JP2009198762A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009198762A JP2009198762A JP2008039756A JP2008039756A JP2009198762A JP 2009198762 A JP2009198762 A JP 2009198762A JP 2008039756 A JP2008039756 A JP 2008039756A JP 2008039756 A JP2008039756 A JP 2008039756A JP 2009198762 A JP2009198762 A JP 2009198762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflective film
- liquid crystal
- pixel
- light
- tft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】第1反射膜81a及び第2反射膜81bは、第1斜面80a及び第2斜面80bの夫々を覆うように第1斜面80a及び第2斜面80bの夫々に形成されている。第1反射膜81a及び第2反射膜81bによれば、TFTアレイ基板10の側から入射した入射光L1及びL2の夫々を画素72ga及び72gbに反射できる。加えて、第1反射膜81a及び81bによれば、TFTアレイ基板10の側からTFT30に照射される光を遮光できる。したがって、画素72gの輝度を高めつつ、TFT30に生じる光リーク電流を低減できる。
【選択図】図6
Description
<1−1:電気光学装置の全体構成>
先ず、図1及び図2を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態に係る液晶装置1の全体構成を説明する。図1は、TFTアレイ基板10をその上に形成された各構成要素と共に対向基板20の側から見た液晶装置1の平面図であり、図2は、図1のII−II´断面図である。本実施形態に係る液晶装置1は、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス方式で駆動される液晶装置である。
次に、図3を参照しながら、液晶装置1の回路構成を説明する。図3は、本実施形態に係る液晶装置1の画像表示領域10aにおける回路構成を示した回路図である。
次に、図4乃至図6を参照しながら、液晶装置1の具体的な構成を説明する。図4は、液晶装置1における複数の画素電極9aの配列状態を図式的に示した液晶装置1の図式的平面図である。図5は、液晶装置1の画像表示領域10aの一部を拡大して示した拡大平面図である。図6は、図5のVI−VI´線断面図である。尚、図6では、説明の便宜上、画素電極9aより下層側の構造を示している。
次に、図7乃至図20を参照しながら、上述の液晶装置1の製造方法を説明する。図7乃至図13は、液晶装置1の主要な製造工程を順に示した工程平面図である。図14乃至図20は、図7乃至図13の夫々に対応する工程断面図である。尚、以下では、画素電極9aより下層側までの構造を形成する工程までを詳細に説明する。
次に、図21を参照しながら、上述した液晶装置を用いた電子機器の一例を説明する。本実施形態に係る電子機器は、上述した液晶装置をライトバルブに用いたプロジェクタである。図21は、本実施形態に係るプロジェクタの構成例を示す平面図である。
Claims (4)
- 基板上の表示領域において相互に隣り合う第1画素及び第2画素の夫々に対応して形成された第1画素電極及び第2画素電極と、
前記基板上において前記第1画素電極及び前記第2画素電極を相互に隔てる領域に形成されており、前記基板に向かって幅が狭まる断面形状を有する溝部と、
前記溝部を規定する第1斜面及び第2斜面を夫々覆うように形成される第1反射膜及び第2反射膜と、
前記第1反射膜及び前記第2反射膜によって囲まれるように前記溝部内に形成された半導体素子と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記溝部内において前記第1反射膜及び前記第2反射膜上に形成された下地部を更に備え、
前記下地部の上面は、前記基板の基板面に沿った平坦面であり、
前記半導体素子は、前記平坦面上に形成されていること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記半導体素子は、前記交差方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域を備え、前記第1画素電極及び第2画素電極のうち一方の画素電極に電気的に接続され、該一方の画素電極をスイッチング制御するスイッチング素子であること
を特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。 - 請求項1から3の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008039756A JP5061945B2 (ja) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | 電気光学装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008039756A JP5061945B2 (ja) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009198762A true JP2009198762A (ja) | 2009-09-03 |
JP2009198762A5 JP2009198762A5 (ja) | 2011-01-13 |
JP5061945B2 JP5061945B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=41142316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008039756A Expired - Fee Related JP5061945B2 (ja) | 2008-02-21 | 2008-02-21 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5061945B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102103289A (zh) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及电子设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164875A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Nec Corp | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
JP2003075814A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および投射型表示装置 |
JP2003098546A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2005115104A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sharp Corp | 素子基板およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-02-21 JP JP2008039756A patent/JP5061945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164875A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Nec Corp | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板およびその製造方法 |
JP2003075814A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および投射型表示装置 |
JP2003098546A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2005115104A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sharp Corp | 素子基板およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102103289A (zh) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及电子设备 |
US8860054B2 (en) | 2009-12-16 | 2014-10-14 | Seiko Epson Corporation | Electrooptical device and electronic apparatus |
CN102103289B (zh) * | 2009-12-16 | 2015-09-16 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5061945B2 (ja) | 2012-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1365277B1 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP5834705B2 (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
US7298356B2 (en) | Electro-optic device and electronic equipment | |
US20120099067A1 (en) | Electro-optical device and electronic equipment | |
KR100516250B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
KR100614737B1 (ko) | 전기 광학 장치 및 전자 기기 | |
US9823530B2 (en) | Electro-optical apparatus and electronic apparatus | |
JP2007212815A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器 | |
JP5287100B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
US10656456B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP2010096966A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5298480B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5061945B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
US20200312890A1 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
US8064323B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
US11119376B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP4069597B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2010191408A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5061946B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2010186118A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5104156B2 (ja) | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 | |
JP4259528B2 (ja) | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 | |
JP2010160308A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2010054655A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP3925555B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101122 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5061945 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150817 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |