記第1隔壁上に形成され、前記電極及び前記第1隔壁の一部を露出す
る第2開口部を有する第2隔壁とを有し、前記複数の表示画素の各々が有する前記有機エ
レクトロルミネッセンス層は、前記電極上に形成され、前記複数のダミー画素の各々が有
する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記回路素子部上であって、前記第2隔壁
と同一材料が延設された層に形成された前記第2開口部と同一の形状を有する第3開口部
の内部に形成されていることを特徴とする。
本実施例に用いた基板は、直径30μm径の円形画素が、X、Y方向ともに70.5μmピッチで配置された2インチTFT基板である。このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。図3(A)にTFT基板右端側の一部の断面図(X方向)を示す。回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、この透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。SiO2バンク28はTEOS(tetraethylorthosilicate)をCVDで150nm形成しフォトエッチングでパターン形成される。更にその上に感光性ポリイミドを塗布し、露光、現像により、膜厚2μmのポリイミドバンク29が形成される。なお、このバンクを形成する材料は、非感光性材料を用いてもよい。
本実施例では、図4に示すように、実施例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例では、実施例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。図5(A)に示すように、このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例では、実施例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。図6(A)に示すように、このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例では、実施例1と同様に、有効光学領域Aの周囲にダミー領域Bを配置したTFT基板を用いた。図7(A)に示すように、このTFT基板は、ガラス基板25と、このガラス基板25上に形成されたTFT26を有する回路素子部26 ’とから構成されている。また回路素子部26 ’上にITOからなる透明電極27が形成され、更にこの透明電極27を仕切るようにSiO2バンク28及びポリイミドバンク29の2層からなるバンクが回路素子部26 ’上に形成されている。このようにして、有効光学領域Aに表示画素42が形成されている。
本実施例に用いた基板の表示画素領域とダミー画素領域の一部を図8(A)に示す。図8(A)は基板の平面図であり、ここではTFT素子は示してない。直径60μmの円形画素50が横(X)方向に80μmピッチで、縦(Y)方向に240μmピッチで配列されている。縦方向ラインの表示画素間には、80μmピッチで60μm径のダミーバンク画素51が有り、有効光学領域の周囲には、同じ形状のダミー画素52が、上下、左右、30ライン分、同じく80μmピッチで形成されている。表示画素は、これまで同様、SiO2バンク53とポリイミドバンク54との積層バンクで区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例1または2と同様である。
本実施例に用いた基板の有効光学領域とダミー領域の一部を図9(A)に示す。図9(A)は基板の平面図であり、ここではTFT素子は示してない。横幅50μm、縦幅200μmの長方(角は丸み)形画素60が横(X)方向に80μmピッチで、縦(Y)方向に290μmピッチで配列されている。横方向の画素間間隔は30μm、縦方向の画素間間隔は90μmである。表示画素60…の周囲には、同じ形状のダミー画素61が、上下、左右、30ライン分、同じく80μm、290μmピッチで形成されている。表示画素60は、これまで同様、SiO262,ポリイミド63の積層バンクにより区画されてなり、画素径、ピッチ以外の基本的な断面構造は、実施例1または2と同様である。
図10(A)に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図10(B)は図10(A)のMM ’線に沿う部分断面図である。図10(A)及び図10(B)に示すように、この基板101は、正孔注入層及び発光層の形成前の基板であり、ガラス基板102上に形成された回路素子部103と、回路素子部103上に形成された発光素子部104とから構成されている。発光素子部104には、後述する表示画素とダミー画素とが設けられており、更に発光素子部104は、表示画素群からなる有効光学領域Aと、有効光学領域Aの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Bとに区画されている。
透明電極108…は第2層間絶縁膜107上に形成されると共に、TFT素子105…に対応する位置に配置されている。なお透明電極108は、平面視において略円形、矩形、あるいは四角が円弧状の矩形などの形状で形成されていればよい。
図12に、本実施例に用いる基板の平面図を示す。図12に示すように、この基板201は、ガラス基板202上に形成された図示略の回路素子部と、この回路素子部上に形成された複数の発光素子部204…とを主体として構成されている。図12の基板201には、16個の発光素子部204…が4列4行のマトリックス状に配置されている。各発光素子部204には、実施例8と同様な図示略の表示画素及びダミー画素が設けられており、更に各発光素子部204…は、表示画素群からなる有効光学領域Aと、有効光学領域Aの周囲に配置されたダミー画素群からなるダミー領域Bとに区画されている。
これにより、有効光学領域Aの全体において、インク組成物の乾燥を均一に行うことができた。
次に、前記の第1〜第9の実施例により製造された有機EL装置のいずれかを備えた電子機器の具体例について説明する。
11 薄膜トランジスタ(TFT)
12、27、108 透明電極
13、28、53、62、109 SiO2バンク
14、29,40、54、63、110、110 ’有機物(ポリイミド)バンク15 有機EL材料インク組成物
16 インクジェットヘッド
17 有機EL薄膜層
26 薄膜トランジスタ(TFT)
30、41,55、64 正孔注入層材料インク組成物
31 正孔注入層
32、56,65 赤色発光材料インク組成物
33、57,66 緑色発光材料インク組成物
34、58,67 青色発光材料インク組成物
35 赤色発光層
36 緑色発光層
37 青色発光層
38 陰極
42 表示画素
43、44 ダミー画素
50 表示画素
51 表示画素領域内ダミー画素
52 表示画素領域外ダミー画素
60 表示画素
61 表示画素領域外ダミー画素
101、201 基板
103 回路素子部
104,204 表示素子部
105 TFT素子
109 ’ SiO2薄膜
111 表示画素
111 ’ダミー画素
131 正孔注入層
135,136,137 発光層
A 有効光学領域
B、D ダミー領域
C 有効光学領域群
Claims (5)
- 表示に関係する複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数の
ダミー画素が配置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であっ
て、
前記ダミー領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、
前記複数の表示画素の各々は、表示に寄与するTFTと電気的に接続されており、
前記複数のダミー画素の各々は、前記TFTと電気的に接続されておらず、
前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法
によって形成された有機エレクトロルミネッセンス層を有することを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス装置。 - 前記複数の表示画素の一部である第1表示画素群と前記複数のダミー画素の一部である
第1ダミー画素群とは同一方向に並んで配列されており、
前記第1表示画素群における隣り合う表示画素間の距離と、前記第1表示画素群及び前
記第1ダミー画素群のうち隣り合う表示画素とダミー画素との間の距離とは略等しいこと
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 表示に関係する複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数の
ダミー画素が配置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であっ
て、
前記ダミー領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、
前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法
によって形成された有機エレクトロルミネッセンス層を有し、
前記複数の表示画素は各々電極を有し、かつ前記表示画素の各々は隔壁によって互いに
仕切られ、
前記複数の表示画素の各々が有する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記電極
上に形成され、
前記複数のダミー画素の各々が有する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記隔
壁と同一材料が延設された層上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス装置。 - 表示に関係する複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数の
ダミー画素が配置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であっ
て、
前記ダミー領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、
前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法
によって形成された有機エレクトロルミネッセンス層を有し、
前記複数の表示画素は各々電極を有し、かつ前記表示画素の各々は隔壁によって互いに
仕切られ、
前記隔壁は前記電極を露出する第1開口部を有する第1隔壁と、前記第1隔壁上に形成
され、前記電極及び前記第1隔壁の一部を露出する第2開口部を有する第2隔壁とを有し
、
前記複数の表示画素の各々が有する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記電極
上に形成され、
前記複数のダミー画素の各々が有する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記第
1隔壁と同一材料が延設された層上であって、前記第2隔壁と同一材料が延設された層に
形成された前記第2開口部と同一の形状を有する第3開口部の内部に形成されていること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 表示に関係する複数の表示画素が配置された有効光学領域と、表示に関係しない複数の
ダミー画素が配置されたダミー領域とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置であっ
て、
前記ダミー領域は前記有効光学領域の周囲を囲うように配置され、
前記複数の表示画素の各々及び前記複数のダミー画素の各々は、マスクを用いた蒸着法
によって形成された有機エレクトロルミネッセンス層を有し、
基板と、前記基板上に形成された回路素子部とをさらに有し、
前記複数の表示画素は各々前記回路素子部上に形成された電極を有し、かつ前記表示
画素の各々は隔壁によって互いに仕切られ、
前記隔壁は前記電極を露出する第1開口部を有する第1隔壁と、前記第1隔壁上に形成
され、前記電極及び前記第1隔壁の一部を露出する第2開口部を有する第2隔壁とを有し
、
前記複数の表示画素の各々が有する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記電極
上に形成され、
前記複数のダミー画素の各々が有する前記有機エレクトロルミネッセンス層は、前記回
路素子部上であって、前記第2隔壁と同一材料が延設された層に形成された前記第2開口
部と同一の形状を有する第3開口部の内部に形成されていることを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス装置。
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