JP2009191357A - エッチング液 - Google Patents

エッチング液 Download PDF

Info

Publication number
JP2009191357A
JP2009191357A JP2008267719A JP2008267719A JP2009191357A JP 2009191357 A JP2009191357 A JP 2009191357A JP 2008267719 A JP2008267719 A JP 2008267719A JP 2008267719 A JP2008267719 A JP 2008267719A JP 2009191357 A JP2009191357 A JP 2009191357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
etching solution
etching
phenyltetrazole
nitrobenzotriazole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008267719A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4278705B1 (ja
Inventor
Sachiko Nakamura
幸子 中村
Keiichi Nakajima
慶一 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MEC Co Ltd
Original Assignee
MEC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MEC Co Ltd filed Critical MEC Co Ltd
Priority to JP2008267719A priority Critical patent/JP4278705B1/ja
Priority to TW097144318A priority patent/TWI398552B/zh
Priority to CN2008101877176A priority patent/CN101487122B/zh
Priority to KR1020090003344A priority patent/KR101550069B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of JP4278705B1 publication Critical patent/JP4278705B1/ja
Publication of JP2009191357A publication Critical patent/JP2009191357A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

【課題】高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、広範な絶縁材に対して密着性を向上させることができる銅表面をマイクロエッチングするエッチング液を提供する。
【解決手段】硫酸60〜220g/L、過酸化水素5〜70g/L及び水を含む銅のエッチング液であって、フェニルテトラゾール類を0.01〜0.7g/L、及びニトロベンゾトリアゾール類を0.01〜1.5g/L含み、更にベンゼンスルホン酸類、塩化物イオンを含むエッチング液。
【選択図】なし

Description

本発明は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング液に関する。
銅または銅合金からなる層を含む配線層形成材(以下、単に「銅材」という)と、絶縁材とが積層された積層基材は、プリント配線板等の製造に使用される場合、銅層と絶縁層との密着性が要求される。そのため、銅材と絶縁材とを積層する前に、例えば、硫酸、過酸化水素及び水を含むエッチング液(硫酸/過酸化水素系マイクロエッチング液)で銅材表面を粗化(マイクロエッチング)して、銅層と絶縁層との密着性を向上させている。
上記のような用途に使用されるエッチング液(マイクロエッチング液)においては、銅層と絶縁層との密着性を向上させるために、銅材表面に凹凸形状を均一に形成することが要求されていた。そのため、エッチング液にアゾール類等の種々の添加剤を添加することが従来から検討されていた(例えば、特許文献1〜13参照)。
特開平11−21517号公報 特開平10−96088号公報 特開2000−234084号公報 特表2003−535224号公報 特開平11−315381号公報 特開平11−140669号公報 特開2002−76610号公報 特開2002−76611号公報 特開平8−335763号公報 特開2000−282265号公報 特開平11−29883号公報 特開2002−47583号公報 特開2007−189059号公報
しかし、高信頼性が要求されるプリント配線板においては、上記特許文献1〜13に記載された技術を用いても、銅層と絶縁層との密着性が不充分であったため、さらなる改良が求められている。特に、近年、車載用などの耐熱性が要求されるプリント配線板などには、耐熱性の高い絶縁材が用いられるが、この場合には高温条件下でも銅層と絶縁層との密着性が維持される必要がある。また、はんだリフロー工程などのように高温条件下で基板が処理される工程においても、銅層と絶縁層との密着性が維持される必要がある。さらに、環境対策としてハロゲンフリー材が絶縁材として使用される場合もあるが、ハロゲンフリー材は、一般的に銅材との密着性が低いため、従来のマイクロエッチング液による処理では、銅層と絶縁層との密着性が不充分であった。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、広範な絶縁材に対して密着性を向上させることができるエッチング液を提供する。
上記目的を達成するため、本発明のエッチング液は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング液であって、フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類を含むことを特徴とする。
なお、上記本発明のエッチング液は、銅のエッチング液であるが、この「銅」には、純銅だけでなく銅合金も含まれる。また、本明細書において「銅」は、純銅又は銅合金をさす。
本発明のエッチング液によれば、高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、広範な絶縁材に対して密着性を向上させることができる。
本発明のエッチング液は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング液であって、フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類を含む。本発明では、フェニルテトラゾール類とニトロベンゾトリアゾール類とを組み合わせることで、銅材表面を均一に粗化することができるため、はんだリフロー工程などの高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、ハロゲンフリー材を含む広範な絶縁材に対して密着性を向上させることができる。なお、本発明のエッチング液は、銅材表面を粗化することによって、アンカー効果で銅層と絶縁層との密着性を向上させる機能の他、化学的な作用で上記密着性を向上させる機能も有すると考えられる。この化学的な作用については、例えば、フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類が銅材表面に付着することによって、これらの成分と銅イオンとが皮膜を形成し、この皮膜が絶縁材に固着することにより、上記密着性が向上することが考えられる。
上記エッチング液中の硫酸の濃度は、エッチング速度やエッチング液の銅溶解許容量に応じて調整されるが、60〜220g/Lが好ましく、90〜150g/Lがより好ましい。60g/L以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、銅材表面を速やかに粗化することができる。一方、220g/L以下の場合は、溶解した銅が硫酸銅として析出するのを防止できる。
上記エッチング液中の過酸化水素の濃度は、エッチング速度や表面粗化能力に応じて調整されるが、5〜70g/Lが好ましく、7〜56g/Lがより好ましく、10〜30g/Lがさらに好ましい。5g/L以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、銅材表面を速やかに粗化できる。一方、70g/L以下の場合は、銅材表面をより均一に粗化できる。
本発明のエッチング液には、フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類が配合されているため、フェニルテトラゾール類とニトロベンゾトリアゾール類との相乗効果により、従来のエッチング液に比べ銅材表面を均一に粗化できる。よって、高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、広範な絶縁材に対して密着性を向上させることができる。また、これらの成分を配合することにより、銅材表面の凹凸形状を、絶縁材との密着性を高めるのに適した形状にすることができる。
また、上記フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類は、酸性溶液への溶解性が高いため、エッチング液中での安定性に優れている。よって、本発明のエッチング液は、連続してエッチング処理を行った場合でも、液中に析出物が生じることなく、銅材表面を均一に粗化できる。なお、従来の硫酸/過酸化水素系マイクロエッチング液に、ベンゾトリアゾールやテトラゾールなどを添加した場合、連続してエッチング処理を行うと、上記添加成分と銅とが結合した黒い析出物が生じ、これが銅材表面に付着して後工程に影響を及ぼすおそれがあった。具体的には、上記析出物が銅配線パターン間に残留した場合などは、ショートの原因になる可能性があった。従来は、このような析出物を除去するために、フィルターでマイクロエッチング液をろ過するなどの処理が必要であったため、製造工程が煩雑になりコスト高となっていた。本発明のエッチング液には、上記フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類が配合されているため、上記析出物の発生を効果的に抑制できる。
上記フェニルテトラゾール類としては、1−フェニルテトラゾール及びその誘導体、5−フェニルテトラゾール及びその誘導体等が挙げられる。なかでも、ニトロベンゾトリアゾール類との相乗効果により銅層と絶縁層との密着性を高めるには、上記フェニルテトラゾール類が、5−フェニルテトラゾールであることが特に好ましい。フェニルテトラゾール類の誘導体としては、−SH基が導入された化合物(例えば、1−フェニル−5−メルカプト−1Hテトラゾール)や、−NH基が導入された化合物(例えば、5(3−アミノフェニル)1Hテトラゾール)等が例示できる。また、1−フェニルテトラゾールの金属塩や5−フェニルテトラゾールの金属塩を使用してもよく、これらの金属塩のカウンターカチオンとしては、カルシウムイオン、第一銅イオン、第二銅イオン、リチウムイオン、マグネシウムイオン、ナトリウムイオン等が例示できる。
上記フェニルテトラゾール類の濃度は、粗化形状やエッチング液の銅溶解許容量に応じて調整されるが、0.01〜0.7g/Lが好ましく、0.03〜0.6g/Lがより好ましく、0.05〜0.4g/Lがさらに好ましい。0.01g/L以上の場合は、エッチング速度が速くなるため、銅材表面を速やかに粗化できる。一方、0.7g/L以下の場合は、エッチング液中で析出するのを防止できる。
上記ニトロベンゾトリアゾール類としては、4−ニトロベンゾトリアゾール及びその誘導体、5−ニトロベンゾトリアゾール及びその誘導体等が挙げられる。なかでも、フェニルテトラゾール類との相乗効果により銅層と絶縁層との密着性を高めるには、上記ニトロベンゾトリアゾール類が、4−ニトロベンゾトリアゾール又は5−ニトロベンゾトリアゾール、あるいは4−ニトロベンゾトリアゾールと5−ニトロベンゾトリアゾールの混合物であることが好ましい。特に、4−ニトロベンゾトリアゾールを使用した場合には、酸性溶液への溶解性が高く、エッチング液中で析出物が生じにくいため好ましい。
上記ニトロベンゾトリアゾール類の濃度は、粗化形状やエッチング液の銅溶解許容量に応じて調整されるが、0.01〜1.5g/Lが好ましく、0.1〜1.0g/Lがより好ましく、0.2〜0.8g/Lがさらに好ましい。0.01g/L以上の場合は、銅材表面をより均一に粗化できる。一方、1.5g/L以下の場合は、エッチング液中で析出するのを防止できる。
また、高温条件下における銅層と絶縁層との密着性をより向上させるには、上記フェニルテトラゾール類の濃度をAg/Lとし、上記ニトロベンゾトリアゾール類の濃度をBg/Lとした場合に、B/Aが1.0〜3.0であることが好ましい。特に、B/Aが1.5〜3.0の場合は、銅材表面をより均一に粗化できるため、より好ましい。
本発明のエッチング液には、上述した成分以外にも、本発明の効果を妨げない程度に他の成分を添加してもよい。例えば、過酸化水素の安定剤として、クレゾールスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、m−キシレンスルホン酸、フェノールスルホン酸、スルホサリチル酸、m−ニトロベンゼンスルホン酸、p−アミノベンゼンスルホン酸などのベンゼンスルホン酸類を添加してもよい。この場合、ベンゼンスルホン酸類の濃度は、過酸化水素の安定性の観点から、10g/L以下が好ましく、2〜4g/Lがより好ましい。なお、従来の硫酸/過酸化水素系マイクロエッチング液にベンゼンスルホン酸類を添加すると、銅とベンゼンスルホン酸類とが結合した析出物が生じる事があったが、本発明のエッチング液には、上記フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類が配合されているため、上記析出物の発生を効果的に抑制できる。
また、本発明のエッチング液には、粗化後の銅材表面の凹みを深くするために、塩化物イオン源を配合してもよい。塩化物イオン源としては、例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム、塩酸等が挙げられる。塩化物イオン源の濃度は、粗化形状やエッチング速度に応じて調整されるが、塩化物イオンとして1〜60ppmが好ましく、2〜30ppmがより好ましい。この範囲内であれば、銅材表面を充分に粗化できる。また、安定したエッチング速度を得るために、硫酸銅、塩化銅、酢酸銅などの銅化合物を溶解させてもよい。これらの銅化合物の濃度は、通常、銅濃度として5〜60g/L程度である。
上記エッチング液は、上記の各成分を水に溶解させることにより、容易に調製することができる。上記水としては、イオン性物質や不純物を除去した水が好ましく、例えばイオン交換水、純水、超純水などが好ましい。
上記エッチング液は、各成分を使用時に所定の濃度になるように配合してもよく、濃縮液を調製しておき使用直前に希釈して使用してもよい。上記エッチング液の使用方法は、特に限定されず、浸漬処理、スプレー処理等の方法を採用できるが、銅材表面をより均一に粗化するには、浸漬処理が好ましい。また、使用時のエッチング液の温度は、特に制限はないが、銅材表面をより均一に粗化するには20〜40℃で使用することが好ましい。
次に、本発明に係るエッチング液の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
表1(実施例)及び表2(比較例)に示す組成の各エッチング液を用いて、下記に示す測定方法により各項目について評価した。各エッチング液は、まず、硫酸及び過酸化水素をイオン交換水に溶解させた後、残りの成分を添加して調製した。なお、各エッチング液の塩化物イオン源としては、塩化ナトリウムを用いた。
<エッチング時間>
厚み35μmの銅箔を絶縁基材の両面に張り合わせた厚み0.2mmのガラス布エポキシ樹脂含浸銅張積層板を、試験基板として2種類用意した。具体的には、10cm×10cmに裁断したFR−4材(日立化成社製、製品名:MCL−E−67)と、同じく10cm×10cmに裁断したハロゲンフリー材(日立化成社製、製品名:MCL−BE−67G)を試験基板として用意した。次に、表1及び表2に示す各エッチング液(25℃)を満たした1Lビーカー中に、各試験基板を立てて投入し、60秒間浸漬して銅表面をエッチングした。そして、処理前後の各試験基板の重量から、下式によりエッチング速度(μm/秒)を算出し、このエッチング速度に基づき、銅表面から平均1.0μmの深さまでエッチングする時間と、銅表面から平均1.5μmの深さまでエッチングする時間とを算出した。なお、エッチング速度は、FR−4材及びハロゲンフリー材の間で相違はなかった。
エッチング速度(μm/秒)=(処理前の重量(g)−処理後の重量(g))÷基板面積(m2)÷銅の密度(g/cm3)÷浸漬時間(秒)
<均一性>
表1及び表2に示す各エッチング液(25℃)を満たした1Lビーカー中に、上記試験基板と同様の試験基板を立てて投入し、上記算出したエッチング時間だけ浸漬して銅表面をエッチングした。これにより、銅表面から平均1.0μmの深さまでエッチングしたFR−4材及びハロゲンフリー材と、銅表面から平均1.5μmの深さまでエッチングしたFR−4材及びハロゲンフリー材とを得た。そして、これら処理後の試験基板(4種類)を目視にて観察して、粗化状態の均一性について、いずれの基板にもムラが全くなかったものを◎、いずれの基板にもムラはなかったが、少なくとも1種類の基板に薄いスジやテカリがあったものを○、少なくとも1種類の基板にムラがあったものを×として評価した。なお、均一性にムラがある場合は、通常、密着性にもムラができ、密着不良をおこすおそれがある。
<ピール強度(引き剥がし強さ)>
厚み35μmの電解銅箔を10cm×10cmに裁断し、上記均一性の評価の場合と同様の方法で光沢面をエッチングした。そして、エッチングを行った光沢面に、ガラス布エポキシ樹脂含浸プリプレグを積層プレス(プレス圧:30MPa、温度:170℃、時間:60分)により張り合わせた。この際のガラス布エポキシ樹脂含浸プリプレグには、FR−4材(日立化成社製、製品名:GEA−67N、厚さ0.15mm)と、ハロゲンフリー材(日立化成社製、製品名:GEA−67BE、厚さ0.1mm)の2種類を使用した。次いで、上記FR−4材又は上記ハロゲンフリー材が張り合わされた基板をJIS C 6481に準じて1cm幅にサンプリングし、ピール強度を求めた。
<はんだ耐熱性>
上記均一性の評価を行った後の各試験基板の両面に、ガラス布エポキシ樹脂含浸プリプレグを上記ピール強度の評価の場合と同様に積層プレスにより張り合わせた。この際、FR−4材(MCL−E−67)を用いた試験基板に対しては、FR−4材(日立化成社製、製品名:GEA−67N、厚さ0.15mm)を使用し、ハロゲンフリー材(MCL−BE−67G)を用いた試験基板に対しては、ハロゲンフリー材(日立化成社製、製品名:GEA−67BE、厚さ0.1mm)を使用した。次いで、積層した基板の周辺部を切り取ってテストピースを作製した。このテストピースを100℃(湿度:100%)中に4時間放置した後、JIS C 6481に準じて270℃の溶融はんだ浴中に30秒間浸漬した。そして、浸漬後の各試験基板を目視にて観察して、剥がれ・膨れが全く見られなかったものを◎、小さな膨れがあったものを○、大きな剥がれや膨れがあったものを×として評価した。
<析出物の有無>
表1及び表2に示す各エッチング液を50℃の恒温槽に168時間放置し、析出物の有無を目視にて確認した。
Figure 2009191357
Figure 2009191357
表1及び表2に示すように、本発明の実施例1〜8は、いずれの評価項目についても良好な結果が得られた。特に、ニトロベンゾトリアゾール類の濃度が、フェニルテトラゾール類の濃度の1.0〜3.0倍である実施例1,2,6,7は、銅表面から平均1.0μmの深さまでエッチングしたハロゲンフリー材を用いても、はんだ耐熱性が◎の評価となった。一方、比較例1〜5については、実施例1〜8と比較していずれの評価項目についても劣る結果となった。特に、ハロゲンフリー材を用いた場合に、ピール強度及びはんだ耐熱性の少なくとも一方が実施例1〜8に比べ極端に劣る結果となった。このことから、本発明によれば、高温条件下においても銅層と絶縁層との密着性を確実に維持することができる上、広範な絶縁材に対して密着性を向上させ得ることが分かった。

Claims (10)

  1. 硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング液であって、
    フェニルテトラゾール類及びニトロベンゾトリアゾール類を含むことを特徴とするエッチング液。
  2. 前記フェニルテトラゾール類の濃度が、0.01〜0.7g/Lである請求項1に記載のエッチング液。
  3. 前記ニトロベンゾトリアゾール類の濃度が、0.01〜1.5g/Lである請求項1又は2に記載のエッチング液。
  4. 前記フェニルテトラゾール類の濃度をAg/Lとし、前記ニトロベンゾトリアゾール類の濃度をBg/Lとした場合に、B/Aが1.0〜3.0である請求項1〜3のいずれか一項に記載のエッチング液。
  5. 前記フェニルテトラゾール類が、1−フェニルテトラゾール、5−フェニルテトラゾール、これらに−NH基又は−SH基が導入された化合物、及びこれらの金属塩のうちの少なくとも一つである請求項1〜4のいずれか一項に記載のエッチング液。
  6. 前記ニトロベンゾトリアゾール類が、4−ニトロベンゾトリアゾール及び5−ニトロベンゾトリアゾールのうちの少なくとも一方である請求項1〜5のいずれか一項に記載のエッチング液。
  7. 前記硫酸の濃度が、60〜220g/Lであり、
    前記過酸化水素の濃度が、5〜70g/Lである請求項1〜6のいずれか一項に記載のエッチング液。
  8. ベンゼンスルホン酸類を更に含む請求項1〜7のいずれか一項に記載のエッチング液。
  9. 塩化物イオン源を更に含む請求項1〜8のいずれか一項に記載のエッチング液。
  10. 前記塩化物イオン源が、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化アンモニウム及び塩酸のうちの少なくとも一つである請求項9に記載のエッチング液。
JP2008267719A 2008-01-16 2008-10-16 エッチング液 Active JP4278705B1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008267719A JP4278705B1 (ja) 2008-01-16 2008-10-16 エッチング液
TW097144318A TWI398552B (zh) 2008-01-16 2008-11-17 Etching solution
CN2008101877176A CN101487122B (zh) 2008-01-16 2008-12-31 蚀刻液
KR1020090003344A KR101550069B1 (ko) 2008-01-16 2009-01-15 에칭액

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008007327 2008-01-16
JP2008267719A JP4278705B1 (ja) 2008-01-16 2008-10-16 エッチング液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP4278705B1 JP4278705B1 (ja) 2009-06-17
JP2009191357A true JP2009191357A (ja) 2009-08-27

Family

ID=40872192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008267719A Active JP4278705B1 (ja) 2008-01-16 2008-10-16 エッチング液

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4278705B1 (ja)
KR (1) KR101550069B1 (ja)
CN (1) CN101487122B (ja)
TW (1) TWI398552B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011071061A1 (ja) * 2009-12-11 2011-06-16 日本軽金属株式会社 アルミ・樹脂・銅複合品及びその製造方法並びに密閉型電池向け蓋部材
WO2011093445A1 (ja) * 2010-01-28 2011-08-04 三菱瓦斯化学株式会社 銅/チタン系多層薄膜用エッチング液
KR20110108252A (ko) * 2010-03-26 2011-10-05 멕크 가부시키가이샤 동의 에칭액 및 기판의 제조 방법
CN115404480A (zh) * 2022-08-30 2022-11-29 昆山市板明电子科技有限公司 可回用的铜面粗化微蚀液及其使用方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101693383B1 (ko) * 2010-08-12 2017-01-09 동우 화인켐 주식회사 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물
CN102477262B (zh) * 2010-11-30 2015-01-28 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械抛光浆料
CN103510089B (zh) * 2012-06-29 2017-04-12 三菱瓦斯化学株式会社 蚀刻用液体组合物和使用其的多层印刷电路板的制造方法
KR102065808B1 (ko) * 2012-12-03 2020-01-13 멕크 가부시키가이샤 에칭액, 보급액, 및 구리 배선의 형성 방법
JP6424559B2 (ja) * 2013-11-22 2018-11-21 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング用組成物及びそれを用いたプリント配線板の製造方法
JP6164614B2 (ja) * 2013-12-06 2017-07-19 メック株式会社 エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法
CN106167915A (zh) * 2016-08-30 2016-11-30 广东成德电子科技股份有限公司 一种印制电路板用电化学酸性蚀刻液的再生回收方法
WO2019208461A1 (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅箔用エッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法ならびに電解銅層用エッチング液およびそれを用いた銅ピラーの製造方法
CA3110357A1 (en) * 2021-02-25 2022-08-25 Sixring Inc. Modified sulfuric acid and uses thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000282265A (ja) 1999-03-31 2000-10-10 Mec Kk 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いる表面処理法
JP4033611B2 (ja) 2000-07-28 2008-01-16 メック株式会社 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP4312582B2 (ja) 2003-12-02 2009-08-12 株式会社Adeka エッチング方法
JP4606919B2 (ja) * 2005-03-28 2011-01-05 朝日化学工業株式会社 エッチング組成液
JP2009503910A (ja) 2005-08-05 2009-01-29 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド 金属フィルム平坦化用高スループット化学機械研磨組成物
WO2007120259A2 (en) * 2005-11-08 2007-10-25 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011071061A1 (ja) * 2009-12-11 2011-06-16 日本軽金属株式会社 アルミ・樹脂・銅複合品及びその製造方法並びに密閉型電池向け蓋部材
JP2011124142A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Nippon Light Metal Co Ltd アルミ・樹脂・銅複合品及びその製造方法並びに密閉型電池向け蓋部材
WO2011093445A1 (ja) * 2010-01-28 2011-08-04 三菱瓦斯化学株式会社 銅/チタン系多層薄膜用エッチング液
CN102834547A (zh) * 2010-01-28 2012-12-19 三菱瓦斯化学株式会社 铜/钛系多层薄膜用蚀刻液
JPWO2011093445A1 (ja) * 2010-01-28 2013-06-06 三菱瓦斯化学株式会社 銅/チタン系多層薄膜用エッチング液
CN102834547B (zh) * 2010-01-28 2014-08-20 三菱瓦斯化学株式会社 铜/钛系多层薄膜用蚀刻液
US8980121B2 (en) 2010-01-28 2015-03-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Etching liquid for a copper/titanium multilayer thin film
JP5685204B2 (ja) * 2010-01-28 2015-03-18 三菱瓦斯化学株式会社 銅/チタン系多層薄膜用エッチング液
KR20110108252A (ko) * 2010-03-26 2011-10-05 멕크 가부시키가이샤 동의 에칭액 및 기판의 제조 방법
JP2011202242A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Mec Kk 銅のエッチング液および基板の製造方法
KR101603739B1 (ko) 2010-03-26 2016-03-15 멕크 가부시키가이샤 동의 에칭액 및 기판의 제조 방법
CN115404480A (zh) * 2022-08-30 2022-11-29 昆山市板明电子科技有限公司 可回用的铜面粗化微蚀液及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101550069B1 (ko) 2015-09-03
CN101487122B (zh) 2011-04-06
JP4278705B1 (ja) 2009-06-17
TWI398552B (zh) 2013-06-11
TW200932955A (en) 2009-08-01
KR20090079172A (ko) 2009-07-21
CN101487122A (zh) 2009-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4278705B1 (ja) エッチング液
TW591120B (en) Etchant for copper or copper alloys
JP4033611B2 (ja) 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法
JP5505847B2 (ja) エッチング剤
JP4881916B2 (ja) 表面粗化剤
TWI630261B (zh) 蝕刻用組成物及利用此蝕刻用組成物之印刷電路板之製造方法
WO2003000954A1 (fr) Agent de traitement de surface pour cuivre et alliage de cuivre
TWI553155B (zh) 蝕刻劑及使用它之蝕刻方法
JP3930885B2 (ja) 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤
JP2011179085A (ja) 電気めっき用前処理剤、電気めっきの前処理方法及び電気めっき方法
JP2019059962A (ja) 銅表面の粗化方法および配線基板の製造方法
KR20180072725A (ko) 구리 및 구리 합금 표면들을 위한 표면 처리제 및 구리 또는 구리 합금 표면들을 처리하는 방법
TWI575110B (zh) The liquid composition for etching and the manufacturing method of the multilayer printed circuit board using the liquid composition
JP4836365B2 (ja) 回路板製造のための組成物
JP5317099B2 (ja) 接着層形成液
JP4431860B2 (ja) 銅および銅合金の表面処理剤
JP2019060013A (ja) 銅のマイクロエッチング剤
JP5576525B1 (ja) 銅エッチング液
JP2004218021A (ja) 銅及び銅合金のマイクロエッチング用表面処理剤及び銅及び銅合金の表面の粗面処理法
JP2016204679A (ja) 銅または銅合金のエッチング液
JP2004003020A (ja) 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤並びにこれを用いる銅または銅合金の微細粗化方法
JP2015078443A (ja) 電気銅めっき用前処理剤、電気銅めっきの前処理方法及び電気銅めっき方法
JP2013065892A (ja) エッチング方法
JP2013001944A (ja) 金属表面処理液

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090310

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4278705

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250