JP5505847B2 - エッチング剤 - Google Patents
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Description
厚み1.6mmの松下電工社製銅張積層板(製品名:ガラスエポキシマルチ R-1766)をエッチング液(硫酸200g/L、過酸化水素50g/L、残部イオン交換水)に浸漬して、当該積層板の銅箔を完全に除去し、露出したガラスエポキシ基材の一面側に、奥野製薬工業社製無電解めっき薬液(製品名:OPCカッパーH)を用いて厚み約1.5μmの無電解銅めっきを全面に施し、これを50mm×50mmに切断したものをテスト基板とした。この基板に対して、表1〜4に記載の各エッチング剤を用いて、30秒間のスプレー処理(スプレー圧:0.05MPa、温度:25℃)にてエッチングを行った。そして、処理前後のテスト基板の重量から、下式によりER1(μm/min)を算出した。
ER1(μm/min)=(処理前の重量(g)−処理後の重量(g))÷基板面積(m2)÷銅の密度(g/cm3)÷処理時間(min)
50mm×50mmの松下電工社製銅張積層板(製品名:ガラスエポキシマルチ R-1766)の電解銅箔面上に、厚み約15μmの電解銅めっきを全面に施したテスト基板を用意した。この基板に対して、表1〜4に記載の各エッチング剤を用いて、2分間のスプレー処理(スプレー圧:0.05MPa、温度:25℃)にてエッチングを行った。そして、処理前後のテスト基板の重量から、上記式と同様にER2(μm/min)を算出した。
厚み1.6mmの松下電工社製銅張積層板(製品名:ガラスエポキシマルチ R-1766)をエッチング液(硫酸200g/L、過酸化水素50g/L、残部イオン交換水)に浸漬して、当該積層板の銅箔を完全に除去し、露出したガラスエポキシ基材の一面側に、奥野製薬工業社製無電解めっき薬液(製品名:OPCカッパーH)を用いて厚み約1μmの無電解銅めっきを全面に施し、これを50mm×50mmに切断した基板を用意した。この基板の上に旭化成エレクトロニクス社製感光性ドライフィルム(製品名:サンフォート SPG152)によりメッキレジストパターンを施し、電解銅めっきにて厚み18μmの配線パターン(ライン/スペース=15μm/15μm)を形成し、3重量%の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーすることにより上記メッキレジストパターンを剥離してテスト基板を作製した。この基板に対して、表1〜4に記載の各エッチング剤を用いて、スプレー処理(スプレー圧:0.05MPa、温度:25℃)によりエッチングを行い、無電解銅めっき層が除去されて下地の樹脂面が現れるまでの処理時間(ジャストエッチ時間)を計測した。なお、無電解銅めっき層が除去されたかどうかは、配線間の樹脂表面を金属顕微鏡によって500倍に拡大して観察することにより確認した。
上記ジャストエッチ時間の測定方法で用いたものと同様のテスト基板を用意し、表1〜4に記載の各エッチング剤を用いて、ジャストエッチ時間に対し3倍の時間、スプレー処理(スプレー圧:0.05MPa、温度:25℃)によりエッチングを継続した。そして、エッチング処理前後の配線頂部の幅からパターン細り率を下式により求めた。なお、処理前後の配線頂部の幅は、いずれもレーザー顕微鏡(オリンパス製 OLS-1100)にて計10箇所測定し、その平均値とした。
パターン細り率(%)=(処理前の配線幅−処理後の配線幅)÷処理前の配線幅×100
上記パターン細り率の測定方法により測定した後のテスト基板の一部を包埋樹脂にて包埋処理し、これを切断して断面研磨した。続いて、研磨断面を走査型電子顕微鏡(日本電子製 JSM-6390)にて観察し、配線パターン下部のアンダーカット長さUCL(図1参照)を計10箇所測定し、その平均値を算出した。
2 配線
3 無電解銅めっき層
4 電解銅めっき層
Claims (3)
- セミアディティブ法において無電解銅めっき層を除去する銅のエッチング剤であって、
硫酸、過酸化水素及び水を含み、かつ
環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾール類と、カルボシキル基を2以上有する多塩基酸又はその塩とを含むことを特徴とするエッチング剤。 - 前記アゾール類の濃度が、0.001〜5重量%であり、
前記多塩基酸又はその塩の濃度が、0.005〜10重量%である請求項1に記載のエッチング剤。 - 前記硫酸の濃度が、1〜25重量%であり、
前記過酸化水素の濃度が、0.5〜15重量%である請求項1又は2に記載のエッチング剤。
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