JP2009206503A - 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 - Google Patents
基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009206503A JP2009206503A JP2009009352A JP2009009352A JP2009206503A JP 2009206503 A JP2009206503 A JP 2009206503A JP 2009009352 A JP2009009352 A JP 2009009352A JP 2009009352 A JP2009009352 A JP 2009009352A JP 2009206503 A JP2009206503 A JP 2009206503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- filament
- heating apparatus
- conductive heater
- circumference
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 150
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 45
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000002296 pyrolytic carbon Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Discharge Heating (AREA)
Abstract
【課題】 加熱される基板面上への熱電子の放出が均一になるようにして、基板の加熱時の温度分布を改善すること。
【解決手段】 基板を加熱する導電性ヒータを有する基板加熱装置は、導電性ヒータの内部に配置されて、フィラメント電源と接続して熱電子を発生させるフィラメントと、フィラメントと導電性ヒータとの間で熱電子を加速する加速電源とを備え、フィラメントは、基板と同心の内周円に沿って、所定の間隔で形成される内周部と、内周円と同心であり、内周円よりも大きい直径を有する外周円の周上に所定の間隔で形成される外周部と、内周部の端点と外周部の端点とを接続して形成される領域と、を有する。
【選択図】 図１
【解決手段】 基板を加熱する導電性ヒータを有する基板加熱装置は、導電性ヒータの内部に配置されて、フィラメント電源と接続して熱電子を発生させるフィラメントと、フィラメントと導電性ヒータとの間で熱電子を加速する加速電源とを備え、フィラメントは、基板と同心の内周円に沿って、所定の間隔で形成される内周部と、内周円と同心であり、内周円よりも大きい直径を有する外周円の周上に所定の間隔で形成される外周部と、内周部の端点と外周部の端点とを接続して形成される領域と、を有する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、基板を真空中で急速に加熱する基板加熱装置、加熱処理方法及びその加熱処理方法を用いた半導体デバイスを製造する方法に関する。
半導体製造技術では、半導体基板を急速に加熱及び冷却する工程がしばしば必要になる。特に、炭化珪素（ＳｉＣ）に代表されるワイドバンドギャップ半導体の活性化アニールには、２０００℃程度の高温が必要とされている。
そこで、従来、真空下の容器内に配置されたシングルループ状又は多重コイル状のフィラメントから熱電子を発生させ、その熱電子を衝突させることで発熱させる電子衝撃加熱装置が提案されている。
通常、電子衝撃加熱装置では、フィラメントとアニールの対象である基板が配置される導電性ヒータ間に加速電圧を印加することで、熱電子を加速し高温を発生させる（特許文献１、特許文献２及び特許文献３）。図６は、従来の電子衝撃加熱装置に用いられるシングルループ状のフィラメントの構造を示す斜視図であり、図７は多重コイル状のフィラメントの構造を示す斜視図である。
特許第２９１２６１３号公報
特許第２９１２６１６号公報
特許第２９１２９１３号公報
従来の電子衝撃加熱装置では、例えば、グラファイト製の真空加熱容器の内部には、タングステン製のフィラメントがシングルループ状又は多重コイル状の構造をとったものが提案されていた。
ここで、三重コイル状のフィラメントは、導電性ヒータの側面へ積極的に熱電子を衝突させてその温度を上昇させ、導電性ヒータの側面からの熱伝導を利用して、上部に配置される基板等の板体を均一に加熱することを目的としていた。
しかしながら、フィラメントより放出される熱電子は、フィラメントから放出される時は方向性を持っておらず、フィラメントを中心に全方位に放出される。
このため、熱電子は、積極的に加熱したい導電性ヒータの側面への入射だけではなく、フィラメント中心や下部方向へも放出されていた。
このフィラメント中心や下部方向へも放出された熱電子は、フィラメントより下部に備えられている反射板により、導電性ヒータの中心部に集束してしまい熱均一性が低下してしまうという問題が生じていた。
図８は、多重コイル状のフィラメントの場合における、サーモグラフィによる導電性ヒータの温度分布の測定結果を示すグラフである。図８の横軸は、多重コイル状のフィラメントの中心からの距離（ｍｍ）を示し、縦軸は、距離に対応した温度（℃）を示す。
このように、例えば、従来の三重コイル状のフィラメントでは、フィラメント下部の反射板により反射された熱電子は、電場の影響から導電性ヒータ上部の中心部に集中してしまっていた。そのため、中心から５０ｍｍ離れた箇所の温度差は、１００℃近くに達していた。
すなわち、従来のコイル状のフィラメントで電子衝撃加熱していた装置では、導電性ヒータの中心部の温度が極端に高くなってしまっていた。また導電性ヒータの加熱面の側面部からの放熱が大きく、基板面内での均一なアニール特性が得られていなかった。
このように加熱された基板から作製されるデバイスは、特性上のばらつきが大きくなり、歩留まりを低下させることがあった。
また、大口径基板を加熱した場合、中心部への電子衝突量はより増大する傾向にあり、面内温度分布のばらつきをより大きくすることもあった。
そこで、本発明は、加熱される基板面上への熱電子の放出が均一になるようにして、基板を加熱する時の基板上の温度分布を改善することを可能とする電子衝撃加熱方式の基板加熱装置、加熱処理方法及びその処理方法を適用した半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成する本発明にかかる電子衝撃加熱方式の基板加熱装置は、減圧下の容器内に保持されている基板に対向して配置され、前記基板を加熱する導電性ヒータを有する基板加熱装置であって、当該基板加熱装置は、
前記導電性ヒータの内部に配置されて、フィラメント電源と接続して熱電子を発生させるフィラメントと、
前記フィラメントと前記導電性ヒータとの間で前記熱電子を加速する加速電源と、を備え
前記フィラメントは、前記基板と同心の内周円に沿って、所定の間隔で形成される内周部と、
前記内周円と同心であり、前記内周円よりも大きい直径を有する外周円の周上に所定の間隔で形成される外周部と、
前記内周部の端点と前記外周部の端点とを接続して形成される領域と、を有することを特徴とする。
前記導電性ヒータの内部に配置されて、フィラメント電源と接続して熱電子を発生させるフィラメントと、
前記フィラメントと前記導電性ヒータとの間で前記熱電子を加速する加速電源と、を備え
前記フィラメントは、前記基板と同心の内周円に沿って、所定の間隔で形成される内周部と、
前記内周円と同心であり、前記内周円よりも大きい直径を有する外周円の周上に所定の間隔で形成される外周部と、
前記内周部の端点と前記外周部の端点とを接続して形成される領域と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、電子衝撃加熱方式の基板加熱装置において、加熱される基板面上への熱電子の放出が改善され、基板の加熱時の温度分布が向上した。
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまで例示であり、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態としての電子衝撃加熱方式の基板加熱装置を示す断面図である。基板加熱装置は、減圧下の容器内に保持されている基板に対向して配置され、基板を加熱する導電性ヒータを有する。
図１は、本発明の第１の実施形態としての電子衝撃加熱方式の基板加熱装置を示す断面図である。基板加熱装置は、減圧下の容器内に保持されている基板に対向して配置され、基板を加熱する導電性ヒータを有する。
図１に示すように、本実施形態の基板加熱装置１０１は、真空室１０２と、真空加熱容器１０３と、フィラメント電源１０４と、高圧の直流電源１０５と、基板１０６と、基板ステージ１０７と、基板保持台１０８とを備えている。また、基板加熱装置１０１は、導電性ヒータ１３１と、水冷用流路１０９と、水冷シャッタ１１０と、水冷シャッタ１１０を駆動する回転駆動機構１９０と、基板保持台１０８を駆動する移動機構１１１と、基板加熱装置１０１の全体的な動作を制御する制御部１０００と、リフトピン１１２とを備えている。さらに、基板加熱装置１０１は、２波長式の放射温度計１１５と、波長検出素子ａ１１６と、温度信号１１９を出力する演算回路１１８と、波長検出素子ｂ１１７と、集光部１１４と、透過窓１１３とを備えている。さらに、基板加熱装置１０１は、フィラメント１３２と、反射板１３５と、絶縁碍子１３７と、中間ベース板１３６とを備えている。制御部１０００は、波長検出素子ａ１１６の検出結果の出力、波長検出素子ｂ１１７の検出結果の出力、演算回路１１８の演算結果のうち、少なくともいずれか一つに基づいて、基板加熱装置１０１の全体的な動作を制御することが可能である。
導電性ヒータ１３１は、真空加熱容器１０３の上部のプレートに配置されている。移動機構１１１は、基板保持台１０８を上昇または降下により移動させることが可能である。基板保持台１０８が上昇した位置で、基板保持台１０８上の基板ステージ１０７に保持されている基板１０６と、導電性ヒータ１３１と、は対向した状態になる。
真空室１０２は、不図示のターボモレキュラポンプ（排気量４５０リットル／秒）により１０−５Ｐａ台に排気可能である。
導電性ヒータ１３１は、真空室１０２内で、基板保持台１０８により保持された基板１０６を加熱する。
導電性ヒータ１３１は、例えば、グラファイト、熱分解カーボンをコーティングしたグラファイト、熱分解カーボン、耐熱性のセラミック又は耐熱性の金属からなる。
また、熱分解カーボンがコーティングされている導電性ヒータ１３１には、タングステン製又はタングステン・レニウム製のフィラメント１３２が組み込まれている。
フィラメント１３２は、電流導入端子により、フィラメント加熱用の交流電源であるフィラメント電源１０４に接続されており、フィラメント１３２と導電性ヒータ１３１と間には電位差が形成される。また、フィラメント１３２は、熱電子を加速するための加速電源としての直流電源１０５に接続されている。電流導入端子は、真空と大気とを隔壁することもできる。
基板保持台１０８の下側には、温度測定手段として機能する、例えば、２波長式の放射温度計１１５が組み込まれている。温度測定手段としては、これ以外に、例えば、２波長式のサーモグラフィが使用可能である。基板保持台１０８の基板ステージ１０７の裏面の温度を測定し、基板ステージ１０７の温度が所望の温度になるように、演算回路１１８は、フィラメント１３２へ印加する電流値を制御するための温度信号１１９を出力する。温度信号１１９を基にして、制御部１０００を介して、フィラメント電源１０４及び直流電源１０５が制御されることになる。
本実施形態の基板ステージ１０７は、例えば、熱分解カーボン製である。処理される基板１０６を基板ステージ１０７に搬送する際には、制御部１０００は、移動機構１１１を制御して、基板保持台１０８を下方に移動させる。そして、制御部１０００は、回転駆動機構１９０を制御して、水冷シャッタ１１０を旋回させる。図１において、水冷シャッタ１１０は退避の状態にある。回転駆動機構１９０の駆動により回転軸１９７ｂが回転することにより水冷シャッタ１１０は旋回して、導電性ヒータ１３１と基板保持台１０８との間に熱隔壁板である水冷シャッタ１１０が挿入される。その結果、導電性ヒータ１３１と基板保持台１０８とが熱的に遮断される。
基板保持台１０８及び基板ステージ１０７は、リフトピン１１２が貫通可能な孔部を有している。基板保持台１０８が最下部に移動した状態では、リフトピン１１２の先端部が基板ステージ１０７から突出した状態になる。
真空室１０２とスリットバルブで仕切られ、真空に排気されている不図示の搬送室から、不図示のアームが真空室１０２に進入し、基板１０６を基板ステージ１０７から突出しているリフトピン１１２に載せる。リフトピン１１２は、少なくとも３本設けられており、これらのリフトピン１１２により基板１０６は支持される。次に、真空室１０２からアームが搬送室に退避した後に、スリットバルブが閉じられる。以上の動作シーケンスにより、真空室１０２への基板１０６の搬入が完了する。
次に、基板加熱装置１０１を用いた基板１０６の加熱処理方法（以下、単に「処理方法」ともいう）を説明する。以下に説明する基板１０６の処理方法は、制御部１０００の全体的な制御の下に実行される。まず、制御部１０００の制御の下、基板保持台１０８が上方へ移動し、基板保持台１０８の基板ステージ１０７が基板１０６を持ち上げる。基板１０６は、リフトピン１１２から離れて基板ステージ１０７へ載せ替えられる。制御部１０００は、導電性ヒータ１３１と、基板１０６との距離が、例えば、５ｍｍになるように、基板保持台１０８をさらに上方へ移動させて、位置決めする。
基板保持台１０８は、支柱１９５、プレート１９６を介して移動機構１１１と接続されている。移動機構１１１の移動によりプレート１９６及び支柱１９５が上昇または降下し、基板保持台１０８は移動する。導電性ヒータ１３１と、基板１０６との距離は、制御部１０００の位置制御により、任意に調整することが可能である。
プレート１９６及び支柱１９５の上昇時または降下時に、真空室１０２と支柱１９５とが接触する摺動部から外気が真空室１０２に侵入するのを防止し、真空室１０２の真空状態を保持するために、基板加熱装置１０１は、伸縮可能なベローズ部材１９７ａを有する。
波長検出素子ａ１１６及び波長検出素子ｂ１１７は、支柱１９５、透過窓１１３及び集光部１１４を介して、基板ステージ１０７の温度を非接触に測定することが可能である。
基板保持台１０８が位置決めされた後、例えば、フィラメント１３２に交流電流を０アンペアから２５アンペアまで1秒間に１アンペアずつ上昇させ、２５アンペアで３０秒間保持させてフィラメント１３２を予備加熱する。
その後、熱電子を放出（発生）させるため、フィラメント１３２と導電性ヒータ１３１間に直流電源１０５にて、０ボルトから１５００ボルトまで１秒間に５０ボルト程度づつ電圧を上昇させる。その後、徐々にエミッション電流を放出させ、１５００ボルト程度まで上昇させた後、交流電流値を２９アンペア程度に上昇させると同時に、直流電源１０５の電圧を２５００ボルト程度に上昇させる。
基板ステージ１０７の温度を２波長式の放射温度計１１５でモニタしながら、演算回路１１８によりフィラメント電源１０４の交流電流値を制御して、約３分で設定温度の１９００℃まで上昇させ、そのまま約１分間加熱保持する。約１分間加熱保持した後、フィラメント電源１０４及び直流電源１０５をオフさせる。
導電性ヒータ１３１は、輻射により急激に温度が下がり、例えば、約１分間で基板ステージ１０７の温度が１２００℃（第１の検出温度）になったら、基板ステージ１０７が降下する。導電性ヒータ１３１より５０ｍｍ離れ、導電性ヒータ１３１と基板ステージ１０７との間に熱隔壁板である水冷シャッタ１１０が挿入され、急激に基板１０６が冷却される。
約２分後に基板ステージ１０７の温度が、例えば、７００℃以下（第２の検出温度）になったところで、基板保持台１０８がさらに下げられ、基板１０６をリフトピン１１２に載せ替え、スリットバルブが開けられる。
そして、真空室１０２とスリットバルブで仕切られている真空に排気されている不図示の搬送室から不図示のアームが真空室１０２に進入し、加熱処理された基板１０６をリフトピン１１２から回収し、不図示のロードロック室に搬送される。
加熱処理された基板１０６の温度が１５０℃以下（第３の検出温度）になったところで、不図示のロードロック室が大気ベントされ、基板１０６が取り出される。
一般的に、炭化珪素（ＳｉＣ）は、結晶タイプが３Ｃ、４Ｈ、６Ｈと複数存在するため結晶性を揃えたホモエピタキシャル成長を行うために、結晶をＣ軸面に対して４度又は８度オフさせた炭化珪素（ＳｉＣ）基板が用いられる。
それ以外には、シリコンなどの単結晶半導体からなる基板や窒化ガリウムなどからなる化合物半導体からなる基板を利用することができる。
ここで、基板の加熱処理方法は本実施形態の基板加熱装置を用いて基板を加熱する加熱工程を有する。また、単結晶半導体又は化合物半導体からなる半導体デバイスを製造する方法は、加熱処理方法を用いて基板を加熱する加熱工程を有する。
図２は、本発明の第１の実施形態としての基板加熱装置における真空加熱容器１０３を拡大した断面図である。
図２に示すように、真空加熱容器１０３は、支柱１４１と、中間ベース板１３６と、反射板１３５と、支柱１４２と、フィラメント１３２と、導電性ヒータ１３１とを有する。
本実施形態では、支柱１４１と中間ベース板１３６は、モリブデン製である。また、支柱１４２は、タンタル製である。フィラメント１３２は、タングステン・レニウム製である。また、導電性ヒータ１３１はグラファイト製である。尚、本発明の趣旨はこの例に限定されるものではなく、同様の材料特性を有する部材により、真空加熱容器１０３を構成することも可能である。
熱分解カーボンコーティングをした導電性ヒータ１３１の内部には、中間ベース板１３６が、４本の支柱１４１で基板加熱装置１０１の真空加熱容器１０３の水冷された蓋に固定されている。
中間ベース板１３６には、支柱１４１により、複数枚の反射板１３５が固定されている。複数枚の反射板１３５のうち最下部の反射板１３５から支柱（不図示）にフィラメント１３２が固定されている。
図３は、本発明の第１の実施形態としての基板加熱装置１０１におけるフィラメント１３２の形状を示す平面図である。フィラメント１３２の両端部（不図示）は、フィラメント電源１０４に接続されているものとする。
図３に示すように、基板１０６の中心軸とフィラメント１３２の中心との交点を中心Ｏとする。フィラメント１３２は、同心円（内周円３００、外周円３０２）の円周方向に張られている内周部３０１、外周部３０３と、内周円３００と外周円３０２との間で半径方向を向いて張られている半径部３０４ａ、３０４ｂとを有している。内周部３０１、半径部３０４ａ、外周部３０３、半径部３０４ｂ及び内周部３０１の順に各部が接続されることにより、一本のフィラメント１３２が形成される。
すなわち、本実施形態のフィラメント１３２は、"Ｏ"を中心とした、基板１０６と同心の内周円３００（内周円３００の円弧）に沿って、所定の間隔（例えば、θ１）で形成される内周部３０１を有する。また、フィラメント１３２は、内周円３００と同心であり、内周円３００よりも大きい直径を有する外周円３０２の周上に所定の間隔（例えば、θ２、Ｌ１）で配置される２つの端点（Ｐ１、Ｐ２）を接続することにより形成される外周部３０３を有する。θ２により外周部３０３の角度の間隔が定められ、Ｌ１により外周部３０３の端点の配置間隔が定められる。また、フィラメント１３２は、内周部３０１の端点と外周部３０３の１つの端点とを接続して形成される半径部３０４ａ、３０４ｂを有する。２つの端点（Ｐ１、Ｐ２）のうちの１つの端点（例えば、Ｐ２）は、直近に配置されている内周部の端点（図３のＰ３）と接続する。これにより半径部３０４ｂに対応した構成が得られる。半径部３０４ａ、３０４ｂ及び外周部３０３は、内周部３０１から張り出した張出領域を形成する。
本実施形態では、内周円３００（内周部３０１）の直径ｄ１と外周円３０２の直径ｄ２は、例えば、ｄ１＝９０ｍｍ、ｄ２＝１５０ｍｍになっている。尚、本発明の趣旨は、この数値例に限定されるものではなく、加熱処理される基板１０６のサイズに応じて、内周円３００、外周円３０２の直径を、同様の比率で変更することにより、同様の効果が得られる。また、同心円は、二つに限定されるものではない。
フィラメント１３２は、タンタル製の電流導入端子に接続されており、放出された熱電子を効率的に反射させるために、反射板１３５はフィラメント１３２と同電位になるように構成されている。
従来の三重コイル状フィラメントの構造（例えば、図６）では、基板１０６と対向している導電性ヒータ１３１の加熱面の中心部に電子が多く衝突していたが、本実施形態のフィラメント１３２では導電性ヒータ１３１の加熱面の側面部における電子衝突量が多くなった。
図４は、本発明の第１の実施形態としての基板加熱装置１０１におけるフィラメント１３２を用いて、導電性ヒータ１３１を用いた場合における導電性ヒータ１３１の面内の温度分布をシミュレーションした結果を示すグラフである。導電性ヒータ１３１は、直径１２０ｍｍの熱分解カーボンコーティングをしたものが用いられている。
図４に示すように、中心からの距離７０ｍｍのところで最大温度を示し、導電性ヒータ１３１の上面中心部と導電性ヒータ１３１の上面中心からの距離７０ｍｍの部分での温度差はおよそ＋６０℃であった。多重コイル状フィラメントの場合（中心から５０ｍｍ離れた箇所の温度差は、１００℃（図８を参照））と比較して導電性ヒータの中心部との温度差は改善された。
図５Ａ、図５Ｂは、フィラメント１３２の変形例を示す図である。
フィラメント１３２の両端部は、フィラメント電源１０４に接続されているものとする。基板１０６の中心軸とフィラメント１３２の中心との交点を中心Ｏとする。
図５Ａのように、フィラメント１３２は、交点Ｏから離れる方向、交点Ｏに近づく方向、および交点Ｏから等距離の方向のそれぞれを組み合わせて、基板１０６に対して平行な平面上に配線されている。
すなわち、フィラメント１３２は、"Ｏ"を中心とした、基板１０６と同心の内周円５００に沿って、所定の間隔（例えば、θ１）で形成されている内周部５０１を有する。また、フィラメント１３２は、内周円５００と同心であり、内周円５００よりも大きい直径を有する外周円５０２の周上に所定の間隔（例えば、θ２）で配置された１つの端点Ｐ４より形成される外周部５０３を有する。また、フィラメント１３２は、内周部５０１の端点と外周部５０３の端点Ｐ４とを接続して形成される領域５０４ａ、５０４ｂと、を有する。１つの端点Ｐ４は、直近に配置されている内周部５０１の端点と接続する。例えば、図５Ａにおいて、θ４＝θ５の場合、端点Ｐ４に対して、直近に配置されている内周部の端点として、Ｐ５、Ｐ６が求められ、Ｐ４はＰ５及びＰ６と接続することにより、上述の領域５０４ａ、５０４ｂに対応するフィラメント１３２の構成が得られる。領域５０４ａ、５０４ｂ及び外周部５０３は、内周部５０１から張り出した張出領域を形成する。
図５Ｂでは、図５Ａに示した交点Ｏから離れる方向、交点Ｏに近づく方向、および交点Ｏから等距離の方向のうち、交点から等距離となる配線を削除して、交点から離れる方向と交点に近づく方向を組み合わせてフィラメント１３２の構成例を示している。
すなわち、フィラメント１３２は、"Ｏ"を中心とした、基板１０６と同心の内周円５００の円周を所定の間隔（例えば、θ３）に分割する内周円分割点と、内周円５００と同心であり、内周円５００よりも大きい直径を有する外周円５０２の円周を所定の間隔（例えば、θ３）に分割する外周円分割点と、のうち、直近に配置される内周円分割点と外周円分割点とを、それぞれ接続することにより形成される。
なお、本実施の形態では、フィラメント１３２が一つである構成について説明したが、同じ構成を有する複数のフィラメント１３２を重ね合わせた状態で設ける構成でもよい。また、図３、図５Ａ、図５Ｂに示すように、異なる構成のフィラメントを重ね合わせた状態で使用することも可能である。
例えば、図３のようなフィラメント形状で、大きな径を持つフィラメントの内側に小さな径のフィラメントを、両フィラメントの中心点が共通になるように重ね合わせた状態で使用してもかまわない。
本実施の形態のフィラメントにより処理された基板面内のシート抵抗では、多重コイル状フィラメントにより処理された場合と比較して、大幅に改善され、半導体デバイスの歩留まりも改善された。
本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）などからできている基板を加熱するための基板加熱装置及び処理方法に利用可能であり、半導体デバイスの製造に適している。
１０１ 基板加熱装置
１０２ 真空室
１０３ 真空加熱容器
１０４ フィラメント電源
１０５ 直流電源
１０６ 基板
１０７ 基板ステージ
１０８ 基板保持台
１０９ 水冷用流路
１１０ 水冷シャッタ
１１１ 移動機構
１１２ リフトピン
１１３ 透過窓
１１４ 集光部
１１５ ２波長式の放射温度計
１１６ 波長検出素子ａ
１１７ 波長検出素子ｂ
１１８ 演算回路
１１９ 温度信号
１３１ 導電性ヒータ
１３２ フィラメント
１３５ 反射板
１３６ 中間ベース板
１３７ 絶縁碍子
１４１ 支柱
１４２ 支柱
１０２ 真空室
１０３ 真空加熱容器
１０４ フィラメント電源
１０５ 直流電源
１０６ 基板
１０７ 基板ステージ
１０８ 基板保持台
１０９ 水冷用流路
１１０ 水冷シャッタ
１１１ 移動機構
１１２ リフトピン
１１３ 透過窓
１１４ 集光部
１１５ ２波長式の放射温度計
１１６ 波長検出素子ａ
１１７ 波長検出素子ｂ
１１８ 演算回路
１１９ 温度信号
１３１ 導電性ヒータ
１３２ フィラメント
１３５ 反射板
１３６ 中間ベース板
１３７ 絶縁碍子
１４１ 支柱
１４２ 支柱
Claims (12)
- 減圧下の容器内に保持されている基板に対向して配置され、前記基板を加熱する導電性ヒータを有する基板加熱装置において、当該基板加熱装置は、
前記導電性ヒータの内部に配置されて、フィラメント電源と接続して熱電子を発生させるフィラメントと、
前記フィラメントと前記導電性ヒータとの間で前記熱電子を加速する加速電源と、を備え
前記フィラメントは、前記基板と同心の内周円に沿って、所定の間隔で形成される内周部と、
前記内周円と同心であり、前記内周円よりも大きい直径を有する外周円の周上に所定の間隔で形成される外周部と、
前記内周部の端点と前記外周部の端点とを接続して形成される領域と、を有することを特徴とする基板加熱装置。 - 前記外周部は、前記外周円の周上に所定の間隔で配置される２つの端点を接続することにより形成され、
前記２つの端点のうちの１つの端点は、直近に配置されている前記内周部の端点と接続することを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。 - 前記外周部は、前記外周円の周上に所定の間隔で配置される１つの端点により形成され、
前記１つの端点は、直近に配置されている前記内周部の端点と接続することを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。 - 減圧下の容器内に保持されている基板に対向して配置され、前記基板を加熱する導電性ヒータを有する基板加熱装置において、当該基板加熱装置は、
前記導電性ヒータの内部に配置されて、フィラメント電源と接続して熱電子を発生させるフィラメントと、
前記フィラメントと前記導電性ヒータとの間で前記熱電子を加速する加速電源と、を備え
前記フィラメントは、前記基板と同心の内周円の円周を所定の間隔に分割する内周円分割点と、前記内周円と同心であり、前記内周円よりも大きい直径を有する外周円の円周を前記所定の間隔に分割する外周円分割点と、のうち、直近に配置される内周円分割点と外周円分割点とを、それぞれ接続することにより形成されることを特徴とする基板加熱装置。 - 前記フィラメントの両端部は、フィラメント電源に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
- 前記フィラメントの両端部は、フィラメント電源に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の基板加熱装置。
- 前記フィラメントは、同じ構成を有するものまたは異なる構成のものを複数、重ね合わせた状態で前記導電性ヒータの内部に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
- 前記フィラメントは、同じ構成を有するものまたは異なる構成を有するものを複数、重ね合わせた状態で前記導電性ヒータの内部に配置されることを特徴とする請求項４に記載の基板加熱装置。
- 前記基板は、単結晶半導体又は化合物半導体からなることを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
- 前記基板は、単結晶半導体又は化合物半導体からなることを特徴とする請求項４に記載の基板加熱装置。
- 基板の加熱処理方法であって、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板加熱装置を用いて前記基板を加熱する加熱工程を有することを特徴とする加熱処理方法。 - 単結晶半導体又は化合物半導体からなる半導体デバイスを製造する方法であって、
請求項１１に記載の加熱処理方法を用いて基板を加熱する加熱工程を有することを特徴とする半導体デバイスを製造する方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009009352A JP5468784B2 (ja) | 2008-01-30 | 2009-01-19 | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 |
| CN2009100097010A CN101499419B (zh) | 2008-01-30 | 2009-01-23 | 衬底加热设备、加热方法以及半导体装置制造方法 |
| US12/360,378 US7897523B2 (en) | 2008-01-30 | 2009-01-27 | Substrate heating apparatus, heating method, and semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008019235 | 2008-01-30 | ||
| JP2008019235 | 2008-01-30 | ||
| JP2009009352A JP5468784B2 (ja) | 2008-01-30 | 2009-01-19 | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009206503A true JP2009206503A (ja) | 2009-09-10 |
| JP5468784B2 JP5468784B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=40899684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009009352A Active JP5468784B2 (ja) | 2008-01-30 | 2009-01-19 | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7897523B2 (ja) |
| JP (1) | JP5468784B2 (ja) |
| CN (1) | CN101499419B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012020556A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱処理装置、基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008123111A1 (ja) * | 2007-03-20 | 2010-07-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱処理装置及び基板加熱処理方法 |
| WO2009031450A1 (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-12 | Canon Anelva Corporation | 基板熱処理装置及び基板の熱処理方法 |
| JP5620090B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2014-11-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置、熱処理基板の製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2010205922A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Canon Anelva Corp | 基板熱処理装置及び基板の製造方法 |
| JP2010251718A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Canon Anelva Corp | 加熱装置の温度制御方法及び記憶媒体 |
| JP5603219B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-10-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置 |
| WO2018051494A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱装置、基板加熱装置および半導体デバイスの製造方法 |
| CN109881186A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-14 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 一种用于cvd设备中对衬底进行高温加热的装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345776A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JPH11354527A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JP2002151235A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータの製造方法 |
| JP2002175867A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1045474A (ja) | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Toyo Tanso Kk | 熱分解炭素被覆黒鉛材の製造方法 |
| JP2912613B1 (ja) | 1998-06-17 | 1999-06-28 | 助川電気工業株式会社 | 板体加熱装置 |
| JP2912616B1 (ja) | 1998-07-17 | 1999-06-28 | 助川電気工業株式会社 | 板体加熱装置 |
| US6692574B1 (en) * | 1999-08-30 | 2004-02-17 | Si Diamond Technology, Inc. | Gas dispersion apparatus for use in a hot filament chemical vapor deposition chamber |
| US6887803B2 (en) * | 2001-11-08 | 2005-05-03 | Wafermasters, Inc. | Gas-assisted rapid thermal processing |
| WO2006060134A2 (en) * | 2004-11-15 | 2006-06-08 | Cree, Inc. | Restricted radiated heating assembly for high temperature processing |
| US20080078325A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Tokyo Electron Limited | Processing system containing a hot filament hydrogen radical source for integrated substrate processing |
| JP4582816B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2010-11-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空加熱装置 |
-
2009
- 2009-01-19 JP JP2009009352A patent/JP5468784B2/ja active Active
- 2009-01-23 CN CN2009100097010A patent/CN101499419B/zh active Active
- 2009-01-27 US US12/360,378 patent/US7897523B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11345776A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JPH11354527A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| JP2002151235A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-24 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータの製造方法 |
| JP2002175867A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012020556A1 (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱処理装置、基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体 |
| US8691676B2 (en) | 2010-08-09 | 2014-04-08 | Canon Anelva Corporation | Substrate heat treating apparatus, temperature control method of substrate heat treating apparatus, manufacturing method of semiconductor device, temperature control program of substrate heat treating apparatus, and recording medium |
| JP5543601B2 (ja) * | 2010-08-09 | 2014-07-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱処理装置、基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090191724A1 (en) | 2009-07-30 |
| US7897523B2 (en) | 2011-03-01 |
| JP5468784B2 (ja) | 2014-04-09 |
| CN101499419B (zh) | 2011-07-13 |
| CN101499419A (zh) | 2009-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5468784B2 (ja) | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 | |
| US8032015B2 (en) | Heating apparatus, heating method, and semiconductor device manufacturing method | |
| CN107251197B (zh) | 热处理方法 | |
| JP4935417B2 (ja) | 光照射式加熱処理装置 | |
| US20110073589A1 (en) | Thermal processing apparatus | |
| US20090116824A1 (en) | Light irradiation type heat treatment device | |
| KR20110009187A (ko) | 어닐링 장치 | |
| JP2010205922A (ja) | 基板熱処理装置及び基板の製造方法 | |
| KR20100024892A (ko) | 필라멘트 램프 및 광조사식 가열 처리 장치 | |
| JP2012216737A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2012238629A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP5469678B2 (ja) | 基板加熱処理装置の温度制御方法、半導体デバイスの製造方法、基板加熱処理装置の温度制御プログラム及び記録媒体 | |
| JP2017041465A (ja) | 誘導加熱装置 | |
| JP4288110B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4143376B2 (ja) | 加熱装置及び半導体素子製造装置用ヒータアセンブリ | |
| JP6348765B2 (ja) | マイクロ波加熱処理装置及びマイクロ波加熱処理方法 | |
| US8691676B2 (en) | Substrate heat treating apparatus, temperature control method of substrate heat treating apparatus, manufacturing method of semiconductor device, temperature control program of substrate heat treating apparatus, and recording medium | |
| US11610804B2 (en) | Semiconductor manufacturing device | |
| JP2019534383A (ja) | エピタキシャル堆積用のリアクタの加熱方法及びエピタキシャル堆積用のリアクタ | |
| JP5021347B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2009027001A (ja) | 光照射式加熱処理装置 | |
| JP2011035008A (ja) | 基板加熱装置、加熱処理方法および半導体デバイスを製造する方法 | |
| JP2014093471A (ja) | 誘導加熱炉、ＳｉＣ基板のアニール方法 | |
| CN112680707B (zh) | 工件托架、薄膜沉积腔体、薄膜沉积方法 | |
| JP2010225646A (ja) | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100225 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131029 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140127 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140130 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5468784 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |