JP2009200170A - Heating device for terminal - Google Patents

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眞一 堀越
Hajime Makita
肇 牧田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating device for a terminal which can easily and surely detach/attach a semiconductor module with no thermal damage on other electronic components mounted on a circuit board. <P>SOLUTION: The heating device 1 for a terminal is used for heating a board terminal 12 of a semiconductor module 10 mounted on a circuit board 20 having a predetermined circuit pattern. The board terminal of the semiconductor module 10 includes a main circuit terminal 13A which is connected to a main circuit and has a large current capacitance, and a control terminal 13B which is connected to a control circuit and has a small current capacitance. In order to simultaneously heat the main circuit terminal 13A and the control terminal 13B at different temperatures respectively, at least a plurality of heating units which can be individually adjusted for temperature are provided. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、モータ駆動装置などの回路基板に実装されているパワー半導体モジュールの基板端子を加熱する端子用加熱装置に関する。   The present invention relates to a terminal heating device for heating a substrate terminal of a power semiconductor module mounted on a circuit board such as a motor drive device.

モータ駆動装置などの回路基板に実装されているパワー半導体モジュールは、制御回路の導体部に半田付けされる制御用端子(信号用端子)と、主回路(電源回路)の導体部に半田付けされる主回路用端子(電源用端子)とを有している。図7に示すように、制御用端子13Bは幅狭かつ薄肉形状で数10mAの電流容量を有し、主回路用端子13Aは幅広かつ厚肉で100Aを超える電流容量を有するものが一般的である。このようなパワー半導体モジュール10を回路基板20から取り外したり、取り付けたりするには、回路基板20のパワー半導体モジュール10の近傍に実装されている電子部品を熱劣化させずにパワー半導体モジュール10の全ての局部的に且つ一度に温めることが必要とされている。   A power semiconductor module mounted on a circuit board such as a motor drive device is soldered to a control terminal (signal terminal) soldered to a conductor part of a control circuit and a conductor part of a main circuit (power circuit). Main circuit terminals (power supply terminals). As shown in FIG. 7, the control terminal 13B is narrow and thin and has a current capacity of several tens of mA, and the main circuit terminal 13A is wide and thick and has a current capacity exceeding 100 A. is there. In order to remove or attach such a power semiconductor module 10 from the circuit board 20, all of the power semiconductor module 10 can be obtained without thermally degrading electronic components mounted in the vicinity of the power semiconductor module 10 on the circuit board 20. There is a need to warm up locally and all at once.

従来、パワー半導体モジュール10を取り外す際には、基板端子12を加熱するための加熱装置として、図7に示す半田鏝40や、図8に示す半田槽41が用いられていた。半田鏝40は、部分的に加熱することができるが、基板端子12が多数存在する場合に、多数の基板端子12を同時に加熱することができないという問題があった。また、半田槽41は、半田プール42内で多数の基板端子12を同時に加熱することが可能であるが、必要以上の広範囲の部分が同時に加熱されるため、回路基板20上でパワー半導体モジュール10の近傍に実装されている既実装部品に熱的ダメージを与えたりする問題があった。   Conventionally, when removing the power semiconductor module 10, the soldering iron 40 shown in FIG. 7 or the solder bath 41 shown in FIG. 8 has been used as a heating device for heating the substrate terminal 12. Although the solder iron 40 can be heated partially, there is a problem that when a large number of substrate terminals 12 are present, the large number of substrate terminals 12 cannot be heated simultaneously. Further, the solder bath 41 can simultaneously heat a large number of substrate terminals 12 in the solder pool 42, but since a wider area than necessary is heated at the same time, the power semiconductor module 10 on the circuit board 20. There is a problem that thermal damage is caused to already mounted parts mounted in the vicinity of.

部分的な加熱を可能とした局所半田付け装置の一例として、特許文献1で開示されているものが知られている。特許文献1の段落番号[0025]には、「・・・溶融はんだ11を収容したはんだ槽12の内部に、複数の可動局所ノズル13が設けられたものであり、これらの各可動局所ノズル13は、それぞれ被はんだ付け物14に対しそれぞれ進退自在に設けられ、加圧された溶融はんだを被はんだ付け物14の下面に案内する」と記載されている。また、段落番号[0026]には、「各可動局所ノズル13は、それらの上端開口より溶融はんだをオーバーフローさせても良いが、オーバーフローさせずに上端開口で止めておいても良い。さらに、各可動局所ノズル13は、それらの上端開口を被はんだ付け物14に接触させても良いが、被はんだ付け物14の下面に接近させるのみで接触させなくても良い」と記載されている。また、段落番号[0027]には、「はんだ槽12および被はんだ付け物14の少なくとも一方は上下動可能に設けられ、さらに、はんだ槽12および被はんだ付け物14は、相対的に被はんだ付け物14の平面方向、すなわちX方向およびY方向に移動可能に設けられている」と記載されている。   As an example of a local soldering apparatus that enables partial heating, a device disclosed in Patent Document 1 is known. In paragraph [0025] of Patent Document 1, “... a plurality of movable local nozzles 13 are provided inside a solder bath 12 in which molten solder 11 is accommodated. Are respectively provided so as to be able to advance and retract with respect to the object to be soldered 14 and guide the pressurized molten solder to the lower surface of the object to be soldered 14. The paragraph number [0026] states that “the movable local nozzles 13 may overflow the molten solder from their upper end openings, but may be stopped at the upper end openings without overflowing. The movable local nozzles 13 may have their upper end openings brought into contact with the article to be soldered 14 but may be brought into contact with the lower surface of the article to be soldered 14 but not contacted. In paragraph [0027], “at least one of the solder bath 12 and the article to be soldered 14 can be moved up and down, and the solder bath 12 and the article to be soldered 14 are relatively soldered. It is provided to be movable in the plane direction of the object 14, that is, the X direction and the Y direction. "

特開2000−167661号公報JP 2000-167661 A

しかし、パワー半導体モジュール10のように制御用端子13Bと主回路用端子13Aとが混在したものでは、端子によって電流容量が異なるため、電流容量の大きい主回路用端子13Aに温度設定を合わせて、多数の端子を同時に加熱すると、電流容量の小さい制御用端子13Bに熱的ダメージが与えられる恐れがあった。   However, in the case where the control terminal 13B and the main circuit terminal 13A are mixed like the power semiconductor module 10, since the current capacity varies depending on the terminal, the temperature setting is adjusted to the main circuit terminal 13A having a large current capacity. When many terminals are heated at the same time, the control terminal 13B having a small current capacity may be thermally damaged.

本発明は、回路基板に実装される他の電子部品などに熱的ダメージを与えることなく、対象となる半導体モジュールの取り外し/取り付けを容易かつ確実に行うことができる端子用加熱装置を提供することを目的とする。   The present invention provides a terminal heating device capable of easily and reliably removing / attaching a target semiconductor module without causing thermal damage to other electronic components mounted on a circuit board. With the goal.

上記目的を達成するために、請求項1の発明は、所定の回路パターンを有する回路基板に実装されている半導体モジュールの基板端子を加熱するための端子用加熱装置であって、前記半導体モジュールの前記基板端子が、主回路に接続する電流容量の大きい主回路用端子と、制御回路に接続する電流容量の小さい制御用端子とを有し、前記主回路用端子と前記制御用端子とをそれぞれ異なる温度で同時に加熱するために、個別に温度調整可能な複数の加熱手段を備えたことを特徴とする。   In order to achieve the above object, the invention of claim 1 is a terminal heating apparatus for heating a substrate terminal of a semiconductor module mounted on a circuit board having a predetermined circuit pattern. The board terminal has a main circuit terminal having a large current capacity connected to the main circuit and a control terminal having a small current capacity connected to the control circuit, and the main circuit terminal and the control terminal are respectively In order to simultaneously heat at different temperatures, a plurality of heating means capable of individually adjusting the temperature are provided.

また、請求項2の発明は、請求項1に記載の端子用加熱装置において、個々の加熱手段は、発熱体と、該発熱体の温度を調整する温度制御部と、前記主回路用端子と前記制御用端子に対応する位置に配設された加熱部とを備えていることを特徴とする。   Further, the invention of claim 2 is the terminal heating device according to claim 1, wherein each heating means includes a heating element, a temperature control unit for adjusting the temperature of the heating element, and the main circuit terminal. And a heating unit disposed at a position corresponding to the control terminal.

また、請求項3の発明は、請求項2に記載の端子用加熱装置において、前記加熱部が半田鏝の鏝先相当部又は半田槽の半田プール相当部であることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the terminal heating apparatus according to the second aspect, the heating portion is a solder tip corresponding portion or a solder pool corresponding portion of the solder bath.

また、請求項4の発明は、請求項1〜3の何れか1項に記載の基板接続端子部用加熱装置において、前記複数の加熱手段は、前記半導体モジュールの仕様に応じて組み立て可能なユニットであり、該ユニットは前記加熱部が前記主回路用端子と前記制御用端子の位置に応じて配置されるように組み立てられていることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate connection terminal portion heating apparatus according to any one of the first to third aspects, the plurality of heating means can be assembled according to the specifications of the semiconductor module. The unit is assembled so that the heating unit is arranged according to the positions of the main circuit terminal and the control terminal.

以上の如く、本発明によれば、個別に温度調整可能な少なくとも二つの加熱手段により、主回路に接続する電流容量の大きい主回路用端子と、制御回路に接続する電流容量の小さい制御用端子とをそれぞれ異なる温度で同時に加熱することができる。このため、回路基板に実装される既実装部品などに熱的ダメージを与えることなく、対象となる半導体モジュールの取り外しを容易かつ確実に行うことができる。   As described above, according to the present invention, the main circuit terminal having a large current capacity connected to the main circuit and the control terminal having a small current capacity connected to the control circuit are provided by at least two heating means capable of individually adjusting the temperature. Can be simultaneously heated at different temperatures. For this reason, it is possible to easily and reliably remove the target semiconductor module without causing thermal damage to components already mounted on the circuit board.

個々の加熱手段に備わる発熱体の温度を温度制御部により調整することにより、主回路用端子と制御用端子とをそれぞれ異なる温度で同時に加熱することができる。   By adjusting the temperature of the heating element provided in each heating means by the temperature control unit, the main circuit terminal and the control terminal can be simultaneously heated at different temperatures.

加熱部が半田鏝の鏝先相当部である場合には、鏝先相当部を主回路用端子と制御用端子に接触させることにより、主回路用端子と制御用端子をそれぞれ異なる温度に同時に加熱することができる。また、加熱部が半田槽の半田プール相当部である場合には、主回路用端子と制御用端子の先端を半田プール相当部に入れることにより、主回路用端子と制御用端子をそれぞれ異なる温度に同時に加熱することができる。   If the heating part is the tip equivalent part of the solder iron, the main circuit terminal and the control terminal are simultaneously heated to different temperatures by bringing the tip equivalent part into contact with the main circuit terminal and the control terminal. can do. In addition, when the heating part is a part corresponding to the solder pool of the solder bath, the main circuit terminal and the control terminal are set at different temperatures by inserting the tip of the main circuit terminal and the control terminal into the part corresponding to the solder pool. Can be heated simultaneously.

以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。本発明に係る端子用加熱装置の第1の実施形態が図1に示されている。本実施形態の端子用加熱装置1は、モータ駆動装置の回路基板に実装されているパワー半導体モジュール10の基板端子12を加熱して、回路基板20からパワー半導体モジュール10を外したり、回路基板20にパワー半導体モジュール10を半田付けしたりするために用いることができる。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. A first embodiment of a terminal heating device according to the present invention is shown in FIG. The terminal heating device 1 according to the present embodiment heats the board terminal 12 of the power semiconductor module 10 mounted on the circuit board of the motor driving device, and removes the power semiconductor module 10 from the circuit board 20 or the circuit board 20. The power semiconductor module 10 can be used for soldering.

パワー半導体モジュール10は、主回路やパワー半導体を駆動するための制御回路や保護回路(電圧・電流・温度)を備えた半導体デバイスであり、モータ駆動装置の回路基板20に多数の基板端子12を介して電気的に接続するようになっている。基板端子12は、回路基板20に半田接続されるようになっている。基板端子12は、主回路に接続する電流容量の大きい主回路用端子13Aと、制御回路に接続する電流容量の小さい制御用端子13B(図7参照)とを有している。電流容量の大きい主回路用端子13Aは、厚肉で幅広に形成されている。電流容量の小さい制御用端子13Bは、薄肉で幅狭に形成されている。図1や図7に示すように、多数の主回路用端子13A及び制御用端子13Bは、所定のピッチで配列されている。   The power semiconductor module 10 is a semiconductor device having a control circuit and a protection circuit (voltage / current / temperature) for driving a main circuit and a power semiconductor, and a large number of substrate terminals 12 are provided on a circuit board 20 of a motor drive device. Are connected electrically. The board terminal 12 is connected to the circuit board 20 by soldering. The substrate terminal 12 has a main circuit terminal 13A having a large current capacity connected to the main circuit, and a control terminal 13B (see FIG. 7) having a small current capacity connected to the control circuit. The main circuit terminal 13A having a large current capacity is thick and wide. The control terminal 13B having a small current capacity is thin and narrow. As shown in FIGS. 1 and 7, a large number of main circuit terminals 13A and control terminals 13B are arranged at a predetermined pitch.

端子用加熱装置1は、独立に温度制御可能な2つのヒータ5(図3参照)を有する装置本体2と、装置本体2の上面に突設され、ヒータ(発熱体)5で加熱されてパワー半導体モジュール10の基板端子12を加熱する2つの鏝先部(加熱部)6とを備えている。装置本体2は、箱状の筐体と、共用電源と、共用電源に接続する2つのヒータ5と、個々のヒータ5の温度を調整する2つの温度制御部7とを備えている。個々のヒータ5と、温度制御部7と、鏝先部6とはユニット化され、加熱ユニットを構成している。すなわち、本実施形態の端子用加熱装置1は、鏝先部6を個々に温度調節可能な2つの加熱ユニットを有するものであるが、2つの加熱ユニットがパワー半導体モジュール10の基板端子12の位置に応じて、固定的に配置されている。   The terminal heating device 1 is provided with a device main body 2 having two heaters 5 (see FIG. 3) that can be independently controlled in temperature, and protrudes from the upper surface of the device main body 2, and is heated by the heater (heating element) 5 to provide power. Two tip portions (heating portions) 6 for heating the substrate terminals 12 of the semiconductor module 10 are provided. The apparatus main body 2 includes a box-shaped casing, a shared power source, two heaters 5 connected to the shared power source, and two temperature control units 7 that adjust the temperatures of the individual heaters 5. The individual heaters 5, the temperature control unit 7, and the tip part 6 are unitized to form a heating unit. That is, the terminal heating device 1 of the present embodiment has two heating units capable of individually adjusting the temperature of the tip portion 6, but the two heating units are positions of the substrate terminals 12 of the power semiconductor module 10. Depending on the, it is fixedly arranged.

加熱方式は特定の方法に限定されるものではないが、例えば、ヒータ5としての抵抗線に電流を流して加熱し、発生した熱を輻射などによって鏝先部6に伝達する方法や、ヒータ5を鏝先部6に挿入して熱を直接に鏝先部6に伝達する方法を適用することができる。また、高周波電源によって高周波コイルに電流を流し、鏝先部6に挿入されるヒータとしての加熱チップの表面に形成された磁性体層との間でジュール熱を発生させて、鏝先部6を加熱することも可能である。高周波誘導加熱方法は、熱伝達率が良く、小型化が可能である利点がある。   The heating method is not limited to a specific method. For example, a method of transmitting a current to a resistance wire as the heater 5 to heat and transmitting the generated heat to the tip portion 6 by radiation or the like, or the heater 5 A method of inserting heat into the tip portion 6 and transferring heat directly to the tip portion 6 can be applied. Further, a current is passed through the high-frequency coil by a high-frequency power source to generate Joule heat with the magnetic layer formed on the surface of the heating chip as a heater inserted in the tip portion 6, Heating is also possible. The high frequency induction heating method has an advantage that the heat transfer rate is good and the size can be reduced.

温度制御部7は、内部にヒータ5の温度を制御する制御回路を有している。制御回路は、図示しないセンサからの検出信号に基づいて電源の電圧又は電流を調整し、ヒータ5の温度を制御する。センサには、例えば、コンスタンス線と鏝先部6の表面に形成された鉄めっきとから構成される熱電対を適用することができる。   The temperature control unit 7 has a control circuit for controlling the temperature of the heater 5 inside. The control circuit adjusts the voltage or current of the power supply based on a detection signal from a sensor (not shown) and controls the temperature of the heater 5. For the sensor, for example, a thermocouple composed of a constant wire and iron plating formed on the surface of the tip portion 6 can be applied.

鏝先部6は、銅合金を構成材料とし、パワー半導体モジュール10の基板端子列の長さに対応する寸法に形成されている。鏝先部6の先端側は、熱を部分に集中させるために、先端側に向かって先細形状に形成されている。パワー半導体モジュール10の多数の基板端子12は、図7に示すように、一列の主回路端子13Aと、L字状の制御用端子列13Bとがコの字状に配列されているため、一体化されている2つの加熱ユニットの鏝先部8a,8bは、組み合わされてコの字状に配置されている。   The tip portion 6 is made of a copper alloy and has a dimension corresponding to the length of the substrate terminal row of the power semiconductor module 10. The tip side of the heel part 6 is formed in a tapered shape toward the tip side in order to concentrate heat on the part. As shown in FIG. 7, a large number of substrate terminals 12 of the power semiconductor module 10 have a single row of main circuit terminals 13 </ b> A and L-shaped control terminal rows 13 </ b> B arranged in a U-shape. The tip portions 8a and 8b of the two heating units are combined and arranged in a U-shape.

個々の鏝先部8a,8bの温度は、温度制御部7によりそれぞれ独立に制御されるようになっているため、主回路に接続する電流容量の大きい主回路用端子13Aと、制御回路に接続する電流容量の小さい制御用端子13Bとをそれぞれ異なる温度で同時に加熱することができる。これにより、対象となる半導体モジュール10の取り外しを容易かつ確実に行うことができる。   Since the temperatures of the individual tip portions 8a and 8b are controlled independently by the temperature control unit 7, the main circuit terminal 13A having a large current capacity connected to the main circuit and the control circuit are connected. The control terminal 13B having a small current capacity can be simultaneously heated at different temperatures. Thereby, removal of the semiconductor module 10 used as object can be performed easily and reliably.

図2には、第一の実施形態の端子用加熱装置の変形例が示されている。この変形例の端子用加熱装置1Aは、3つの加熱ユニット3が分割可能に連結されている点で、図1に示す一体化された端子用加熱装置1と異なっている。図3に示すように、個々の加熱ユニット3は、ユニット本体4と、電源と、電源に接続するヒータ5と、ヒータ5の温度を調整する温度制御部7と、パワー半導体モジュール10の基板端子12を加熱する鏝先部9とを備えている。鏝先部9は、基部側の鏝取付部9aを介してユニット本体4に固定されている。ヒータ5は、鏝取付部9aの周囲に設けられている。個々の加熱ユニット3の配置は任意であるが、パワー半導体モジュール10の基板端子12に対応する位置に配置される。この変形例では、加熱ユニット3の配置される位置が固定的でないため、パワー半導体モジュール10の仕様に柔軟に対応することができる。   FIG. 2 shows a modification of the terminal heating device of the first embodiment. The terminal heating apparatus 1A of this modification is different from the integrated terminal heating apparatus 1 shown in FIG. 1 in that three heating units 3 are connected so as to be split. As shown in FIG. 3, each heating unit 3 includes a unit body 4, a power source, a heater 5 connected to the power source, a temperature control unit 7 that adjusts the temperature of the heater 5, and a substrate terminal of the power semiconductor module 10. And a tip portion 9 for heating 12. The heel part 9 is fixed to the unit main body 4 via a heel attachment part 9a on the base side. The heater 5 is provided around the saddle mounting portion 9a. The arrangement of the individual heating units 3 is arbitrary, but is arranged at a position corresponding to the substrate terminal 12 of the power semiconductor module 10. In this modification, since the position where the heating unit 3 is arranged is not fixed, the specification of the power semiconductor module 10 can be flexibly dealt with.

次に、端子用加熱装置の第二の実施形態について説明する。図4に示すように、本実施形態の端子用加熱装置30は、第1の実施形態の端子用加熱装置1の鏝先部6に代えて半田プール36を備えたものである。すなわち、本実施形態の端子用加熱装置30は、独立に温度制御可能な2つのヒータ35を有する装置本体32と、装置本体32の上面に設けられた二つの半田プール(加熱部)36を備えている。また、端子用加熱装置30は、半田プール36を個々に温度調節可能な2つの加熱ユニットを有しており、2つの加熱ユニットはパワー半導体モジュール10の基板端子12の位置に応じて、固定的に配置されている。ヒータ35は、半田プール36内に設けられており(図6参照)、溶融半田が直接に加熱されるようになっている。その他の端子用加熱装置30の構成は、第1の実施形態と同様である。   Next, a second embodiment of the terminal heating device will be described. As shown in FIG. 4, the terminal heating device 30 of this embodiment includes a solder pool 36 instead of the tip portion 6 of the terminal heating device 1 of the first embodiment. That is, the terminal heating device 30 according to the present embodiment includes a device main body 32 having two heaters 35 that can be independently controlled in temperature, and two solder pools (heating units) 36 provided on the upper surface of the device main body 32. ing. The terminal heating device 30 includes two heating units that can individually adjust the temperature of the solder pool 36, and the two heating units are fixed according to the position of the substrate terminal 12 of the power semiconductor module 10. Is arranged. The heater 35 is provided in the solder pool 36 (see FIG. 6), and the molten solder is directly heated. The structure of the other terminal heating device 30 is the same as that of the first embodiment.

半田プール36は、溶融半田を収容するために樋状を成しており、装置本体32の上面でパワー半導体モジュール10の基板端子12に対応する位置に配置されている。L字状の半田プール38aは、パワー半導体モジュール10の制御用端子13Bに対応する位置に配置され、I字状の半田プール38bはパワー半導体モジュール10の主回路用端子13Aに対応する位置に配置されている。L字状とI字状の二つの半田プール38a,38bは、それぞれが異なるヒータ35で所定の温度に加熱されるようになっている。回路基板20からパワー半導体モジュール10を取り外す場合は、半田プール36の中で制御用端子13B及び主回路用端子13Aをそれぞれ異なる温度に加熱することにより、制御用端子13B及び主回路用端子13Aの半田を同時に溶かすことができ、周囲の既実装部品を熱劣化させることなく、回路基板20からパワー半導体モジュール10を取り外すことができる。   The solder pool 36 has a bowl shape for containing molten solder, and is disposed at a position corresponding to the substrate terminal 12 of the power semiconductor module 10 on the upper surface of the apparatus main body 32. The L-shaped solder pool 38a is disposed at a position corresponding to the control terminal 13B of the power semiconductor module 10, and the I-shaped solder pool 38b is disposed at a position corresponding to the main circuit terminal 13A of the power semiconductor module 10. Has been. The two L-shaped and I-shaped solder pools 38a, 38b are heated to a predetermined temperature by different heaters 35, respectively. When removing the power semiconductor module 10 from the circuit board 20, the control terminal 13 </ b> B and the main circuit terminal 13 </ b> A are heated to different temperatures in the solder pool 36, respectively. Solder can be melted at the same time, and the power semiconductor module 10 can be removed from the circuit board 20 without thermally deteriorating surrounding mounted components.

図5は、第二の実施形態の端子用加熱装置の変形例が示されている。この変形例の端子用加熱装置30Aは、第一の実施形態の端子用加熱装置1と同様にして、パワー半導体モジュール10の仕様に柔軟に対応することができるように、3つの加熱ユニット33が分割可能に連結されている。図6に示すように、個々の加熱ユニット33は、ユニット本体34と、電源と、電源に接続するヒータ35と、ヒータ35の温度を調整する温度制御部37と、パワー半導体モジュール10の基板端子12を加熱する半田プール39とを備えている。個々の加熱ユニット33は、パワー半導体モジュール10の基板端子12に対応する位置に配置され、連結されている。その他の構成は、第1の実施形態と同様である。   FIG. 5 shows a modification of the terminal heating device of the second embodiment. The terminal heating device 30A of this modified example has three heating units 33 so that the specifications of the power semiconductor module 10 can be flexibly handled in the same manner as the terminal heating device 1 of the first embodiment. It is connected in a separable manner. As shown in FIG. 6, each heating unit 33 includes a unit main body 34, a power source, a heater 35 connected to the power source, a temperature control unit 37 that adjusts the temperature of the heater 35, and a substrate terminal of the power semiconductor module 10. And a solder pool 39 for heating 12. The individual heating units 33 are arranged and connected at positions corresponding to the substrate terminals 12 of the power semiconductor module 10. Other configurations are the same as those of the first embodiment.

以上のように本発明によれば、個別に温度調整可能な複数の加熱ユニットにより、主回路に接続する電流容量の大きい主回路用端子と、制御回路に接続する電流容量の小さい制御用端子とをそれぞれ異なる温度で同時に加熱することができるから、対象となる半導体モジュールの基板端子だけを加熱して、半田を溶かすことができ、半導体モジュールの取り外しを容易かつ確実に行うことができる。   As described above, according to the present invention, the main circuit terminal having a large current capacity connected to the main circuit and the control terminal having a small current capacity connected to the control circuit are connected to the main circuit by the plurality of heating units capable of individually adjusting the temperature. Can be simultaneously heated at different temperatures, so that only the substrate terminals of the target semiconductor module can be heated to melt the solder, and the semiconductor module can be removed easily and reliably.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。第1,2の実施形態では、回路基板20からパワー半導体モジュール10を外す例が示されているが、回路基板20にパワー半導体モジュール10を半田付けするために用いることもできる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, it can deform | transform and implement variously. In the first and second embodiments, an example in which the power semiconductor module 10 is removed from the circuit board 20 is shown, but the power semiconductor module 10 can also be used for soldering to the circuit board 20.

本発明に係る端子用加熱装置の第一の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 1st embodiment of the heating apparatus for terminals which concerns on this invention. 第一の実施形態の端子用加熱装置の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the heating apparatus for terminals of 1st embodiment. 図3に示す加熱ユニットの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the heating unit shown in FIG. 本発明に係る端子用加熱装置の第二の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 2nd embodiment of the heating apparatus for terminals which concerns on this invention. 第二の実施形態の端子用加熱装置の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the modification of the heating apparatus for terminals of 2nd embodiment. 図5に示す加熱ユニットの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of the heating unit shown in FIG. 端子用加熱装置の従来の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the conventional heating apparatus for terminals. 端子用加熱装置の従来の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the conventional heating apparatus for terminals.

符号の説明Explanation of symbols

1,1A,30,30A 端子用加熱装置
3,33 加熱ユニット
5 ヒータ
6,8a,8b,9 鏝先部
10 半導体モジュール
13A 主回路用端子
13B 制御用端子
30 回路基板
36,38a,38b 半田プール
1,1A, 30,30A Terminal heating device 3,33 Heating unit 5 Heater 6,8a, 8b, 9 Tip 10 Semiconductor module 13A Main circuit terminal 13B Control terminal 30 Circuit board 36, 38a, 38b Solder pool

Claims (4)

所定の回路パターンを有する回路基板に実装されている半導体モジュールの基板端子を加熱するための端子用加熱装置であって、
前記半導体モジュールの前記基板端子が、主回路に接続する電流容量の大きい主回路用端子と、制御回路に接続する電流容量の小さい制御用端子とを有しており、前記主回路用端子と前記制御用端子とをそれぞれ異なる温度で同時に加熱するために、個別に温度調整可能な複数の加熱手段を備えた、端子用加熱装置。
A terminal heating device for heating a substrate terminal of a semiconductor module mounted on a circuit board having a predetermined circuit pattern,
The substrate terminal of the semiconductor module has a main circuit terminal having a large current capacity connected to the main circuit and a control terminal having a small current capacity connected to the control circuit, and the main circuit terminal and the A terminal heating device comprising a plurality of heating means capable of individually adjusting the temperature in order to simultaneously heat the control terminal at different temperatures.
個々の加熱手段は、発熱体と、該発熱体の温度を調整する温度制御部と、前記主回路用端子と前記制御用端子に対応する位置に配設された加熱部とを備えている、請求項1に記載の端子用加熱装置。   Each heating means includes a heating element, a temperature control unit for adjusting the temperature of the heating element, and a heating unit disposed at a position corresponding to the main circuit terminal and the control terminal. The terminal heating device according to claim 1. 前記加熱部が半田鏝の鏝先相当部又は半田槽の半田プール相当部である、請求項2に記載の端子用加熱装置。   The terminal heating apparatus according to claim 2, wherein the heating unit is a solder tip corresponding part or a solder pool corresponding part of a solder bath. 前記複数の加熱手段は、前記半導体モジュールの仕様に応じて組み立て可能なユニットであり、該ユニットは前記加熱部が前記主回路用端子と前記制御用端子の位置に応じて配置されるように組み立てられている、請求項1〜3の何れか1項に記載の端子用加熱装置。   The plurality of heating means are units that can be assembled according to the specifications of the semiconductor module, and the unit is assembled so that the heating unit is arranged according to the positions of the main circuit terminal and the control terminal. The terminal heating device according to any one of claims 1 to 3.
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